第一方向彎曲。線12變?yōu)槠溲氐谝环较驈那蚪雍喜?開始延伸的狀態(tài)。
[0033]接下來，在圖9的下部示出的步驟中，毛細(xì)管11從圖9的中部示出的狀態(tài)開始被下推，從而進(jìn)一步使頸部變形。在圖10的上部示出的步驟中，在毛細(xì)管11被稍微垂直向上移動(dòng)之后，毛細(xì)管11沿傾向第二方向的傾斜向上方向被移動(dòng)。因此，通過在移動(dòng)毛細(xì)管11的同時(shí)抽出線12，線12低于毛細(xì)管11的部分沿第一方向延伸，然后沿第二方向折返。該折返部是被擠壓之前的折返部13。
[0034]毛細(xì)管11從其中毛細(xì)管11的尖部在位于球接合部7的中心位置正上方的位置附近接觸線12的狀態(tài)(如圖10的上部所示)開始朝著球接合部7被降低。在圖10的中部示出的步驟中，在被毛細(xì)管11向下推的線12接觸球接合部7的頸部之后，毛細(xì)管11被進(jìn)一步下推。在此步驟中，線12的折返部被對(duì)著球接合部7下壓以形成折返部13，該折返部具有其以第一位置(即，球接合部7的中心)為中心被擠壓的形狀。
[0035]在圖10的下部示出的步驟中，毛細(xì)管11從圖10的中部示出的狀態(tài)開始沿第二方向移動(dòng)。在此之后，抽出線12的毛細(xì)管11沿第二方向朝著引線指4移動(dòng)。
[0036]圖11示出當(dāng)線接合到折返部時(shí)的狀態(tài)。圖11在截面圖中示出組件。在該圖中，省去球接合部7、環(huán)線9、10和線12中的剖面線。
[0037]沿第二方向從電極襯墊6上的球接合部8開始移動(dòng)的毛細(xì)管11到達(dá)折返部13的正上方，并且進(jìn)一步沿第二方向移動(dòng)，直到毛細(xì)管11的中心與第二位置C2—致。線12被抽出直到到達(dá)第二位置G2。第二位置C2是沿第二方向與作為球接合部7中心的第一位置Cl的偏移。
[0038]線12被抽出直到到達(dá)第二位置C2，然后毛細(xì)管11朝著球接合部7被降低。通過毛細(xì)管11下推線12，線12壓接到折返部13。線12在完成接合到環(huán)線9之后，在第二位置C2上被切斷。環(huán)線10與環(huán)線9的一部分接合，該部分從折返部13的端部到第二位置C2。
[0039]圖12是示出球接合部上環(huán)線的連接部外觀的透視圖。環(huán)線10的端部切割面14通過切割線12而形成。端部切割面14被形成為具有作為其中心的第二位置C2。在環(huán)線10的與折返部13接合側(cè)的相對(duì)側(cè)的上表面中形成凹痕15。通過在將線12壓接到折返部13時(shí)將毛細(xì)管11壓到線12而形成凹痕15。
[0040]凹痕15在第一位置Cl附近形成。端部切割面14位于其中環(huán)線9從第一位置Cl開始延伸的方向(例如，從凹痕15開始的第二方向)上的位置。需要注意，折返部13不能根據(jù)外觀識(shí)別，因?yàn)檎鄯挡?3與環(huán)線10 —起被對(duì)著球接合部7擠壓。
[0041]根據(jù)實(shí)施例，在半導(dǎo)體器件的制造工藝中，可通過省略形成突起的步驟來減少線接合的步驟數(shù)量。線12被抽出為直到毛細(xì)管11到達(dá)第二位置C2 (沿第二方向與中心位置Cl的偏移)，并且線12接合到折返部13，從而對(duì)于環(huán)線10中與環(huán)線9接合的部分而言，可保證足夠的面積。在半導(dǎo)體器件中，可保證與電極襯墊5上的球接合部7處的環(huán)線10具有足夠的接合強(qiáng)度。因此，可以較少的步驟數(shù)量制造半導(dǎo)體器件，并且可實(shí)現(xiàn)保證接合部上的線具有足夠接合強(qiáng)度的效果。
[0042]雖然已經(jīng)描述了特定實(shí)施例，但是給出這些實(shí)施例僅作為實(shí)例，并非旨在限制本發(fā)明的范圍。實(shí)際上，此處描述的新穎實(shí)施例可通過多種其它形式實(shí)現(xiàn)；此外，在不偏離本發(fā)明精神的情況下，可對(duì)此處描述的實(shí)施例做出各種形式上省略、替換和更改。所附權(quán)利要求及其等同物旨在涵蓋這些將落在本發(fā)明的范圍和精神內(nèi)的形式或修改。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體器件，包括: 襯底，其具有連接部； 第一半導(dǎo)體元件，其具有第一電極； 第二半導(dǎo)體元件，其具有第二電極； 第一環(huán)，其連接所述連接部與所述第一電極上形成的第一接合部；以及 第二環(huán)，其連接所述第一接合部與所述第二電極上形成的第二接合部， 其中所述第一環(huán)具有折返部，該折返部通過沿第一方向從所述第一接合部伸出所述第一環(huán)，然后沿不同于所述第一方向的第二方向折返所述第一環(huán)來形成， 其中所述折返部具有其被對(duì)著所述第一接合部擠壓的形狀，并且其中所述第二環(huán)接合到所述折返部，并且所述第二環(huán)的一端位于所述第一環(huán)的第二位置，該第二位置是沿所述第一環(huán)的延伸方向與作為所述第一接合部中心的第一位置的偏移。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第二方向與所述第一方向相反。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第二環(huán)接合到所述第一環(huán)的一部分，該部分具有從所述折返部的一端到所述第二位置的范圍。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一方向是從所述第一電極的位置朝著所述第二電極的位置的方向。