的紅/綠/藍色阻層、分別設(shè)于所述紅/綠/藍色阻層上的第一平坦層、分別位于所述第一底柵極、及第二底柵極上方設(shè)于所述底柵絕緣層上的第一氧化物半導(dǎo)體層、及第二氧化物半導(dǎo)體層、設(shè)于所述第一平坦層上的氧化物導(dǎo)體層、設(shè)于所述第一氧化物半導(dǎo)體層、第二氧化物半導(dǎo)體層、氧化物導(dǎo)體層、及底柵絕緣層上的頂柵絕緣層、位于所述第一氧化物半導(dǎo)體層上方設(shè)于所述頂柵絕緣層上的第一頂柵極、分別位于所述第一頂柵極兩側(cè)設(shè)于所述頂柵絕緣層上的第一源極、及第一漏極、位于所述第二氧化物半導(dǎo)體層上方設(shè)于所述頂柵絕緣層上的第二頂柵極、分別位于所述第二頂柵極兩側(cè)設(shè)于所述頂柵絕緣層上的第二源極、及第二漏極、設(shè)于所述第一頂柵極、第一源極、第一漏極、第二頂柵極、第二源極、第二漏極、與頂柵絕緣層上的鈍化層、及設(shè)于鈍化層上的第二平坦層；
[0039]所述第一氧化物半導(dǎo)體層的兩側(cè)區(qū)域、及第二氧化物半導(dǎo)體層的兩側(cè)區(qū)域為離子摻雜的導(dǎo)體層；所述頂柵絕緣層對應(yīng)所述第一氧化物半導(dǎo)體層兩側(cè)區(qū)域的上方分別設(shè)有第一過孔，對應(yīng)所述第二氧化物半導(dǎo)體層兩側(cè)區(qū)域的上方分別設(shè)有第二過孔，對應(yīng)所述氧化物導(dǎo)體層上方設(shè)有第三過孔；所述底柵絕緣層、及頂柵絕緣層對應(yīng)第一底柵極與第二底柵極之間設(shè)有第四過孔，所述頂柵絕緣層、鈍化層、及第二平坦層對應(yīng)所述氧化物導(dǎo)體層上方設(shè)有第五過孔；
[0040]所述第一源極與第一漏極分別經(jīng)由所述第一過孔與所述第一氧化物半導(dǎo)體層的兩側(cè)區(qū)域相接觸；所述第二源極與第二漏極分別經(jīng)由所述第二過孔與所述第二氧化物半導(dǎo)體層的兩側(cè)區(qū)域相接觸；所述第一源極經(jīng)由所述第三過孔與所述氧化物導(dǎo)體層相接觸；所述第二源極經(jīng)由所述第四過孔與所述第一底柵極相接觸；所述第五過孔暴露出部分氧化物導(dǎo)體層；
[0041]所述第一底柵極、第一氧化物半導(dǎo)體層、第一源極、第一漏極、及第一頂柵極構(gòu)成第一雙柵極TFT，所述第二底柵、第二氧化物半導(dǎo)體層、第二源極、第二漏極、及第二頂柵極構(gòu)成第二雙柵極TFT ;所述氧化物導(dǎo)體層構(gòu)成OLED的陽極。
[0042]所述第一氧化物半導(dǎo)體層、及第二氧化物半導(dǎo)體層的材料為IGZ0，所述氧化物導(dǎo)體層為IGZO半導(dǎo)體層進行離子摻雜制得。
[0043]所述第一平坦層、及第二平坦層的材料為有機光阻；所述底柵絕緣層、及頂柵絕緣層的材料為氮化硅、氧化硅、或二者的組合；所述第一底柵極、第一頂柵極、第一源極、第一漏極、第二底柵極、第二頂柵極、第二源極、及第二漏極的材料為鉬、鈦、鋁、銅中的一種或多種的堆棧組合。
[0044]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供的一種雙柵極氧化物半導(dǎo)體TFT基板的制作方法，使用半色調(diào)掩膜板進行一道光罩制程既能夠完成氧化物半導(dǎo)體層的圖案化，又能夠通過離子摻雜得到氧化物導(dǎo)體層，該氧化物導(dǎo)體層作為OLED的陽極替代現(xiàn)有技術(shù)中的ITO陽極；通過一道光罩制程同時對底柵絕緣層與頂柵絕緣層進行圖案化處理；通過一道光罩制程同時對第二、第三金屬層進行圖案化處理，得到第一源極、第一漏極、第二源極、第二漏極、第一頂柵極、及第二頂柵極；通過一道光罩制程同時對第二平坦層、鈍化層、及頂柵絕緣層進行圖案化處理，光罩制程減少至九道，有效簡化了制程，提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。