有機電致發(fā)光元件及電子設備的制造方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明設及有機電致發(fā)光元件、W及電子設備。
【背景技術】
[0002] 若對有機電致發(fā)光元件（W下，有時稱為有機化元件。）施加電壓，則空穴從陽極、 電子從陰極分別注入發(fā)光層。并且，在發(fā)光層中，注入的空穴與電子復合，形成激子。此時， 根據(jù)電子自旋的統(tǒng)計法，單重態(tài)激子、和=重態(tài)激子W25% :75%的比例生成。
[0003] 使用來自單重態(tài)激子發(fā)光的巧光型有機化元件正被應用于移動電話、電視等全彩 顯示器，但內(nèi)部量子效率的界限據(jù)稱為25%。期待著在單重態(tài)激子的基礎上利用=重態(tài)激 子，使有機化元件進一步高效地發(fā)光。
[0004] 從運樣的背景出發(fā)，提出了利用延遲巧光的高效率的巧光型的有機化元件，正在 進行研究。
[0005] 例如，正在研究TADFdliermally Activated Delayed Fluorescence、熱活性化延 遲巧光)機理。該TADF機理是在使用單重態(tài)能級與S重態(tài)能級的能量差（A ST)小的材料的 情況下，利用從=重態(tài)激子向單重態(tài)激子的反向系間竄越在熱條件下發(fā)生的現(xiàn)象的機理。 熱活性化延遲巧光記載于例如"安達千波夫編、《有機半導體的器件物性》、講談社、2012年3 月22日、261-262頁"。利用該TADF機構的有機化元件在例如非專利文獻1中公開。
[0006] 對于利用運樣的TADF機理的有機EL元件，也期望元件性能的進一步提高。
[0007] 現(xiàn)有技術文獻 [000引非專利文獻
[0009]非專利文獻 1 :H.Nakano化ni ,Nat. Commun.，5，4016，2014

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]發(fā)明要解決的問題
[0011] 本發(fā)明的目的在于，提供高性能的有機電致發(fā)光元件、和具備該有機電致發(fā)光元 件的電子設備。
[0012] 用于解決問題的手段
[0013] 根據(jù)本發(fā)明的一個方案，提供一種有機電致發(fā)光元件，其包含陽極、發(fā)光層、和陰 極，所述發(fā)光層包含第一化合物、第二化合物、和第=化合物，所述第一化合物為延遲巧光 發(fā)光性的化合物，所述第一化合物的77[K]時的能隙TnK大于所述第二化合物的77[K]時的 能隙T77K，所述第合物的77 [ K ]時的能隙T77K大于所述第二化合物的77比]時的能隙T77K， 所述第二化合物是由下述通式(2)表示、且具有環(huán)的總數(shù)為8環(huán)W內(nèi)的稠環(huán)結構的化合物。
[0014] 【化1】
[0016] (上述通式(2)中，可W在曰、(3、(1、6^、11、1、和^'的位置中的至少任一位置稠合有單 環(huán)或稠環(huán)，可W在b和g的位置中的至少任一位置稠合有5元環(huán)或具有5元環(huán)的稠環(huán)，其中，
[0017] 在i和j的位置稠合6元環(huán)時，在d和e的位置也稠合單環(huán)或稠環(huán)，
[0018] 在d和e的位置稠合6元環(huán)時，在i和j的位置也稠合單環(huán)或稠環(huán)，
[0019] 在b的位置稠合具有5元環(huán)的稠環(huán)時，該稠環(huán)中的5元環(huán)直接稠合在b的位置，
[0020] 在g的位置稠合具有5元環(huán)的稠環(huán)時，該稠環(huán)中的5元環(huán)直接稠合在g的位置。）
