保護(hù)覆蓋膜的覆蓋方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及覆蓋晶片正面的保護(hù)覆蓋膜的覆蓋方法，尤其涉及覆蓋在正面形成有凸起等的凸部的晶片的保護(hù)覆蓋膜的覆蓋方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在沿著分割預(yù)定線照射激光光線以分割半導(dǎo)體晶片和光器件晶片(以下，簡(jiǎn)稱為晶片)的激光加工裝置中，如果對(duì)晶片正面照射激光光線，則從被照射的區(qū)域會(huì)產(chǎn)生作為熔融物的碎肩。為了防止該碎肩再次附著于晶片的正面，已提出了在晶片正面覆蓋液狀樹(shù)脂等的保護(hù)覆蓋膜的方法(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。此外，作為保護(hù)覆蓋膜的具體覆蓋方法，提出了如下的所謂的旋涂方法，在保持于旋轉(zhuǎn)臺(tái)的晶片的中心部滴下規(guī)定量的液狀樹(shù)月旨，并使旋轉(zhuǎn)臺(tái)以規(guī)定速度旋轉(zhuǎn)(參照專利文獻(xiàn)2至專利文獻(xiàn)4)。進(jìn)而，為了使得保護(hù)覆蓋膜的膜厚變得均勻，還提出了多次實(shí)施旋涂的方法(參照專利文獻(xiàn)3和專利文獻(xiàn)4)。
[0003]專利文獻(xiàn)1日本特開(kāi)2004-188475號(hào)公報(bào)
[0004]專利文獻(xiàn)2日本特開(kāi)2006-198450號(hào)公報(bào)
[0005]專利文獻(xiàn)3日本特開(kāi)2008-006379號(hào)公報(bào)
[0006]專利文獻(xiàn)4日本特開(kāi)2014-060269號(hào)公報(bào)
[0007]另外，在晶片正面的器件上形成凸起等的凸部的情況下，即使旋轉(zhuǎn)保持晶片的旋轉(zhuǎn)臺(tái)，并使用其離心力使液狀樹(shù)脂向外周部流動(dòng)，由于正面的凸部的妨礙也難以將液狀樹(shù)脂均勻涂布于晶片的正面。在保護(hù)覆蓋膜的膜厚并不均勻的情況下，在保護(hù)覆蓋膜較薄的部分處針對(duì)碎肩的保護(hù)效果較小，而附著于保護(hù)覆蓋膜的較薄部分上的碎肩可能會(huì)對(duì)晶片帶來(lái)影響。此外，如專利文獻(xiàn)3和專利文獻(xiàn)4所示，雖然可以考慮多次實(shí)施旋涂，然而由于液狀樹(shù)脂是水溶性樹(shù)脂，因此在已使液狀樹(shù)脂干燥后再次涂布液狀樹(shù)脂時(shí)，最初覆蓋的保護(hù)覆蓋膜會(huì)熔化，未必能夠均勻地形成保護(hù)覆蓋膜。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明就是鑒于上述情況而完成的，其目的在于提供一種無(wú)論晶片的正面形狀如何，都能夠在晶片的正面均勻形成保護(hù)覆蓋膜的保護(hù)覆蓋膜的覆蓋方法。
[0009]本發(fā)明的保護(hù)覆蓋膜的覆蓋方法，由樹(shù)脂在板狀的晶片的正面形成保護(hù)覆蓋膜，其特征在于，包括:樹(shù)脂片載置工序，由膜狀的樹(shù)脂片覆蓋整個(gè)正面；貼合工序，將在樹(shù)脂片載置工序中覆蓋了整個(gè)正面的樹(shù)脂片貼緊于正面而貼合樹(shù)脂片；以及硬化工序，使經(jīng)過(guò)了貼合工序的樹(shù)脂片硬化。