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第二方向是從所述第一電極的位置朝著所述連接部的位置的方向。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第二位置是沿所述第二方向與所述第一位置的偏移。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一接合部、所述第二接合部、所述第一環(huán)和所述第二環(huán)由相同材料形成。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一半導(dǎo)體元件被置于所述襯底上的除設(shè)置有所述連接部的區(qū)域之外的其它部分上，并且 其中所述第二半導(dǎo)體元件被置于所述第一半導(dǎo)體元件上的除設(shè)置有所述第一電極的區(qū)域之外的其它部分上。9.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括: 將線抽出以沿第一方向從第一電極上形成的第一接合部開始延伸，然后沿不同于所述第一方向的第二方向折返所述線； 對(duì)著所述第一接合部下壓所述折返線，以形成具有其被擠壓的形狀的折返部； 將被抽出以從所述折返部開始延伸的線接合到襯底的連接部，以便形成連接所述連接部與所述第一接合部的第一環(huán)；以及 將被抽出以從第二電極上形成的第二接合部開始延伸的線接合到所述折返部，以便形成連接所述第一接合部與所述第二接合部的第二環(huán)， 其中在形成所述第二環(huán)時(shí)，所述線的一端在第二位置被接合到所述第一環(huán)，該第二位置是沿所述第一環(huán)的延伸方向與作為所述第一接合部中心的第一位置的偏移。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中所述第二方向與所述第一方向相反。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在使用線的一端形成所述第一接合部之后，使用引向所述第一接合部的線形成所述折返部和所述第一環(huán)。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在形成所述第二環(huán)時(shí)，將所述線接合到所述第一環(huán)的一部分，該部分具有從所述折返部的一端到所述第二位置的范圍。13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中所述第一方向是從所述第一電極的位置朝著所述第二電極的位置的方向。14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中所述第二方向是從所述第一電極的位置朝著所述連接部的位置的方向。15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中所述第二位置是沿所述第二方向與所述第一位置的偏移。16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中所述線穿過毛細(xì)管被抽出，并且 其中在沿所述第一方向從所述第一接合部伸出所述線時(shí)，所述第一接合部的連接到所述線的頸部側(cè)被所述毛細(xì)管的尖部沿所述第一方向擠壓。17.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中所述線穿過毛細(xì)管被抽出，并且 其中在形成所述折返部時(shí)，所述毛細(xì)管的尖部被制造為接觸所述線，并且所述毛細(xì)管被朝著所述第一接合部下推。18.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中所述線穿過毛細(xì)管被抽出，并且 其中在形成所述第二環(huán)時(shí)，所述線被抽出，直到所述毛細(xì)管到達(dá)所述第二位置，然后所述毛細(xì)管被朝著所述第一接合部下推，從而將所述線壓接到所述折返部。19.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中所述第一電極在第一半導(dǎo)體元件中形成，所述第一半導(dǎo)體元件被置于所述襯底上的除設(shè)置有所述連接部的區(qū)域之外的其它部分上，并且 其中所述第二電極在第二半導(dǎo)體元件上形成，所述第二半導(dǎo)體元件被置于所述第一半導(dǎo)體元件上的除設(shè)置有所述第一電極的區(qū)域之外的其它部分上。
【專利摘要】本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體器件包括第一環(huán)和第二環(huán)。折返部是通過沿第一方向從第一接合部伸出所述第一環(huán)，然后沿第二方向折返所述第一環(huán)形成的部分。所述折返部具有其被對(duì)著所述第一接合部擠壓的形狀。所述第二環(huán)被接合到所述折返部。所述第二環(huán)的一端位于第二位置。所述第二位置是沿所述第一環(huán)的延伸方向與第一位置的偏移。所述第一位置是所述第一環(huán)的所述第一接合部的中心。
【IPC分類】H01L23/49, H01L21/603, H01L21/60, H01L23/488
【公開號(hào)】CN104916608
【申請?zhí)枴緾N201410421592
【發(fā)明人】糟谷信貴, 西城淳一
【申請人】株式會(huì)社 東芝
【公開日】2015年9月16日
【申請日】2014年8月25日
【公告號(hào)】US20150262969