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一種微帶到基片集成波導(dǎo)的平衡式過渡電路的制作方法_2

文檔序號:8906978閱讀:來源:國知局
質(zhì)基板2的下表面,作為基片集成波導(dǎo)的地。
[0028]在本實施例中,第一介質(zhì)基板I和第二介質(zhì)基板2的介電常數(shù)相同,可以通過例如Ro4003C高頻PCB板來實現(xiàn)。在其他實施例中,第一介質(zhì)基板I和第二介質(zhì)基板2的介電常數(shù)也可以不相同。
[0029]參見圖2至圖5 (僅用于舉例以及實驗測量,不用于限制本發(fā)明),在一個示例中,第一介質(zhì)基板I的厚度hi = 0.608mm,第二介質(zhì)基板2厚度h3 = 0.813mm。第一介質(zhì)基板I以及第二介質(zhì)基板2的介電常數(shù)ε r = 3.38,長LI = 62mm,寬L2 = 18.1mm (示例中第一和第二介質(zhì)基板的長寬相同)。低阻抗諧振器6為矩形,其長Ir = 4.25mm,其寬W2 = 4mm,位于同一端的兩個低阻抗諧振器6間距Id = 5.8mm。輸入輸出傳輸線5的寬度Wl = 1.4mm,其分為三節(jié),第一節(jié)與低阻抗諧振器6垂直,長度13 = 3.45mm ;第二節(jié)與第一節(jié)垂直,長度12 = 3.5mm ;第三節(jié)與第二節(jié)垂直,長度11為4.6_。第一金屬貼片3的長寬與介質(zhì)基板相同,其上位于同一端的兩個U型槽8間距Sd = 4.8mm,并且其中靠近第一金屬接片3的邊緣的U型槽8與第一金屬接片3的兩垂直邊的間距分別為Lsl = 6.2mm,Ls2 = 9.45mm,U型槽8的長Isl = 4mm、寬ls2 = 2.8mm以及槽線寬度Ws = 0.5mm。在第二介質(zhì)基板2上,第一金屬化通孔7圍成的矩形兩較短的平行邊與第二介質(zhì)基板2兩較短的平行邊的距離相等,該距離Vl = 2.6mmο在第二介質(zhì)基板2上,第一金屬化通孔7圍成的矩形兩較長的平行邊與第二介質(zhì)基板2兩較長的平行邊的距離可等也可不相同,如圖5所示為不相等,第一金屬化通孔7圍成的矩形的一條較長的平行邊與第二介質(zhì)基板2較長的平行邊十分靠近,另一條較長的平行邊與第二介質(zhì)基板2與之平行的邊之間的距離V2 = 4.5_。如圖5所示,矩形的感應(yīng)窗位于第一金屬化通孔7圍成的矩形的中心位置,矩形的感應(yīng)窗距離第一金屬化通孔7圍成的矩形兩垂直邊的距離分別為g = 1.55mm以及Ivl = 22.65mm,且與第一金屬化通孔7圍成的矩形的距離為g = 1.55mm的平行邊長度為lv2 = 9.5mm。第一金屬化通孔7和第二金屬化通孔9的直徑Vd = 0.5mm。通過仿真軟件CST (Computer Simulat1nTechnology)對具有上述參數(shù)的過渡電路100進行仿真的結(jié)果如圖6所示,從圖6可以看出該過渡滿足回波損耗小于15dB的頻率范圍為9?11GHz,即相對帶寬為20%,通帶內(nèi)共模信號抑制在25dB以上。
[0030]在本實施例中,平衡式過渡電路實現(xiàn)了差分信號從微帶傳輸線到基片集成波導(dǎo)傳輸?shù)亩鄬赢惷孢^渡,簡化了電路結(jié)構(gòu),減少厚度,且易于制造,增加了差模帶寬,共模抑制效果好,抗干擾能力強以及可靠性高。另外,設(shè)置于第一介質(zhì)基板I上表面的輸入輸出傳輸線5與位于第二介質(zhì)基板2上表面的第一金屬貼片3上所開設(shè)的U型槽8進行耦合,U型槽8又與第二介質(zhì)基板2與第一金屬化通孔7構(gòu)成的基片集成波導(dǎo)耦合,從而實現(xiàn)了微帶傳輸線到基片集成波導(dǎo)的多層異面過渡,這種使用U型槽8耦合替代探針對基片集成波導(dǎo)進行饋電的方式,簡化了電路結(jié)構(gòu),減少了厚度,且易于制造。另外,由于第一金屬貼片3兩端的每組U型槽8中兩U型槽8的中心間距為半個波長,一組輸入輸出傳輸線5的信號通過相距半波長的U型槽8饋入到基片集成波導(dǎo),使得差分信號通過,共模信號被抑制,提高了對環(huán)境噪聲的免疫力。再者,通過在基片集成波導(dǎo)中增加金屬化通孔構(gòu)成的感性窗,增加差模響應(yīng)的帶寬。同時評估了共模信號的抑制能力,具有較好的共模抑制效果。
