成高熔點金屬化合物層230。然后，在電路形成部件502的上部上形成多層布線結(jié)構(gòu)211。多層布線結(jié)構(gòu)211具有第一布線層228。第一布線層228的結(jié)構(gòu)和制造方法與第三實施例的類似。
[0075]然后，在圖8(c)中，在電路形成部件502處的第一布線層228的上部形成粘接劑層506和支撐基底507。然后，通過燒蝕或蝕刻去除電路形成部件502的不希望的部分504，并且，形成第二基板208。
[0076]在圖8(d)中，變?yōu)閳D6所示的第一基板204的H)形成部件501的主面205和第二基板208的背面210被相互層疊以相互面對，并且，通過例如微凸塊被接合在一起。然后，第一粘接層506和第一支撐基底507被去除。然后，在第二基板208的第一布線層228的上部上形成層間絕緣膜，并且，形成用于與第一基板204的電連接的貫通電極235?？赏ㄟ^一般的半導(dǎo)體工藝制造貫通電極235。然后，覆蓋貫通電極235，并且，形成第二布線層229。
[0077]然后，如圖9所示，在第二基板208的第二布線層229的上部上設(shè)置粘接劑層232和支撐基底233。然后，例如通過CMP或蝕刻去除H)形成部件501的不希望的部505，并且，形成第一基板204。然后，在第一基板204的背面206的上部形成由例如氮化硅形成的抗反射膜218。然后，在抗反射膜218的上部形成由例如鎢形成的遮光膜219。并且，在遮光膜219的上部形成平坦化層和濾色器120，并且，形成微透鏡212。這種制造方法使得能夠制造圖6所示的固態(tài)圖像拾取裝置500。
[0078]即使在根據(jù)實施例的結(jié)構(gòu)中，由于可以任選地執(zhí)行觸點或光電轉(zhuǎn)換元件的熱處理，因此，能夠抑制光電轉(zhuǎn)換元件的特性的降低和觸點的連接電阻的增加。
[0079]如上所述，根據(jù)實施例的固態(tài)圖像拾取裝置，能夠在增加周邊電路部處的晶體管的操作速度并增加信號讀出操作的速度的同時進一步抑制光電轉(zhuǎn)換元件處的暗電流的產(chǎn)生。
[0080]第五實施例
[0081]將參照圖10描述根據(jù)本實施例的固態(tài)圖像拾取裝置。根據(jù)圖10所示的實施例的固態(tài)圖像拾取裝置600、610和620的結(jié)構(gòu)與根據(jù)第三實施例的固態(tài)圖像拾取裝置400的結(jié)構(gòu)對應(yīng)，但是擴散防止膜131的設(shè)置被修改。與第三實施例等同的結(jié)構(gòu)特征將不被描述。
[0082]在圖10(a)所示的固態(tài)圖像拾取裝置600中，擴散防止膜131被設(shè)置在第一基板104和第二基板108之間，并用作包含于設(shè)置在第一基板104的上部的多層布線結(jié)構(gòu)107中的層間絕緣膜。借助于這種結(jié)構(gòu)，能夠省略形成層間絕緣膜的步驟，并實現(xiàn)固態(tài)圖像拾取裝置的薄型化。另外，由于固態(tài)圖像拾取裝置600是背面照射型的固態(tài)圖像拾取裝置，因此，即使由例如氮化硅形成的擴散防止膜131被設(shè)置在光電轉(zhuǎn)換元件的整個頂面上，例如，也不出現(xiàn)源自擴散防止膜131和作為一般的層間絕緣膜的氧化硅膜之間的折射率差的反射。因此，能夠在抑制光學(xué)特性降低的同時抑制來自第二基板108的高熔點金屬的擴散。擴散防止膜131用作層間絕緣膜的結(jié)構(gòu)不限于圖10(a)所示的結(jié)構(gòu)。例如，可以使用被設(shè)置在第二基板108的上部的多層布線結(jié)構(gòu)111中的層間絕緣膜。
[0083]然后，在圖10(b)所示的固態(tài)圖像拾取裝置610中，在第一基板104和第二基板108之間設(shè)置擴散防止膜131。另外，擴散防止膜131形成為接觸第二基板108的源極區(qū)域和漏極區(qū)域125和柵電極126上的高熔點金屬化合物層130。借助于這種結(jié)構(gòu)，能夠使用擴散防止膜131作為形成第二基板108的接觸孔時的蝕刻阻止層。
[0084]然后，在圖10(c)所示固態(tài)圖像拾取裝置620中，擴散防止膜131被設(shè)置在第一基板104和第二基板108之間，并且接觸第二基板108的第一布線層228的上部。第一布線層228由銅線形成。擴散防止膜131還用作防止銅的擴散的擴散防止膜。借助于這種結(jié)構(gòu)，能夠省略形成防止銅的擴散的擴散防止膜的步驟，并實現(xiàn)固態(tài)圖像拾取裝置的薄型化。擴散防止膜131用作防止銅的擴散的擴散防止膜的結(jié)構(gòu)不限于圖10(c)所示的結(jié)構(gòu)。例如，設(shè)置在第一基板104的上部上的多層布線結(jié)構(gòu)107可由銅線形成，并且，可對于各布線層形成擴散防止膜131。
[0085]第六實施例
[0086]將參照圖11描述根據(jù)本實施例的固態(tài)圖像拾取裝置。根據(jù)圖11所示的實施例的固態(tài)圖像拾取裝置700、710和720的結(jié)構(gòu)與根據(jù)第四實施例的固態(tài)圖像拾取裝置500的結(jié)構(gòu)對應(yīng)，但是擴散防止膜231的設(shè)置被修改。以下將不描述與第四實施例等同的結(jié)構(gòu)特征。
