遮光。
[0092]如以上說(shuō)明的那樣，圖8及圖9所不的制造工序與圖3及圖4所不的制造工序相比，用于排列LED裸片16的支承用的片材和作為一熒光構(gòu)件的大張熒光體片83是兼用的。因此，圖8及圖9所不的制造工序與圖3及圖4所不的制造工序相比，更簡(jiǎn)略化。又，圖8及圖9所示的制造工序中，若預(yù)先調(diào)整熒光體片83的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換特性和LED裸片16的發(fā)光特性，則LED裝置70的發(fā)光顏色的管理容易。
[0093]圖10是又一 LED裝置90的剖面圖。
[0094]如圖2所示，LED裝置10包括斜面從上部至底部的反射框12。相對(duì)于此，圖6所示的LED裝置60包括僅在上部具有斜面的反射框62。即，為了得到配光集中且小型、發(fā)光效率良好的LED裝置，優(yōu)選在反射框的一部分具備斜面。因此，圖10?12示出的LED裝置90構(gòu)成為，在反射框92的底部具備斜面。
[0095]LED裝置90包括包圍外周部的反射框92、LED裸片16、以及對(duì)LED裸片16的發(fā)光進(jìn)行波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換的熒光構(gòu)件91。LED裸片16與圖2所示的LED裸片16相同，反射框92及熒光構(gòu)件91的材料也與圖2等所示的反射框12及熒光構(gòu)件11等相同。反射框92的斜面構(gòu)成為:與熒光構(gòu)件91的側(cè)面接觸，反射框92的內(nèi)徑(左右的反射框92之間的距離)從LED裸片16的下表面?zhèn)认蛏媳砻鎮(zhèn)葦U(kuò)大。
[0096]將LED裝置90和圖2所示的LED裝置10進(jìn)行比較的話，LED裝置90的反射框92和LED裝置10的反射框12的剖面形狀不同。LED裝置90的反射框92的內(nèi)側(cè)的面在上部具有相對(duì)于LED裸片16的底面垂直的面，在底部具有斜面。利用該斜面，從藍(lán)寶石基板13的側(cè)面出射的藍(lán)色光反射并朝向上方。藍(lán)色光的一部分被波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換并朝向上方，從LED裝置90的上表面出射。
[0097]圖11以及圖12是LED裝置90的制造工序的說(shuō)明圖。
[0098]在LED裝置90的制造工序內(nèi)，由于將LED裸片16排列于支承片的排列工序、及用熒光構(gòu)件Ila覆蓋LED裸片16的上表面和側(cè)面的熒光構(gòu)件覆蓋工序與作為L(zhǎng)ED裝置10的制造工序示出的圖3的(a)及圖3的(b)相同，因此省略。又，作為槽形成工序的最初的階段，即將另一支承片粘貼于熒光構(gòu)件Ila的上表面，剝離之前的支承片，并將用熒光構(gòu)件Ila連接了大量LED裸片16的集合體的上下進(jìn)行翻轉(zhuǎn)的工序也與作為L(zhǎng)ED裝置10的制造工序示出的圖3的(c)及圖3的(d)相同，因此省略。
[0099]參照?qǐng)D11的(a)?圖12的(a)，對(duì)LED裝置90的槽形成工序進(jìn)行說(shuō)明。如上所述，準(zhǔn)備了包含大量LED裸片16的集合體后，如圖11的(a)所示，準(zhǔn)備平板狀的刀刃93。其次，如圖11的(b)所示，用刀刃93從LED裸片16的底面?zhèn)惹谐齃ED裸片16之間，在熒光構(gòu)件Ila形成剖面為長(zhǎng)方形的槽94。接著，如圖11的(c)所示，準(zhǔn)備頂端為V字狀的刀刃95。最后，如圖12的(a)所示，利用刀刃95在槽94的底部(圖中上側(cè))形成斜面，得到槽96。
[0100]在圖12的(b)所示的反射樹(shù)脂填充工序中，將反射樹(shù)脂97填充于槽96中。反射樹(shù)脂97是在硅樹(shù)脂中混入氧化鈦或氧化鋁等的反射性微粒的樹(shù)脂，與圖4的(b)同樣地使用分配器滴下適量，利用毛細(xì)管現(xiàn)象，進(jìn)行均一的填充。填充完成后進(jìn)行加熱，使反射樹(shù)脂97固化。
