一種陣列基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(Organic Light Emitting D1de，0LED)是當(dāng)今平板顯示器研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)之一，與液晶顯示器相比，OLED具有低能耗、生產(chǎn)成本低、白發(fā)光、寬視角及響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)，目前，在手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)等顯示領(lǐng)域OLED己經(jīng)開始取代傳統(tǒng)的液晶顯不器(Liquid Crystal Display，LCD)LCD。
[0003]與LCD利用穩(wěn)定的電壓控制亮度不同，OLED屬于電流驅(qū)動，需要穩(wěn)定的電流來控制發(fā)光。由于工藝制程和器件老化等原因，會使像素電路的驅(qū)動晶體管的閾值電壓存在不均勻性，這樣就導(dǎo)致了流過每個像素點(diǎn)OLED的電流發(fā)生變化使得顯示亮度不均，從而影響整個圖像的顯示效果。因此，在現(xiàn)有OLED的像素電路中一般會設(shè)置消除驅(qū)動晶體管(例如薄膜晶體管)的閾值電壓影響的復(fù)位單元，復(fù)位單元如復(fù)位晶體管和復(fù)位信號線，而增加的復(fù)位單元必然降低陣列基板的面積的利用效率，使實(shí)現(xiàn)高分辨率的難度加大。為了提高陣列基板的面積的利用率效率，現(xiàn)有技術(shù)中通常使上下兩行像素單元共用一條復(fù)位線，而由于現(xiàn)有技術(shù)的OLED的陣列基板中，薄膜晶體管均是采用頂柵型結(jié)構(gòu)，該頂柵型結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管在底層設(shè)置半導(dǎo)體導(dǎo)電層，在頂層設(shè)置源漏極金屬層，薄膜晶體的源電極和漏電極分別經(jīng)過孔與半導(dǎo)體導(dǎo)電層的不同的電極電連接，復(fù)位線通常與薄膜晶體管的柵電極同層，因此在制備工藝中，需要在制備源漏極金屬層之前，以至少兩次掩膜工藝形成過孔，以實(shí)現(xiàn)復(fù)位線和半層體導(dǎo)電層的電極的連接、及實(shí)現(xiàn)薄膜晶體的源電極和漏電極分別與半導(dǎo)體導(dǎo)電層的不同的電極的連接。因此，增加了制備成本且降低了制備效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是提供一種陣列基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中用于OLED的陣列基板的制備成本高和制備效率低的問題。
[0005]本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
[0006]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，用于有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板，所述陣列基板包括襯底基板和形成于所述襯底基板上多個像素單元，以相鄰的兩行所述像素單元為一像素單元組，屬于同一所述像素單元組的兩行所述像素單元之間設(shè)置一條復(fù)位線并共用所述復(fù)位線；其中，所述像素單元包括用于復(fù)位的第一薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管包括依形成于所述襯底基板之上的半導(dǎo)體導(dǎo)電層、第一絕緣層、柵電極、第二絕緣層和源漏極金屬層，所述半導(dǎo)體導(dǎo)電層包括第一半導(dǎo)體電極和第二半導(dǎo)體電極，所述源漏極金屬層包括所述第一薄膜晶體管的源電極和漏電極，所述第一半導(dǎo)體電極和所述第二半導(dǎo)體電極與所述第一薄膜晶體管的源電極和漏電極分別通過第一過孔對應(yīng)的電連接；
[0007]屬于同一所述像素單元組的兩行所述像素單元的所述第一薄膜晶體管的漏電極通過同一第二過孔與所述復(fù)位線電連接，所述第二過孔位于所述復(fù)位線和所述第二半導(dǎo)體電極的交疊區(qū)域的上方，所述第二過孔內(nèi)部為梯形結(jié)構(gòu)，部分區(qū)域暴露所述復(fù)位線的一部分，所述第二過孔的另一部分區(qū)域暴露部分所述第二半導(dǎo)體電極的一部分；
