述各向異性納米結(jié)構(gòu)具有如上所述的折射率之差時，所述納米結(jié)構(gòu)可具有大于罩面層 的折射率。除非另有定義，在本說明書中術(shù)語"折射率"為基于550nm或633nm波長的光的 值。
[0017] 所述各向異性納米結(jié)構(gòu)例如可由透明絕緣材料形成。能夠形成各向異性納米結(jié)構(gòu) 的材料可包括氧化鋅（ZnO)、氧化鋯（Zr02)、二氧化鈦（Ti02)、氮化硅（Si3N4)、氮化硅氧化物 (SiOxNy)、氧化鋇（BaO)、氧化鋁（A1203)、或五氧化二f凡（V203)等。例如，在使用已知的沉積 法在基礎(chǔ)層形成上述材料的層之后，可以在考慮所需圖案的情況下通過采用對由上述材料 所形成的層的至少一部分進行蝕刻的方法形成各向異性納米結(jié)構(gòu)。例如，可以采用納米壓 印、干涉光刻或涂覆方法在沉積的材料層上形成掩膜（mask)，并通過使用氣體如SF6,Cl2， CF4等的等離子干法蝕刻方法形成所述各向異性納米結(jié)構(gòu)，之后除去掩膜，由此可形成各向 異性納米結(jié)構(gòu)的圖案。在工藝中通過調(diào)節(jié)沉積層的厚度、掩膜的圖案、蝕刻率等，可調(diào)節(jié)納 米結(jié)構(gòu)的縱橫比或納米結(jié)構(gòu)圖案所占的面積。
[0018] 罩面層可存在于各向異性納米結(jié)構(gòu)的圖案的上部。罩面層例如可具有約1.2至 3. 5、1. 2至3、1. 2至2. 5、1. 2至2. 5、或1. 2至2. 2的范圍的折射率。
[0019] 對于罩面層而言，例如可使用各種已知的有機材料、無機材料、或有機無機材料。 考慮到器件的使用壽命或?qū)τ谠谥圃旃に囍兴M行的高溫工藝、光刻工藝、或蝕刻工藝的 優(yōu)異耐性，可使用具有優(yōu)異耐熱性和耐化學性的無機或有機無機材料，但視需要也可使 用有機材料。用于形成罩面層的材料的實例例如可包括聚酰亞胺、具有芴環(huán)的卡多樹脂 (caldoresin)、聚氨酯、環(huán)氧化物、基于聚酯或基于丙烯酸酯的熱固性或光可固化單體、 低聚物或聚合物有機材料、無機材料（如氧化娃、氮化娃（siliconnitride)、氮氧化娃 (siliconoxynitride)或聚硅氧烷等）、或者有機無機復合材料等。
[0020] 例如，罩面層可包含聚硅氧烷、聚酰胺酸或聚酰亞胺。例如可通過將可縮合的硅烷 化合物、硅氧烷低聚物等縮聚來制備聚硅氧烷，由此所形成的罩面層可形成為基于硅氧結(jié) 合（Si-o)的基體。視需要，可通過調(diào)節(jié)縮聚條件等來形成其中聚硅氧烷僅基于硅氧烷結(jié)合 (Si-o)的罩面層、或其中有機官能團（如烷基等）或可縮合的官能團（如烷氧基等）等部 分殘留的罩面層。
[0021] 對于聚酰胺酸或聚酰亞胺粘合劑，例如，可使用對于550nm或633nm波長的光的折 射率為約1. 5以上、約1. 6以上、約1. 65以上或約1. 7以上的粘合劑。例如，可通過使用引 入了除氟以外的鹵素原子、硫原子或磷原子的單體來制備上述聚酰胺酸或聚酰亞胺。
[0022] 對于粘合劑，例如，可使用具有能夠與顆粒結(jié)合的部位（如羧基等）以改善顆粒分 散穩(wěn)定性的聚酰胺酸。
[0023] 對于聚酰胺酸，例如，可使用包含式1的重復單元的化合物。
[0024][式1]
[0025]
【主權(quán)項】
1. 一種用于有機電子器件的基板，其包含： 基礎(chǔ)層；以及 光散射層，其位于基礎(chǔ)層上，并且具有縱橫比在1. 2至30范圍內(nèi)的各向異性納米結(jié)構(gòu) 的圖案。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機電子器件的基板，其中所述各向異性納米結(jié)構(gòu)具有 1. 7以上的折射率。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機電子器件的基板，其中所述各向異性納米結(jié)構(gòu)具有 長度在50nm至1000 nm范圍內(nèi)的圓柱體形狀。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機電子器件的基板，其中所述各向異性納米結(jié)構(gòu)具有 橫截面的平均直徑在IOnm至500nm范圍內(nèi)的圓柱體形狀。