承載平臺(tái)以及晶片厚度檢測(cè)裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種承載平臺(tái)以及晶片厚度檢測(cè)
目.ο
【背景技術(shù)】
[0002]在晶片(例如硅晶圓)的刻蝕工藝中晶片厚度方向上的刻蝕深度對(duì)后續(xù)的刻蝕工序的進(jìn)行具有直接影響。為了獲得準(zhǔn)確的刻蝕深度，提高刻蝕工藝的準(zhǔn)確性，通常需要在對(duì)晶片進(jìn)行刻蝕之前，對(duì)晶片的厚度進(jìn)行檢測(cè)。檢測(cè)晶片厚度的方法是在晶片表面不同位置上設(shè)定采樣點(diǎn)，并采集各個(gè)采樣點(diǎn)處的晶片厚度，然后通過(guò)數(shù)據(jù)分析獲得該晶片的厚度。
[0003]圖1現(xiàn)有的一種晶片厚度檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，晶片厚度檢測(cè)裝置包括用于承載晶片的承載平臺(tái)10、用于檢測(cè)采樣點(diǎn)處的晶片厚度的檢測(cè)鏡頭11以及用于驅(qū)動(dòng)承載平臺(tái)10運(yùn)動(dòng)，以使晶片表面上各個(gè)采樣點(diǎn)逐一對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)鏡頭11的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)。其中，該驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)采用直線運(yùn)動(dòng)和旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)相結(jié)合的驅(qū)動(dòng)方式，實(shí)現(xiàn)對(duì)基片表面上任意位置的全覆蓋檢測(cè)。具體地，該驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括旋轉(zhuǎn)電機(jī)16、旋轉(zhuǎn)電機(jī)固定平臺(tái)12、直線導(dǎo)軌13、滑塊14和直線電機(jī)15。在檢測(cè)晶片厚度的過(guò)程中，首先，直線電機(jī)15驅(qū)動(dòng)滑塊14沿直線導(dǎo)軌13作直線運(yùn)動(dòng)，滑塊14帶動(dòng)與之連接的旋轉(zhuǎn)電機(jī)固定平臺(tái)12和旋轉(zhuǎn)電機(jī)16同步作直線運(yùn)動(dòng)，以使承載平臺(tái)10沿晶片表面的徑向運(yùn)動(dòng)，直至檢測(cè)鏡頭11對(duì)準(zhǔn)晶片表面的指定圓周處后停止運(yùn)動(dòng)。然后，旋轉(zhuǎn)電機(jī)16驅(qū)動(dòng)承載平臺(tái)10自轉(zhuǎn)，以使上述指定圓周上的各個(gè)采樣點(diǎn)逐一對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)鏡頭11。
[0004]為了保證晶片厚度檢測(cè)裝置的檢測(cè)精度，就需要分別對(duì)承載平臺(tái)10與檢測(cè)鏡頭11的相對(duì)位置以及承載平臺(tái)10和晶片的相對(duì)位置進(jìn)行校準(zhǔn)。為此，上述承載平臺(tái)10采用如下結(jié)構(gòu)，如圖2所示，承載平臺(tái)10采用十字型的薄板結(jié)構(gòu)，在承載平臺(tái)10的上表面上設(shè)置有垂直交叉的兩個(gè)細(xì)長(zhǎng)溝槽101，且兩個(gè)細(xì)長(zhǎng)溝槽101的交叉點(diǎn)與承載平臺(tái)10上表面的中心重合，用以在校準(zhǔn)過(guò)程中對(duì)承載平臺(tái)10與檢測(cè)鏡頭11的相對(duì)位置進(jìn)行校準(zhǔn)。而且，在承載平臺(tái)10的上表面相互垂直的兩個(gè)方向(即，沿十字型薄板相互垂直的兩個(gè)長(zhǎng)度方向)上對(duì)稱分布有多排定位柱安裝孔102，用以安裝用于限定晶片在承載平臺(tái)10上表面上的位置的定位柱(圖中未示出)，并且安裝在不同排的定位柱安裝孔102中的定位柱可對(duì)不同尺寸的晶片進(jìn)行定位。
