圖72提供了示出接觸印刷和平面化處理步驟的示意圖。
[0115] 圖73提供了示出金屬化處理的結(jié)果的圖像。
[0116] 圖74提供了金屬化處理的示意圖，其示出了 A1金屬層、Si化介電層X(jué)r/Au層、太 陽(yáng)能電池、平面化層和器件襯底。
[0117] 圖75A和75B提供了例性地展示了用在本說(shuō)明書(shū)中的措辭"側(cè)向尺寸"和"橫截面 尺寸"的示意圖。圖75A提供了包含4個(gè)半導(dǎo)體帶6005的可印刷半導(dǎo)體單元的俯視平面 圖。在本說(shuō)明書(shū)的上下文中，措辭"側(cè)向尺寸"由半導(dǎo)體帶6005的長(zhǎng)度6000和寬度6010例 示。圖75B提供了包含4個(gè)半導(dǎo)體帶6005的可印刷半導(dǎo)體元件的橫截面視圖。
[0118] 圖76示出了印刷在PET襯底上的可印刷GaAs/InGaAlP紅色LED。
【具體實(shí)施方式】
[0119] 參照附圖，相同的數(shù)字指示相同的元件，在一幅W上的附圖中出現(xiàn)的相同數(shù)字指 示相同的元件。另外，在下文中應(yīng)用W下限定：
[0120] 被應(yīng)用于光學(xué)器件和光學(xué)構(gòu)件的"聚集（collecting)"和"會(huì)聚 (concentrating)"，是指光學(xué)構(gòu)件和器件構(gòu)件的該樣的特性；它們將光從相對(duì)大的面積導(dǎo) 出，并將該光導(dǎo)到另一面積，所述另一面積在某些情形下是較小的面積。在某些實(shí)施方案的 上下文中，聚集和會(huì)聚光學(xué)構(gòu)件和/或光學(xué)構(gòu)件可用于印刷式無(wú)機(jī)太陽(yáng)能電池或光電二極 管的光檢測(cè)或電能收獲。
[0121] "可印刷"涉及可W在不將襯底曝光在高溫下（即在低于或等于約400攝氏度的溫 度下）實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)移、組裝、圖案化、組織和/或集成到襯底上或內(nèi)部的材料、結(jié)構(gòu)、器件組件和/ 或集成的功能器件。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案中，可印刷材料、元件、器件組件w及器件可 W通過(guò)溶液印刷或接觸印刷轉(zhuǎn)移、組裝、圖案化、組織和/或集成到襯底上或內(nèi)部。
[0122] 本發(fā)明的"可印刷半導(dǎo)體元件"包含該樣的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；其能夠被組裝和/或集成 在襯底表面上，例如使用干轉(zhuǎn)移接觸印刷和/或溶液印刷方法。在一個(gè)實(shí)施方案中，本發(fā)明 的可印刷半導(dǎo)體元件是一元單晶（unitary single C巧stalline)、多晶或微晶無(wú)機(jī)半導(dǎo)體 結(jié)構(gòu)。在一個(gè)實(shí)施方案中，可印刷半導(dǎo)體元件經(jīng)由一個(gè)或多個(gè)橋接元件連接到襯底，諸如母 晶片。在本說(shuō)明書(shū)的上下文中，一元結(jié)構(gòu)是具有機(jī)械相連的部件的整體元件。本發(fā)明的半 導(dǎo)體元件可W是未慘雜的或慘雜的，可W具有選定的慘雜劑空間分布，并可W慘雜有多種 不同的慘雜劑材料，包括P和N型慘雜劑。本發(fā)明的可印刷半導(dǎo)體元件和結(jié)構(gòu)可W包括貫 穿該些元件的一個(gè)維度的洞或穿孔，W通過(guò)引入化學(xué)釋放劑幫助該些元件從晶片上釋放。 本發(fā)明包括微結(jié)構(gòu)可印刷半導(dǎo)體元件，其至少一個(gè)橫截面尺寸（例如厚度）選自1微米至 1000微米的范圍。本發(fā)明包括納米結(jié)構(gòu)的可印刷半導(dǎo)體元件，其至少一個(gè)橫截面尺寸（例 如厚度）選自1納米至1000納米的范圍。在一個(gè)實(shí)施方案中，本發(fā)明的可印刷半導(dǎo)體元件 的厚度尺寸小于或等于1000微米，對(duì)于某些應(yīng)用優(yōu)選地厚度尺寸小于或等于100微米，對(duì) 于某些應(yīng)用優(yōu)選地厚度尺寸小于或等于10微米W及對(duì)于某些應(yīng)用優(yōu)選地厚度尺寸小于或 等于1微米。