[0021] 另外，根據(jù)本發(fā)明的一個方案，提供一種有機電致發(fā)光元件，其包含陽極、發(fā)光層、 和陰極，所述發(fā)光層包含第一化合物和第二化合物，所述第一化合物為下述通式（10)所示 的化合物，所述第二化合物是由下述通式(2)表示、且具有環(huán)的總數(shù)為8環(huán)W內(nèi)的稠環(huán)結構 的化合物。
[002^ 【化2】
[0024](上述通式（10)中，al為0或1，日2為0或1，且al+a2含l，ml為1~5的整數(shù)，日2為0時， Ri和R2分別獨立地為氨原子或1價的取代基，扣和1?2為取代基時的取代基分別獨立地選自取 代或無取代的成環(huán)碳數(shù)為6~30的芳香族控基、取代或無取代的成環(huán)原子數(shù)為5~30的雜環(huán) 基、取代或無取代的碳數(shù)為1~30的烷基、取代或無取代的碳數(shù)為1~30的烷氧基、取代或無 取代的碳數(shù)為7~30的芳烷基、取代或無取代的成環(huán)碳數(shù)為6~30的芳氧基、和取代甲硅烷 基，曰2為1時，扣和R2分別獨立地為選自取代或無取代的成環(huán)碳數(shù)為6~30的芳香族控基、取 代或無取代的成環(huán)原子數(shù)為5~30的雜環(huán)基、取代或無取代的碳數(shù)為1~30的烷基、取代或 無取代的碳數(shù)為1~30的烷氧基、取代或無取代的碳數(shù)為7~30的芳烷基、取代或無取代的 成環(huán)碳數(shù)為6~30的芳氧基、和取代甲娃烷基中的連接基團，ml為2W上時，多個Ri相互相同 或不同，多個R2相互相同或不同，Al和A2分別獨立地為具有選自下述通式(a-1)~(a-7)的部 分結構的基團，ml為2W上時，多個A2相互相同或不同，al為加寸，L2為氨原子或1價的取代基， L2為1價的取代基時的取代基選自取代或無取代的成環(huán)碳數(shù)為6~30的芳香族控基、和取代 或無取代的成環(huán)原子數(shù)為5~30的雜環(huán)基，al為1時，L2為單鍵或連接基團，L2為連接基團時 的連接基團選自取代或無取代的成環(huán)碳數(shù)為6~30的芳香族控基、和取代或無取代的成環(huán) 原子數(shù)為5~30的雜環(huán)基，Li為單鍵或連接基團，Li為連接基團時的連接基團選自取代或無 取代的成環(huán)碳數(shù)為6~30的芳香族控基、和取代或無取代的成環(huán)原子數(shù)為5~30的雜環(huán)基， ml為2W上時，多個b相互相同或不同。）
[00巧]【化3】
[0029] (上述通式(2)中，可W在曰、(3、(1、6^、11、1、和^'的位置中的至少任一位置稠合有單 環(huán)或稠環(huán)，可W在b和g的位置中的至少任一位置稠合有5元環(huán)或具有5元環(huán)的稠環(huán)，其中，
[0030] 在i和j的位置稠合6元環(huán)時，在d和e的位置也稠合單環(huán)或稠環(huán)，
[0031] 在d和e的位置稠合6元環(huán)時，在i和j的位置也稠合單環(huán)或稠環(huán)，
[0032] 在b的位置稠合具有5元環(huán)的稠環(huán)時，該稠環(huán)中的5元環(huán)直接稠合在b的位置，
[0033] 在g的位置稠合具有5元環(huán)的稠環(huán)時，該稠環(huán)中的5元環(huán)直接稠合在g的位置。）
[0034] 另外，根據(jù)本發(fā)明的一個方案，提供一種有機電致發(fā)光元件，其包含陽極、發(fā)光層、 和陰極，所述發(fā)光層包含第一化合物和第二化合物，所述第一化合物為下述通式（10'）所示 的化合物，所述第二化合物是由下述通式(2)表示、且具有環(huán)的總數(shù)為8環(huán)W內(nèi)的稠環(huán)結構 的化合物。