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機電子器件的基板，其中多個各向異性納米結(jié)構(gòu)隨機 配置在基礎(chǔ)層上。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于有機電子器件的基板，其中多個各向異性納米結(jié)構(gòu)包含 縱橫比互不相同的兩種以上各向異性納米結(jié)構(gòu)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于有機電子器件的基板，其中在隨機配置的多個各向異性 納米結(jié)構(gòu)之間的平均間隔在150nm至300nm范圍內(nèi)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機電子器件的基板，其中當從上方觀察時的各向異性 納米結(jié)構(gòu)占有的面積為光散射層整個面積的20%至70%。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機電子器件的基板，其中所述各向異性納米結(jié)構(gòu)包含 氧化鋅、氧化鋯、二氧化鈦、氮化硅、氮化硅氧化物、氧化鋇、氧化鋁、五氧化二釩等。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機電子器件的基板，其還包括存在于所述各向異性 納米結(jié)構(gòu)的圖案上部的罩面層。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的用于有機電子器件的基板，其中所述罩面層具有1. 2至 3. 5范圍內(nèi)的折射率。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的用于有機電子器件的基板，其中所述罩面層包含聚硅氧 烷、聚酰胺酸或聚酰亞胺。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的用于有機電子器件的基板，其中所述各向異性納米結(jié)構(gòu)具 有高于罩面層的折射率。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的用于有機電子器件的基板，其中所述各向異性納米結(jié)構(gòu)和 所述罩面層的折射率之差在〇. 2至2. 0的范圍內(nèi)。
15. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于有機電子器件的基板，其還包括形成在光散射層上的 電極層。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的用于有機電子器件的基板，其中所述光散射層被電極層和 基礎(chǔ)層密封。
17. -種有機電子器件，其包括： 基礎(chǔ)層； 依序形成于基礎(chǔ)層上的第一電極層、含有發(fā)光層的有機層、以及第二電極層；以及 存在于基礎(chǔ)層和第一電極層之間、或存在于第二電極層和有機層之間且具有縱橫比在 1. 2至30范圍內(nèi)的各向異性納米結(jié)構(gòu)的圖案的層。
18. -種照明設(shè)備，其包括根據(jù)權(quán)利要求17所述的有機電子器件。
【專利摘要】本申請涉及一種用于有機電子器件的基板、有機電子器件、以及照明設(shè)備。本申請?zhí)峁┮环N有機電子器件或基板，其可形成能夠確保具有包括光提取效率等和穩(wěn)定性(通過使用能夠根據(jù)入射光的角度而展示不同散射性能的光散射層)性能的有機電子設(shè)備。
【IPC分類】H05B33-22, H01L51-52
【公開號】CN104737321
【申請?zhí)枴緾N201380051136
【發(fā)明人】安庸植, 樸鎮(zhèn)宇
【申請人】株式會社Lg化學
【公開日】2015年6月24日
【申請日】2013年7月31日
【公告號】EP2871688A1, US20150137110, US20150144931