[0087]在圖11(a)所示的固態(tài)圖像拾取裝置700中，擴散防止膜231被設(shè)置在第一基板204和第二基板208之間，并用作包含于設(shè)置在第一基板104的上部的多層布線結(jié)構(gòu)207中的層間絕緣膜。借助于這種結(jié)構(gòu)，能夠省略形成層間絕緣膜的步驟，并實現(xiàn)固態(tài)圖像拾取裝置的薄型化。另外，固態(tài)圖像拾取裝置700是背面照射型的固態(tài)圖像拾取裝置。因此，即使由例如氮化硅形成的擴散防止膜231被設(shè)置在光電轉(zhuǎn)換元件的整個頂面上，也不必考慮源自擴散防止膜231與作為一般的層間絕緣膜的氧化硅膜之間的折射率差的入射光的反射。因此，能夠抑制來自第二基板208的高熔點金屬的擴散。
[0088]在圖11(b)所示的固態(tài)圖像拾取裝置710中，擴散防止膜231被設(shè)置在第一基板204和第二基板208之間，并且接觸第一基板208的第一布線層222的上部。第一布線層222由銅線形成。擴散防止膜231還用作防止銅的擴散的擴散防止膜。借助于這種結(jié)構(gòu)，能夠省略形成防止銅的擴散的擴散防止膜的步驟，并實現(xiàn)固態(tài)圖像拾取裝置的薄型化。擴散防止膜231用作防止銅的擴散的擴散防止膜的結(jié)構(gòu)不限于圖11(b)所示的結(jié)構(gòu)。例如，如圖11(c)所示，在被設(shè)置在第一基板204的上部的多層布線結(jié)構(gòu)207的多個部分中，第二布線層223可由銅線形成，并且，擴散防止膜231可被設(shè)置在第二布線層223的上部。這里，擴散防止膜231可被設(shè)置在第一布線層222的上部。為了減少布線層之間的電容，能夠根據(jù)第一布線層222的上部處的布線的形式執(zhí)行防止銅的擴散的擴散防止膜的構(gòu)圖，并去除其一部分。如圖11(c)所示，被設(shè)置在第二基板208的上部上的多層布線結(jié)構(gòu)211可由銅線形成，并且可包含銅擴散防止膜901。
[0089]第七實施例
[0090]在實施例中，詳細描述根據(jù)本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換裝置作為圖像拾取裝置被應(yīng)用于圖像拾取系統(tǒng)的情況。圖像拾取系統(tǒng)可以例如為數(shù)字靜物照相機或數(shù)字?jǐn)z像機。在圖13中示出向作為圖像拾取系統(tǒng)的例子的數(shù)字靜物照相機應(yīng)用光電轉(zhuǎn)換裝置的情況的框圖。
[0091]在圖13中，附圖標(biāo)記I表示用于保護透鏡的擋板，附圖標(biāo)記2表示在該處在圖像拾取裝置4上形成被照體的光學(xué)圖像的透鏡，附圖標(biāo)記3表示用于改變透過透鏡2的光的量的孔徑光闌。附圖標(biāo)記4表示作為在上述的實施例中的任一個中描述的固態(tài)圖像拾取裝置的圖像拾取裝置。圖像拾取裝置4將通過透鏡2形成的光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換成圖像數(shù)據(jù)。這里，AD轉(zhuǎn)換器被設(shè)置在圖像拾取裝置4處。具體而言，在第二芯片處形成AD轉(zhuǎn)換器。附圖標(biāo)記7表示對于從圖像拾取裝置4輸出的圖像拾取數(shù)據(jù)執(zhí)行各種校正和數(shù)據(jù)壓縮的信號處理部。另外，在圖13中，附圖標(biāo)記8表示向圖像拾取裝置4和信號處理部7輸出各種定時信號的定時產(chǎn)生部，附圖標(biāo)記9表示執(zhí)行各種運算并控制整個數(shù)字靜物照相機的總體控制/運算部。附圖標(biāo)記10表示暫時存儲圖像數(shù)據(jù)的存儲器部，附圖標(biāo)記11表示用于在記錄介質(zhì)上執(zhí)行記錄操作或讀出操作的接口部，附圖標(biāo)記12表示諸如用于記錄或讀出圖像拾取數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲器的可去除的記錄介質(zhì)。另外，附圖標(biāo)記13表示用于與例如外部計算機執(zhí)行通信的接口部。這里，例如，定時信號可從圖像拾取系統(tǒng)外面被輸入，并且，圖像拾取系統(tǒng)可至少包括圖像拾取裝置4和處理從圖像拾取裝置輸出的圖像拾取信號的信號處理部7。雖然在實施例中使用在圖像拾取裝置4設(shè)置AD轉(zhuǎn)換器的情況，但是，可以在不同的芯片處設(shè)置圖像拾取裝置和AD轉(zhuǎn)換器。另外，信號處理部7等可被設(shè)置在圖像拾取裝置4。由于在圖像拾取裝置4的第二芯片處形成高熔點金屬化合物層，因此，可以高速執(zhí)行信號處理等。因此，根據(jù)本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換裝置適用于圖像拾取系統(tǒng)。通過將根據(jù)本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換裝置應(yīng)用于圖像拾取裝置，可以執(zhí)行高速拍攝。
[0092]如上所述，根據(jù)