[003引【化5】
[0037](上述通式（10'）中，m2為2，日2為0或1，多個日2相互相同或不同，ml為1~5的整數(shù)， 多個ml相互相同或不同，曰2為0時，扣和R2分別獨立地為氨原子或1價的取代基，扣和R2為取 代基時的取代基分別獨立地選自取代或無取代的成環(huán)碳數(shù)為6~30的芳香族控基、取代或 無取代的成環(huán)原子數(shù)為5~30的雜環(huán)基、取代或無取代的碳數(shù)為1~30的烷基、取代或無取 代的碳數(shù)為1~30的烷氧基、取代或無取代的碳數(shù)為7~30的芳烷基、取代或無取代的成環(huán) 碳數(shù)為6~30的芳氧基、和取代甲娃烷基，a2為I時，扣和R2分別獨立地為選自取代或無取代 的成環(huán)碳數(shù)為6~30的芳香族控基、取代或無取代的成環(huán)原子數(shù)為5~30的雜環(huán)基、取代或 無取代的碳數(shù)為1~30的烷基、取代或無取代的碳數(shù)為1~30的烷氧基、取代或無取代的碳 數(shù)為7~30的芳烷基、取代或無取代的成環(huán)碳數(shù)為6~30的芳氧基、和取代甲娃烷基中的連 接基團，多個Ri相互相同或不同，多個R2相互相同或不同，Al和A2分別獨立地為具有選自下 述通式(a-1)~(a-7)的部分結構的基團，多個A2相互相同或不同，L2為單鍵或連接基團，L2 為連接基團時的連接基團選自取代或無取代的成環(huán)碳數(shù)為6~30的芳香族控基、和取代或 無取代的成環(huán)原子數(shù)為5~30的雜環(huán)基，多個L2相互相同或不同，Li為單鍵或連接基團，Li為 連接基團時的連接基團選自取代或無取代的成環(huán)碳數(shù)為6~30的芳香族控基、和取代或無 取代的成環(huán)原子數(shù)為5~30的雜環(huán)基，多個b相互相同或不同。）
[003引【化6】
[0042] (上述通式(2)中，可W在曰、(3、(1、6^、11、1、和^'的位置中的至少任一位置稠合有單 環(huán)或稠環(huán)，可W在b和g的位置中的至少任一位置稠合有5元環(huán)或具有5元環(huán)的稠環(huán)，其中，
[0043] 在i和j的位置稠合6元環(huán)時，在d和e的位置也稠合單環(huán)或稠環(huán)，
[0044] 在d和e的位置稠合6元環(huán)時，在i和j的位置也稠合單環(huán)或稠環(huán)，
[0045] 在b的位置稠合具有5元環(huán)的稠環(huán)時，該稠環(huán)中的5元環(huán)直接稠合在b的位置，
[0046] 在g的位置稠合具有5元環(huán)的稠環(huán)時，該稠環(huán)中的5元環(huán)直接稠合在g的位置。）
[0047] 另外，根據(jù)本發(fā)明的一個方案，提供一種具備上述本發(fā)明的一個方案設及的有機 電致發(fā)光元件的電子設備。
[0048] 根據(jù)本發(fā)明的一個方案，可W提供一種高性能的有機電致發(fā)光元件、和具備該有 機電致發(fā)光元件的電子設備。
【附圖說明】
[0049] 圖1是示出一個實施方式設及的有機電致發(fā)光元件的一例的大致構成的圖。
[0050] 圖2是測定過渡化的裝置的示意圖。
[0051] 圖3是表示過渡化的衰減曲線的一例的圖。
[0052] 圖4是表示發(fā)光層中的第一化合物、第二化合物、和第=化合物的能級W及能量轉(zhuǎn) 移的關系的圖。
[0053] 圖5是表示發(fā)光層中的第一化合物和第二化合物的能級W及能量轉(zhuǎn)移的關系的 圖。
【具體實施方式】
[0054] 〔第一實施方式）
