極輸出、共用漏極輸入及隔離獨立源極輸出。這些MOSFET RF開關(guān)裝置112及114可在微波頻率(例如，2GHz到6GHz)下操作。MOSFET RF開關(guān)裝置112及114可為單柵極、雙柵極、三柵極等晶體管。MOSFET RF開關(guān)裝置112及114還可配置為互補金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(CMOS FET)開關(guān)?？赏ㄟ^柵極330及332分別控制MOSFET RF開關(guān)裝置112及114中的每一者。
[0025]參考圖4，描繪根據(jù)本發(fā)明的特定實例實施例的2G單極雙投(STOT)開關(guān)及5G單極雙投(STOT)開關(guān)及2G/5G雙工器的示意性框圖。2G開關(guān)800a分別耦合于2G/5G雙工器830與2G發(fā)射及接收端口 106a及104a之間。5G開關(guān)800b分別耦合于2G/5G雙工器830與5G發(fā)射及接收端口 106b及104b之間。2G/5G雙工器830進一步耦合到雙頻天線端口102。
[0026]參考圖5，描繪根據(jù)本發(fā)明的特定實例實施例的在圖4中展示的2G單極雙投(SPDT)開關(guān)的更詳細(xì)示意圖。通常由數(shù)字800a表示的2G SPDT RF開關(guān)可包括第一節(jié)點102a、第二節(jié)點104a及第三節(jié)點106a?？墒褂脙蓚€RF開關(guān)裝置(例如，MOSFET RF開關(guān))914a及912a分別執(zhí)行節(jié)點102a與104a之間或節(jié)點102a與106a之間的開關(guān)動作。兩個RF開關(guān)裝置912a及914a中的每一者具備耦合到共用節(jié)點102a的單獨的相關(guān)聯(lián)DC阻斷電容器。MOSFET RF開關(guān)裝置912a是使用DC阻斷電容器220a從節(jié)點102a阻斷DC電壓且使用DC電壓阻斷電容器918a從節(jié)點106a阻斷DC電壓。MOSFET RF開關(guān)裝置914a是使用DC電壓阻斷電容器222a從節(jié)點102a阻斷DC電壓且使用DC電壓阻斷電容器916a從節(jié)點104a阻斷DC電壓。在2G發(fā)射器(未圖示)發(fā)射到節(jié)點106a中時可使用進一步MOSFETRF開關(guān)裝置932a防止接收節(jié)點104a的損害。MOSFET RF開關(guān)裝置932a可使用DC阻斷電容器934a阻斷DC電壓。細(xì)導(dǎo)體224a (及326a)如上文描述運作。
[0027]參考圖6，描繪根據(jù)本發(fā)明的特定實例實施例的在圖4中展示的5G單極雙投(SPDT)開關(guān)的更詳細(xì)示意圖。通常由數(shù)字800b表示的5G SPDT RF開關(guān)可包括第一節(jié)點102b、第二節(jié)點104b及第三節(jié)點106b。可使用RF開關(guān)裝置(例如，MOSFET RF開關(guān))914b執(zhí)行節(jié)點102b與104b之間的開關(guān)動作?？墒褂么?lián)連接的RF開關(guān)裝置(例如，MOSFETRF開關(guān))912b及1013執(zhí)行節(jié)點102b與106b之間的開關(guān)動作。RF開關(guān)裝置912a及串聯(lián)連接的RF開關(guān)裝置914a及1013具備耦合到共用節(jié)點102a的單獨的相關(guān)聯(lián)DC阻斷電容器。MOSFET RF開關(guān)裝置912a及1013是使用DC阻斷電容器220b從節(jié)點102b阻斷DC電壓且使用DC電壓阻斷電容器918b從節(jié)點106b阻斷DC電壓。MOSFET RF開關(guān)裝置914b是使用DC電壓阻斷電容器222ba從節(jié)點102b阻斷DC電壓且使用DC電壓阻斷電容器916b從節(jié)點104b阻斷DC電壓。在5G發(fā)射器(未圖示)發(fā)射到節(jié)點106b中時可使用進一步MOSFETRF開關(guān)裝置932b防止接收節(jié)點104b的損害。MOSFET RF開關(guān)裝置932b可使用DC阻斷電容器934b阻斷DC電壓。細(xì)導(dǎo)體224a (及326a)如上文描述運作。
[0028]雖然已描繪、描述且通過參考本發(fā)明的實例實施例界定本發(fā)明的實施例，但此類參考并非暗指對本發(fā)明的限制，且無法推斷此限制。如得益于本發(fā)明的所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將想到，所揭示的標(biāo)的物能夠在形式及功能上有大幅修改、替代及等效。所描繪及描述的本發(fā)明的實施例僅為實例，且未窮盡本發(fā)明的范圍。
【主權(quán)項】
