、m4是從第一端口（供電側(cè)端口）P1觀 察到的阻抗。另外，標記ml、m3是884MHz (低頻帶）下的阻抗，標記m2、m4是1. 94GHz (高 頻帶）下的阻抗。從標記ml所示的低頻帶下的第二端口（天線側(cè)端口）P2觀察到的阻抗 為13 Q，從標記m2所示的高頻帶下的第二端口（天線側(cè)端口）P2觀察到的阻抗為18 Q。
[0049] 由此，與在低頻帶下為13D左右、而在高頻帶下為18D左右的天線相匹配。
[0050] 圖12(A)、圖12(B)、圖12(C)是表示具備本發(fā)明的阻抗轉(zhuǎn)換電路的天線裝置及其 比較例的電路圖以及頻率特性的圖。圖12(A)是表示天線元件單體狀態(tài)的電路圖及其頻 率特性的圖，圖12(B)是表示具備阻抗匹配用電感器的天線裝置的電路圖及其頻率特性的 圖。上述圖12(A)、圖12(B)均是比較例。圖12(C)是表示具備本發(fā)明的阻抗轉(zhuǎn)換電路的天 線裝置的電路圖以及其頻率特性的圖。
[0051] 圖12(A)、圖12(B)、圖12(C)中，示出了低頻帶下的反射損耗S5、S33、S11以及插 入損耗 S65、S43、S21。
[0052] 如圖12 (A)、圖12⑶所示，若為了阻抗匹配而將規(guī)定的電感器L與供電電路30并 聯(lián)連接，則反射損失將因為諧振而在規(guī)定頻率下變小，由于設(shè)置了電感器L，因此其諧振頻 率小于天線元件單體情況下的諧振頻率。圖12 (A)中，由標記m5表示的頻率為926MHz，圖 12⑶中，由標記m3表示的頻率為888MHz。因此，需要同時對天線元件11及阻抗匹配電路 進行設(shè)計。對此，如圖12(C)所示，根據(jù)本發(fā)明的阻抗轉(zhuǎn)換電路，負電感（-M)與天線元件11 的供電點串聯(lián)連接，因此能實現(xiàn)阻抗匹配，而諧振頻率不會極端地下降。圖12(C)中，由標 記ml表示的頻率為967MHz。
[0053]《實施方式2》 圖13是考慮了實施方式2所涉及的阻抗轉(zhuǎn)換電路26的初級線圈與次級線圈的配置關(guān) 系后表示出的電路圖。該實施方式所涉及的阻抗轉(zhuǎn)換電路26也與實施方式1所涉及的阻 抗轉(zhuǎn)換電路25-樣，成為由電介質(zhì)的基材層與導(dǎo)體圖案層疊而成的層疊體結(jié)構(gòu)。本實施方 式以后所示的各實施方式在這點上也相同。圖14是阻抗轉(zhuǎn)換電路26的各種導(dǎo)體圖案的立 體圖。其中，圖中描繪了除形成有上述導(dǎo)體圖案的電介質(zhì)的基材層以外的部分。
[0054] 如圖14所示，分別形成由導(dǎo)體圖案L1A、L1B構(gòu)成的第一環(huán)狀導(dǎo)體LP1、由導(dǎo)體圖 案L2C、L1C構(gòu)成的第二環(huán)狀導(dǎo)體LP2、由導(dǎo)體圖案L2A構(gòu)成的第三環(huán)狀導(dǎo)體LP3、以及由導(dǎo) 體圖案L2B構(gòu)成的第四環(huán)狀導(dǎo)體LP4。各層的導(dǎo)體圖案通過過孔導(dǎo)體來進行層間連接。
[0055] 與圖5、圖7所示的實施方式1不同，在第二環(huán)狀導(dǎo)體LP2上形成與第三環(huán)狀導(dǎo)體 LP3 (導(dǎo)體圖案L2A)串聯(lián)連接的導(dǎo)體圖案L2C。
[0056] 通過該結(jié)構(gòu)能增加次級線圈的匝數(shù)以及電感，并能擴大電感轉(zhuǎn)換比的設(shè)定幅度。
[0057] 此外，與此相同地，也可以在第一環(huán)狀導(dǎo)體LP1上形成與第三環(huán)狀導(dǎo)體LP3(導(dǎo)體 圖案L2A)或第四環(huán)狀導(dǎo)體LP4(導(dǎo)體圖案L2B)串聯(lián)連接的導(dǎo)體圖案。另外，也可以在第二 環(huán)狀導(dǎo)體LP2上形成與第四環(huán)狀導(dǎo)體LP4(導(dǎo)體圖案L2B)串聯(lián)連接的導(dǎo)體圖案。
