L，日本化藥公司生產(chǎn)）
[0171] 環(huán)氧樹(shù)脂5 :具有聯(lián)苯芳烷基骨架的環(huán)氧樹(shù)脂（NC-3000,日本化藥公司生產(chǎn)）
[0172] 環(huán)氧樹(shù)脂6 :具有萘芳烷基骨架的環(huán)氧樹(shù)脂（NC-7000,日本化藥公司生產(chǎn)）
[0173] 環(huán)氧樹(shù)脂7 :雙酚F型環(huán)氧樹(shù)脂（830S，大日本油墨公司生產(chǎn)）
[0174] 環(huán)氧樹(shù)脂8 :雙酚A型環(huán)氧樹(shù)脂（828,三菱化學(xué)公司生產(chǎn)）
[0175] 氰酸酯樹(shù)脂1 :線型酚醛清漆型氰酸酯樹(shù)脂（PT-30, Lonza Japan公司生產(chǎn)）
[0176] (固化催化劑C-I)
[0177] 固化催化劑1 :2_苯基-4, 5-二羥基甲基咪唑（2PHZ-PW，四國(guó)化成公司生產(chǎn)）
[0178] 固化催化劑2 :三苯基膦（北興化學(xué)公司生產(chǎn)）
[0179] (固化劑 C-2)
[0180] 酚系固化劑1 :三苯基甲烷型線型酚醛清漆樹(shù)脂（MEH-7500,明和化成公司生產(chǎn)）
[0181] (無(wú)機(jī)填料（B))
[0182] 填料1 :通過(guò)由上述鱗片狀氮化硼一次粒子構(gòu)成的二次聚集粒子的制作而制作的 聚集氮化硼
[0183] 填料2 :在上述制作例中，將燒制溫度變更為2100°C，將燒制時(shí)間變更為15小時(shí)， 除此以外，按照與上述二次聚集粒子的制作例同樣的方法制作的平均粒徑為80 μπι的聚集 氮化硼
[0184] 填料3 :在上述制作例中，將燒制溫度變更為1500 °C，將燒制時(shí)間變更為8小時(shí)，除 此以外，按照與上述二次聚集粒子的制作例同樣的方法制作的平均粒徑為80 μπι的聚集氮 化硼
[0185] (細(xì)孔徑分布曲線的測(cè)定）
[0186] 首先，將得到的熱傳導(dǎo)性片材在180°C、IOMPa下熱處理40分鐘，由此得到熱傳導(dǎo) 性片材的固化物。接下來(lái)，將熱傳導(dǎo)性片材的固化物在大氣壓下，700°C、加熱處理4小時(shí)而 灰化。接下來(lái)，利用水銀壓入式的孔隙率計(jì)（島津制作所公司生產(chǎn)的Micromeritics細(xì)孔 分布測(cè)定裝置Autopore 9520型）測(cè)定所得到的灰化殘?jiān)械臒o(wú)機(jī)填料（B)的細(xì)孔徑分 布曲線。
[0187] 具體如下所示，將灰化殘?jiān)?00°C、1小時(shí)、大氣壓下加熱干燥而使水分蒸發(fā)，由 此得到測(cè)定試樣（無(wú)機(jī)填料（B))。接下來(lái)，取所得到的測(cè)定試樣約0. 2g至標(biāo)準(zhǔn)5cc粉體用 容器（套筒容積〇.4cc)，在初始?jí)毫?kPa (相當(dāng)于約lpsia、細(xì)孔徑約180μπι)的條件下測(cè) 定。水銀參數(shù)是裝置默認(rèn)的水銀接觸角為130度，水銀表面張力設(shè)定為485dyn es/cm。
[0188] 根據(jù)得到的細(xì)孔徑分布曲線，求出各峰。此外，關(guān)于細(xì)孔徑R在1 μπι~10 μπι的 范圍中的峰，求出相互重疊的峰的數(shù)量。
[0189] 此外，根據(jù)得到的細(xì)孔徑分布曲線，分別求出細(xì)孔徑R在I. 0 ym~10. 0 μπι的范 圍中的累積細(xì)孔體積VI、細(xì)孔徑R在大于10. 0 μ m且30. 0 μ m以下的范圍中的累積細(xì)孔體 積V2和細(xì)孔徑R在0. 01 μ m以上且小于I. 0 μ m的范圍中的累積細(xì)孔體積V3。
[0190] (Tg (玻璃化轉(zhuǎn)變溫度）的測(cè)定）
[0191] 熱傳導(dǎo)性片材的固化物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度按照以下方式測(cè)定。首先，將得到的熱 傳導(dǎo)性片材在180°C、IOMPa下熱處理40分鐘，由此得到熱傳導(dǎo)性片材的固化物。接下來(lái)， 通過(guò)DM (動(dòng)態(tài)粘彈性測(cè)定）在升溫速度5°C /min、頻率IHz的條件下測(cè)定所得到的固化物 的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度（Tg)。
[0192] (絕緣可靠性評(píng)價(jià)）