本發(fā)明提供的一種雙柵極氧化物半導(dǎo)體TFT基板結(jié)構(gòu)，通過設(shè)置氧化物導(dǎo)體層來作為OLED的陽極，并將第一源極、第一漏極、第二源極、第二漏極、第一頂柵極、及第二頂柵極均設(shè)置于頂柵絕緣層上，使得TFT基板的結(jié)構(gòu)簡單，易于制作，能夠減少光罩制程的數(shù)量，有效簡化制程，提高生產(chǎn)效率，且生產(chǎn)成本低。
【附圖說明】
[0045]為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
[0046]附圖中，
[0047]圖1為現(xiàn)有的適用于OLED的雙柵極氧化物半導(dǎo)體TFT基板制作方法的步驟I的示意圖；
[0048]圖2為現(xiàn)有的適用于OLED的雙柵極氧化物半導(dǎo)體TFT基板制作方法的步驟2的示意圖；
[0049]圖3為現(xiàn)有的適用于OLED的雙柵極氧化物半導(dǎo)體TFT基板制作方法的步驟3的示意圖；
[0050]圖4為現(xiàn)有的適用于OLED的雙柵極氧化物半導(dǎo)體TFT基板制作方法的步驟4的示意圖；
[0051]圖5為現(xiàn)有的適用于OLED的雙柵極氧化物半導(dǎo)體TFT基板制作方法的步驟5的示意圖；
[0052]圖6為現(xiàn)有的適用于OLED的雙柵極氧化物半導(dǎo)體TFT基板制作方法的步驟6的示意圖；
[0053]圖7為現(xiàn)有的適用于OLED的雙柵極氧化物半導(dǎo)體TFT基板制作方法的步驟7的示意圖；
[0054]圖8為現(xiàn)有的適用于OLED的雙柵極氧化物半導(dǎo)體TFT基板制作方法的步驟8的示意圖；
[0055]圖9為現(xiàn)有的適用于OLED的雙柵極氧化物半導(dǎo)體TFT基板制作方法的步驟9的示意圖；
[0056]圖10為現(xiàn)有的適用于OLED的雙柵極氧化物半導(dǎo)體TFT基板制作方法的步驟10的不意圖；
[0057]圖11為現(xiàn)有的適用于OLED的雙柵極氧化物半導(dǎo)體TFT基板制作方法的步驟11的不意圖；
[0058]圖12為本發(fā)明雙柵極氧化物半導(dǎo)體TFT基板的制作方法的流程圖；
[0059]圖13為本發(fā)明雙柵極氧化物半導(dǎo)體TFT基板的制作方法的步驟I的示意圖；
[0060]圖14為本發(fā)明雙柵極氧化物半導(dǎo)體TFT基板的制作方法的步驟2的示意圖；
[0061]圖15為本發(fā)明雙柵極氧化物半導(dǎo)體TFT基板的制作方法的步驟3的示意圖；
[0062]圖16為本發(fā)明雙柵極氧化物半導(dǎo)體TFT基板的制作方法的步驟4的示意圖；
[0063]圖17為本發(fā)明雙柵極氧化物半導(dǎo)體TFT基板的制作方法的步驟5的示意圖；
[0064]圖18為本發(fā)明雙柵極氧化物半導(dǎo)體TFT基板的制作方法的步驟6的示意圖；
[0065]圖19為本發(fā)明雙柵極氧化物半導(dǎo)體TFT基板的制作方法的步驟7的示意圖；
[0066]圖20為本發(fā)明雙柵極氧化物半導(dǎo)體TFT基板的制作方法的步驟8的示意圖暨本發(fā)明雙柵極氧化物半導(dǎo)體TFT基板結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
【具體實施方式】
[0067]為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。
[0068]請參閱圖12，本發(fā)明首先提供一種適用于OLED的雙柵極氧化物半導(dǎo)體TFT基板的制作方法，包括如下步驟:
[0069]步驟1、如圖13所示，提供基板1，在所述基板I上沉積第一金屬層，通過第一道光罩制程對所述第一金屬層進行圖案化處理，形成第一底柵極21、及第二底柵極22 ;在所述第一底柵極21、第二底柵極22、及基板I上沉積底柵絕緣層31。
[0070]具體地，所述基板I為透明基板，優(yōu)選地，所述基板I為玻璃基板。所述第一金屬層的材料為鉬(Mo)、鈦(Ti)、鋁(Al)、銅(Cu)中的一種或多種的堆棧組合，即所述第一底柵極21、及第二底柵極22的材料為鉬、鈦、鋁、銅中的一種或多種的堆棧組合。所述底柵絕緣層31的材料為氮化硅(SiNx)、氧化硅(S1x)、或二者的組合。
[0071]步驟2、如圖14所示，在所述底柵絕緣層31上沉積色阻層，分別通過第二、第三、第四道光罩制程依次對所述色阻層進行圖案化處理，形成紅/綠/藍色阻層3 ;接著在所述紅/綠/藍色阻層3上沉積第一平坦層，并通過第五道光罩制程對所述第一平坦層進行圖案化處理，形成分別覆蓋所述紅/綠/藍色阻層3的第一平坦層4 ;對所述底柵絕緣層31進行等離子處理(plasma treatment)。
[0072]具體地，所述第一平坦層4的材料為有機光阻，用于覆蓋保護所述紅/綠/藍色阻層3。對所述底柵絕緣層31進行等離子處理可改善底柵絕緣層31的膜質(zhì)。
[0073]步驟3、如圖15所示，在所述底柵絕緣層31、及第一平坦層4上沉積氧化物半導(dǎo)體層，在所述氧化物半導(dǎo)體層上涂覆光阻層，并使用半色調(diào)掩膜板(half-tone)進行第六道光罩制程:先對所述光阻層進行曝光、顯影，得到分別位于所述第一底柵極21、第二底柵極22、及第一平坦層4上方覆蓋所述氧化物半導(dǎo)體層的第一光阻層41、第二光阻層42、及第三光阻層43 ;所述第一光阻層41的兩側(cè)區(qū)域、第二光阻層42的兩側(cè)區(qū)域、及第三光阻層43的厚度小于所述第一光阻層41的中間區(qū)域、及第二光阻層42的中間區(qū)域的厚度。
[0074]再利用所述第一光阻層41、第二光阻層42、及第三光阻層43對所述氧化物半導(dǎo)體層進行刻蝕，使所述氧化物半導(dǎo)體層圖案化，得到分別位于所述第一底柵極21、第二底柵極22、及第一平坦層4上方的第一氧化物半導(dǎo)體層51、第二氧化物半導(dǎo)體層52、及第三氧化物半導(dǎo)體層53。
[0075]具體地，采用物理氣相沉積法(Physical Vapor Deposit1n, PVD)沉積所述氧化物半導(dǎo)體層。
[0076]所述氧化物半導(dǎo)體層的材料為銦鎵鋅氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)。
[0077]步驟4、如圖16所示，去除所述第一光阻層51的兩側(cè)區(qū)域、第二光阻層52的兩側(cè)區(qū)域、及第三光阻層53 ;以余下的第一光阻層51的中間區(qū)域、第二光阻層52的中間區(qū)域為遮蔽層，對所述第一氧化物半導(dǎo)體層51的兩側(cè)區(qū)域、第二氧化物半導(dǎo)體層52的兩側(cè)區(qū)域、及第三氧化物半導(dǎo)體層53進行離子摻雜，使所述第一氧化物半導(dǎo)體層51的兩側(cè)區(qū)域、及第二氧化物半導(dǎo)體層52的兩側(cè)區(qū)域轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)體，使所述第三氧化物半導(dǎo)體層53轉(zhuǎn)變?yōu)檠趸飳?dǎo)體層53’ ；之后去除余下的第一光阻層51的中間區(qū)域、及第二光阻層52的中間區(qū)域。
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