[0010]根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，在晶片的正面載置了樹(shù)脂片后，樹(shù)脂片貼緊于晶片正面的整個(gè)區(qū)域，從而能夠在晶片的正面形成對(duì)應(yīng)于樹(shù)脂片的厚度的保護(hù)覆蓋膜。因此，無(wú)論晶片的正面形狀如何，例如在正面形成有凸起等的凸部的晶片上，也能夠在晶片的正面整個(gè)區(qū)域形成均勻厚度的保護(hù)覆蓋膜。
[0011]發(fā)明的效果
[0012]根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)使構(gòu)成保護(hù)覆蓋膜的樹(shù)脂片貼緊于晶片的正面，從而無(wú)論晶片的正面形狀如何，都能夠在晶片的正面均勻形成保護(hù)覆蓋膜。
【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1是表示應(yīng)用本實(shí)施方式的保護(hù)覆蓋膜的覆蓋方法的晶片的一例的圖。
[0014]圖2是表示用于本實(shí)施方式的保護(hù)覆蓋膜的覆蓋方法的樹(shù)脂片的一例的圖。
[0015]圖3是用于本實(shí)施方式的保護(hù)覆蓋膜的覆蓋方法的保護(hù)覆蓋膜形成裝置的示意圖。
[0016]圖4是表不本實(shí)施方式的樹(shù)脂片載置工序的一例的圖。
[0017]圖5是表不本實(shí)施方式的貼合工序的一例的圖。
[0018]圖6是表示本實(shí)施方式的硬化工序的一例的圖。
[0019]圖7是表示第1變形例的貼合工序的圖。
[0020]圖8是表示第2變形例的貼合工序的圖。
[0021]標(biāo)號(hào)說(shuō)明
[0022]W:晶片；10:樹(shù)脂片。
【具體實(shí)施方式】
[0023]以下，參照附圖，說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。圖1是表示應(yīng)用本實(shí)施方式的保護(hù)覆蓋膜的覆蓋方法的晶片的一例的圖。圖2是表示用于本實(shí)施方式的保護(hù)覆蓋膜的覆蓋方法的樹(shù)脂片的一例的圖。圖3是用于本實(shí)施方式的保護(hù)覆蓋膜的覆蓋方法的保護(hù)覆蓋膜形成裝置的示意圖。在本實(shí)施方式中，說(shuō)明保護(hù)覆蓋膜形成裝置用于激光加工裝置中的例子。另夕卜，本實(shí)施方式的保護(hù)覆蓋膜形成裝置不限于以下所示的結(jié)構(gòu)，能夠進(jìn)行適當(dāng)變更。保護(hù)覆蓋膜形成裝置只要是在晶片的正面貼合樹(shù)脂片，并且在晶片的正面形成保護(hù)覆蓋膜的結(jié)構(gòu)即可，可以任意構(gòu)成。
[0024]首先，說(shuō)明用于本實(shí)施方式的晶片。如圖1所不，晶片W具有圓形狀，晶片W的正面由排列為格子狀的分割預(yù)定線(未圖示)劃分成多個(gè)器件區(qū)域。在各器件區(qū)域形成有多個(gè)凸起等的半球狀的凸部B。晶片W將正面朝向上方，并且隔著貼合于背面?zhèn)鹊谋３謳而保持于環(huán)狀框架F。另外，晶片W不限于硅晶片、砷化鎵等的半導(dǎo)體晶片，也可以是封裝基板、玻璃、藍(lán)寶石類的無(wú)機(jī)材料基板。此外，形成于晶片W的正面的凸部B不限于凸起。例如，還可以構(gòu)成為通過(guò)硅樹(shù)脂保護(hù)形成于氧化鋁陶瓷基板上的光器件的正面，并且在硅樹(shù)脂的正面具備多個(gè)凸部B。此外，不必一定形成凸部B。