[0058]《實施方式3》 圖15是實施方式3所涉及的阻抗轉(zhuǎn)換電路27A的電路圖。圖16是表示形成于實施方 式3所涉及的阻抗轉(zhuǎn)換電路27A的各基材層的導(dǎo)體圖案的圖。此外，由于基本結(jié)構(gòu)與實施 方式1所涉及的阻抗轉(zhuǎn)換電路25相同，因此此處省略其說明。此示例中，由導(dǎo)體圖案L1B、 L1C來構(gòu)成初級線圈，由導(dǎo)體圖案L2A、L2B來構(gòu)成次級線圈。構(gòu)成初級線圈的導(dǎo)體圖案L1B、 L1C在層方向上相鄰，且并聯(lián)連接。構(gòu)成次級線圈的導(dǎo)體圖案L2A、L2B配置成在層方向上 夾持導(dǎo)體圖案L1B、L1C，從而串聯(lián)連接。
[0059] 如上述實施方式所示，第一環(huán)狀導(dǎo)體LP1及第二環(huán)狀導(dǎo)體LP2也可以全都并聯(lián)連 接。
[0060]《實施方式4》 圖17是實施方式4所涉及的阻抗轉(zhuǎn)換電路27B的電路圖。此外，由于基本結(jié)構(gòu)與實施 方式1所涉及的阻抗轉(zhuǎn)換電路25相同，因此此處省略其說明。此示例中，由導(dǎo)體圖案L1B、 L1C來構(gòu)成初級線圈，由導(dǎo)體圖案L2A、L2B來構(gòu)成次級線圈。構(gòu)成初級線圈的導(dǎo)體圖案L1B、 L1C在層方向上相鄰，且并聯(lián)連接。構(gòu)成次級線圈的導(dǎo)體圖案L2A、L2B配置成在層方向上 夾持導(dǎo)體圖案L1A、L1B，從而并聯(lián)連接。
[0061] 如該實施方式所示，次級線圈也可以全都并聯(lián)連接。
[0062] 如上述幾個實施方式所示，也能夠分別將初級線圈與次級線圈串聯(lián)連接或并聯(lián)連 接。在由兩個電感器構(gòu)成一個線圈時，若將一個電感器的電感用Lu表示，則在串聯(lián)連接的 情況下，線圈的電感成為LuX 2,而在并聯(lián)連接的情況下，線圈的電感值稱為Lu/2。此外，與 將線圈配置于外側(cè)的層的情況相比，在配置于內(nèi)側(cè)的層的情況下，自感增強，電感增大。
[0063] 因此，根據(jù)初級線圈與次級線圈的耦合系數(shù)k、初級線圈與次級線圈的電感值，來 決定初級線圈與次級線圈的連接方式及內(nèi)外側(cè)的配置關(guān)系即可。
[0064] 此外，在以上所示的示例中，示出了第一高頻電路為供電電路、第二高頻電路為天 線的示例，但本發(fā)明并不局限于此，也可以適用于一般連接在第一高頻電路與第二高頻電 路之間的阻抗轉(zhuǎn)換電路中。
[0065] 此處，示例出初級線圈與次級線圈的連接方式及阻抗轉(zhuǎn)換比之間的關(guān)系。
[0066]
【主權(quán)項】
1. 一種阻抗轉(zhuǎn)換電路，該阻抗轉(zhuǎn)換電路通過在層疊多個基材層而構(gòu)成的層疊巧體中設(shè) 有進行變壓器禪合的第一線圈元件及第二線圈元件而構(gòu)成，其特征在于， 第一線圈元件由設(shè)置于所述層疊巧體的不同層的第一環(huán)狀導(dǎo)體及第二環(huán)狀導(dǎo)體構(gòu)成， 第二線圈元件由設(shè)置于所述層疊巧體的不同層的第=環(huán)狀導(dǎo)體及第四環(huán)狀導(dǎo)體構(gòu)成， 從層疊方向俯視時，第一環(huán)狀導(dǎo)體、第二環(huán)狀導(dǎo)體、第=環(huán)狀導(dǎo)體及第四環(huán)狀導(dǎo)體大致 呈相同形狀， 第一環(huán)狀導(dǎo)體及第二環(huán)狀導(dǎo)體在層方向上夾持于第=環(huán)狀導(dǎo)體與第四環(huán)狀導(dǎo)體之間， 第一環(huán)狀導(dǎo)體及第二環(huán)狀導(dǎo)體中的至少一部分并聯(lián)連接。