[0101]在圖12的(C)所示的單片化工序中，與圖4的(C)同樣地切割反射樹(shù)脂97，得到單片化的LED裝置90。使用切割機(jī)進(jìn)行切斷。也可以使用線代替切割機(jī)，對(duì)反射樹(shù)脂97進(jìn)行切割。只要構(gòu)成反射框92的反射樹(shù)脂97在完成時(shí)厚度為30?50 μ m，就能充分地遮光。
[0102]由于槽94的剖面為長(zhǎng)方形，因此可以不采用刀刃93而采用線或鑄型形成。也可以如圖5所示的LED裝置50那樣，用反射樹(shù)脂97覆蓋LED裝置90的LED裸片16的底面。也可以如圖7所示的LED裝置70那樣，用熒光體片置換LED裝置90的熒光構(gòu)件91的一部分。在利用熒光體片的情況下，通過(guò)圖8所示的制造工序準(zhǔn)備配置了大量LED裸片16的集合體，這之后，采用圖11及圖12所示的制造工序即可。
[0103]符號(hào)說(shuō)明
[0104]10、50、60、70、90 LED 裝置
[0105]ll、lla、51、61、71、81、91 熒光構(gòu)件
[0106]12、52、62、72、92 反射框
[0107]13藍(lán)寶石基板(透明絕緣基板)
[0108]14半導(dǎo)體層
[0109]15外部連接電極
[0110]16 LED 裸片
[0111]31、32a、85 支承片
[0112]33、93、95 刀刃
[0113]35、82、97 反射樹(shù)脂
[0114]34、84、94、96 槽
[0115]73熒光體片
[0116]83大張焚光體片。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種LED裝置，其特征在于，包括: 反射框，其包圍所述LED裝置的外周部； LED裸片，其具有透明絕緣基板、在該透明絕緣基板的下表面?zhèn)刃纬傻陌雽?dǎo)體層、及配置于該半導(dǎo)體層上的外部連接電極；以及 熒光構(gòu)件，其配置于所述LED裸片的至少上表面?zhèn)龋覍?duì)來(lái)自所述LED裸片的發(fā)光進(jìn)行波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換， 在所述反射框的內(nèi)側(cè)具有與所述熒光構(gòu)件的側(cè)面接觸的斜面， 所述斜面形成為所述反射框的內(nèi)徑從所述LED裸片的下表面?zhèn)瘸媳砻鎮(zhèn)葦U(kuò)大。
2.如權(quán)利要求1所述的LED裝置，其特征在于， 所述LED裸片的下表面?zhèn)鹊牡酌婧退鲂泵娴奈挥谒鯨ED裸片的下表面?zhèn)鹊淖钕虏康奈恢么笾孪嗤?，所述熒光?gòu)件被配置于所述斜面和所述LED裸片的側(cè)面的間隙。
3.如權(quán)利要求1所述的LED裝置，其特征在于， 所述LED裸片的下表面?zhèn)鹊牡酌婧退鲂泵娴奈挥谒鯨ED裸片的下表面?zhèn)鹊淖钕虏康奈恢么笾孪嗤?，與所述熒光構(gòu)件不同的其他熒光構(gòu)件或者透光性構(gòu)件被配置于所述斜面和所述LED裸片的側(cè)面的間隙。
4.如權(quán)利要求1?3中任一項(xiàng)所述的LED裝置，其特征在于， 所述熒光構(gòu)件為熒光體片，所述熒光體片被粘合于所述LED裸片的上表面。
5.如權(quán)利要求1?4中任一項(xiàng)所述的LED裝置，其特征在于， 所述反射框由反射樹(shù)脂構(gòu)成。
6.如權(quán)利要求1?5中任一項(xiàng)所述的LED裝置，其特征在于， 用所述反射樹(shù)脂覆蓋除了所述外部連接電極所占據(jù)的區(qū)域之外的、所述LED裸片的下表面?zhèn)鹊牡酌妗?br>7.如權(quán)利要求1所述的LED裝置，其特征在于， 在所述反射框的內(nèi)側(cè)具有所述斜面及平坦部，所述平坦部覆蓋所述LED裸片的側(cè)面。
