述一個(gè)或多個(gè)P-n結(jié)均屬于所述導(dǎo)電材料結(jié)。
[0012]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果如下所述。
[0013]由于所述每一個(gè)導(dǎo)電材料結(jié)均成為了一個(gè)熱伏電池,在相同太陽(yáng)光光強(qiáng)度(輻照度)條件下,與所述光伏電池單獨(dú)發(fā)電的轉(zhuǎn)換率相比,與之對(duì)應(yīng)的本發(fā)明PTVSC的轉(zhuǎn)換效率可以提高100 %以上。而所述每一個(gè)導(dǎo)電材料結(jié)的材料成本和制作工藝成本,均分別遠(yuǎn)低于所述光伏電池的的材料成本和制作工藝成本。這樣,本發(fā)明PTVSC每千瓦發(fā)電量的成本就低于與之對(duì)應(yīng)的所述光伏電池。同時(shí),本發(fā)明還可以較大幅度地降低PTVSC整體的溫度,這有利于PTVSC中的光伏電池性能的改善。
【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1為一種疊層光-熱伏太陽(yáng)能電池的構(gòu)造原理示意圖(實(shí)施例1)。
[0015]圖2為一種疊層光-熱伏太陽(yáng)能電池的構(gòu)造原理示意圖(實(shí)施例2)。
[0016]圖3為一種疊層光-熱伏太陽(yáng)能電池的構(gòu)造原理示意圖(實(shí)施例3)。
[0017]圖4為一種疊層光-熱伏太陽(yáng)能電池的構(gòu)造原理示意圖(實(shí)施例4)。
[0018]圖5為一種疊層光-熱伏太陽(yáng)能電池的構(gòu)造原理示意圖(實(shí)施例5)。
[0019]圖1、圖2中的標(biāo)記:1_硅光伏電池的頂電極,2-硅光伏電池的背電極,3-第一個(gè)P-n結(jié)外設(shè)的導(dǎo)電層,4-第二個(gè)p-n結(jié)外設(shè)的導(dǎo)電層,5-第三個(gè)p_n結(jié)外設(shè)的導(dǎo)電層。
[0020]圖3、圖4、圖5中的標(biāo)記:1_硅光伏電池的頂電極,2-硅光伏電池的背電極,3-導(dǎo)電材料形成的導(dǎo)電層。
【具體實(shí)施方式】
[0021]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,下面結(jié)合附圖和以硅光伏電池為基礎(chǔ)來(lái)形成的疊層光-熱伏太陽(yáng)能電池(PTVSC)的5個(gè)具體的實(shí)施例,而對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明,并不用于限定本發(fā)明。
[0022]實(shí)施例1.如圖1所示的一種疊層光-熱伏太陽(yáng)能電池(PTVSC)。在所述一種PTVSC總體中的硅光伏電池的內(nèi)部,形成內(nèi)建電場(chǎng)的p-n結(jié)的P型半導(dǎo)體處于更靠近所述硅光伏電池的背電極2的這一側(cè),而η型半導(dǎo)體處于更靠近所述硅光伏電池的頂電極I的這一側(cè)。在所述硅光伏電池背電極2的外部,用半導(dǎo)體材料以疊層方式分別構(gòu)建3個(gè)p-n結(jié)(這里的每一個(gè)p-n結(jié)均屬于前文“
【發(fā)明內(nèi)容】
”中的所述導(dǎo)電材料結(jié));所述3個(gè)p-n結(jié)與所述硅光伏電池共同組成所述一種PTVSC;構(gòu)建的第一個(gè)p-n結(jié)的P型半導(dǎo)體靠近所述硅光伏電池的背電極2且與該背電極2在電氣上相通,而在所述第一個(gè)p-n結(jié)的η型半導(dǎo)體的外表面上,用導(dǎo)電材料形成導(dǎo)電層3 (稱為第一個(gè)p-n結(jié)外設(shè)的導(dǎo)電層3);構(gòu)建的第二個(gè)p-n結(jié)的P型半導(dǎo)體靠近所述第一個(gè)P-n結(jié)外設(shè)的導(dǎo)電層3,而在所述第二個(gè)p-n結(jié)的η型半導(dǎo)體的外表面上,用導(dǎo)電材料形成導(dǎo)電層4 (稱為第二個(gè)p-n結(jié)外設(shè)的導(dǎo)電層4);構(gòu)建的第三個(gè)p-n結(jié)的p型半導(dǎo)體靠近所述第二個(gè)p-n結(jié)外設(shè)的導(dǎo)電層4,而在所述第三個(gè)p-n結(jié)的η型半導(dǎo)體的外表面上,用導(dǎo)電材料形成導(dǎo)電層5 (稱為第三個(gè)p-n結(jié)外設(shè)的導(dǎo)電層5);構(gòu)建的每一個(gè)p-n結(jié)的P型和η型半導(dǎo)體材料,均與相鄰的p-n結(jié)的P型和η型半導(dǎo)體材料在電氣上相通;把第三個(gè)p-n結(jié)外設(shè)的導(dǎo)電層5作為所述一種PTVSC的背電極;所述硅光伏電池原有的頂電極I也是所述一種PTVSC的頂電極。
