半導(dǎo)體裝置及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及具有槽構(gòu)造的整流用的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]為了改善整流用半導(dǎo)體裝置的特性，提案有各種半導(dǎo)體裝置。例如，提案有通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體裝置的槽(溝)底部的整體進(jìn)行離子注入而進(jìn)行槽底部的角部的電場(chǎng)緩和的方法(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。通過(guò)將用于電場(chǎng)緩和的區(qū)域(以下，稱為“電場(chǎng)緩和區(qū)域”)配置在槽底部，能夠提高半導(dǎo)體裝置的耐壓。
[0003]專利文獻(xiàn)1:(日本)特開(kāi)2007 - 128926號(hào)公報(bào)
[0004]但是，當(dāng)將電場(chǎng)緩和區(qū)域配置于槽底部時(shí)，限定了半導(dǎo)體裝置的電流流動(dòng)的區(qū)域。這是由于，電流不在由于離子注入而高電阻化的電場(chǎng)緩和區(qū)域流動(dòng)，電流減少了不在槽底部流動(dòng)電流的量。其結(jié)果，產(chǎn)生半導(dǎo)體裝置的正向電流減少的問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]鑒于上述問(wèn)題點(diǎn)，為了提高耐壓，本發(fā)明的目的在于提供一種將電場(chǎng)緩和區(qū)域形成于槽底部且抑制正向電流的減少的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
[0006]本發(fā)明第一方面的半導(dǎo)體裝置具備:第一導(dǎo)電型的漂移區(qū)域，其配置于半導(dǎo)體基體的第一主面上，且在表面上形成有槽；第二導(dǎo)電型的電場(chǎng)緩和區(qū)域，其配置于槽底部的角部的周?chē)?；?yáng)極電極，其被埋入槽中；陰極電極，其配置于半導(dǎo)體基體的第二主面上。
【附圖說(shuō)明】
[0007]圖1是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的示意性剖面圖；
[0008]圖2是用于說(shuō)明圖1所示的半導(dǎo)體裝置的切斷狀態(tài)下的動(dòng)作的示意性剖面圖；
[0009]圖3是用于說(shuō)明圖1所示的半導(dǎo)體裝置的接通狀態(tài)下的動(dòng)作的示意性剖面圖；
[0010]圖4是用于說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的制造工序的剖面圖；
[0011]圖5是用于說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖4之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；
[0012]圖6是用于說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖5之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；
[0013]圖7是用于說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖6之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；
[0014]圖8是用于說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖7之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；
[0015]圖9是用于說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖8之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；
[0016]圖10是用于說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖9之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；
[0017]圖11是用于說(shuō)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖10之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；
[0018]圖12是表示用于說(shuō)明第一實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的制造工序的剖面圖；
[0019]圖13是用于說(shuō)明第一實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖12之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；
[0020]圖14是用于說(shuō)明第一實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖13之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；
[0021]圖15是用于說(shuō)明第一實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖14之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；
[0022]圖16是用于說(shuō)明第一實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖15之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；
[0023]圖17是表示用于說(shuō)明第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的制造工序的剖面圖；
[0024]圖18是用于說(shuō)明第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖17之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；
[0025]圖19是用于說(shuō)明第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖18之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；
[0026]圖20是用于說(shuō)明第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖19之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；
[0027]圖21是表示用于說(shuō)明第二實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的制造工序的剖面圖；
[0028]圖22是用于說(shuō)明第二實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖21之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；
[0029]圖23是表示用于說(shuō)明第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的制造工序的剖面圖；
[0030]圖24是用于說(shuō)明第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖23之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；
[0031]圖25是用于說(shuō)明第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖24之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；
[0032]圖26是用于說(shuō)明第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖25之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；
[0033]圖27是用于說(shuō)明第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖26之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；
[0034]圖28是用于說(shuō)明第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖27之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；
[0035]圖29是用于說(shuō)明第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖28之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；
[0036]圖30是表示用于說(shuō)明第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的制造工序的剖面圖；
[0037]圖31是用于說(shuō)明第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖30之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；
[0038]圖32是用于說(shuō)明第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖31之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；
[0039]圖33是用于說(shuō)明第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖32之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；
[0040]圖34是用于說(shuō)明第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的、在圖33之后進(jìn)行的制造工序的剖面圖；
[0041]圖35是用于說(shuō)明第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的切斷狀態(tài)下的動(dòng)作的示意性剖面圖；
[0042]圖36是用于說(shuō)明第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的接通狀態(tài)下的動(dòng)作的示意性剖面圖。
[0043]標(biāo)記說(shuō)明
[0044]1:半導(dǎo)體基體
[0045]2:漂移區(qū)域
[0046]4:電場(chǎng)緩和區(qū)域
[0047]6:氧化膜
[0048]7:側(cè)壁
[0049]8:槽
[0050]9:陽(yáng)極電極
[0051]10:陰極電極
[0052]11:第一主面
[0053]12:第二主面
[0054]15:犧牲氧化膜
[0055]19:多晶硅膜
[0056]22:側(cè)壁
[0057]81:微型溝
[0058]91:第一導(dǎo)電型陽(yáng)極電極區(qū)域
[0059]92:第二導(dǎo)電型陽(yáng)極電極區(qū)域
[0060]100:半導(dǎo)體裝置
【具體實(shí)施方式】
[0061]接著，參照【附圖說(shuō)明】本發(fā)明的實(shí)施方式。在以下附圖的記載中，對(duì)相同或類似的部分標(biāo)注相同或類似的標(biāo)記。但是，附圖為示意性的圖示，應(yīng)注意到厚度和平面尺寸的關(guān)系、各層厚度的比率等與現(xiàn)實(shí)不同。因此，具體的厚度或尺寸應(yīng)參考以下的說(shuō)明進(jìn)行判斷?；蛟诟綀D相互間，顯然也包含各自的尺寸關(guān)系或比率不同的部分。
[0062]或者，以下所示的實(shí)施方式示例用于將本發(fā)明的技術(shù)思想具體化的裝置及方法，本發(fā)明的實(shí)施方式不將構(gòu)成零件的材質(zhì)、形狀、構(gòu)造、配置等特定于下述記載。本發(fā)明的實(shí)施方式可以在權(quán)利要求的范圍內(nèi)追加各種變更。
[0063](第一實(shí)施方式)
[0064]如圖1所示，本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置100具備:半導(dǎo)體基體1、第一導(dǎo)電型的漂移區(qū)域2、第二導(dǎo)電型的電場(chǎng)緩和區(qū)域4。漂移區(qū)域2在其上部的一部分具有槽且配置在半導(dǎo)體基體I的第一主面11上。電場(chǎng)緩和區(qū)域4僅配置于在漂移區(qū)域2形成的槽底部中除了中央部以外的角部的周?chē)?。電?chǎng)緩和區(qū)域4雖然配置于槽側(cè)面的周?chē)磁渲糜诓鄣撞恐械慕遣恳酝獾膮^(qū)域的周?chē)?br>[0065]第一導(dǎo)電型和第二導(dǎo)