[0055] (有機EL元件的元件構成）
[0056] 本實施方式設及的有機化元件在一對電極間具備有機層。該有機層包含由有機化 合物構成的至少一層?；蛘咴撚袡C層是由有機化合物構成的多個層層疊而成的。有機層還 可W包含無機化合物。本實施方式的有機化元件中，有機層中的至少一層為發(fā)光層。因此， 有機層例如可W由一個發(fā)光層構成，也可W包含空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電 子傳輸層、和阻擋層等可W在有機化元件中采用的層。
[0057] 作為有機EL元件的代表性的元件構成，例如，可列舉下面的(a)~(e)等構成。
[0058] (a)陽極/發(fā)光層/陰極
[0059] (b)陽極/空穴注入?傳輸層/發(fā)光層/陰極
[0060] (C)陽極/發(fā)光層/電子注入?傳輸層/陰極
[0061] (d)陽極/空穴注入?傳輸層/發(fā)光層/電子注入?傳輸層/陰極
[0062] (e)陽極/空穴注入?傳輸層/發(fā)光層/阻擋層/電子注入?傳輸層/陰極
[0063] 上述中優(yōu)選使用（d)構成。但是，本發(fā)明不限于運些構成。需要說明的是，上述"發(fā) 光層"是指具有發(fā)光功能的有機層。上述"空穴注入?傳輸層"是指"空穴注入層和空穴傳輸 層中的至少任一個"。上述"電子注入.傳輸層"是指"電子注入層和電子傳輸層中的至少任 一個"。有機化元件具有空穴注入層和空穴傳輸層的情況下，優(yōu)選在空穴傳輸層與陽極之間 設置空穴注入層。另外，有機化元件具有電子注入層和電子傳輸層的情況下，優(yōu)選在電子傳 輸層與陰極之間設置電子注入層。另外，空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入 層各自可W由一層構成，也可W由多個層構成。
[0064] 圖1中，示出本實施方式設及的有機EL元件的一例的大致構成。
[0065] 有機化元件1包含透光性的基板2、陽極3、陰極4、在陽極3與陰極4之間配置的有機 層10。有機層10是從陽極3側開始依次層疊空穴注入層6、空穴傳輸層7、發(fā)光層5、電子傳輸 層8、和電子注入層9而構成的。
[0066] (發(fā)光層）
[0067] 本實施方式設及的有機化元件1的發(fā)光層5包含第一化合物、第二化合物、和第S 化合物。發(fā)光層5可W包含金屬絡合物。
[006引 < 第一化合物>
[0069] 本實施方式的第一化合物為延遲巧光發(fā)光性的化合物。第一化合物的77[K]時的 能隙T77k(M1)大于第二化合物的77比]時的能隙T77k(M2)。
[0070] 本實施方式中，作為第一化合物，例如，可W舉出下述通式(1)所示的化合物。
[0071] 【化8】
[0073] 上述通式（I)中，
[0074] A為具有選自下述通式(a-1)~(a-7)中的部分結構的基團，存在多個A的情況下， 多個A相互相同或不同，A彼此可W鍵合而形成飽和或不飽和的環(huán)，
[0075] B為具有選自下述通式(b-1)~(b-6)中的部分結構的基團，存在多個B的情況下， 多個B相互相同或不同，B彼此可W鍵合而形成飽和或不飽和的環(huán)，
[0076] a，b，和d分別獨立地為1~5的整數(shù)，
[0077] C為0~5的整數(shù)，
[007引 C為加寸，A與B W單鍵或螺鍵鍵合，
[0079] C為1~5的整數(shù)時，L為選自
[0080] 取代或無取代的成環(huán)碳數(shù)為6~30的芳香族控基、和
[0081] 取代或無取代的成環(huán)原子數(shù)為5~30的雜環(huán)基中的連接基團，
[0082] 存在多個L的情況下，多個L相互相同或不同，L彼此可W鍵合而形成飽和或不飽和 的環(huán)。