[0025]另外，在上述晶片W的正面形成保護(hù)覆蓋膜的情況下，通常采用旋涂。進(jìn)行旋涂時(shí)，液狀樹(shù)脂滴落于晶片W的正面中央處，保持晶片W的保持臺(tái)進(jìn)行高速旋轉(zhuǎn)。由此，液狀樹(shù)脂會(huì)產(chǎn)生離心力，液狀樹(shù)脂從晶片W的中心起向外周擴(kuò)散。其結(jié)果，在晶片W的正面整個(gè)區(qū)域涂布液狀樹(shù)脂。然而，在旋涂時(shí)，由于保持臺(tái)2的高速旋轉(zhuǎn)，較多的液狀樹(shù)脂(具體而言是滴落于晶片W的正面中央處的液狀樹(shù)脂中的大約9成左右)會(huì)被吹起，而被吹起的液狀樹(shù)脂會(huì)被廢棄處理。如上，在基于旋涂的保護(hù)覆蓋膜的形成中，液狀樹(shù)脂的節(jié)約成為課題。
[0026]因而，本申請(qǐng)的申請(qǐng)人想到，將形狀與晶片W—致的樹(shù)脂片10(參照?qǐng)D2)貼合于晶片W的正面，并將構(gòu)成保護(hù)覆蓋膜的保護(hù)樹(shù)脂12(參照?qǐng)D2)復(fù)制至晶片W的正面。由此，能夠形成與樹(shù)脂片10 (保護(hù)樹(shù)脂12)的厚度對(duì)應(yīng)的保護(hù)覆蓋膜，無(wú)論晶片W的正面形狀如何，都能夠在晶片W的正面整個(gè)區(qū)域形成均勻厚度的保護(hù)覆蓋膜。此外，通過(guò)使用對(duì)應(yīng)于晶片W的形狀的樹(shù)脂片10，從而能夠以必要最低限度的保護(hù)樹(shù)脂12的量形成保護(hù)覆蓋膜，可節(jié)約保護(hù)樹(shù)脂12。以下，說(shuō)明用于本實(shí)施方式的保護(hù)覆蓋膜的覆蓋方法的樹(shù)脂片。
[0027]如圖2所示，樹(shù)脂片10是在形成為與晶片W大致相同直徑的圓形狀的剝離片11的正面涂布凝膠狀的保護(hù)樹(shù)脂12而構(gòu)成的，且形成為膜狀。該樹(shù)脂片10在貼合(貼緊)于晶片W的正面后被干燥，從而在晶片W的正面整個(gè)區(qū)域形成保護(hù)覆蓋膜。剝離片11由聚乙烯對(duì)苯二甲酸酯(PET)等的合成樹(shù)脂的膜構(gòu)成。作為保護(hù)樹(shù)脂12，可使用聚乙烯醇(PVA)和聚乙二醇(PEG)等的具有水溶性和熱可塑性的樹(shù)脂。另外，凝膠狀的保護(hù)樹(shù)脂12優(yōu)選具有在貼緊于晶片W的正面后，不會(huì)從晶片W的正面起流出到晶片W的外側(cè)的程度的粘度。
[0028]此外，保護(hù)樹(shù)脂12優(yōu)選添加吸收激光波長(zhǎng)的光的吸收劑。由此，在激光加工時(shí)能夠與晶片W的加工同時(shí)一并去除保護(hù)覆蓋膜，因此可防止晶片W的熱分解物的蒸汽等使得保護(hù)覆蓋膜從晶片W的正面上剝離。此外，樹(shù)脂片10不限于上述結(jié)構(gòu)，只要是貼合于晶片W的正面以形成保護(hù)覆蓋膜的結(jié)構(gòu)即可任意構(gòu)成。例如，可以通過(guò)熱可塑性的樹(shù)脂膜或水溶性的樹(shù)脂膜構(gòu)成保護(hù)樹(shù)脂12。這種情況下，不必一定設(shè)置剝離片11。
[0029]接著，說(shuō)明本實(shí)施方式的保護(hù)覆蓋膜形成裝置。如圖3所示，保護(hù)覆蓋膜形成裝置1載置于保持臺(tái)2的上表面，并且構(gòu)成為在通過(guò)多個(gè)夾緊單元3保持的晶片W的正面上貼合樹(shù)脂片10(參照?qǐng)D2)。保持臺(tái)2形成為圓盤狀，在保持臺(tái)2的上表面形成有吸附保持晶片W的保持面。保持面由多孔陶瓷等的多孔質(zhì)部件形成，保持面與未圖示的吸附源連接。載置于保持臺(tái)2上的晶片W利用在保持面產(chǎn)生的負(fù)壓而被吸附保持。此外，在保持臺(tái)2的下表面中央處固定有電動(dòng)電動(dòng)機(jī)20的驅(qū)動(dòng)軸21的上端部。由此，保持臺(tái)2構(gòu)成為接受電動(dòng)電動(dòng)機(jī)20的旋轉(zhuǎn)力而能夠旋轉(zhuǎn)。