2. 如權(quán)利要求1所述的阻抗轉(zhuǎn)換電路，其特征在于， 利用所述第一環(huán)狀導(dǎo)體的一部分及所述第二環(huán)狀導(dǎo)體的一部分來構(gòu)成并聯(lián)電路，或利 用所述第一環(huán)狀導(dǎo)體的一部分及整個所述第二環(huán)狀導(dǎo)體來構(gòu)成并聯(lián)電路，并分別將所述第 一環(huán)狀導(dǎo)體的剩余部分及所述第二環(huán)狀導(dǎo)體的剩余部分與所述并聯(lián)電路串聯(lián)連接。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的阻抗轉(zhuǎn)換電路，其特征在于， 在形成所述第一環(huán)狀導(dǎo)體或所述第二環(huán)狀導(dǎo)體的層上形成與所述第=環(huán)狀導(dǎo)體或所 述第四環(huán)狀導(dǎo)體串聯(lián)連接的導(dǎo)體圖案。
4. 如權(quán)利要求1至3中任一項所述的阻抗轉(zhuǎn)換電路，其特征在于， 所述第=環(huán)狀導(dǎo)體及所述第四環(huán)狀導(dǎo)體串聯(lián)連接。
5. 如權(quán)利要求1至4中任一項所述的阻抗轉(zhuǎn)換電路，其特征在于， 所述第一環(huán)狀導(dǎo)體、所述第二環(huán)狀導(dǎo)體、所述第=環(huán)狀導(dǎo)體及所述第四環(huán)狀導(dǎo)體分別 在每一層上形成為大致一應(yīng)的環(huán)狀。
6. 如權(quán)利要求1至5中任一項所述的阻抗轉(zhuǎn)換電路，其特征在于， 所述第一環(huán)狀導(dǎo)體、所述第二環(huán)狀導(dǎo)體、所述第=環(huán)狀導(dǎo)體或所述第四環(huán)狀導(dǎo)體中的 至少某個在多個基材層的整面上形成多應(yīng)環(huán)。
7. 如權(quán)利要求1至5中任一項所述的阻抗轉(zhuǎn)換電路，其特征在于， 所述第一環(huán)狀導(dǎo)體、所述第二環(huán)狀導(dǎo)體、所述第=環(huán)狀導(dǎo)體或所述第四環(huán)狀導(dǎo)體中的 至少某個形成在多個基材層上且將其并聯(lián)連接。
8. 如權(quán)利要求1至7中任一項所述的阻抗轉(zhuǎn)換電路，其特征在于， 層疊多組由所述第一環(huán)狀導(dǎo)體及所述第二環(huán)狀導(dǎo)體構(gòu)成的組。
9. 如權(quán)利要求1至8中任一項所述的阻抗轉(zhuǎn)換電路，其特征在于， 具備；與所述第一線圈元件的第一端相連的供電端口、與所述第一線圈元件的第二端 及所述第二線圈元件的第一端相連的天線端口、W及與所述第二線圈元件的第二端相連的 接地端口。
10. -種無線通信裝置，該無線通信裝置具有無線通信電路，其特征在于， 在無線通信電路中具備如權(quán)利要求1至9中任一項所述的阻抗轉(zhuǎn)換電路。
【專利摘要】第一線圈元件由第一環(huán)狀導(dǎo)體(LP1)及第二環(huán)狀導(dǎo)體(LP2)構(gòu)成。第二線圈元件由第三環(huán)狀導(dǎo)體(LP3)及第四環(huán)狀導(dǎo)體(LP4)構(gòu)成。第一環(huán)狀導(dǎo)體(LP1)及第二環(huán)狀導(dǎo)體(LP2)在層方向上夾持于第三環(huán)狀導(dǎo)體(LP3)與第四環(huán)狀導(dǎo)體(LP4)之間。作為第一環(huán)狀導(dǎo)體(LP1)的一部分的導(dǎo)體圖案(L1B)以及作為第二環(huán)狀導(dǎo)體(LP2)的一部分的導(dǎo)體圖案(L1C)并聯(lián)連接。此外，作為第一環(huán)狀導(dǎo)體(LP1)的剩余部分的導(dǎo)體圖案(L1A)以及作為第二環(huán)狀導(dǎo)體(LP2)的剩余部分的導(dǎo)體圖案(L1D)分別與所述并聯(lián)電路串聯(lián)連接。
【IPC分類】H01F27-42, H01Q1-50
【公開號】CN104685713
【申請?zhí)枴緾N201380050718
【發(fā)明人】石塚健一
【申請人】株式會社村田制作所
【公開日】2015年6月3日
【申請日】2013年9月11日
【公告號】US20150180440, WO2014050552A1