面IOc的邊緣延伸以連接至電極A的第二表面10d。
[0097] 第一表面IOc可具有整體平坦的結(jié)構(gòu)，并且可限定UBM層10'的頂表面。第二表 面IOd可具有實質(zhì)上垂直于電極A的表面的結(jié)構(gòu)，并且可限定UBM層10'的橫向表面。
[0098] 例如，UBM層10'可通過電子束沉積工藝形成?？商娲兀琔BM層10'可通過電鍍 處理形成，并且可對形成UBM層10'的材料進行沉積以使其具有直線特征，或者可經(jīng)由沉積 處理形成以使其相比于以上參照圖6描述的示例實施例具有在沉積表面上的低水平的流 動性。因此，按照與根據(jù)圖6的示例實施例的UBM層10不同的方式，根據(jù)本示例實施例的 UBM層10'可具有實質(zhì)上垂直于電極A的表面的結(jié)構(gòu)或縱向方向。
[0099] 圖13示意性示出了在第一表面IOc (即，UBM層10'的頂表面）上形成抗氧化層 70的操作。
[0100] 抗氧化層70可由Au或Au合金形成，或者包括Au或Au合金。例如，通過執(zhí)行膜 形成處理（例如濺射處理或電鍍處理），可使抗氧化層70覆蓋UBM層10'的第一表面IOc 以及光刻膠圖案60。
[0101] 圖14示意性示出了從鈍化層50去除光刻膠圖案60的操作。例如，可通過執(zhí)行剝 離處理來去除光刻膠圖案60。
[0102] 圖15示意性示出了在UBM層10'的各個第二表面IOd上分別形成阻擋層40的操 作。
[0103] 例如，可通過使UBM層10'的表面氧化而形成阻擋層40,所述氧化通過將氧注入 UBM層10'的表面中以及執(zhí)行熱氧化處理或等離子體氧化處理而進行。在這種情況下，第一 表面IOc (即，UBM層10'的頂表面）可受到抗氧化層70保護，從而可使第二表面IOd(即， UBM層10'的暴露在外部的橫向表面）氧化，以形成分別覆蓋各個第二表面IOd的阻擋層 40 〇
[0104] 阻擋層40可以是通過使UBM層10'的第二表面IOd氧化而形成的包含Ni和Cu 中的至少一個的氧化物層。例如，阻擋層40可包括NiO薄膜或CuO薄膜。
[0105] 圖16和圖17示意性示出了在UBM層10'上形成焊料凸塊30的操作?？赏ㄟ^在 UBM層10'上形成焊料30a以及使焊料30a回流來形成焊料凸塊30。
[0106] 如圖16所示，焊料30a可形成在覆蓋UBM層10'的頂表面的抗氧化層70上。例 如，可通過絲印處理形成焊料30a。
[0107] 如圖17所示，可通過使焊料30a回流而在焊料凸塊30和UBM層10'之間形成頂C 20。焊料凸塊30可在頂C 20介于其與UBM層10'之間的情況下形成在UBM層10'上。
[0108] 下面，將參照圖18描述根據(jù)示例實施例的提供有互連凸塊的半導體器件。圖18 是示意性示出根據(jù)示例實施例的半導體器件的截面圖。
[0109] 例如，半導體器件可為發(fā)光二極管（LED)芯片，其發(fā)射具有期望的（或可替代地， 預定的）波長的光。另外，半導體LED芯片可為邏輯半導體芯片或存儲器半導體芯片。邏 輯半導體芯片可為例如中央處理單元（CPU)的微處理器、控制器或?qū)Ｓ眉呻娐罚ˋSIC)。 此外，存儲器半導體芯片可以是諸如動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM)或靜態(tài)隨機存取存儲器 (SRAM)的易失性存儲器，或是諸如閃速存儲器的非易失性存儲器。在示例實施例中，將對半 導體器件是LED芯片的情況進行描述。
[0110] 參照圖18,根據(jù)示例實施例的半導體器件100可包括發(fā)光結(jié)構(gòu)110、第一絕緣層 120、電極層130、第二絕緣層140和互連凸塊150。
[0111] 發(fā)光結(jié)構(gòu)110可具有堆疊多個半導體層的結(jié)構(gòu)，并且可包括按順序堆疊在襯底 101上的第一導電類型的半導體層111、有源層112以及第二導電類型的半導體層113。
