一種陶瓷薄膜電阻的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及膜電阻產(chǎn)品，特別涉及一種具有較佳散熱率與穩(wěn)定性的陶瓷電阻，屬于電子元件領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子產(chǎn)品日漸微小化的趨勢，所有主動元件、被動元件也必須隨著電路板尺寸的縮小而加以縮減其體積，以適應(yīng)電子產(chǎn)品微小化的潮流。以被動元件的薄膜電阻為例，由于其體積極小，因此其所能容許的制程誤差將更為嚴(yán)格，對于小尺寸且單價又低的被動元件而言，如何維持產(chǎn)品的導(dǎo)通性及穩(wěn)定性，成為業(yè)者最關(guān)切的課題。
[0003]陶瓷電阻長時間處于高溫作業(yè)環(huán)境，熱量未及時導(dǎo)離的話，會蓄積在陶瓷電阻層，導(dǎo)致電阻層隆起形變，限制了陶瓷電阻于大功率發(fā)熱體中的應(yīng)用。而且陶瓷電阻端面與金屬件的接觸性能不好，也有可能導(dǎo)致導(dǎo)通性較差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種熱穩(wěn)定性能及導(dǎo)通性能良好，可在大功率發(fā)熱體上應(yīng)用的的陶瓷薄膜電阻。
[0005]本發(fā)明的陶瓷薄膜電阻，包括:陶瓷基層、設(shè)置于陶瓷基層上的雙層鍍膜電阻層、以及噴涂于雙層鍍膜電阻層兩側(cè)端面及陶瓷基層裸露面的金屬外膜層，電阻體外包覆環(huán)氧樹脂。
[0006]所述雙層鍍膜電阻層直接與陶瓷基層結(jié)合的是金屬鉭層，表層是氮化鉭層，該雙電阻膜層的厚度為0.5-1.5/te。
[0007]所述金屬外膜層為銅或鋁。
[0008]本發(fā)明的有益之處在于:設(shè)置于電阻底層和側(cè)端面的金屬外膜層，大大優(yōu)化了電阻的散熱性能，使得薄膜電阻的熱穩(wěn)定性更好；同時，金屬外膜層與陶瓷基層的接觸面積加大，使得導(dǎo)通性能更良好，而且這種半包覆狀態(tài)的電阻結(jié)構(gòu)強(qiáng)度好，不易形變或損壞。
【附圖說明】
[0009]圖1為本發(fā)明電阻的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]其中，I為陶瓷基層，2為金屬鉭層，3為氮化鉭層，4為金屬外膜層。
【具體實施方式】
[0011]如圖1所示，本發(fā)明的陶瓷薄膜電阻，包括陶瓷基層1，設(shè)置于陶瓷基層I上的金屬鉭層2，和鍍于表層的氮化鉭層3，以及噴涂于該金屬鉭層2和氮化鉭層3兩側(cè)端面及陶瓷基層裸露面的金屬外膜層4。
【主權(quán)項】
1.一種陶瓷薄膜電阻，其特征在于，包括陶瓷基層(I)和設(shè)置于陶瓷基層上的雙層鍍膜電阻層，所述雙層鍍膜電阻層與陶瓷基層結(jié)合的是金屬鉭層(2)，表層是氮化鉭層(3)，還包括噴涂于雙層鍍膜電阻層兩側(cè)端面及陶瓷基層裸露面的金屬外膜層(4)，電阻體外包覆環(huán)氧樹脂。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種陶瓷薄膜電阻，其特征在于，所述雙電阻膜層的厚度為0.5?1.5細(xì)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種陶瓷薄膜電阻，其特征在于，所述金屬外膜層為銅或招O
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陶瓷薄膜電阻，包括陶瓷基層、設(shè)置于陶瓷基層上的雙層鍍膜電阻層、以及噴涂于雙層鍍膜電阻層兩側(cè)端面及陶瓷基層裸露面的金屬外膜層。設(shè)置于電阻底層和側(cè)端面的金屬外膜層，大大優(yōu)化了電阻的散熱性能，同時，金屬外膜層與陶瓷基層的接觸面積加大，使得導(dǎo)通性能更良好。
【IPC分類】H01C7/00, H01C1/084
【公開號】CN104952567
【申請?zhí)枴緾N201510267568
【發(fā)明人】王良偉
【申請人】南京新輝科教儀器有限公司
【公開日】2015年9月30日
【申請日】2015年5月25日