晶片的加工方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及對于通過在基板的正面層疊的功能層而形成了多個器件的晶片，沿著 劃分器件的多條分割預(yù)定線進行分割的晶片的加工方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所熟知的那樣，在半導(dǎo)體器件制造工藝中，通過在硅等的 基板正面層疊絕緣膜和功能膜而成的功能層而形成有將多個IC、LSI等的器件形成為矩陣 狀的半導(dǎo)體晶片。如上形成的半導(dǎo)體晶片由分割預(yù)定線而劃分出上述器件，并且通過沿著 該分割預(yù)定線進行分割，制造出各個半導(dǎo)體器件芯片。
[0003] 在近些年來，為了提升IC、LSI等的半導(dǎo)體器件芯片的處理能力，如下方式的半導(dǎo) 體晶片變得實用，其通過在硅等的基板正面層疊由SiOF、BSG(SiOB)等的無機物類的膜或 聚酰亞胺類、聚對二甲苯系等的作為聚合物膜的有機物類的膜而成的低介電率絕緣體被膜 (Low-k膜）的功能層而形成半導(dǎo)體器件。
[0004] 這種沿著半導(dǎo)體晶片的分割預(yù)定線的分割通常是使用被稱作切割鋸的切削裝置 進行的。該切削裝置具有保持作為被加工物的半導(dǎo)體晶片的作為被加工物保持單元的卡盤 臺、用于切削被保持于該卡盤臺上的半導(dǎo)體晶片的切削單元、以及使卡盤臺與切削單元相 對移動的移動單元。切削單元包括高速旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)主軸和安裝于該主軸上的切削刀具。切 肖IJ刀具由圓盤狀的基臺和安裝于該基臺的側(cè)表面外周部上的環(huán)狀的切割刃構(gòu)成，切割刃是 將例如粒徑為3 μL?左右的金剛石磨粒通過電鑄固定形成的。
[0005] 然而，上述Low-k膜不同于晶片的素材，因此難以通過切削刀具同時切削。即， Low-k膜如云母般非常脆，因而若通過切削刀具沿著分割預(yù)定線進行切削，則Low-k膜會剝 離，存在該剝離對到達電路的器件帶來致命損傷的問題。
[0006] 為了解決上述問題，在下述專利文獻1中公開了一種晶片的分割方法，在形成于 半導(dǎo)體晶片上的分割預(yù)定線的兩側(cè)沿著分割預(yù)定線照射激光光線，且沿著切割線形成2條 激光加工槽并斷開功能層，在這2條激光加工槽之間定位切削刀具并使切削刀具與半導(dǎo)體 晶片相對移動，從而將半導(dǎo)體晶片沿著分割預(yù)定線切斷。
[0007] 專利文獻1 :日本特開2005-64231號公報
[0008] 然而，在如上述專利文獻1所述的在形成于半導(dǎo)體晶片上的分割預(yù)定線的兩側(cè)沿 著分割預(yù)定線照射激光光線，從而沿著分割預(yù)定線形成2條激光加工槽并斷開功能層，在 這2條激光加工槽之間定位切削刀具并將半導(dǎo)體晶片沿著分割預(yù)定線切斷的晶片的分割 方法中，存在如下的問題。
[0009] (1)為了斷開功能層，需要沿著分割預(yù)定線形成至少2條激光加工槽，生產(chǎn)效率較 差。
[0010] (2)在形成激光加工槽時如果功能層的斷開不充分，則會產(chǎn)生切削刀具的偏離或 傾倒，在切削刀具上產(chǎn)生偏離磨損。
[0011] (3)如果從晶片的正面形成激光加工槽則碎肩會飛散，因此需要在晶片的正面上 覆蓋保護膜，生產(chǎn)效率較差。
[0012] (4)為了形成2條激光加工槽而至少照射2次激光光線，從而會在晶片上殘留熱畸 變，器件的抗折強度降低。
[0013] (5)為了在超過切削刀具的寬度的范圍內(nèi)形成2條激光加工槽，需要增大分割預(yù) 定線的寬度，使得形成于晶片上的器件數(shù)量減少。
[0014] (6)如果對在功能層的正面形成有包括Si02、SiO、SiN、SiNO的鈍化膜的晶片照射 激光光線，則會透過鈍化膜對功能層進行加工，從而失去散熱空間而產(chǎn)生在橫方向上展開 加工的所謂的咬邊現(xiàn)象。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0015] 本發(fā)明就是鑒于上述情況而完成的，其主要的技術(shù)課題在于，提供一種對于通過 在基板的正面層疊而成的功能層而形成了多個器件的晶片，能夠解決上述問題并分割為各 個器件的晶片的加工方法。