[0023]實(shí)施例2.如圖2所示的一種疊層光-熱伏太陽(yáng)能電池(PTVSC)。在所述一種PTVSC總體中的硅光伏電池的內(nèi)部,形成內(nèi)建電場(chǎng)的P-n結(jié)的η型半導(dǎo)體處于更靠近所述硅光伏電池的背電極2的這一側(cè),而P型半導(dǎo)體處于更靠近所述硅光伏電池的頂電極I的這一側(cè)。在所述硅光伏電池背電極2的外部,用半導(dǎo)體材料以疊層方式分別構(gòu)建3個(gè)p-n結(jié)(這里的每一個(gè)p-n結(jié)均屬于前文“
【發(fā)明內(nèi)容】
”中的所述導(dǎo)電材料結(jié));所述3個(gè)p-n結(jié)與所述硅光伏電池共同組成所述一種PTVSC;構(gòu)建的第一個(gè)p-n結(jié)的η型半導(dǎo)體靠近所述硅光伏電池的背電極2且與該背電極2在電氣上相通,而在所述第一個(gè)p-n結(jié)的P型半導(dǎo)體的外表面上,用導(dǎo)電材料形成導(dǎo)電層3 (稱為第一個(gè)p-n結(jié)外設(shè)的導(dǎo)電層3);構(gòu)建的第二個(gè)p-n結(jié)的η型半導(dǎo)體靠近所述第一個(gè)P-n結(jié)外設(shè)的導(dǎo)電層3,而在所述第二個(gè)p-n結(jié)的P型半導(dǎo)體的外表面上,用導(dǎo)電材料形成導(dǎo)電層4 (稱為第二個(gè)p-n結(jié)外設(shè)的導(dǎo)電層4);構(gòu)建的第三個(gè)p-n結(jié)的η型半導(dǎo)體靠近所述第二個(gè)P-n結(jié)外設(shè)的導(dǎo)電層4,而在所述第三個(gè)p-n結(jié)的P型半導(dǎo)體的外表面上,用導(dǎo)電材料形成導(dǎo)電層5 (稱為第三個(gè)p-n結(jié)外設(shè)的導(dǎo)電層5);構(gòu)建的每一個(gè)p-n結(jié)的P型和η型半導(dǎo)體材料,均與相鄰的p-n結(jié)的P型和η型半導(dǎo)體材料在電氣上相通;把第三個(gè)p-n結(jié)外設(shè)的導(dǎo)電層5作為所述一種PTVSC的背電極;所述硅光伏電池原有的頂電極I也是所述一種PTVSC的頂電極。
[0024]實(shí)施例3.如圖3所示的一種疊層光-熱伏太陽(yáng)能電池(PTVSC)。在所述一種PTVSC總體中的硅光伏電池的內(nèi)部,形成內(nèi)建電場(chǎng)的P-n結(jié)的P型半導(dǎo)體處于更靠近所述硅光伏電池的背電極2的這一側(cè),而η型半導(dǎo)體處于更靠近所述硅光伏電池的頂電極I的這一側(cè)。在所述硅光伏電池背電極2的外部,用半導(dǎo)體材料以疊層方式分別構(gòu)建3個(gè)p-n結(jié)(這里的每一個(gè)p-n結(jié)均屬于前文“
【發(fā)明內(nèi)容】
”中的所述導(dǎo)電材料結(jié));所述3個(gè)p-n結(jié)與所述硅光伏電池共同組成所述一種PTVSC;構(gòu)建的第一個(gè)p-n結(jié)的P型半導(dǎo)體靠近所述硅光伏電池的背電極2且與該背電極2在電氣上相通;構(gòu)建的第二個(gè)p-n結(jié)的P型半導(dǎo)體靠近第一個(gè)p-n結(jié)的η型半導(dǎo)體的外表面;構(gòu)建的第三個(gè)P-n結(jié)的P型半導(dǎo)體靠近第二個(gè)p-n結(jié)的n型半導(dǎo)體的外表面;構(gòu)建的每一個(gè)p-n結(jié)的P型和η型半導(dǎo)體材料,均與相鄰的p-n結(jié)的p型和η型半導(dǎo)體材料在電氣上相通;在構(gòu)建的第三個(gè)P-n結(jié)的η型半導(dǎo)體的外表面上,用導(dǎo)電材料形成導(dǎo)電層3,把所述導(dǎo)電層3作為所述一種PTVSC的背電極;所述硅光伏電池原有的頂電極I也是所述一種PTVSC的頂電極。
[0025]實(shí)施例4.如圖4所示的一種疊層光-熱伏太陽(yáng)能電池(PTVSC)。在所述一種PTVSC總體中的硅光伏電池的內(nèi)部,形成內(nèi)建電場(chǎng)的P-n結(jié)的η型半導(dǎo)體處于更靠近所述硅光伏電池的背電極2的這一側(cè),而P型半導(dǎo)體處于更靠近所述硅光伏電池的頂電極I的這一側(cè)。在所述硅光伏電池背電極2的外部,用半導(dǎo)體材料以疊層方式分別構(gòu)建3個(gè)p-n結(jié)(這里的每一個(gè)p-n結(jié)均屬于前文“
【發(fā)明內(nèi)容】
”中的所述導(dǎo)電材料結(jié));所述3個(gè)p-n結(jié)與所述硅光伏電池共同組成所述一種PTVSC;構(gòu)建的第一個(gè)p-n結(jié)的η型半導(dǎo)體靠近所述硅光伏電池的背電極2且與該背電極2在電氣上相通;構(gòu)建的第二個(gè)p-n結(jié)的η型半導(dǎo)體靠近第一個(gè)p-n結(jié)的p型半導(dǎo)體的外表面;構(gòu)建的第三個(gè)P-n結(jié)的η型半導(dǎo)體靠近第二個(gè)p-n結(jié)的p型半導(dǎo)體的外表面;構(gòu)建的每一個(gè)p-n結(jié)的P型和η型半導(dǎo)體材料,均與相鄰的p-n結(jié)的p型和η型半導(dǎo)體材料在電氣上相