集成電路封裝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及集成電路封裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種具有應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)的集成電路封裝。
【背景技術(shù)】
[0002]請參考圖1，圖1是現(xiàn)有的IC(integrated circuit，集成電路)封裝100在回流焊工藝期間的示意圖。如圖1所示，現(xiàn)有的1C封裝100包括:銅層102、基底104、1C芯片106和1C填充層108。如圖1所示，在回流焊工藝之后，由于銅層102、基底104和1C芯片106之間大的應(yīng)力而出現(xiàn)脫層(delaminat1n)問題。并且，由于脫層問題，1C封裝100將失敗。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種集成電路封裝，以解決上述脫層問題。
[0004]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種集成電路，包括:金屬層，具有至少一條第一蝕刻線，用于把所述金屬層分開為多個金屬層區(qū)域；基底，形成于所述金屬層之上；集成電路芯片，形成于所述基底之上；以及集成電路填充層，形成在所述集成電路芯片的周圍；其中，所述至少一條第一蝕刻線在所述金屬層和所述基底中形成至少一條半切線。
[0005]其中，所述至少一條第一蝕刻線形成所述至少一條半切線，以使整個所述金屬層分開以及使所述基底的部分分開。
[0006]其中，所述集成電路填充層具有至少一條第二蝕刻線，用于把所述集成電路填充層分開為多個區(qū)域。
[0007]其中，所述至少一條第二蝕刻線形成至少一條半切線，以使所述集成電路填充層的部分分開。
[0008]其中，所述金屬層為銅層。
[0009]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種具有應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)的集成電路封裝，包括:金屬層，具有至少一條第一蝕刻線，用于把所述金屬層分為多個金屬層區(qū)域；基底，形成于所述金屬層之上，其中所述至少一條第一蝕刻線把所述基底分為多個基底區(qū)域；集成電路芯片，形成于所述基底之上；以及集成電路填充層，形成在所述集成電路芯片的周圍；其中，所述至少一條第一蝕刻線在所述金屬層和所述基底中形成至少一條全切線。
[0010]其中，所述至少一條第一蝕刻線形成所述至少一條全切線，以使整個所述金屬層分開和使整個所述基底分開。
[0011]其中，進(jìn)一步包括:至少一條接合線，耦接在分開的所述基底區(qū)域之間。
[0012]其中，所述集成電路填充層具有至少一條第二蝕刻線，用于把所述集成電路填充層分開為多個區(qū)域。
[0013]其中，所述至少一條第二蝕刻線形成至少一條半切線，以使得所述集成電路填充層的部分分開。
[0014]本發(fā)明實(shí)施例的有益效果是:
[0015]本發(fā)明實(shí)施例，由蝕刻線將金屬層分開為多個小的金屬層區(qū)域，從而釋放應(yīng)力，以解決回流焊工藝期間，1C封裝的脫層問題。
【附圖說明】
[0016]圖1是現(xiàn)有的1C封裝在回流焊工藝期間的示意圖；
[0017]圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的簡化了的具有應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)的1C封裝的橫截面示意圖；
[0018]圖3是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的簡化了的具有應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)的1C封裝的仰視圖；
[0019]圖4是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的簡化了的具有應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)的1C封裝的橫截面示意圖；
[0020]圖5是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的簡化了的具有應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)的1C封裝的仰視圖；
[0021]圖6是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的簡化了的具有應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)的1C封裝的橫截面示意圖；
[0022]圖7是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的簡化了的具有應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)的1C封裝的仰視圖；
[0023]圖8是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的簡化了的具有應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)的1C封裝的俯視圖；
[0024]圖9是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的簡化了的具有應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)的1C封裝的橫截面示意圖；
[0025]圖10是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的簡化了的具有應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)的1C封裝的仰視圖；
[0026]圖11是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的簡化了的具有應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)的1C封裝的俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]為了使本發(fā)明所解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0028]在本申請說明書及權(quán)利要求當(dāng)中使用了某些詞匯來指稱特定的組件。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)可理解，雖然硬件制造商可能會用不同的名詞來稱呼同一個組件，但是本說明書及權(quán)利要求并不以名稱的差異來區(qū)分組件，而是以組件在功能上的差異作為區(qū)分的準(zhǔn)則。在通篇說明書及權(quán)利要求當(dāng)中所提及的“包括”、“包含”等類似用語，皆為一開放式的用語，故應(yīng)解釋成“包括(含)但不限定于”。另外，“耦接”一詞在此為包括任何直接及間接的電氣連接手段，因此若文中描述第一裝置耦接于第二裝置，則代表該第一裝置可直接電氣連接至該第二裝置，或透過其它裝置或連接手段間接地電氣連接至該第二裝置。
[0029]請一并參考圖2和圖3。圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的簡化了的具有應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)的ic封裝200的橫截面的示意圖，以及圖3是簡化了的1C封裝200的仰視圖。如圖2所示，1C封裝200包括:金屬層202、基底204、1C芯片206和1C填充層208。如圖3所示，金屬層202具有4條蝕刻線210，用于把金屬層202分開為9個小的金屬層區(qū)域212。其中，金屬層202可以是銅層。換言之，如圖2所示，4條蝕刻線210在金屬層202和基底204中形成4條半切線(half cut line)?；?04形成于金屬層202之上。1C芯片206形成于基底204之上，以及1C填充層208形成于1C芯片206的周圍。請注意以上實(shí)施例僅是為了說明的目的，并不意味著限制本發(fā)明。例如，根據(jù)不同的設(shè)計需求，可以改變蝕刻線210的數(shù)量。
[0030]請一并參考圖4和圖5。圖4是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的簡化了的具有應(yīng)力釋放結(jié)構(gòu)的1C封裝300的橫截面示意圖，以及圖5是簡化了的1C封裝300的仰視圖。如圖4所示，1C封裝300包括:金屬層302、基底304、1C芯片306、1C填充層308和2條接合線(bonding wire) 309ο如圖5所示，金屬層302具有4條蝕刻線310，用于把金屬層302分開為9個小的金屬層區(qū)域312。其中，金屬層302