1.一種射頻RF單極雙投SPDT開關(guān)，其包括: 第一節(jié)點； 第一 RF開關(guān)裝置； 第二 RF開關(guān)裝置； 第一直流電DC阻斷電容器，其耦合于所述第一節(jié)點與所述第一 RF開關(guān)裝置之間； 第二 DC阻斷電容器，其耦合于所述第一節(jié)點與所述第二 RF開關(guān)裝置之間； 第二節(jié)點； 第三DC阻斷電容器，其耦合于所述第二節(jié)點與所述第一 RF開關(guān)裝置之間； 第三節(jié)點； 第四DC阻斷電容器，其耦合于所述第三節(jié)點與所述第二 RF開關(guān)裝置之間；以及細(xì)導(dǎo)電線，其具有耦合于所述第一 DC阻斷電容器與所述第一 RF開關(guān)裝置之間的第一末端，及耦合于所述第二DC阻斷電容器與所述第二 RF開關(guān)裝置之間的其的第二末端，其中所述細(xì)導(dǎo)電線在所述第一 RF開關(guān)裝置與所述第二 RF開關(guān)裝置之間提供DC路徑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RFSPDT開關(guān)，其中所述第一 RF開關(guān)裝置及所述第二 RF開關(guān)裝置包括第一金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOSFET及第二金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOSFET。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的RFSPDT開關(guān)，其中所述第一 MOSFET及所述第二 MOSFET包括互補金屬氧化物半導(dǎo)體CMOS MOSFETo
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RFSPDT開關(guān)，其中所述第一 RF開關(guān)裝置及所述第二 RF開關(guān)裝置在吉赫頻率下操作。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RFSPDT開關(guān)，其中所述細(xì)導(dǎo)電線的寬度約為四微米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RFSPDT開關(guān)，其中所述細(xì)導(dǎo)電線的長度經(jīng)調(diào)整以用于所述第二節(jié)點與所述第三節(jié)點之間的最佳隔離。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RFSPDT開關(guān)，其中所述細(xì)導(dǎo)電線的長度經(jīng)調(diào)整以降低所述第一節(jié)點與所述第二節(jié)點之間及所述第一節(jié)點與所述第三節(jié)點之間的插入損耗。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RFSPDT開關(guān)，其中所述RF SPDT開關(guān)制造于集成電路裸片上。
9.一種射頻RF單極雙投SPDT開關(guān)，其包括: 第一節(jié)點； 第一 RF開關(guān)裝置； 第二 RF開關(guān)裝置； 第一直流電DC阻斷電容器，其耦合于所述第一節(jié)點與所述第一 RF開關(guān)裝置之間； 第二 DC阻斷電容器，其耦合于所述第一節(jié)點與所述第二 RF開關(guān)裝置之間； 第二節(jié)點； 第三DC阻斷電容器，其耦合于所述第二節(jié)點與所述第一 RF開關(guān)裝置之間； 第三節(jié)點； 第四DC阻斷電容器，其耦合于所述第三節(jié)點與所述第二 RF開關(guān)裝置之間；以及第一細(xì)導(dǎo)電線及第二細(xì)導(dǎo)電線，其具有耦合于所述第一 DC阻斷電容器與所述第一 RF開關(guān)裝置之間的第一末端，及耦合于所述第二 DC阻斷電容器與所述第二 RF開關(guān)裝置之間的其第二末端，其中所述第一細(xì)導(dǎo)電線及所述第二細(xì)導(dǎo)電線在所述第一 RF開關(guān)裝置與所述第二 RF開關(guān)裝置之間提供DC路徑。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的RFSPDT開關(guān)，其中所述第一 RF開關(guān)裝置及所述第二 RF開關(guān)裝置包括第一金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOSFET及第二金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOSFET。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的RFSPDT開關(guān)，其中所述第一 MOSFET及所述第二 MOSFET包括互補金屬氧化物半導(dǎo)體CMOS MOSFETo
