0的開(kāi)口 480內(nèi)，以直接接觸暴露出的重布線層440，而與重布線層440電性連接。在本實(shí)施例中，第二凸塊500可排列為一矩陣(未繪示)，以利于后續(xù)能提供穩(wěn)固的接合?？梢岳斫獾氖牵瑢?dǎo)電結(jié)構(gòu)380、第一凸塊370及第二凸塊500的位置取決于設(shè)計(jì)需求而不限定于此。
[0060]在本實(shí)施例中，第二凸塊500可為凸塊(例如，接合球或?qū)щ娭?或其他適合的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。舉例來(lái)說(shuō)，可通過(guò)電鍍制程、網(wǎng)版印刷制程或其他適合的制程，在鈍化保護(hù)層460的開(kāi)口 480內(nèi)形成焊料，且進(jìn)行回焊制程而形成焊球，以作為第二凸塊500。在本實(shí)施例中，第二凸塊500可包括錫、鉛、銅、金、鎳、前述的組合或其他適合的導(dǎo)電材料。
[0061]在一實(shí)施例中，第一凸塊370及第二凸塊500皆為接合球，且第二凸塊500的尺寸大于第一凸塊370的尺寸。在一實(shí)施例中，第二凸塊500的材料不同于第一凸塊370的材料。在一實(shí)施例中，第二凸塊500的形成方法不同于第一凸塊370的形成方法。舉例來(lái)說(shuō)，第二凸塊500通過(guò)回焊制程所形成，而第一凸塊370通過(guò)打線接合制程所形成。
[0062]接著，可沿著相鄰晶片區(qū)120之間的切割道(未繪示)，對(duì)第一裝置基底100及絕緣層400進(jìn)行切割制程，以形成多個(gè)獨(dú)立的晶片封裝體。在本實(shí)施例中，可進(jìn)一步在獨(dú)立的晶片封裝體上提供一電路板(未繪示)，且通過(guò)第二凸塊500將第一裝置基底100、第二裝置基底200及第三裝置基底300內(nèi)的元件區(qū)110、210及310內(nèi)的電子元件電性連接至電路板。
[0063]根據(jù)本發(fā)明的上述實(shí)施例，可將多個(gè)不同尺寸的裝置基底/晶片彼此垂直堆疊，進(jìn)而將其整合于同一晶片封裝體內(nèi)，使得單一晶片封裝體具有多種集成電路功能，因此可縮小后續(xù)接合的電路板的尺寸。如此一來(lái)，能夠進(jìn)一步縮小電子產(chǎn)品的尺寸。再者，由于采用接線(即，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)380)將裝置基底內(nèi)的電子元件彼此電性連接，且通過(guò)絕緣層400的開(kāi)口 420內(nèi)的重布線層440及第一凸塊370作為晶片封裝體外部電性連接的路徑，而無(wú)需于裝置基底內(nèi)形成硅通孔電極，因此可簡(jiǎn)化制程且降低成本。另外，采用晶圓級(jí)制程來(lái)制作晶片封裝體，可大量生產(chǎn)晶片封裝體，進(jìn)而降低成本并節(jié)省制程時(shí)間。
[0064]以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項(xiàng)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請(qǐng)的權(quán)利要求書(shū)所界定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶片封裝體，其特征在于，包括: 一第一裝置基底，貼附于一第二裝置基底的一第一表面上； 一第三裝置基底，貼附于該第二裝置基底相對(duì)于該第一表面的一第二表面上； 一絕緣層，覆蓋該第一裝置基底、該第二裝置基底及該第三裝置基底，其中該絕緣層內(nèi)具有至少一開(kāi)口； 至少一第一凸塊，設(shè)置于該至少一開(kāi)口的底部下方；以及 一重布線層，設(shè)置于該絕緣層上，且經(jīng)由該至少一開(kāi)口電性連接至該至少一第一凸塊。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該第二裝置基底的尺寸大于該第三裝置基底的尺寸且小于該第一裝置基底的尺寸。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該至少一第一凸塊設(shè)置于該第一裝置基底上，并電性連接至該第一裝置基底內(nèi)的一第一接合墊。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該至少一第一凸塊設(shè)置于該第二裝置基底上，并電性連接至該第二裝置基底內(nèi)的一第二接合墊。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，包括多個(gè)第一凸塊，且該絕緣層內(nèi)具有多個(gè)開(kāi)口，其中該多個(gè)第一凸塊對(duì)應(yīng)設(shè)置于該多個(gè)開(kāi)口的底部下方，且該多個(gè)第一凸塊中的一個(gè)設(shè)置于該第一裝置基底上，并電性連接至該第一裝置基底內(nèi)的一第一接合墊，該多個(gè)第一凸塊中的另一個(gè)設(shè)置于該第二裝置基底上，并電性連接至該第二裝置基底內(nèi)的一第二接合墊。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，該多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)設(shè)置于該絕緣層內(nèi)，且分別將該第二裝置基底內(nèi)的一第二導(dǎo)電墊及該第三裝置基底內(nèi)的一第三導(dǎo)電墊電性連接至該第一裝置基底內(nèi)對(duì)應(yīng)的一第一導(dǎo)電墊。