在氧化環(huán)境下被暴露于熱(例如，在爐中)以形成氧化層(例如，熱氧化物)。在一些實(shí)現(xiàn)中，在基板在氧化環(huán)境下首次暴露于熱(例如，在爐中)期間在基板的第一表面(例如，頂表面)上提供氧化層，并且隨后在基板在氧化環(huán)境下第二次暴露于熱(例如，在爐中)期間在基板的第二表面(例如，底表面)上提供氧化層。在一些實(shí)現(xiàn)中，在基板在氧化環(huán)境下單次暴露于熱(例如，在爐中)期間在基板的整個(gè)表面上提供氧化層。在一些實(shí)現(xiàn)中，氧化層可以是內(nèi)襯。
[0136]該方法隨后提供(在1120)基板中的至少一個(gè)通孔和中介體(例如，基板)上的至少一個(gè)互連。在一些實(shí)現(xiàn)中，提供(在1120)至少一個(gè)通孔包括用金屬材料(例如，銅)來填充一個(gè)或多個(gè)腔以定義基板中的一個(gè)或多個(gè)通孔。該一個(gè)或多個(gè)通孔在基板上提供以使得氧化層在該通孔與該基板之間。氧化層被配置成在通孔與基板之間提供電絕緣。不同的實(shí)現(xiàn)可不同地提供一個(gè)或多個(gè)通孔。
[0137]在一些實(shí)現(xiàn)中，提供(在1120)至少一個(gè)互連包括用金屬材料(例如，銅)來填充一個(gè)或多個(gè)腔以定義中介體(例如，基板和/或氧化層)上的一個(gè)或多個(gè)互連。該一個(gè)或多個(gè)互連在中介體(例如，基板)上提供以使得氧化層在該通孔與該基板之間。氧化層被配置成在互連與基板之間提供電絕緣。不同的實(shí)現(xiàn)可不同地提供一個(gè)或多個(gè)互連。在一些實(shí)現(xiàn)中，提供至少一個(gè)互連包括在中介體的表面上提供至少一個(gè)嵌入互連，其中該嵌入互連的至少一個(gè)區(qū)域被暴露。
[0138]在一些實(shí)現(xiàn)中，提供(在1120) —個(gè)或多個(gè)通孔/互連包括在中介體上提供掩模層(例如，圖案化的掩模層)。具體地，在位于基板上的氧化層上提供掩模層。不同實(shí)現(xiàn)可以使用不同材料和方法來提供掩模層。例如，掩模層可以是無電極晶種層。
[0139]在一些實(shí)現(xiàn)中，提供(在1120) —個(gè)或多個(gè)通孔/互連還包括選擇性地蝕刻掩模層的一個(gè)或多個(gè)部分。不同實(shí)現(xiàn)可以使用不同方法來選擇性地蝕刻掩模層。在一些實(shí)現(xiàn)中，光刻可被用于選擇性地蝕刻掩模層，該掩模層形成定義一個(gè)或多個(gè)通孔或一個(gè)或多個(gè)通孔/互連的各部分的輪廓的圖案/腔(例如，腔303、305)。
[0140]在一些實(shí)現(xiàn)中，提供(在1120) —個(gè)或多個(gè)通孔/互連還包括在圖案/腔中提供材料(例如，金屬材料、導(dǎo)電糊劑)。該材料定義中介體的基板中的一個(gè)或多個(gè)通孔/互連。不同實(shí)現(xiàn)可以不同地提供該材料。在一些實(shí)現(xiàn)中，材料(例如，金屬層)可被沉積、鍍敷和/或粘貼在圖案/腔中。
[0141]在一些實(shí)現(xiàn)中，提供(在1120) —個(gè)或多個(gè)通孔/互連還包括移除掩模層、留下具有氧化層以及一個(gè)或多個(gè)通孔/互連的中介體。在一些實(shí)現(xiàn)中，移除掩模層可包括移除無電極晶種層。
[0142]在一些實(shí)現(xiàn)中，當(dāng)所提供(在1105)的基板是晶片(例如，晶片600)時(shí)，該方法可使用已知切割/劃片技術(shù)和工藝將該晶片切割(例如，在1120后)成多片單獨(dú)的中介體(例如，中介體602)。
[0143]示例性電子設(shè)備
[0144]圖12解說了可與任何前述集成電路、管芯或封裝集成的各種電子設(shè)備。例如，移動(dòng)電話1202、膝上型計(jì)算機(jī)1204以及固定位置終端1206可包括如本文所述的集成電路(IC) 1200o IC 1200可以是例如本文所述的集成電路、管芯或封裝件中的任何一種。圖12中所解說的設(shè)備1202、1204、1206僅是示例性的。其它電子設(shè)備也可以IC 1200為特征，包括但不限于移動(dòng)設(shè)備、手持式個(gè)人通信系統(tǒng)(PCS)單元、便攜式數(shù)據(jù)單元(諸如個(gè)人數(shù)字助理)、啟用GPS的設(shè)備、導(dǎo)航設(shè)備、機(jī)頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、固定位置數(shù)據(jù)單位(諸如儀表讀取裝備)、通信設(shè)備、智能電話、平板計(jì)算機(jī)、或者存儲(chǔ)或檢索數(shù)據(jù)或計(jì)算機(jī)指令的任何其它設(shè)備，或者其任何組合。
[0145]圖2、3A-3B、4A-4C、5、6、7、8、9A-9C、1、11 和 / 或 12 中解說的組件、步驟、特征和 /或功能中的一個(gè)或多個(gè)可以被重新安排和/或組合成單個(gè)組件、步驟、特征或功能，或可以實(shí)施在數(shù)個(gè)組件、步驟、或功能中。也可添加附加的元件、組件、步驟、和/或功能而不會(huì)脫離本發(fā)明。