[0087] 上述通式(b-1)~(b-6)中，
[0088] R分別獨立地為氨原子或取代基、R為取代基時的取代基選自
[0089] 取代或無取代的成環(huán)碳數(shù)為6~30的芳香族控基、
[0090] 取代或無取代的成環(huán)原子數(shù)為5~30的雜環(huán)基、和
[0091] 取代或無取代的碳數(shù)為1~30的烷基，
[0092] 存在多個R的情況下，多個R相互相同或不同，R彼此可W鍵合而形成飽和或不飽和 的環(huán)。
[0093] 作為具有選自上述通式(a-1)~(a-7)中的部分結構的基團，例如，作為具有上述 通式(a-3)的部分結構的基團，可W舉出下述通式(a-3-l)所不的基團。
[0094]【化11】
[0096] 上述通式(a-3-1)中，Xa為單鍵、氧原子、硫原子、或與上述通式（I)中的L或B鍵合 的碳原子。
[0097] 另外，作為具有選自上述通式(b-1)~(b-6)中的部分結構的基團，例如，作為具有 上述通式(b-2)的部分結構的基團，可W舉出下述通式(b-2-l)所示的基團。
[009引【化12】
[0100] 上述通式(b-2-l)中，Xb為單鍵、氧原子、硫原子、邸wRb2、或與上述通式（1)中的L 或A的碳原子。
[0101] 化1和化2分別獨立地為氨原子或取代基，Rbl和化2為取代基時的取代基分別獨立地 選自取代或無取代的碳數(shù)為1~30的烷基、和取代或無取代的成環(huán)碳數(shù)為6~30的芳香族控 基。
[0102] 化1和化2優(yōu)選為選自取代或無取代的碳數(shù)為1~30的烷基、和取代或無取代的成環(huán) 碳數(shù)為6~30的芳香族控基中的取代基，更優(yōu)選為選自取代或無取代的碳數(shù)為1~30的烷基 中的取代基。
[0103] 作為上述通式（1)所示的化合物的鍵合樣式的一例，可W舉出例如下述表1所示的 鍵合樣式。
[0104] [表 1]
[0105]
[0106] 本實施方式中，上述通式(I)中的BW下由下述通式(100)表示。
[0107] 【化13】
[0109] 上述通式（100)中，
[01 10] Rioi~化08分別獨立地為氨原子或取代基、Rioi~化08為取代基時的取代基分別獨立 地選自
[0111] 取代或無取代的成環(huán)碳數(shù)為6~30的芳香族控基、
[0112] 取代或無取代的成環(huán)原子數(shù)為5~30的雜環(huán)基、
[0113] 取代或無取代的碳數(shù)為1~30的烷基、
[0114] 取代甲娃烷基、
[0115] 取代或無取代的碳數(shù)為1~30的烷氧基、
[0116] 取代或無取代的成環(huán)碳數(shù)為6~30的芳氧基、
[0117] 取代或無取代的碳數(shù)為2~30的烷基氨基、
[0118] 取代或無取代的成環(huán)碳數(shù)為6~60的芳基氨基、
[0119] 取代或無取代的碳數(shù)為1~30的燒硫基、和
[0120] 取代或無取代的成環(huán)碳數(shù)為6~30的芳硫基，
[01 21 ] 其中，Rioi與化〇2、Ri〇2與Ri〇3、Ri〇3與化04、Ri〇日與化06、Ri〇6與Ri〇7和Ri〇7與Rios中的任意組 合可W形成飽和或不飽和的環(huán)結構，
[0122] Lioo為選自下述通式(111)~（117)中的任意連接基團，
[0123] S為1~3的整數(shù)，S為2或3時，多個Lioo相互相同或不同，
[0124] Xioo為選自下述通式（121)~（125)中的任意連接基團。
[0125] 【化14】
[0127] 上述通式（113)~（117)中，Ri〇9分別獨立地與上述通式（100)中的化01~Rios同義。
[0128] 其中，上述通式（100)中，Rioi~Rios中的一個或Rio沖的一個是與上述通式（1)中的 L或A鍵合的單鍵。
