用于有機(jī)電子器件的基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種用于有機(jī)電子器件的基板、有機(jī)電子器件、以及照明設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)電子器件（OED;OrganicElectronicDevice)是一種通過(guò)電極層與有機(jī)材料 之間的電荷交換來(lái)發(fā)揮功能的器件，例如其包括有機(jī)發(fā)光器件（0LED)、有機(jī)太陽(yáng)能電池、有 機(jī)光導(dǎo)體（0PC)或有機(jī)晶體管等。
[0003] 有機(jī)發(fā)光器件（0LED)作為有機(jī)電子器件的代表，通常依次包括基板、第一電極 層、含有發(fā)光層的有機(jī)層和第二電極層。
[0004] 在稱為底部發(fā)光器件（bottomemittingdevice)的結(jié)構(gòu)中，所述第一電極層可以 形成為透明電極層，第二電極層可以形成為反射電極層。此外，在稱為頂部發(fā)光器件（top emittingdevice)的結(jié)構(gòu)中，第一電極層可以形成為反射電極層，第二電極層可以形成為 透明電極層。
[0005] 通過(guò)該兩個(gè)電極層來(lái)分別注入電子（electron)和空穴（hole)，并注入的電子和 空穴在發(fā)光層中重新結(jié)合（recombination)以產(chǎn)生光子（light)。在底部發(fā)光器件中，光子 可向基板側(cè)發(fā)射，而在頂部發(fā)光器件中，光子可向第二電極層側(cè)發(fā)射。
[0006] 在有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)中，通常用作透明電極層的銦錫氧化物（ITO,IndiumTin Oxide)、有機(jī)層和通常為玻璃基板的折射率分別約為2. 0、1. 8或1. 5。由于上述折射率之間 的關(guān)系，例如，在底部發(fā)光器件的有機(jī)發(fā)光層中所產(chǎn)生的光子可以在介于有機(jī)層和第一電 極層之間的界面或在基板中被全內(nèi)反射（totalinternalreflectionphenomenon)現(xiàn)象 等而捕獲（trap)，僅發(fā)射極少量的光子。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 技術(shù)問(wèn)題
[0008] 本發(fā)明旨在提供一種用于有機(jī)電子器件的基板、以及有機(jī)電子器件。
[0009] 技術(shù)方案
[0010] 本發(fā)明示例性的用于有機(jī)發(fā)光器件的基板包括基礎(chǔ)層以及光散射層。所述光散射 層例如可形成于基礎(chǔ)層上。圖1示出了包括基礎(chǔ)層101和形成于基礎(chǔ)層101上部的光散射 層102的不例性基板100。
[0011] 對(duì)于基礎(chǔ)層，可使用合適的而無(wú)特別限制的材料。例如，當(dāng)使用基板來(lái)制備底部 發(fā)光（bottomemission)型有機(jī)發(fā)光器件時(shí)，可使用透明基礎(chǔ)層、例如對(duì)于可見(jiàn)光區(qū)域的 光具有50%以上透光率的基礎(chǔ)層。透明基礎(chǔ)層的實(shí)例可包括玻璃基礎(chǔ)層、或透明聚合物基 礎(chǔ)層。玻璃基礎(chǔ)層的實(shí)例可包括含鈉-鈣玻璃、含鋇/鍶的玻璃、鉛玻璃、鋁硅酸鹽玻璃、 硼硅酸鹽玻璃、鋇硼硅酸鹽玻璃或石英等的基礎(chǔ)層，聚合物基礎(chǔ)層的實(shí)例可包括含有聚碳 酸醋（PC，polycarbonate)、丙稀酸樹(shù)脂、聚（對(duì)苯二甲酸乙二醇醋）（PET，poly(ethylene terephthatle))、聚（硫釀）（PES，poly(ethersulfide))、聚諷（PS，polysulfone)等的基 礎(chǔ)層，但不限于此。此外，視需要，基礎(chǔ)層可為具有用于驅(qū)動(dòng)的TFT的TFT基板。
[0012] 例如，當(dāng)使用基板來(lái)制備頂部發(fā)光（topemission)型器件時(shí)，所述基礎(chǔ)層無(wú)需必 須為透明基礎(chǔ)層，且視需要可采用在基礎(chǔ)層的表面形成有使用鋁等的反射層的反射基礎(chǔ) 層。