[0146]措辭“示例性”在本文中用于表示“用作示例、實(shí)例或解說”。本文中描述為“示例性”的任何實(shí)現(xiàn)或方面不必被解釋為優(yōu)于或勝過本公開的其他方面。同樣，術(shù)語“方面”不要求本公開的所有方面都包括所討論的特征、優(yōu)點(diǎn)或操作模式。術(shù)語“耦合”在本文中被用于指兩個(gè)對(duì)象之間的直接或間接耦合。例如，如果對(duì)象A物理地接觸對(duì)象B，且對(duì)象B接觸對(duì)象C，則對(duì)象A和C可仍被認(rèn)為是彼此耦合的一一即便它們并非彼此直接物理接觸。
[0147]還應(yīng)注意，這些實(shí)施例可能是作為被描繪為流程圖、流圖、結(jié)構(gòu)圖、或框圖的過程來描述的。盡管流程圖可能會(huì)把諸操作描述為順序過程，但是這些操作中有許多操作能夠并行或并發(fā)地執(zhí)行。另外，這些操作的次序可以被重新安排。過程在其操作完成時(shí)終止。
[0148]本文所述的本發(fā)明的各種特征可實(shí)現(xiàn)于不同系統(tǒng)中而不脫離本發(fā)明。應(yīng)注意，本公開的以上各方面僅是示例，且不應(yīng)被解釋成限定本發(fā)明。對(duì)本公開的各方面的描述旨在是解說性的，而非限定所附權(quán)利要求的范圍。由此，本發(fā)明的教導(dǎo)可以現(xiàn)成地應(yīng)用于其他類型的裝置，并且許多替換、修改和變形對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員將是顯而易見的。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種中介體，包括: 基板； 所述基板中的通孔，所述通孔包括金屬材料； 嵌入到所述中介體的第一表面中的第一互連，其中所述第一互連的第一區(qū)域被暴露；以及 位于所述通孔與所述基板之間的氧化層，所述氧化層進(jìn)一步位于所述互連與所述基板之間。2.如權(quán)利要求1所述的中介體，其特征在于，所述基板是硅基板。3.如權(quán)利要求1所述的中介體，其特征在于，所述氧化層是通過將所述基板暴露于熱來形成的熱氧化物。4.如權(quán)利要求1所述的中介體，其特征在于，所述氧化層覆蓋所述基板的整個(gè)表面。5.如權(quán)利要求1所述的中介體，其特征在于，進(jìn)一步包括絕緣層。6.如權(quán)利要求5所述的中介體，其特征在于，所述絕緣層是聚合物層。7.如權(quán)利要求5所述的中介體，其特征在于，所述氧化層覆蓋所述基板的第二表面部分。8.如權(quán)利要求1所述的中介體，其特征在于，進(jìn)一步包括所述中介體的第二表面上的第二互連，其中所述氧化層進(jìn)一步在所述第二互連與所述基板之間。9.如權(quán)利要求1所述的中介體，其特征在于，所述中介體被配置成位于印刷電路板(PCB)與至少一個(gè)管芯之間。10.如權(quán)利要求1所述的中介體，其特征在于，所述氧化層被配置成在所述通孔與所述基板之間提供電絕緣。11.如權(quán)利要求1所述的中介體，其特征在于，所述中介體被納入在音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航設(shè)備、通信設(shè)備、移動(dòng)設(shè)備、移動(dòng)電話、智能電話、個(gè)人數(shù)字助理、固定位置終端、平板式計(jì)算機(jī)、和/或膝上型計(jì)算機(jī)中的至少一者中。12.—種設(shè)備，包括: 基板； 所述基板中的通孔，所述通孔包括金屬材料； 嵌入到所述設(shè)備的第一表面中的第一互連，其中所述第一互連的第一區(qū)域被暴露；以及 用于在所述通孔與所述基板之間電絕緣的裝置，所述用于電絕緣的裝置進(jìn)一步在所述第一互連與所述基板之間。13.如權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其特征在于，所述基板是硅基板。14.如權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其特征在于，所述用于電絕緣的裝置包括氧化層，所述氧化層是通過將所述基板暴露于熱來形成的熱氧化物。15.如權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其特征在于，所述用于電絕緣的裝置包括覆蓋所述基板的整個(gè)表面的氧化層。16.如權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其特征在于，所述用于電絕緣的裝置包括氧化層和絕緣層。17.如權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其特征在于，所述絕緣層是聚合物層。18.