[0005]上述承載平臺(tái)10在實(shí)際應(yīng)用中不可避免地存在以下問(wèn)題，即:
[0006]由于上述承載平臺(tái)10采用薄板結(jié)構(gòu)，其上表面為平面，這使得無(wú)法利用機(jī)械手等傳輸裝置自動(dòng)進(jìn)行取片或放片的操作，而僅能人工進(jìn)行取片或放片的操作，從而無(wú)法實(shí)現(xiàn)晶片厚度的全自動(dòng)化檢測(cè)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題之一，提出了一種承載平臺(tái)以及晶片厚度檢測(cè)裝置，其可以利用機(jī)械手自動(dòng)進(jìn)行取放晶片的操作，從而可以實(shí)現(xiàn)晶片厚度檢測(cè)的全自動(dòng)化。
[0008]為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的而提供一種承載平臺(tái)，用于在檢測(cè)單元檢測(cè)晶片厚度時(shí)承載晶片，所述承載平臺(tái)包括平臺(tái)本體，在所述平臺(tái)本體的上表面設(shè)置有沿其周向間隔排布的多個(gè)凸臺(tái)，所述多個(gè)凸臺(tái)的上表面用于共同支撐晶片；并且，在各個(gè)凸臺(tái)的上表面均設(shè)置有定位凸起，用以對(duì)置于所述多個(gè)凸臺(tái)的上表面的晶片進(jìn)行定位。
[0009]優(yōu)選的，各個(gè)所述定位凸起的內(nèi)表面均為圓弧面，并且所述圓弧面與所述凸臺(tái)的上表面相互垂直，且所述圓弧面的半徑與所述晶片的半徑相等；或者，所述圓弧面相對(duì)于所述凸臺(tái)的上表面傾斜，且所述圓弧面在豎直方向上各個(gè)位置的半徑由上而下逐漸減小，并且所述圓弧面的最小半徑與所述晶片的半徑相等。
[0010]優(yōu)選的，在每個(gè)所述凸臺(tái)的上表面設(shè)置有防滑部件，用以采用摩擦固定的方式將所述晶片固定在所述凸臺(tái)上。
[0011 ] 優(yōu)選的，所述防滑部件包括膠圈或者膠墊。
[0012]優(yōu)選的，在所述平臺(tái)本體上表面的中心設(shè)置有中心孔，用于安裝機(jī)械手定位塊；所述機(jī)械手定位塊用于對(duì)所述機(jī)械手與所述承載平臺(tái)之間的相對(duì)位置進(jìn)行定位。
[0013]優(yōu)選的，在所述平臺(tái)本體上表面還設(shè)置有沿其周向間隔設(shè)置的四條狹長(zhǎng)溝槽，每條狹長(zhǎng)溝槽在長(zhǎng)度方向上的中心線沿所述平臺(tái)本體上表面的徑向延伸，并且相鄰的兩條狹長(zhǎng)溝槽相互垂直；每條狹長(zhǎng)溝槽具有預(yù)設(shè)直線度，并且相鄰的兩條狹長(zhǎng)溝槽之間具有預(yù)設(shè)垂直度；使所述承載平臺(tái)沿方向相同的其中兩條狹長(zhǎng)溝槽的長(zhǎng)度方向水平移動(dòng)，同時(shí)使所述檢測(cè)單元朝向所述平臺(tái)本體上表面發(fā)射檢測(cè)信號(hào)，并接收由所述平臺(tái)本體上表面反射回來(lái)的反饋信號(hào)；判斷該反饋信號(hào)是否在整個(gè)移動(dòng)過(guò)程中均來(lái)自所述狹長(zhǎng)溝槽，若是，則確定所述承載平臺(tái)與所述檢測(cè)單元之間沒(méi)有位置偏差。