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的RFSPDT開關(guān)，其中所述第一 RF開關(guān)裝置及所述第二 RF開關(guān)裝置在吉赫頻率下操作。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的RFSPDT開關(guān)，其中所述第一細(xì)導(dǎo)電線及所述第二細(xì)導(dǎo)電線中的每一者的寬度約為四微米。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的RFSPDT開關(guān)，其中所述第一細(xì)導(dǎo)電線及所述第二細(xì)導(dǎo)電線的長度經(jīng)調(diào)整以用于所述第二節(jié)點與所述第三節(jié)點之間的最佳隔離、所述第一節(jié)點與所述第二節(jié)點之間的降低插入損耗及所述第一節(jié)點與所述第三節(jié)點之間的降低插入損耗。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的RFSPDT開關(guān)，其中所述RF SPDT開關(guān)制造于集成電路裸片上。
16.一種射頻RF單極雙投SPDT開關(guān)，其包括: 第一節(jié)點； 第一 RF開關(guān)裝置； 第二 RF開關(guān)裝置； 第一直流電DC阻斷電容器，其耦合于所述第一節(jié)點與所述第一 RF開關(guān)裝置之間； 第二 DC阻斷電容器，其耦合于所述第一節(jié)點與所述第二 RF開關(guān)裝置之間； 第二節(jié)點； 第三DC阻斷電容器，其耦合于所述第二節(jié)點與所述第一 RF開關(guān)裝置之間； 第三節(jié)點； 第四DC阻斷電容器，其耦合于所述第三節(jié)點與所述第二 RF開關(guān)裝置之間；以及 多個細(xì)導(dǎo)電線，其具有耦合于所述第一 DC阻斷電容器與所述第一 RF開關(guān)裝置之間的第一末端，及耦合于所述第二 DC阻斷電容器與所述第二 RF開關(guān)裝置之間的其第二末端，其中所述多個細(xì)導(dǎo)電線在所述第一 RF開關(guān)裝置與所述第二 RF開關(guān)裝置之間提供DC路徑。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的RFSPDT開關(guān)，其中所述第一 RF開關(guān)裝置及所述第二 RF開關(guān)裝置包括第一金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOSFET及第二金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOSFET。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的RFSPDT開關(guān)，其中所述第一 MOSFET及所述第二 MOSFET包括互補金屬氧化物半導(dǎo)體CMOS MOSFETo
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的RFSPDT開關(guān)，其中所述第一 RF開關(guān)裝置及所述第二 RF開關(guān)裝置在吉赫頻率下操作。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的RFSPDT開關(guān)，其中所述第一細(xì)導(dǎo)電線及所述第二細(xì)導(dǎo)電線中的每一者的寬度約為四微米。
21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的RFSPDT開關(guān)，其中所述多個細(xì)導(dǎo)電線的長度經(jīng)調(diào)整以用于所述第二節(jié)點與所述第三節(jié)點之間的最佳隔離、所述第一節(jié)點與所述第二節(jié)點之間的降低插入損耗及所述第一節(jié)點與所述第三節(jié)點之間的降低插入損耗。
22.根據(jù)權(quán)利要求16所述的RF SPDT開關(guān)，其中所述RF SPDT開關(guān)制造于集成電路裸片上。
【專利摘要】一種單極雙投SPDT開關(guān)(200)制造于集成電路IC上且可包括兩個射頻RF開關(guān)裝置(112,114)，所述兩個射頻開關(guān)裝置中的每一者具有耦合于相應(yīng)RF開關(guān)裝置與共用節(jié)點(102)之間的單獨DC阻斷電容器。在所述兩個RF開關(guān)裝置之間使用細(xì)導(dǎo)電線(224)提供DC連接。此細(xì)導(dǎo)電線提供所述兩個RF開關(guān)裝置之間的增大的隔離及減小的插入損耗。通過在符合阻抗匹配條件時通過所述細(xì)導(dǎo)電線的特性阻抗調(diào)諧所述線而實現(xiàn)所述增大的隔離和/或減小的插入損耗。通過使用進一步降低細(xì)電線電感的兩個或兩個以上細(xì)導(dǎo)電線可實質(zhì)上降低在所述SPDT開關(guān)中的非所要電路諧振。
【IPC分類】H03H7-46, H01P1-213, H01P1-203, H01P1-15
【公開號】CN104685704
【申請?zhí)枴緾N201480002544
【發(fā)明人】永林·柯
【申請人】密克羅奇普技術(shù)公司
【公開日】2015年6月3日
【申請日】2014年2月28日
【公告號】US8909169, US20140256272, WO2014137821A1, WO2014137821A8