模塊為，具有單一終端阻抗25ohm或者差分終端阻抗50ohm，因此能夠進行高速通信的同時，以使附著用于高速通信的激光二極管芯片的基板的尚度在0.4mm左右，進而容易進彳丁激光一■極管芯片與透鏡等的光結(jié)合，并且由0.6mm以下的基板寬度實現(xiàn)尚速傳輸線路，進而能夠提供有效內(nèi)裝于具有TO can型的狹窄的封裝面積的封裝的效果。
【附圖說明】
[0024]圖1現(xiàn)有的TO can型激光二極管封裝的一示例。
[0025]圖2是內(nèi)裝現(xiàn)有的熱電元件的TO can型激光二極管封裝的側(cè)面圖一示例。
[0026]圖3是包括現(xiàn)有的透鏡的TO can型激光二極管封裝的平面圖一示例。
[0027]圖4是現(xiàn)有的單一終端高速信號傳輸用基板的一示例。
[0028]圖5是現(xiàn)有的差分終端高速信號傳輸用基板的一示例。
[0029]圖6是在使用現(xiàn)有的單一終端高速信號傳輸用基板時，厚度在0.4mm的基板的情況根據(jù)傳輸信號線路寬度變化單一終端阻抗的一示例。
[0030]圖7是在使用現(xiàn)有的差分終端高速信號傳輸用基板時，厚度在0.4mm的基板的情況下，根據(jù)傳輸信號線路寬度變化差分終端阻抗的一示例。
[0031]圖8是根據(jù)本發(fā)明以附著上部基板與下部基板的形態(tài)制作的高速信號傳輸用基板的側(cè)面圖。
[0032]圖9是根據(jù)本發(fā)明以附著上部基板與下部基板的形態(tài)制作的高速信號傳輸用基板的平面圖。
[0033]圖10是在上述圖8與圖9中根據(jù)上部高速信號傳輸用基板的厚度與高速信號傳輸用信號線路的寬度的差分終端阻抗變化。
[0034](附圖標記說明)
[0035]100:激光二極管芯片。
[0036]200:高速信號傳輸用基板
[0037]201:單一終端信號傳輸用線路
[0038]202:差分終端信號傳輸用線路
[0039]210:上部高速信號傳輸用基板
[0040]220:下部高速信號傳輸用基板
[0041]230:金屬薄膜
[0042]500:透鏡
[0043]600:45度反射鏡
[0044]700:熱電元件
[0045]800:T0 can型封裝閥桿
[0046]810:閥桿貫通孔
[0047]具體實施方法
[0048]以下，參照附圖詳細說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
[0049]圖8是根據(jù)本發(fā)明以附著上部基板與下部基板的形態(tài)制作的高速信號傳輸用基板的側(cè)面圖。圖9是根據(jù)本發(fā)明以附著上部基板與下部基板的形態(tài)制作的高速信號傳輸用基板的平面圖。
[0050]具有固定高度的單一基板，例如利用具有0.4mm高度的單一基板制作高速信號傳輸線路時，如圖6與圖7所述為了將終端阻抗匹配成25ohm，則需要1.05mm以上的信號傳輸線路寬度W，為了將差分終端阻抗匹配成50ohm，需要具有將兩個傳輸線路的寬度的0.8mm以上的寬度的基板。
[0051]如圖8與圖9所示，在本發(fā)明的實施例中將高速信號傳輸用基板由2層構造的上部高速信號傳輸用基板210與下部高速信號傳輸用基板220形成，并且在所述下部高速信號傳輸用基板220的上部形成的金屬薄膜230，上部高速信號傳輸用基板210的上部形成信號傳輸用線路202。在將所述下部高速信號傳輸用基板220的上部形成的金屬薄膜230使用為接地面(ground)面的情況下，包括于高速信號傳輸?shù)幕宓暮穸葘⒅话ㄉ喜扛咚傩盘杺鬏斢没?10的厚度。
[0052]圖10是在上述圖8與圖9中根據(jù)上部高速信號傳輸用基板的厚度T1與高速信號傳輸用信號線路的寬度W的差分終端阻抗(ohm)變化。
[0053]在圖10中，計算出兩個的信號傳輸用線路202之間的距離S為0.03mm。在這里，所述上部高速信號傳輸用基板210的厚度T1分別為0.lmm、0.15mm、0.2mm、0.25mm時，用于獲取差分終端阻抗50ohm的信號傳輸用線路202 —個的寬度W為0.15mm,0.2mm,0.25mm、
0.3_。因此，應當將這種單一終端傳輸線路間隔固定距離S來配置成兩個的差分終端信號傳輸用線路202的最小寬度為0.33mm、0.43mm、0.53mm、0.63mm，進而能夠使用為能夠適用于TO can型的非常狹窄的封裝面積的封裝的高速信號基板。