[0014]優(yōu)選的，在所述平臺(tái)本體上表面還設(shè)置有沿其周向間隔設(shè)置的多個(gè)長(zhǎng)圓弧形通孔，用于使所述平臺(tái)本體允許對(duì)其圓周方向上的位置進(jìn)行調(diào)整，以在所述承載平臺(tái)移動(dòng)過(guò)程中，保證所述反饋信號(hào)均來(lái)自所述狹長(zhǎng)溝槽；在每個(gè)長(zhǎng)圓弧形通孔內(nèi)設(shè)置有螺釘，用以在完成所述平臺(tái)本體在其圓周方向上的位置的調(diào)整之后，固定所述承載平臺(tái)。
[0015]優(yōu)選的，在所述平臺(tái)本體上表面還設(shè)置有沿其周向間隔設(shè)置的多個(gè)螺紋通孔以及與每個(gè)螺紋通孔螺紋配合的螺釘，通過(guò)調(diào)節(jié)各個(gè)螺紋通孔和其內(nèi)的螺釘在所述螺紋通孔的軸向上的相對(duì)位置，來(lái)調(diào)節(jié)所述平臺(tái)本體上表面的水平度。
[0016]優(yōu)選的，每個(gè)凸臺(tái)在所述平臺(tái)本體的上表面上投影的形狀包括三角形、圓形、多邊形或者橢圓形。
[0017]作為另一個(gè)技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種晶片厚度檢測(cè)裝置，其包括用于承載晶片的承載平臺(tái)、用于檢測(cè)晶片表面不同位置處的晶片厚度的檢測(cè)單元以及用于驅(qū)動(dòng)所述承載平臺(tái)運(yùn)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，其中，所述承載平臺(tái)采用了本發(fā)明提供的上述承載平臺(tái)分別對(duì)所述承載平臺(tái)與所述檢測(cè)單元的相對(duì)位置，以及所述承載平臺(tái)和晶片的相對(duì)位置進(jìn)行校準(zhǔn)。
[0018]本發(fā)明具有以下有益效果:
[0019]本發(fā)明提供的承載平臺(tái)，其在平臺(tái)本體的上表面上設(shè)置有沿其周向間隔排布的多個(gè)凸臺(tái)，用于共同支撐晶片。由于置于凸臺(tái)上表面上的晶片與平臺(tái)本體之間具有可供機(jī)械手通過(guò)的豎直間隙，因而可以利用機(jī)械手自動(dòng)進(jìn)行取放晶片的操作，從而可以實(shí)現(xiàn)晶片厚度檢測(cè)的全自動(dòng)化。
[0020]本發(fā)明提供的晶片厚度檢測(cè)裝置，其通過(guò)采用本發(fā)明提供的承載平臺(tái)，可以利用機(jī)械手自動(dòng)進(jìn)行取放晶片的操作，從而可以實(shí)現(xiàn)晶片厚度檢測(cè)的全自動(dòng)化。
【附圖說(shuō)明】
[0021]圖1為現(xiàn)有的一種晶片厚度檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2為現(xiàn)有的承載平臺(tái)的俯視圖；
[0023]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的承載平臺(tái)的立體圖；
[0024]圖4A為本發(fā)明實(shí)施例提供的承載平臺(tái)的俯視圖；
[0025]圖4B為沿圖4A中A-A線的剖視圖；
[0026]圖4C為圖4A中的承載平臺(tái)在承載晶片時(shí)的俯視圖；
[0027]圖5A為對(duì)機(jī)械手與承載平臺(tái)進(jìn)行定位的示意圖；
[0028]圖5B為機(jī)械手定位塊與承載平臺(tái)的位置關(guān)系圖；
[0029]圖5C為圖5B中I區(qū)域的放大圖；以及
[0030]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的承載平臺(tái)在機(jī)械手取出晶片時(shí)的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】