[0013] 在基礎(chǔ)層的上部可形成包含各向異性納米結(jié)構(gòu)（anisotropicnanostructures) 的光散射層。術(shù)語(yǔ)"光散射層"可包括能夠使入射光散射、衍射或折射的所有類型的層。[0014] 光散射層包括各向異性納米結(jié)構(gòu)。圖2顯示了位于基礎(chǔ)層101上的示例性光散射 層102,該光散射層102包括各向異性納米結(jié)構(gòu)1022。如圖2所示，該光散射層還可包括位 于納米結(jié)構(gòu)1022的上部的罩面層（overcoat) 1021，這將在后文詳述。術(shù)語(yǔ)"納米結(jié)構(gòu)"例 如可為縱橫比在1. 2至30、1. 2至25、1. 2至20、1. 2至15、1. 2至10、1. 3至10、1. 3至9、 1.3至8、1.3至7、1.3至6、約1.3至5或約1.3至4范圍內(nèi)的柱狀結(jié)構(gòu)。當(dāng)所述各向異性 納米結(jié)構(gòu)的圖案包括兩種以上的結(jié)構(gòu)時(shí)，每個(gè)結(jié)構(gòu)的縱橫比可相同或不同。在本說(shuō)明書(shū)中 的術(shù)語(yǔ)"縱橫比"可表示各向異性納米結(jié)構(gòu)的尺寸（dimension)中的最大尺寸L和與所述 最大尺寸L所規(guī)定的方向相垂直的方向上所規(guī)定的結(jié)構(gòu)尺寸D的比值L/D。例如，當(dāng)所述結(jié) 構(gòu)具有柱狀結(jié)構(gòu)時(shí)，所述縱橫比可表示為長(zhǎng)度L與該圓柱的橫截面直徑D的比值L/D。在上 面的描述中，"各向異性納米結(jié)構(gòu)"可表示最大尺寸L和與所述最大尺寸L所規(guī)定的方向相 垂直的方向上所規(guī)定的結(jié)構(gòu)尺寸D中的至少一個(gè)在約1至lOOOnrn的范圍內(nèi)的各向異性結(jié) 構(gòu)。例如，所述各向異性納米結(jié)構(gòu)可具有圓柱形狀，該圓柱橫截面可由各種形狀形成，如圓 形、橢圓形、多邊形（如三角形、四邊形等）或不規(guī)則形。對(duì)于所述各向異性納米結(jié)構(gòu)而言， 其長(zhǎng)度例如可在約 50 至 1，000nm、50 至 900nm、50 至 800nm、50 至 700nm、50 至 600nm、50 至 500nm、100至500nm、或約100至450nm的范圍。此外，對(duì)于所述各向異性納米結(jié)構(gòu)而言，例 如其橫截面直徑可在約10至500nm、10至400nm、10至300nm、20至300nm、30至300nm、30 至 300nm、50 至 250nm、70 至 250nm、90 至 250nm、或約 100 至 240nm的范圍。
[0015] 所述各向異性納米結(jié)構(gòu)，例如以隨機(jī)狀態(tài)配置而存在于光散射層中。在以上的描 述中，"隨機(jī)配置"可表示例如在存在有多種各向異性納米結(jié)構(gòu)時(shí)，納米結(jié)構(gòu)之間的間隔不 均勻。此外，如上所述，當(dāng)各向異性納米結(jié)構(gòu)的圖案包括兩種以上的結(jié)構(gòu)時(shí)，每個(gè)結(jié)構(gòu)的縱 橫比可相同或不同。隨機(jī)配置的多個(gè)各向異性納米結(jié)構(gòu)之間的平均間隔例如可在約150至 300nm的范圍內(nèi)。在上述平均間隔中，在各結(jié)構(gòu)之間的實(shí)際間隔可相同或不同。此外，各向 異性納米結(jié)構(gòu)在從上面觀察光散射層時(shí)，可以所述各向異性納米結(jié)構(gòu)所占的面積相對(duì)于整 個(gè)光散射層的面積的光散射層為約20 %至70 %、約20 %至60 %、約20 %至50 %、或20 %至 40%存在。當(dāng)所述各向異性納米結(jié)構(gòu)以這種配置存在時(shí)，整體上降低了對(duì)特定波長(zhǎng)的依賴 性。此外，由于所述各向異性納米結(jié)構(gòu)的獨(dú)特結(jié)構(gòu)，射入光散射層的光根據(jù)其角度，部分光 的散射被最小化，且另一部分光可有效散射或衍射。
[0016] 例如，所述各向異性納米結(jié)構(gòu)可具有與后述的罩面層相比較高或較低的折射率。 例如，各向異性納米結(jié)構(gòu)與罩面層的折射率之差在約〇. 2至2. 0或約0. 5至2. 0的范圍。 當(dāng)所