[0193] 關(guān)于各個(gè)實(shí)施例1~12和比較例1~3,半導(dǎo)體封裝件的絕緣可靠性按照以下方 式進(jìn)行評(píng)價(jià)。首先，使用熱傳導(dǎo)性片材的固化物，制作圖1所示的半導(dǎo)體封裝件。接下來(lái)， 使用該半導(dǎo)體封裝件，在溫度85°c、濕度85%、交流施加電壓I. 5kV的條件下，評(píng)價(jià)連續(xù)濕 中絕緣電阻。應(yīng)予說(shuō)明，將電阻值1〇6Ω以下作為故障。評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)如下所示。
[0194] ◎◎ :300小時(shí)以上沒(méi)有故障
[0195] ◎ :200小時(shí)以上且小于300小時(shí)有故障
[0196] 〇：150小時(shí)以上且小于200小時(shí)有故障
[0197] Λ : 100小時(shí)以上且小于150小時(shí)有故障
[0198] X :小于100小時(shí)有故障
[0199] (熱循環(huán)試驗(yàn)）
[0200] 關(guān)于各個(gè)實(shí)施例1~12和比較例1~3,半導(dǎo)體封裝件的熱循環(huán)性如下地進(jìn)行評(píng) 價(jià)。首先，使用熱傳導(dǎo)性片材的固化物制作圖1所示的半導(dǎo)體封裝件。接下來(lái)，使用該半導(dǎo) 體封裝件3個(gè)，實(shí)施熱循環(huán)試驗(yàn)。熱循環(huán)試驗(yàn)是將-40°C 5分鐘~+125°C 5分鐘作為1個(gè) 循環(huán)，進(jìn)行3000次。
[0201] 接下來(lái)，使用超聲波影像裝置（日立建機(jī)Finetech公司生產(chǎn)，F(xiàn)S300)，觀察半導(dǎo)體 芯片、導(dǎo)電層有無(wú)異常。
[0202] ◎:半導(dǎo)體芯片、導(dǎo)電層均沒(méi)有異常。
[0203] 〇：半導(dǎo)體芯片和/或?qū)щ妼拥囊徊糠职l(fā)現(xiàn)裂紋，但是實(shí)用上沒(méi)問(wèn)題。
[0204] Λ :半導(dǎo)體芯片和/或?qū)щ妼拥囊徊堪l(fā)現(xiàn)裂紋，實(shí)用上有問(wèn)題。
[0205] X :半導(dǎo)體芯片、導(dǎo)電層均發(fā)現(xiàn)裂紋，不能使用。
[0206]
[0207] 使用細(xì)孔徑R在1 μπι~10 μπι的范圍具有峰（P)且峰（P)中2個(gè)以上的峰相互 重疊的熱傳導(dǎo)性片材的實(shí)施例1~12的半導(dǎo)體封裝件，絕緣可靠性和熱循環(huán)性優(yōu)異。
[0208] 另一方面，細(xì)孔徑R在1 μπι~ΙΟμπι的范圍內(nèi)2個(gè)以上的峰不相互重疊的比較例 1~3的半導(dǎo)體封裝件，絕緣可靠性和熱循環(huán)性差。
[0209] 因此，可知通過(guò)使用本發(fā)明的熱傳導(dǎo)性片材，能夠得到耐久性高的半導(dǎo)體裝置。
[0210] 本申請(qǐng)主張基于2014年7月2日提出申請(qǐng)的日本申請(qǐng)?zhí)卦?014-137237號(hào)的優(yōu) 先權(quán)，本申請(qǐng)?jiān)涔_(kāi)的全部?jī)?nèi)容。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種熱傳導(dǎo)性片材，含有熱固化性樹(shù)脂和分散于所述熱固化性樹(shù)脂中的無(wú)機(jī)填料， 其特征在于， 對(duì)于將該熱傳導(dǎo)性片材的固化物在700°C加熱處理4小時(shí)灰化后的灰化殘?jiān)械乃?述無(wú)機(jī)填料，利用水銀壓入法進(jìn)行細(xì)孔徑分布測(cè)定時(shí)， 利用所述水銀壓入法測(cè)得的、以細(xì)孔徑R為橫軸且以對(duì)數(shù)微分細(xì)孔容積即dV/dlogR為 縱軸時(shí)的細(xì)孔徑分布曲線中，所述細(xì)孔徑R在I. 0 y m~10. 0 y m的范圍具有峰P，所述峰P 中2個(gè)以上的峰相互重疊。2. 如權(quán)利要求1所述的熱傳導(dǎo)性片材，其中，所述細(xì)孔徑R在I. 0 y m~10. 0 y m的范 圍中的累積細(xì)孔體積Vl為0. lmL/g~2. OmL/g。3. 如權(quán)利要求1或2所述的熱傳導(dǎo)性片材，其中，所述峰P中，所述細(xì)孔徑R在 LOym~3. Oym的范圍具有第1極大值，所述細(xì)孔徑R在大于3. 0 y m且10. 0 y m以下的 范圍具有第2極大值。4. 如權(quán)利要求1~3中任意一項(xiàng)所述的熱傳導(dǎo)性片材，其中，所述細(xì)孔徑R在大于 10. 