基板安放單元的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及安裝于基板處理裝置的基板安放單元，更詳細(xì)而言，涉及一種能夠恒定地保持借助于夾鉗而固定的卡盤與托盤間的間隔的基板安放單元。
【背景技術(shù)】
[0002]—般而言，在用于半導(dǎo)體的基板及要求精密的薄膜加工工序中，使用利用等離子體的蝕刻和蒸鍍法，提高生產(chǎn)制品的精密度。
[0003]如上所述，產(chǎn)生等離子體的等離子體處理裝置由形成外形的腔和設(shè)置于腔的外側(cè)上部的天線及使基板放置于腔內(nèi)部的卡盤構(gòu)成，借助于由天線供應(yīng)的高頻，在腔內(nèi)部形成等離子體，對放置于卡盤的基板進(jìn)行加工。
[0004]但是，這種等離子體加工裝置把一個(gè)基板放置于卡盤進(jìn)行加工，因而在加工多個(gè)基板時(shí)，作業(yè)時(shí)間需要較長，存在生產(chǎn)率降低的問題。
[0005]因此，最近為了能夠同時(shí)加工多個(gè)基板，開發(fā)了一種技術(shù)，在卡盤上部利用夾鉗固定供多個(gè)基板安放的圓盤狀的托盤，同時(shí)加工多個(gè)基板，從而提高生產(chǎn)率。
[0006]圖1是用于說明以往托盤的變形及由此導(dǎo)致的溫度偏差的圖。
[0007]如圖1所示，當(dāng)利用夾鉗300而固定托盤200與卡盤100時(shí)，力集中于供夾鉗300安裝的托盤200的外周面，因而在托盤200中發(fā)生諸如彎曲的變形，發(fā)生托盤200與卡盤100間的間隔越靠近托盤200的中心越變寬的現(xiàn)象。
[0008]如上所述，如果在托盤200中發(fā)生變形，托盤200與卡盤100之間間隔變寬，則隨著熱傳遞效率下降，在托盤200的中央部溫度(Tl)與邊緣部溫度(T2)發(fā)生偏差。在中央部由等離子體導(dǎo)致托盤表面溫度上升。
[0009]如上所述，當(dāng)在托盤200的中央部與邊緣部發(fā)生溫度偏差時(shí)，安放于托盤200的基板W根據(jù)其安放位置，加工速度相互不同，從而誘發(fā)生產(chǎn)的制品的品質(zhì)偏差及缺陷。
[0010]特別是當(dāng)卡盤100發(fā)揮加熱器作用時(shí)，存在與卡盤100間隔狹窄的基板W的邊緣部溫度上升到需要以上而使基板W損傷的問題。
[0011]以往，為了解決這種問題，針對供托盤安放的卡盤的上面以向上部凸起的曲面形成的裝置，在“等離子體處理方法及等離子體處理用托盤(韓國公開專利KR2003-0021908) ”等中具體公開。
[0012]但是，當(dāng)以凸出的曲面形成卡盤的上面時(shí)，存在如下問題:托盤的變形程度進(jìn)一步加大，基板無法在托盤上部穩(wěn)定地安放，從而誘發(fā)生產(chǎn)制品不良。
[0013]另外，安放于托盤彎曲的邊緣部的基板，由于左右傾斜度不同，因此存在生產(chǎn)制品的加工程度非對稱地加工的問題。
[0014]另一方面，針對使用托盤底面向下方凸出地形成的托盤，在“冷卻效果優(yōu)秀的等離子體處理裝置用基板托盤及等離子體處理裝置(韓國公開專利KR2012-0097667) ”等中具體公開。
[0015]但是，為了解決由于托盤的厚度、強(qiáng)度及寬度的影響而導(dǎo)致托盤與卡盤之間間隔加寬的問題，需要形成粘合片、浮雕等追加構(gòu)成，存在使托盤制造成本上升的問題，由此，熱傳遞氣體無法順利供應(yīng)至托盤，無法解決誘發(fā)生產(chǎn)制品的品質(zhì)缺陷的問題。
[0016]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0017]專利文獻(xiàn)
[0018]專利文獻(xiàn)I:KR 2003-0021908Α(2003.10.17.)