[0008]所述源漏極金屬層還包括金屬電極，所述金屬電極覆蓋所述第二過孔暴露的所述復(fù)位線和所述第二半導(dǎo)體電極。
[0009]優(yōu)選的，所述第二過孔在所述襯底基板上的垂直投影落于所述復(fù)位線在所述襯底基板上的垂直投影之內(nèi)。
[0010]優(yōu)選的，屬于同一所述像素單元組的兩行所述像素單元之間還設(shè)置的兩條復(fù)位掃描線，所述復(fù)位線設(shè)置于兩條所述復(fù)位掃描線之間。
[0011]優(yōu)選的，屬于同一所述像素單元組的兩行所述像素單元之間還設(shè)置的兩條柵線，兩條所述復(fù)位掃描線設(shè)置于兩條所述柵線之間。
[0012]優(yōu)選的，所述復(fù)位掃描線、所述柵線和所述第一薄膜晶體管的柵電極同層設(shè)置。
[0013]優(yōu)選的，所述陣列基板還包括設(shè)置于兩列相鄰所述像素單元之間的數(shù)據(jù)線和電源信號線。
[0014]優(yōu)選的，所述像素單元還包括發(fā)光單元、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管和電容器，所述第一薄膜晶體管的柵電極連接與之相近的所述復(fù)位掃描線，所述第一薄膜晶體管的源電極連接第二薄膜晶體管的源電極、第三薄膜晶體管的柵電極和所述電容器的一端，所述第二薄膜晶體管的柵電極連接與之相近的所述柵線，所述第二薄膜晶體管的漏電極連接數(shù)據(jù)線，所述第三薄膜晶體管的漏電極連接電源信號線，所述第三薄膜晶體管的源電極連接所述發(fā)光單元，所述電容器的另一端連接所述電源信號線。
[0015]本發(fā)明實(shí)施例有益效果如下:兩行像素單元共用復(fù)位線，且復(fù)位線與復(fù)位用的第一薄膜晶體管的連接采用內(nèi)部為梯形結(jié)構(gòu)的第二過孔，所述第二過孔的部分區(qū)域暴露所述復(fù)位線的一部分，所述第二過孔的另一部分區(qū)域暴露部分所述第二半導(dǎo)體電極的一部分；所述源漏極金屬層所包括的金屬電極覆蓋所述第二過孔暴露的所述復(fù)位線和所述第一薄膜晶體管的漏電極，使得所述復(fù)位線與屬于相鄰兩行的所述薄膜晶體管的漏電極對應(yīng)在的所述第二半導(dǎo)體電極連接；在制備過程中，僅需要一次制圖工藝即可完成過孔(如第一過孔和第一■過孔)制備，節(jié)省成本并提尚制備效率。
[0016]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示面板，包括如上實(shí)施例提供的所述陣列基板。
[0017]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括如上實(shí)施例提供的所述顯示面板。
[0018]本發(fā)明實(shí)施例有益效果如下:兩行像素單元共用復(fù)位線，且復(fù)位線與復(fù)位用的第一薄膜晶體管的連接采用內(nèi)部為梯形結(jié)構(gòu)的第二過孔，所述第二過孔的部分區(qū)域暴露所述復(fù)位線的一部分，所述第二過孔的另一部分區(qū)域暴露部分所述第二半導(dǎo)體電極的一部分；所述源漏極金屬層所包括的金屬電極覆蓋所述第二過孔暴露的所述復(fù)位線和所述第二半導(dǎo)體電極，使得所述復(fù)位線與屬于相鄰兩行的所述薄膜晶體管的漏電極對應(yīng)在的所述第二半導(dǎo)體電極連接；在制備過程中，僅需要一次制圖工藝即可完成過孔(如第一過孔和第二過孔)制備，節(jié)省成本并提尚制備效率。
[0019]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種陣列基板的制備方法，包括:
[0020]在襯底基板上形成包括第一半導(dǎo)體電極和第二半導(dǎo)體電極的半導(dǎo)體導(dǎo)電層；
[0021 ] 在所述半導(dǎo)體導(dǎo)電層之上形成第一柵極絕緣層；
[0022]在所述第一柵極絕緣層之上形成包括復(fù)位線和第一薄膜晶體管的柵電極的柵極金屬層；
[0023]在所述柵極金屬層之上形成第二柵極絕緣層，在一次構(gòu)圖工藝中，形成對應(yīng)所述第一半導(dǎo)體電極和所述第二半導(dǎo)體電極的位置的第一過孔，以及使相鄰兩行所述像素單元的所連接的所述第二半導(dǎo)體電極和所述復(fù)位線交疊區(qū)域所對應(yīng)位置形成內(nèi)部為梯形結(jié)構(gòu)的第二過孔，所述第二過孔的部分區(qū)域暴露出所述復(fù)位線的一部分，所述第二過孔的另一部分區(qū)域暴露出所述第二半導(dǎo)體電極的一部分；