[0031] 以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已,并不用于限制本發(fā)明,對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說,本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種微帶到基片集成波導(dǎo)的平衡式過渡電路,其特征在于,包括第一介質(zhì)基板(1)、第二介質(zhì)基板(2)、第一金屬貼片(3)以及第二金屬貼片(4);所述過渡電路還包括對稱設(shè)置于所述第一介質(zhì)基板(I)上表面兩端的輸入輸出傳輸線組,每個所述輸入輸出傳輸線組包括鏡像設(shè)置的兩條輸入/輸出傳輸線(5)以及與兩條輸入/輸出傳輸線(5) —一對應(yīng)連接的兩個低阻抗諧振器(6);所述第二介質(zhì)基板(2)上設(shè)置有多個第一金屬化通孔(7)以構(gòu)成基片集成波導(dǎo),所述第二介質(zhì)基板(2)的上表面設(shè)置有第一金屬貼片(3)以構(gòu)成輸入輸出傳輸線(5)的地,且所述第一金屬貼片(3)的兩端分別對稱設(shè)置有兩個U型槽(8),所述U型槽⑶作為U型諧振器,所述第二金屬貼片(4)設(shè)置于所述第二介質(zhì)基板(2)的下表面以構(gòu)成基片集成波導(dǎo)的地;所述第一介質(zhì)基板(I)的下表面與所述第二介質(zhì)基板(2)的上表面連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微帶到基片集成波導(dǎo)的平衡式過渡電路,其特征在于,多個第一金屬化通孔(7)圍成矩形。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微帶到基片集成波導(dǎo)的平衡式過渡電路,其特征在于,所述第二介質(zhì)基板(2)上還包括由多個第二金屬化通孔(9)構(gòu)成的感性窗。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微帶到基片集成波導(dǎo)的平衡式過渡電路,其特征在于,所述感性窗位于多個第一金屬化通孔(7)圍成矩形的中心。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微帶到基片集成波導(dǎo)的平衡式過渡電路,其特征在于,所述感性窗為矩形,由分別位于矩形四個頂點的四組第二金屬化通孔(9)組成,每組中包括兩個第二金屬化通孔(9)。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微帶到基片集成波導(dǎo)的平衡式過渡電路,其特征在于,設(shè)置在所述第一金屬貼片(4)的同一端的兩個U型槽(8)的中心相距半個波長。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種微帶到基片集成波導(dǎo)的平衡式過渡電路,包括第一介質(zhì)基板、第二介質(zhì)基板、第一金屬貼片以及第二金屬貼片、對稱設(shè)置于所述第一介質(zhì)基板上表面兩端的輸入輸出傳輸線組、與輸入輸出傳輸線一一對應(yīng)連接的低阻抗諧振器;第二介質(zhì)基板與其上設(shè)置的多個第一金屬化通孔構(gòu)成基片集成波導(dǎo),第二介質(zhì)基板上表面設(shè)置的第一金屬貼片開設(shè)有U型槽,第二金屬貼片設(shè)置于第二介質(zhì)基板下表面。此平衡式過渡電路實現(xiàn)了差分信號從微帶傳輸線到基片集成波導(dǎo)傳輸?shù)亩鄬赢惷孢^渡,電路結(jié)構(gòu)簡單,厚度小,且易于制造,差模帶寬寬,共模抑制效果好,抗干擾能力強以及可靠性高。
【IPC分類】H01P5/08
【公開號】CN104882656
【申請?zhí)枴緾N201510206087
【發(fā)明人】施金, 林壟龍, 陳建新, 唐慧, 秦偉, 周立衡, 褚慧
【申請人】南通大學(xué)
【公開日】2015年9月2日
【申請日】2015年4月27日
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