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，該多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)設(shè)置于該絕緣層內(nèi)，且分別將該第一裝置基底內(nèi)的多個(gè)第一導(dǎo)電墊、該第二裝置基底內(nèi)的多個(gè)第二導(dǎo)電墊及該第三裝置基底內(nèi)的多個(gè)第三導(dǎo)電墊中的兩者彼此電性連接。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一第二凸塊，該第二凸塊設(shè)置于該絕緣層上的該重布線層上。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片封裝體，其特征在于，該第二凸塊的材料不同于該至少一第一凸塊的材料。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片封裝體，其特征在于，該至少一第一凸塊及該第二凸塊為接合球，且該第二凸塊的尺寸大于該至少一第一凸塊的尺寸。11.一種晶片封裝體的制造方法，其特征在于，包括: 將一第一裝置基底貼附于一第二裝置基底的一第一表面上； 將一第三裝置基底貼附于該第二裝置基底相對(duì)于該第一表面的一第二表面上； 形成至少一第一凸塊及一絕緣層，其中該絕緣層覆蓋該第一裝置基底、該第二裝置基底及該第三裝置基底，且具有至少一開(kāi)口，使該至少一第一凸塊形成于該至少一開(kāi)口的底部下方；以及 在該絕緣層上形成一重布線層，該重布線層經(jīng)由該至少一開(kāi)口電性連接至該至少一第一凸塊。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該第二裝置基底的尺寸大于該第三裝置基底的尺寸且小于該第一裝置基底的尺寸。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該至少一第一凸塊位于該第一裝置基底上，并電性連接至該第一裝置基底內(nèi)的一第一接合墊。14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該至少一第一凸塊位于該第二裝置基底上，并電性連接至該第二裝置基底內(nèi)的一第二接合墊。15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，包括形成多個(gè)第一凸塊，且該絕緣層內(nèi)具有多個(gè)開(kāi)口，使該多個(gè)第一凸塊對(duì)應(yīng)設(shè)置于該多個(gè)開(kāi)口的底部下方，其中該多個(gè)第一凸塊中的一個(gè)位于該第一裝置基底上，并電性連接至該第一裝置基底內(nèi)的一第一接合墊，且該多個(gè)第一凸塊中的另一個(gè)位于該第二裝置基底上，并電性連接至該第二裝置基底內(nèi)的一第二接合墊。16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包括在該絕緣層內(nèi)形成多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，以分別將該第二裝置基底內(nèi)的一第二導(dǎo)電墊及該第三裝置基底內(nèi)的一第三導(dǎo)電墊電性連接至該第一裝置基底內(nèi)對(duì)應(yīng)的一第一導(dǎo)電墊。17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，在該絕緣層內(nèi)形成多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，以分別將該第一裝置基底內(nèi)的多個(gè)第一導(dǎo)電墊、該第二裝置基底內(nèi)的多個(gè)第二導(dǎo)電墊及該第三裝置基底內(nèi)的多個(gè)第三導(dǎo)電墊中的兩者彼此電性連接。18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包括在該絕緣層上的該重布線層上形成一第二凸塊。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該第二凸塊的材料不同于該至少一第一凸塊的材料。20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該至少一第一凸塊及該第二凸塊為接合球，且該第二凸塊的尺寸大于該至少一第一凸塊的尺寸。21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該第二凸塊的形成方法不同于該至少一第一凸塊的形成方法。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明揭露一種晶片封裝體及其制造方法，該晶片封裝體包括：一第一裝置基底，貼附于一第二裝置基底的一第一表面上；一第三裝置基底，貼附于第二裝置基底相對(duì)于第一表面的一第二表面上；一絕緣層，覆蓋第一裝置基底、第二裝置基底及第三裝置基底，其中絕緣層內(nèi)具有至少一開(kāi)口；至少一凸塊，設(shè)置于開(kāi)口的底部下方；以及一重布線層，設(shè)置于絕緣層上，且經(jīng)由開(kāi)口電性連接至凸塊。本發(fā)明可將多個(gè)不同尺寸的裝置基底/晶片彼此垂直堆疊而將其整合于同一晶片封裝體內(nèi)，使得單一晶片封裝體具有多種集成電路功能，因此可縮小后續(xù)接合的電路板的尺寸。
【IPC分類(lèi)】H01L25/00, H01L23/498, B81B7/02, B81C3/00, H01L21/50
【公開(kāi)號(hào)】CN105097790
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510168772
【發(fā)明人】溫英男, 劉建宏
【申請(qǐng)人】精材科技股份有限公司
【公開(kāi)日】2015年11月25日
【申請(qǐng)日】2015年4月10日
【公告號(hào)】US20150325551