[0030]此外，多個(gè)(例如4個(gè))夾緊單元3在保持臺(tái)2的周方向上等間隔排列設(shè)置于保持臺(tái)2的外周。夾緊單元3構(gòu)成為夾緊環(huán)狀框架F的上下表面，并且構(gòu)成為在從保持臺(tái)2的外周面突出的臂30上安裝夾緊機(jī)構(gòu)31。夾緊機(jī)構(gòu)31構(gòu)成為包括在保持臺(tái)2的周方向(水平方向)上具有旋轉(zhuǎn)軸(未圖示)的圓柱狀的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)32、支撐環(huán)狀框架F的下表面(保持帶T)的固定支撐部33、以及支撐環(huán)狀框架F的上表面的可動(dòng)支撐部34。
[0031]驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)32例如由氣體驅(qū)動(dòng)的旋轉(zhuǎn)致動(dòng)器構(gòu)成。固定支撐部33通過(guò)在水平方向上延伸的長(zhǎng)條狀體形成。固定支撐部33以前端部分(從驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)32的外周面)向保持臺(tái)2的徑方向內(nèi)側(cè)突出的方式，分別逐個(gè)安裝于驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)32的兩側(cè)面?？蓜?dòng)支撐部34形成為在側(cè)面觀察時(shí)的L字狀，其一端固定于驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)32的旋轉(zhuǎn)軸?？蓜?dòng)支撐部34通過(guò)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)32的驅(qū)動(dòng)，能夠在夾持環(huán)狀框架F的夾持位置(固定支撐部33的前端與可動(dòng)支撐部34的前端相對(duì)的位置)與從固定支撐部33退避的退避位置之間進(jìn)行開(kāi)閉。這樣，夾緊機(jī)構(gòu)31能夠在固定支撐部33與可動(dòng)支撐部34之間夾緊環(huán)狀框架F(晶片W)。
[0032]此外，在保持臺(tái)2的上方設(shè)有在晶片W的正面載置樹(shù)脂片10的載置單元4。載置單元4構(gòu)成為包括握住樹(shù)脂片10的一端以進(jìn)行保持的樹(shù)脂片保持單元40、以及使樹(shù)脂片保持單元40在水平方向上移動(dòng)的移動(dòng)單元41。移動(dòng)單元41構(gòu)成為包括在保持臺(tái)2的上方沿水平方向延伸的導(dǎo)軌42、以及能夠沿著導(dǎo)軌42移動(dòng)的移動(dòng)體43。移動(dòng)體43通過(guò)未圖示的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)被驅(qū)動(dòng)，從而沿著導(dǎo)軌42在水平方向上移動(dòng)。
[0033]樹(shù)脂片保持單元40構(gòu)成為在從移動(dòng)體43向下方延伸的臂部44的前端，設(shè)置沿水平方向延伸的一對(duì)保持爪45a、45b。臂30構(gòu)成為能夠在上下方向進(jìn)行