8.如權(quán)利要求1?6中任一項(xiàng)所述的LED裝置，其特征在于， 在所述反射框的內(nèi)側(cè)的所述LED裸片的上表面?zhèn)染哂邢鄬?duì)于所述LED裸片的下表面?zhèn)鹊牡酌娲怪钡拿妫? 在所述反射框的內(nèi)側(cè)的所述LED裸片的下表面?zhèn)染哂兴鲂泵妗?br>9.一種LED裝置的制造方法，所述LED裝置具有包圍外周部的反射框、LED裸片、以及對(duì)所述LED裸片的發(fā)光進(jìn)行波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換的熒光構(gòu)件，所述LED裝置的制造方法的特征在于，包括: 排列工序，使被配置于所述LED裸片的下表面?zhèn)鹊耐獠窟B接電極側(cè)為下側(cè)地，將所述LED裸片配置于第一支承片上； 覆蓋工序，用所述熒光構(gòu)件覆蓋所述LED裸片的上表面和側(cè)面； 槽形成工序，將第二支承片粘貼于所述熒光構(gòu)件的所述LED裸片的上表面?zhèn)鹊纳媳砻妫肰字形的刀刃從所述熒光構(gòu)件的底面?zhèn)仍谒鯨ED裸片之間形成槽； 反射樹(shù)脂填充工序，將反射樹(shù)脂填充于所述槽中；以及 單片化工序，切割所述反射樹(shù)脂，以得到單片化的所述LED裝置。
10.如權(quán)利要求9所述的LED裝置的制造方法，其特征在于， 在所述槽形成工序中，首先在所述熒光構(gòu)件形成剖面為長(zhǎng)方形的槽，接著用所述V字形的刀刃從所述熒光構(gòu)件的底面?zhèn)仍谒銎拭鏋殚L(zhǎng)方形的槽的一部分形成斜面，從而在所述底面?zhèn)刃纬删哂行泵娴牟邸?br>11.一種LED裝置的制造方法，所述LED裝置具有包圍外周部的反射框、LED裸片、以及對(duì)所述LED裸片的發(fā)光進(jìn)行波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換的熒光構(gòu)件，所述LED裝置的制造方法的特征在于，包括: 排列工序，使被配置于所述LED裸片的下表面?zhèn)鹊耐獠窟B接電極側(cè)為上側(cè)地，將所述LED裸片配置于大張熒光體片上； 透光性構(gòu)件填充工序，在所述LED裸片的間隙填充與所述熒光體片不同的其他熒光構(gòu)件或透光性構(gòu)件； 槽形成工序，用V字形的刀刃從與所述熒光體片不同的其他熒光構(gòu)件或所述透光性構(gòu)件側(cè)向著所述熒光體片在所述LED裸片之間形成槽； 反射樹(shù)脂填充工序，將反射樹(shù)脂填充于所述槽中；以及 單片化工序，切割所述反射樹(shù)脂，以得到單片化的所述LED裝置。
【專利摘要】提供一種小型且發(fā)光效率良好、配光分布集中的LED裝置。一種LED裝置以及其制造方法，LED裝置包括：反射框，其包圍LED裝置的外周部；LED裸片，其具有透明絕緣基板、在透明絕緣基板的下表面?zhèn)刃纬傻陌雽?dǎo)體層、及配置于半導(dǎo)體層上的外部連接電極；以及熒光構(gòu)件，其配置于LED裸片的至少上表面?zhèn)龋覍?duì)來(lái)自LED裸片的發(fā)光進(jìn)行波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換，在反射框的內(nèi)側(cè)具有與熒光構(gòu)件的側(cè)面接觸的斜面，斜面形成為反射框的內(nèi)徑從LED裸片的下表面?zhèn)认蛏媳砻鎮(zhèn)葦U(kuò)大。
【IPC分類】H01L33-54, H01L33-50, H01L33-60
【公開(kāi)號(hào)】CN104854716
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201380064344
【發(fā)明人】小山田和, 今津健二, 望月周作
【申請(qǐng)人】西鐵城控股株式會(huì)社, 西鐵城電子株式會(huì)社
【公開(kāi)日】2015年8月19日
【申請(qǐng)日】2013年11月25日
【公告號(hào)】WO2014091914A1