[0112] 襯底101可具有在X方向和y方向上延伸的頂表面。襯底101可作為半導體生長襯 底提供，并可使用絕緣材料、導電材料和半導體材料，諸如藍寶石、硅（Si)、碳化硅（SiC)、 鋁酸鎂（MgAl 2O4)、氧化鎂（MgO)、鋁酸鋰（LiAlO2)、鋰鎵氧化物（LiGaO 2)、GaN等。
[0113] 多個不平整的、凹形的或圖案化的結(jié)構(gòu)102可形成在襯底101的頂表面（即，在其 上生長半導體層的表面）上。所述不平整的、凹形的或圖案化的結(jié)構(gòu)102可提高半導體層 的結(jié)晶度和發(fā)光效率。在示例實施例中，將襯底101示例為具有圓頂形狀；然而，所述不平 整的、凹形的或圖案化的結(jié)構(gòu)102的形狀不限于此。例如，所述不平整的、凹形的或圖案化 的結(jié)構(gòu)102可具有各種不同的形狀，例如矩形或三角形。另外，可以有選擇地形成和提供所 述不平整的、凹形的或圖案化的結(jié)構(gòu)102 ;因此，也可省略結(jié)構(gòu)102。
[0114] 另一方面，根據(jù)示例實施例，隨后可去除襯底101。也就是說，襯底101可作為用于 生長第一導電類型的半導體層111、有源層112和第二導電類型的半導體層113的生長襯底 而提供，并且可通過分離處理去除。可利用激光剝離（LLO)工藝、化學剝離（CLO)工藝等將 襯底101與半導體層分離。
[0115] 堆疊在襯底101上的第一導電類型的半導體層111可由摻雜有η型雜質(zhì)的半導體 形成或者包括摻雜有η型雜質(zhì)的半導體，并且可為η型氮化物半導體層。第二導電類型的半 導體層113可由摻雜有ρ型雜質(zhì)的半導體形成或者包括摻雜有ρ型雜質(zhì)的半導體，并且可 為P型氮化物半導體層。然而，根據(jù)示例實施例，第一導電類型的半導體層111和第二導電 類型的半導體層113的位置可以為了堆疊而互換。例如，第一導電類型的半導體層111和第 二導電類型的半導體層113可具有Al xInyGa1 xyN(其中(Xx彡l、(Xy彡1、0彡x+y彡1) 的成分，例如，諸如氮化鎵（GaN)、鋁鎵氮化物（AlGaN)、銦鎵氮化物（InGaN)或鋁銦鎵氮化 物Al InGaN的材料。
[0116] 設置在第一導電類型的半導體層111與第二導電類型的半導體層113之間的有源 層112可通過電子和空穴的復合來發(fā)射具有期望的（或可替代地預定的）能級的光。有源 層112可包括能帶隙小于第一導電類型的半導體層111和第二導電類型的半導體層113的 能帶隙的材料。例如，在第一導電類型的半導體層111和第二導電類型的半導體層113是基 于GaN的化合物半導體的情況下，有源層112可包括能帶隙小于GaN的能帶隙的基于InGaN 的化合物半導體。另外，有源層112可具有多個量子阱與多個量子勢皇按照交替方式堆疊 的多量子阱（MQW)結(jié)構(gòu)（例如，InGaN/GaN結(jié)構(gòu)）。然而，有源層112的結(jié)構(gòu)不限于此，并且 有源層112可具有堆疊了單量子阱和單量子勢皇的單量子阱（SQW)結(jié)構(gòu)。
[0117] 發(fā)光結(jié)構(gòu)110可包括：刻蝕部分E，在其中對第二導電類型的半導體層113、有源層 112以及第一導電類型的半導體層111的多個部分分別進行刻蝕；以及由刻蝕部分E部分 地劃分邊界的多個臺面部分M。
[0118] 第一接觸電極114可設置在暴露至刻蝕部分E的第一導電類型的半導體層111的 頂表面上，以連接至第一導電類型的半導體層111，并且第二接觸電極115可設置在所述多 個臺面部分M的頂表面上，以連接至第二導電類型的半導體層113。