[0019]專利文獻(xiàn)2:KR 2012-0097667A(2012.09.05.)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0020]要解決的課題
[0021]本發(fā)明正是為了解決如上問題而研發(fā)的，提供一種能夠同時(shí)安放多個(gè)基板并處理，且使各個(gè)基板間的溫度偏差最小化的基板安放單元。
[0022]另外，提供一種在利用夾鉗固定托盤與卡盤時(shí)，能夠使托盤的變形最小化的基板安放單元。
[0023]解決課題方法
[0024]本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的基板安放單元的特征在于，包括:卡盤，其設(shè)置于基板處理裝置的腔內(nèi)部；托盤，其供基板安放，設(shè)置于所述卡盤平面；及夾鉗，其對所述卡盤與托盤的邊緣加壓并固定；在所述托盤的底面中心或所述卡盤的平面中心凸出形成有凸出部。
[0025]其特征在于，所述凸出部與所述托盤形成為一體，在其中心形成有沿上下方向通孔的氣體流路，在其底面形成有以所述氣體流路為中心呈放射狀形成的一個(gè)以上的氣體流動(dòng)槽。
[0026]其特征在于，所述凸出部與所述卡盤形成為一體，在其平面形成有呈放射狀形成的一個(gè)以上的氣體流動(dòng)槽。
[0027]優(yōu)選所述凸出部以圓板形狀形成，其直徑形成為所述托盤直徑的1/2以下。
[0028]優(yōu)選地，本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的基板安放單元還可以包括圓板形狀的托盤蓋，其具有多個(gè)基板處理孔，并蓋住所述托盤上部。
[0029]優(yōu)選所述托盤蓋形成有變形防止部，所述變形防止部沿其外周面向下方延長，與所述卡盤的平面接觸，以便能夠防止所述托盤邊緣部的變形。
[0030]發(fā)明效果
[0031]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，當(dāng)使多個(gè)基板同時(shí)安放于托盤并處理時(shí)，使因托盤與卡盤之間間隔變化而發(fā)生的基板間的溫度偏差最小化，從而具有能夠提高生產(chǎn)率并提高生產(chǎn)基板的品質(zhì)的效果。
[0032]另外，具有能夠使托盤的變形最小化，使基板間的溫度偏差最小化，提尚托盤壽命的效果。
[0033]另外，在凸出部中形成氣體流路及氣體流動(dòng)槽，以使熱傳遞氣體順利供應(yīng)至托盤，從而具有防止基板間的溫度偏差，使不良的發(fā)生實(shí)現(xiàn)最小化的效果。
【附圖說明】
[0034]圖1是用于說明以往托盤的變形及由此導(dǎo)致的溫度偏差的圖，
[0035]圖2是顯示本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的托盤的底面的立體圖，
[0036]圖3是顯示本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的卡盤的平面的圖，
[0037]圖4是用于說明本發(fā)明第一實(shí)施例的基板安放單元的剖面圖，
[0038]圖5是用于說明本發(fā)明第二實(shí)施例的基板安放單元的剖面圖，
[0039]圖6是用于說明本發(fā)明第三實(shí)施例的基板安放單元的剖面圖，
[0040]圖7是用于說明本發(fā)明第四實(shí)施例的基板安放單元的剖面圖，
[0041]圖8是用于說明本發(fā)明第五實(shí)施例的基板安放單元的剖面圖，
[0042]圖9是用于說明本發(fā)明第六實(shí)施例的基板安放單元的剖面圖，
[0043]圖10是用于說明利用本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的基板安放單元處理基板時(shí)的溫度偏差的圖，
[0044]圖11是顯示利用以往基板安放單元和本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的基板安放單元處理基板時(shí)，分別安放于托盤中心部與邊緣區(qū)域的基板的處理狀態(tài)的照片。
[0045][符號說明]
[0046]W:基板100:卡盤
[0047]110:第一氣體流動(dòng)孔200:托盤
[0048]210:基板安放部230:第二氣體流動(dòng)孔
[0049]300:夾鉗400:凸出部
[0050]410:氣體流路420:氣體流動(dòng)槽
[0051]500:托盤蓋510:變形防止部
[0052]530:基板處理孔
【具體實(shí)施方式】
[0053]下面參照附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但本發(fā)明并非由實(shí)施例限制或限定。作為參考，在本說明中，相同的符號指稱實(shí)質(zhì)上相同的要素，在這種規(guī)則下，可以引用在其它附圖中記載的內(nèi)容進(jìn)行說明，可以省略判斷為對于所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員來說顯而易見的或者重復(fù)的內(nèi)容。
[0054]本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的基板安放單元包括:卡盤100，其設(shè)置于基板處理裝置的腔內(nèi)部；托盤200，其安放于卡盤100上部，在其平面上供多個(gè)基板W安放；及夾鉗300，其使托盤200與卡盤100結(jié)合固定。
[0055]其特征在于，當(dāng)利用夾鉗300對卡盤100與托盤200的邊緣部加壓并固定時(shí)，托盤200的中心發(fā)生向上方凸起的變形，因而導(dǎo)致在中心部，托盤200與卡盤100之間間隔增加，在托盤200與卡盤100的中心部凸出形成有對此進(jìn)行補(bǔ)償?shù)耐钩霾?00，使多個(gè)基板W間的溫度偏差實(shí)現(xiàn)最小化。
[0056]此時(shí)，在卡盤100內(nèi)部形成有沿上下方