[0016] 為了解決上述主要技術(shù)課題，本發(fā)明提供一種晶片的加工方法，對于通過在基板 的正面層疊而成的功能層而形成了多個器件的晶片，沿著劃分該器件的多條切割線進行分 害J，其特征在于，包括：
[0017] 保護帶貼附工序，使敷設(shè)有粘結(jié)層的保護帶的粘結(jié)層側(cè)與晶片的功能層的正面相 對而在功能層的正面貼附保護帶；以及
[0018] 晶片分割工序，將晶片的實施了該保護帶貼附工序的保護帶側(cè)保持于卡盤臺的保 持面上，從晶片的基板的背面?zhèn)妊刂指铑A(yù)定線照射對于基板和功能層具有吸收性的波長 的激光光線，沿著分割預(yù)定線形成到達保護帶的激光加工槽，從而將晶片分割為各個器件 芯片，
[0019] 在該保護帶貼附工序中，以在晶片分割工序中因照射激光光線而沿著分割預(yù)定線 生成的碎肩不會附著于器件的正面的方式，將保護帶的粘結(jié)層以與器件緊密貼合而不存在 間隙的方式進行貼附。
[0020] 發(fā)明的效果
[0021] 根據(jù)本發(fā)明的晶片的加工方法，保護帶貼附工序以在晶片分割工序中因照射激光 光線而沿著分割預(yù)定線生成的碎肩不會附著于器件的正面的方式，將保護帶的粘結(jié)層以與 器件緊密貼合而不存在間隙的方式進行貼附，因此雖然在晶片分割工序中照射對于基板和 功能層具有吸收性的波長的脈沖激光光線會產(chǎn)生碎肩，然而將保護帶的粘結(jié)層貼附為與形 成于功能層上的器件緊密貼合而不存在間隙，因此碎肩不會附著于器件上。
[0022] 此外，本發(fā)明的晶片的加工方法可獲得如下的作用效果。
[0023] (1)為了斷開功能層而無需沿著分割預(yù)定線形成多條激光加工槽，因而生產(chǎn)效率 得以提升。
[0024] (2)不在功能層上形成激光加工槽，因此不會產(chǎn)生切削刀具的偏離或傾倒，也不會 在切削刀具上產(chǎn)生偏離磨損。
[0025] (3)不會從晶片的正面照射激光光線，因此無需在晶片的正面上覆蓋保護膜。
[0026] (4)從基板的背面?zhèn)刃纬汕邢鞑郏虼瞬恍枰^寬的分割預(yù)定線，能夠增加可形成 于晶片上的器件數(shù)量。
[0027] (5)不會從晶片的正面照射激光光線，因此在功能層的正面形成有包括Si02、Si0、 SiN、SiN0的鈍化膜的晶片上，可抑制透過鈍化膜對功能層進行加工而暫時失去熱量的散熱 空間且在橫方向上展開加工的情況。
【附圖說明】
[0028] 圖1是表示半導(dǎo)體晶片的立體圖和要部放大剖面圖。
[0029] 圖2是保護帶貼附工序的說明圖。
[0030] 圖3是用于實施晶片分割工序的激光加工裝置的要部立體圖。
[0031] 圖4是表示晶片分割工序的第1實施方式的說明圖。
[0032] 圖5是用于實施切削槽形成工序的切削裝置的要部立體圖。
[0033] 圖6是切削槽形成工序的說明圖。
[0034] 圖7是表示晶片分割工序的第2實施方式的說明圖。
[0035] 圖8是表示晶片分割工序的第2實施方式的說明圖。
[0036] 圖9是晶片支承工序的說明圖。
[0037] 圖10是保護帶剝離工序的說明圖。
[0038] 圖11是用于實施器件分離工序的器件分離裝置的立體圖。
[0039] 圖12是器件分離工序的說明圖。
[0040] 標號說明
[0041] 2 :半導(dǎo)體晶片，20 :基板，21 :功能層，22 :器件，23 :分割預(yù)定線，24 :激光加工槽， 25 :切削槽，4 :按壓輥，5 :激光加工裝置，51 :激光加工裝置的卡盤臺，52 :激光光線照射單 元，522 :聚光器，6 :切削裝置，61 :切削裝置的卡盤臺，62 :切削單元，623 :切削刀具，7 :器 件分離裝置，71 :框架保持單元，72 :帶擴張單元，73 :拾取夾頭，F(xiàn) :環(huán)狀框架，T :切割帶。
【具體實施方式】
[0042] 以下，參照附圖進一步詳細說明本發(fā)明的晶片的加工方法。
[0043] 圖1的（a)和（b)示出通過本發(fā)明的晶片的加工方法而被分割為各個器件的半導(dǎo) 體晶片的立體圖和要部放大剖面圖。圖1的（a)和（