[0129] 虹日9、與上述通式（100)中的化04或Rio日可W形成相互鍵合飽和或不飽和的環(huán)結構。
[0130] 存在多個虹日9時，多個虹日9相互相同或不同。
[0131] 【化15】
[0133] 上述通式（123)~（125)中，
[0134] Riio分別獨立地為氨原子或取代基、Riio為取代基時的取代基選自
[0135] 取代或無取代的成環(huán)碳數(shù)為6~30的芳香族控基、
[0136] 取代或無取代的成環(huán)原子數(shù)為5~30的雜環(huán)基、和
[0137] 取代或無取代的碳數(shù)為1~30的烷基，
[0138] 存在多個Riio時，多個Riio相互相同或不同。
[0139] Riio與上述通式（100)中的化Oi或Rios可W相互鍵合而形成飽和或不飽和的環(huán)結構。
[0140] 本實施方式中，Lioo優(yōu)選由上述通式（111)~（114)中的任一個表示，更優(yōu)選由上述 通式（113)或（114)表示。
[0141] 本實施方式中，Xioo優(yōu)選由上述通式（121)~（124)中的任一個表示，更優(yōu)選由上述 通式（123)或（124)表示。
[0142] 作為上述通式(1)所示的化合物，例如，可W舉出下述通式(10)所示的化合物。
[0143] 【化16】
[0145] 上述通式（10)中，
[0146] al 為0或 1，
[0147] a2 為0或 1，
[014引 且曰1+曰2>1，
[0149] ml為1~5的整數(shù)，
[0150] 曰2為0時，Ri和R2分別獨立地為氨原子或1價的取代基，扣和R2為取代基時的取代基 分別獨立地選自
[0151] 取代或無取代的成環(huán)碳數(shù)為6~30的芳香族控基、
[0152] 取代或無取代的成環(huán)原子數(shù)為5~30的雜環(huán)基、
[0153] 取代或無取代的碳數(shù)為1~30的烷基、
[0154] 取代或無取代的碳數(shù)為1~30的烷氧基、
[01W]取代或無取代的碳數(shù)為7~30的芳烷基、
[0156] 取代或無取代的成環(huán)碳數(shù)為6~30的芳氧基、和
[0157] 取代甲娃烷基，
[0158] 曰2為1時，Ri和化分別獨立地如下基團中的連接基團：
[0159] 取代或無取代的成環(huán)碳數(shù)為6~30的芳香族控基、
[0160] 取代或無取代的成環(huán)原子數(shù)為5~30的雜環(huán)基、
[0161] 取代或無取代的碳數(shù)為1~30的烷基、
[0162] 取代或無取代的碳數(shù)為1~30的烷氧基、
[0163] 取代或無取代的碳數(shù)為7~30的芳烷基、
[0164] 取代或無取代的成環(huán)碳數(shù)為6~30的芳氧基、和 [01化]取代甲娃烷基，
[0166] ml為2W上時，多個化相互相同或不同，多個化相互相同或不同，
[0167] Al和A2分別獨立地為具有選自上述通式(a-1)~(a-7)中的部分結構的基團，ml為2 W上時，多個A2相互相同或不同，
[016引al為加寸，L2為氨原子或1價的取代基，L2為1價的取代基時的取代基選自
[0169] 取代或無取代的成環(huán)碳數(shù)為6~30的芳香族控基、和
[0170] 取代或無取代的成環(huán)原子數(shù)為5~30的雜環(huán)基，
[0171] al為1時，L2為單鍵或連接基團，L2為連接基團時的連接基團選自
[0172] 取代或無取代的成環(huán)碳數(shù)為6~30的芳香族控基、和
[0173] 取代或無取代的成環(huán)原子數(shù)為5~30的雜環(huán)基，