0 y m且30. 0 y m以下的范圍進(jìn)一步具有1~3個(gè)峰。5. 如權(quán)利要求1~4中任意一項(xiàng)所述的熱傳導(dǎo)性片材，其中，所述細(xì)孔徑R在大于 10. 0 y m且30. 0 y m以下的范圍中的累積細(xì)孔體積V2為0? 07mL/g~0? 17mL/g〇6. 如權(quán)利要求1~5中任意一項(xiàng)所述的熱傳導(dǎo)性片材，其中，所述細(xì)孔徑R在0. 01 ym 以上且小于1. 0 ym的范圍實(shí)質(zhì)上沒(méi)有峰。7. 如權(quán)利要求6所述的熱傳導(dǎo)性片材，其中，所述細(xì)孔徑R在0. 01 ixm以上且小于 I. 0 ym的范圍中的累積細(xì)孔體積V3為0. 30mL/g以下。8. 如權(quán)利要求1~7中任意一項(xiàng)所述的熱傳導(dǎo)性片材，其中，所述無(wú)機(jī)填料為由鱗片狀 氮化硼一次粒子構(gòu)成的二次聚集粒子。9. 如權(quán)利要求8所述的熱傳導(dǎo)性片材，其中，構(gòu)成所述二次聚集粒子的所述一次粒子 的平均長(zhǎng)徑為0. 01 y m~40 y m。10. 如權(quán)利要求1~9中任意一項(xiàng)所述的熱傳導(dǎo)性片材，其中，所述無(wú)機(jī)填料的平均粒 徑為5 y m~180 y m。11. 如權(quán)利要求1~10中任意一項(xiàng)所述的熱傳導(dǎo)性片材，其中，所述無(wú)機(jī)填料的含量相 對(duì)于該熱傳導(dǎo)性片材100質(zhì)量％為50質(zhì)量％~95質(zhì)量％。12. 如權(quán)利要求1~11中任意一項(xiàng)所述的熱傳導(dǎo)性片材，其中，所述熱固化性樹(shù)脂是選 自具有雙環(huán)戊二烯骨架的環(huán)氧樹(shù)脂、具有聯(lián)苯骨架的環(huán)氧樹(shù)脂、具有金剛烷骨架的環(huán)氧樹(shù) 月旨、具有苯酚芳烷基骨架的環(huán)氧樹(shù)脂、具有聯(lián)苯芳烷基骨架的環(huán)氧樹(shù)脂、具有萘芳烷基骨架 的環(huán)氧樹(shù)脂和氰酸酯樹(shù)脂中的一種或二種以上。13. 如權(quán)利要求1~12中任意一項(xiàng)所述的熱傳導(dǎo)性片材，其中，在升溫速度5°C /min、 頻率IHz的條件下，通過(guò)動(dòng)態(tài)粘彈性測(cè)定而測(cè)得的該熱傳導(dǎo)性片材的固化物的玻璃化轉(zhuǎn)變 溫度為175°C以上。14. 一種熱傳導(dǎo)性片材的固化物，其特征在于，使權(quán)利要求1~13中任意一項(xiàng)所述的熱 傳導(dǎo)性片材固化而成。15. -種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備金屬板、設(shè)置于所述金屬板的第1面?zhèn)鹊陌雽?dǎo) 體芯片、在所述金屬板的與所述第1面相反側(cè)的第2面接合的熱傳導(dǎo)件、以及將所述半導(dǎo)體 芯片和所述金屬板密封的密封樹(shù)脂， 所述熱傳導(dǎo)件由權(quán)利要求1~13中任意一項(xiàng)所述的熱傳導(dǎo)性片材形成。
【專利摘要】本發(fā)明的熱傳導(dǎo)性片材含有熱固化性樹(shù)脂(A)和分散于熱固化性樹(shù)脂(A)中的無(wú)機(jī)填料(B)。而且，本發(fā)明的熱傳導(dǎo)性片材是，對(duì)于將該熱傳導(dǎo)性片材的固化物在700℃加熱處理4小時(shí)灰化后的灰化殘?jiān)械臒o(wú)機(jī)填料(B)，利用水銀壓入法進(jìn)行細(xì)孔徑分布測(cè)定時(shí)，利用上述水銀壓入法測(cè)得的、以細(xì)孔徑R為橫軸且以對(duì)數(shù)微分細(xì)孔容積(dV/dlogR)為縱軸時(shí)的細(xì)孔徑分布曲線中，細(xì)孔徑R在1.0μm～10.0μm的范圍具有峰(P)，該峰(P)中2個(gè)以上的峰相互重疊。
【IPC分類】H01L23/373
【公開(kāi)號(hào)】CN105244334
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510381444
【發(fā)明人】望月俊佑, 北川和哉, 白土洋次, 長(zhǎng)橋啟太, 津田美香, 平?jīng)g憲也, 黑川素美
【申請(qǐng)人】住友電木株式會(huì)社
【公開(kāi)日】2016年1月13日
【申請(qǐng)日】2015年7月2日
【公告號(hào)】US20160002520