[0024]在所述第二柵極絕緣層之上形成包括所述第一薄膜晶體管的源電極和漏電極、金屬電極的源漏極金屬層，所述第一薄膜晶體管的源電極和漏電極分別通過所述第一過孔與所述第一半導(dǎo)體電極和所述第二半導(dǎo)體電極對應(yīng)的電連接，所述金屬電極覆蓋所述第二過孔暴露的所述復(fù)位線和所述第二半導(dǎo)體電極，使所述復(fù)位線與所述第二半導(dǎo)體電極電連接。
[0025]本發(fā)明實(shí)施例有益效果如下:兩行像素單元共用復(fù)位線，且復(fù)位線與復(fù)位用的第一薄膜晶體管的連接采用內(nèi)部為梯形結(jié)構(gòu)的第二過孔，所述第二過孔的部分區(qū)域暴露所述復(fù)位線的一部分，所述第二過孔的另一部分區(qū)域暴露部分所述第二半導(dǎo)體電極的一部分；所述源漏極金屬層所包括的金屬電極覆蓋所述第二過孔暴露的所述復(fù)位線和所述第二半導(dǎo)體電極，使得所述復(fù)位線與屬于相鄰兩行的所述薄膜晶體管的漏電極對應(yīng)在的所述第二半導(dǎo)體電極連接；在制備過程中，僅需要一次制圖工藝即可完成過孔(如第一過孔和第二過孔)制備，節(jié)省成本并提尚制備效率。
【附圖說明】
[0026]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的像素單元的排布示意圖；
[0027]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的像素單元組中，位于同一列的相鄰兩行像素單元的第一薄膜晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板中，在第二過孔處的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板中，在第二過孔處未形成金屬電極的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的較具體的陣列基板的像素單元的排布示意圖；
[0031]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制備方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]下面結(jié)合說明書附圖對本發(fā)明實(shí)施例的實(shí)現(xiàn)過程進(jìn)行詳細(xì)說明。需要注意的是，自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對本發(fā)明的限制。
[0033]參見圖1至圖5，本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，用于有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板。如圖1所示的陣列基板的像素單元的排布示意圖，陣列基板包括襯底基板I和形成于襯底基板I上多個像素單元10，以相鄰的兩行像素單元10為一像素單元組，屬于同一像素單元組的兩行像素單元10之間設(shè)置一條復(fù)位線12并共用復(fù)位線12，屬于同一像素單元組的兩行像素單元10之間還設(shè)置的兩條復(fù)位掃描線13。
[0034]像素單元10包括用于復(fù)位的第一薄膜晶體管11。如圖2所示，2為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的像素單元組中，位于同一列的相鄰兩行像素單元10的第一薄膜晶體管11的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。其中，第一薄膜晶體管11包括依形成于襯底基板I之上的半導(dǎo)體導(dǎo)電層、有源層3、第一絕緣層4、柵電極51、第二絕緣層6和源漏極金屬層，半導(dǎo)體導(dǎo)電層包括第一半導(dǎo)體電極21和第二半導(dǎo)體電極22，源漏極金屬層包括第一薄膜晶體管11的源電極71和漏電極72，第一半導(dǎo)體電極21和第二半導(dǎo)體電極22與第一薄膜晶體管11的源電極71和漏電極72分別通過第一過孔(未標(biāo)記)對應(yīng)的電連接；
[0035]其中，屬于同一像素單元組的兩行像素單元10的第一薄膜晶體管11的漏電極72通過同一第二過孔8與復(fù)位線12電連接，第二過孔8位于復(fù)位線12和第二半導(dǎo)體電極22的交疊區(qū)域的上方，第二過孔8內(nèi)部為梯形結(jié)構(gòu)，部分區(qū)域暴露復(fù)位線12的一部分，第二過孔8的另一部分區(qū)域暴露部分第二半導(dǎo)體電極22