[0174] ^為單鍵或連接基團，Li為連接基團時的連接基團選自
[0175] 取代或無取代的成環(huán)碳數(shù)為6~30的芳香族控基、和
[0176] 取代或無取代的成環(huán)原子數(shù)為5~30的雜環(huán)基，
[0177] ml為2W上時，多個^相互相同或不同。
[0178] 本實施方式中，曰2為0時，扣和化優(yōu)選為選自取代或無取代的成環(huán)碳數(shù)為6~30的芳 香族控基、取代或無取代的成環(huán)原子數(shù)為5~30的雜環(huán)基、和取代甲娃烷基中的取代基，更 優(yōu)選為選自取代或無取代的成環(huán)碳數(shù)為6~30的芳香族控基、和取代或無取代的成環(huán)原子 數(shù)為5~30的雜環(huán)基中的取代基。
[0179] 本實施方式中，曰2為1時，扣和化優(yōu)選為選自取代或無取代的成環(huán)碳數(shù)為6~30的芳 香族控基、取代或無取代的成環(huán)原子數(shù)為5~30的雜環(huán)基、和取代甲娃烷基中的連接基團， 更優(yōu)選為選自取代或無取代的成環(huán)碳數(shù)為6~30的芳香族控基、和取代或無取代的成環(huán)原 子數(shù)為5~30的雜環(huán)基中的連接基團。
[0180] 另外，例如，作為上述通式（1)所示的化合物，可W舉出下述通式（10'）所示的化合 物。
[0181] 【化17】
[0183] 上述通式（10'）中，
[0184] m2為2，
[01化]曰2為0或1，多個曰2相互相同或不同，
[01化]ml為1~5的整數(shù)，多個ml相互相同或不同，
[0187] 曰2為0時，Ri和R2分別獨立地為氨原子或1價的取代基瓜和R2為取代基時的取代基 分別獨立地選自
[0188] 取代或無取代的成環(huán)碳數(shù)為6~30的芳香族控基、
[0189] 取代或無取代的成環(huán)原子數(shù)為5~30的雜環(huán)基、
[0190] 取代或無取代的碳數(shù)為1~30的烷基、
[0191] 取代或無取代的碳數(shù)為1~30的烷氧基、
[0192] 取代或無取代的碳數(shù)為7~30的芳烷基、
[0193] 取代或無取代的成環(huán)碳數(shù)為6~30的芳氧基、和
[0194] 取代甲娃烷基，
[0195] 曰2為1時，Ri和化分別獨立地為選自
[0196] 取代或無取代的成環(huán)碳數(shù)為6~30的芳香族控基、
[0197] 取代或無取代的成環(huán)原子數(shù)為5~30的雜環(huán)基、
[0198] 取代或無取代的碳數(shù)為1~30的烷基、
[0199] 取代或無取代的碳數(shù)為1~30的烷氧基、
[0200] 取代或無取代的碳數(shù)為7~30的芳烷基、
[0201] 取代或無取代的成環(huán)碳數(shù)為6~30的芳氧基、和
[0202] 取代甲娃烷基中的連接基團，
[0203] 多個化相互相同或不同，多個化相互相同或不同，
[0204] Al和A2分別獨立地為具有上述通式(a-1)~(a-7)中的部分結構的基團，多個A2相 互相同或不同，
[0205] L2為單鍵或連接基團，L2為連接基團時的連接基團選自
[0206] 取代或無取代的成環(huán)碳數(shù)為6~30的芳香族控基、和
[0207] 取代或無取代的成環(huán)原子數(shù)為5~30的雜環(huán)基，
[020引多個L2相互相同或不同，
[0209] ^為單鍵或連接基團，Li為連接基團時的連接基團選自
[0210] 取代或無取代的成環(huán)碳數(shù)為6~30的芳香族控基、和
[0211] 取代或無取代的成環(huán)原子數(shù)為5~30的雜環(huán)基，
[0212] 多個L袖互相