[0054]這時，下部高速信號傳輸用基板220優(yōu)選為由A1N、Si材質(zhì)構成，但是并不是必須是這種AlN、Si，只要表面具有導電性的任何特性的基板都可以使用。這種下部高速信號傳輸用基板220的一示例，也可使用在金屬或表面涂層有金屬的A1203等表面涂層金屬薄膜的電介體或半導體基板，如果，在所述下部高速信號傳輸用基板220構成為在具有絕緣性的基板表面涂層金屬薄膜230的情況下，為了接地下部高速信號傳輸用基板220的上部金屬薄膜230，應當使用將下部高速信號傳輸用基板220的金屬薄膜230與接地面電氣性連接的方法。這時，使用導電性環(huán)氧樹脂可電氣性連接下部高速信號傳輸用基板220的金屬薄膜230與接地面之間，并且也可用引線接合(Wire bonding)的方法接地下部高速信號傳輸用基板220的金屬薄膜230。
[0055]在上述的本發(fā)明實施例中提出的高度只是為了容易地說明本發(fā)明的效果而舉的示例，為了實現(xiàn)根據(jù)信號傳輸用基板的高度與寬度而很難實現(xiàn)的傳輸信號阻抗，將基板的高度與寬度分離且用已有的基板寬度實現(xiàn)所需阻抗，并利用下部高速信號傳輸用基板的高度來決定整體的信號傳輸用基板的高度的各種實施例中也當然能夠適用本發(fā)明。
[0056]如上所述，本發(fā)明并不被上述實施例限制，而是為了執(zhí)行類似乃至相同的功能可變形為各種形態(tài)，當然本發(fā)明可被在本發(fā)明所屬技術領域具有通常知識的技術人員在本發(fā)明的技術思想與權利要求書范圍的均等范圍內(nèi)可進行多種修改及變形。
【主權項】
1.一種高速通信用光模塊，根據(jù)高速通信用光模塊，其特征在于， 用于將信號傳輸于激光二極管芯片的高速信號傳輸用基板為，由形成高速信號傳輸用線路圖案的上部高速信號傳輸用基板(210)，以及上部面具有導電性的下部高速信號傳輸用基板(220)結(jié)合而成。2.根據(jù)權利要求1所述的高速通信用光模塊，其特征在于， 在所述高速信號傳輸用基板的上部一側(cè)附著激光二極管芯片(100)。3.根據(jù)權利要求1所述的高速通信用光模塊，其特征在于， 所述下部高速信號傳輸用基板(220)為，在絕緣體的上部面蒸鍍金屬薄膜(230)進而上部面具有導電性。4.根據(jù)權利要求1所述的高速通信用光模塊，其特征在于， 所述下部高速信號傳輸用基板(220)由金屬材質(zhì)制作。5.根據(jù)權利要求3所述的高速通信用光模塊，其特征在于， 在所述下部高速信號傳輸用基板(220)的上部面蒸鍍的金屬薄膜(230)通過導電性環(huán)氧樹脂或引線接合來進行接地。6.根據(jù)權利要求1所述的高速通信用光模塊，其特征在于， 所述上部高速信號傳輸用基板(210)為，在氮化鋁或硅基板材質(zhì)蒸鍍金屬薄膜的信號傳輸用線路(201)、(202)來形成高速信號傳輸用線路圖案， 所述上部高速信號傳輸用基板(210)厚度在0.1mm至0.3_。
【專利摘要】本發(fā)明涉及包括5Gbps以上的超高速通信用的激光二極管芯片的TOcan型超高速通信用光模塊。根據(jù)本發(fā)明的超高速通信用光模塊為，根據(jù)高速通信用光模塊，用于將信號傳輸于激光二極管芯片的高速信號傳輸用基板，由形成高速信號傳輸用線路圖案的上部高速信號傳輸用基板(210)，以及上部面具有導電性的下部高速信號傳輸用基板(220)結(jié)合而成，并且具有單一終端阻抗25ohm或者差分終端阻抗5ohm進而能夠進行高速通信，并且使附著用于高速通信的激光二極管芯片的基板的高度在0.4mm左右進而容易的進行激光二極管芯片與透鏡等的光結(jié)合，并且以0.6mm以下的基板寬度實現(xiàn)高速傳輸線路進而能夠提供在TOcan型的狹窄的封裝面積的封裝有效內(nèi)裝的高速信號傳輸用基板。
【IPC分類】H01S5/042
【公開號】CN105409072
【申請?zhí)枴緾N201480041894
【發(fā)明人】金定洙
【申請人】光速株式會社
【公開日】2016年3月16日
【申請日】2014年7月24日
【公告號】US20160156151, WO2015012603A1