[0119] 另一方面，為了覆蓋暴露至刻蝕部分E的有源層112,可在臺面部分M的橫向表面 上設置鈍化層I l〇a，其由絕緣材料形成或者包括絕緣材料。然而，可以有選擇地提供鈍化層 ll〇a，并且可根據(jù)示例實施例將其省略。
[0120] 可在發(fā)光結(jié)構(gòu)110上提供第一絕緣層120,以完全覆蓋發(fā)光結(jié)構(gòu)110。第一絕緣層 120可基本由具有絕緣特征的材料形成或者包括具有絕緣特征的材料，并且可由無機材料 或有機材料形成，或者包括無機材料或有機材料。例如，第一絕緣層120可由基于環(huán)氧樹脂 的絕緣樹脂形成，或者包括基于環(huán)氧樹脂的絕緣樹脂。另外，第一絕緣層120可包括氧化硅 或氮化硅，例如，Si0 2、SiN、SiOxNy、Ti02、Si3N 4、A1203、TiN、AIN、Zr02、TiAlN 或 TiSiN。
[0121] 第一絕緣層120可提供有多個第一開口 121，所述多個第一開口 121分別設置在暴 露至刻蝕部分E的第一導電類型的半導體層111和第二導電類型的半導體層113上。具體 而言，第一開口 121可具有以下結(jié)構(gòu)：第一接觸電極114和第二接觸電極115分別在第一導 電類型的半導體層111和第二導電類型的半導體層113上部分地暴露。
[0122] 電極層130可設置在第一絕緣層120上，并且可電連接至第一導電類型的半導體 層111和第二導電類型的半導體層113中的至少一個或者它們中的每一個。
[0123] 可利用完全覆蓋發(fā)光結(jié)構(gòu)110的頂表面的第一絕緣層120使得電極層130與第一 導電類型的半導體層111和第二導電類型的半導體層113絕緣。另外，電極層130可通過 連接至通過第一開口 121暴露在外部的第一接觸電極114和第二接觸電極115，來連接至第 一導電類型的半導體層111和第二導電類型的半導體層113。
[0124] 可利用在第一絕緣層120中提供的第一開口 121以多種不同的方式對第一導電類 型的半導體層111和第二導電類型的半導體層113與電極層130之間的電連接進行調(diào)整。 例如，可以基于第一開口 121的數(shù)量和設置，以多種不同的方式對第一導電類型的半導體 層111和第二導電類型的半導體層113與電極層130之間的電連接進行調(diào)整。
[0125] 可提供至少一對電極層130用于第一導電類型的半導體層111與第二導電類型的 半導體層113之間的電絕緣。也就是說，第一電極層131可電連接至第一導電類型的半導 體層111，第二電極層132可電連接至第二導電類型的半導體層113,并且第一電極層131 和第二電極層132可彼此分離以實現(xiàn)電絕緣。
[0126] 電極層130可由這樣的材料形成，其包括諸如Au、W、Pt、Si、Ir、Ag、Cu、Ni、Ti、Cr 的材料和它們的合金中的至少一個，或者電極層130可包括這樣的材料。
[0127] 第二絕緣層140可設置在電極層130上，并且可完全覆蓋電極層130以對其進行 保護。第二絕緣層140可提供有第二開口 141，其部分地暴露出電極層130。
[0128] 第二開口 141可包括多個開口，以分別部分地暴露出第一電極層131和第二電極 層132。在這種情況下，可對第二開口 141進行設置以使其不與第一絕緣層120的第一開口 121重疊。也就是說，第二開口 141可以不按豎直的方式設置在第一開口 121的上部上。
[0129] 第二絕緣層140可由與第一絕緣層120的材料相同的材料形成，或者包括所述材 料。
[0130] 互連凸塊150可包括第一凸塊151和第二凸塊152,并且第一凸塊151和第二凸塊 152可在通過第二開口 141部分地暴露的第一電極層131和第二電極層132上分別提供。 第一凸塊151和第二凸塊152可通過電極層130電連接至第一導電類型的半導體層111和 第二導電類型的半導體層113。第一凸塊151和第二凸塊152可在發(fā)光結(jié)構(gòu)110上沿著單 個方向設置。
[0131] 第