如權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其特征在于，所述氧化層覆蓋所述基板的第二表面部19.如權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其特征在于，進(jìn)一步包括所述設(shè)備的第二表面上的第二互連，其中所述氧化層進(jìn)一步在所述第二互連與所述基板之間。20.如權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備是被配置成位于印刷電路板(PCB)與至少一個(gè)管芯之間的中介體。21.如權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備被納入到以下至少一者中:音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航設(shè)備、通信設(shè)備、移動(dòng)設(shè)備、移動(dòng)電話、智能電話、個(gè)人數(shù)字助理、固定位置終端、平板計(jì)算機(jī)、和/或膝上型計(jì)算機(jī)。22.一種用于提供中介體的方法，包括: 提供基板； 在所述基板上提供氧化層； 在所述基板中提供通孔，所述通孔包括金屬材料，所述通孔在所述基板中提供以使得所述氧化層在所述通孔與所述基板之間；以及 在所述基板中提供第一互連以使得所述第一互連嵌入到所述中介體的第一表面中，并且所述氧化層在所述第一互連與所述基板之間，其中所述第一互連的第一區(qū)域被暴露。23.如權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，所述基板是硅基板。24.如權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，所述氧化層是通過將所述基板暴露于熱來形成的熱氧化物。25.如權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，所述氧化層覆蓋所述基板的整個(gè)表面。26.如權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步提供絕緣層。27.如權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，所述絕緣層是聚合物層。28.如權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，提供所述絕緣層包括在所述氧化層上提供所述絕緣層。29.如權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括在所述基板中提供第二互連以使得所述第二互連嵌入到所述基板的第二表面中并且所述氧化層在所述第二互連與所述基板之間。30.如權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，所述中介體被配置成位于印刷電路板(PCB)與至少一個(gè)管芯之間。31.如權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，所述氧化層被配置成在所述通孔與所述基板之間提供電絕緣。32.如權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，所述中介體被納入到以下至少一者中:音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航設(shè)備、通信設(shè)備、移動(dòng)設(shè)備、移動(dòng)電話、智能電話、個(gè)人數(shù)字助理、固定位置終端、平板計(jì)算機(jī)、和/或膝上型計(jì)算機(jī)。
【專利摘要】一些實(shí)現(xiàn)提供包括基板、基板中的通孔、和氧化層的中介體。該通孔包括金屬材料。該氧化層在該通孔與該基板之間。在一些實(shí)現(xiàn)中，該基板是硅基板。在一些實(shí)現(xiàn)中，氧化層是通過將基板暴露于熱中來形成的熱氧化物。在一些實(shí)現(xiàn)中，氧化層被配置成在通孔與基板之間提供電絕緣。在一些實(shí)現(xiàn)中，中介體還包括絕緣層。在一些實(shí)現(xiàn)中，該絕緣層是聚合物層。在一些實(shí)現(xiàn)中，中介體還包括該中介體的表面上的至少一個(gè)互連。該至少一個(gè)互連位于中介體的表面上以使得氧化層在該互連與基板之間。
【IPC分類】H01L21/48, H01L23/498
【公開號(hào)】CN105122449
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480020760
【發(fā)明人】S·顧, U·雷, R·陳, B·M·亨德森, R·拉多伊契奇, M·諾瓦克, N·余
【申請(qǐng)人】高通股份有限公司
【公開日】2015年12月2日
【申請(qǐng)日】2014年4月8日
【公告號(hào)】US20140306349, WO2014168946A1