技術(shù)編號：9305646
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。近年來的較高速度的固態(tài)圖像拾取裝置已導(dǎo)致提出在晶體管處設(shè)置半導(dǎo)體化合物層的結(jié)構(gòu)。PTL I討論了如下這樣的固態(tài)圖像拾取裝置，其中不在光電轉(zhuǎn)換部的光檢測器上設(shè)置高恪點金屬半導(dǎo)體化合物層，并且在周邊電路部(peripheral circuit port1n)處設(shè)置高熔點金屬半導(dǎo)體化合物層。PTL 2討論了背面照射型的固態(tài)圖像拾取裝置，在該背面照射型的固態(tài)圖像拾取裝置中，為了增加光電轉(zhuǎn)換元件的靈敏度，包含具有該光電轉(zhuǎn)換元件和信號讀出電路的像素部的基板和包含用于通...
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