[0123] 適用于許多應(yīng)用的可印刷半導(dǎo)體元件包含一些通過(guò)對(duì)高純度體材料一諸如使 用常規(guī)高溫處理技術(shù)產(chǎn)生的高純度晶體半導(dǎo)體晶片一的"自頂而下"處理而獲得的元 件。在本發(fā)明的某些方法和系統(tǒng)中，本發(fā)明的可印刷半導(dǎo)體元件包含復(fù)合異質(zhì)結(jié)構(gòu)，該復(fù)合 異質(zhì)結(jié)構(gòu)具有可操作性地連接到或W其他方式集成到至少一個(gè)附加器件構(gòu)件或結(jié)構(gòu)的半 導(dǎo)體，所述附加器件構(gòu)件或結(jié)構(gòu)諸如是導(dǎo)電層、介電層、電極、附加半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)或它們的任 意結(jié)合。在本發(fā)明的某些方法和系統(tǒng)中，可印刷半導(dǎo)體元件包含與至少一個(gè)附加結(jié)構(gòu)集成 的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述附加結(jié)構(gòu)選自：另一個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；介電結(jié)構(gòu)；導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；和光學(xué)結(jié)構(gòu) (例如，光學(xué)涂層，反射器，窗口，光纖，聚集、漫射或會(huì)聚光學(xué)器件等等）。在本發(fā)明的某些 方法和系統(tǒng)中，可印刷半導(dǎo)體元件包含與至少一個(gè)電子器件構(gòu)件集成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述 電子器件構(gòu)件選自：電極；介電層；光學(xué)涂層；金屬接觸墊；和半導(dǎo)體溝道。在本發(fā)明的某些 方法和系統(tǒng)中，本發(fā)明的可印刷半導(dǎo)體元件包含可拉伸半導(dǎo)體元件、可彎曲半導(dǎo)體元件和/ 或異質(zhì)半導(dǎo)體元件（例如，與一種或多種附加材料一諸如電介質(zhì)、其他半導(dǎo)體、導(dǎo)體、陶瓷 等等一集成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)）?？捎∷雽?dǎo)體元件包括可印刷半導(dǎo)體器件和其構(gòu)件，該可印 刷半導(dǎo)體器件和其構(gòu)件包括但不限于可印刷LED、激光器、太陽(yáng)能電池、p-n節(jié)、光生伏打電 池、光電二極管、二極管、晶體管、集成電路和傳感器。
[0124] "橫截面尺寸"指器件、器件構(gòu)件或材料的橫截面的尺寸。橫截面尺寸包括可印刷 半導(dǎo)體元件的厚度、直徑或半徑。例如，具有條帶形狀的可印刷半導(dǎo)體元件的特征在于厚度 橫截面尺寸。例如，具有柱面形狀的可印刷半導(dǎo)體元件的特征在于直徑（或半徑）橫截面 尺寸。
[0125] "縱向上的取向處于基本平行的配置中"指該樣的取向，即諸如可印刷半導(dǎo)體元件 的一群元件的縱軸基本平行于所選的校準(zhǔn)軸取向。在該定義的上下文中，基本平行于所選 軸指的是在絕對(duì)平行取向10度W內(nèi)的取向，更優(yōu)選地為在絕對(duì)平行取向5度W內(nèi)的取向。
[0126] 術(shù)語(yǔ)"柔性"和"可彎曲"在本說(shuō)明書(shū)中被同義地使用，指材料、結(jié)構(gòu)、器件或器件 構(gòu)件變形為彎曲形狀而不經(jīng)歷一些引入顯著應(yīng)力的變換的能力，該應(yīng)力例如是表征材料、 結(jié)構(gòu)、器件或者器件構(gòu)件的失效點(diǎn)的應(yīng)力。在一個(gè)示例性實(shí)施方案中，柔性材料、結(jié)構(gòu)、器件 或器件構(gòu)件可W被變形為彎曲形狀，同時(shí)不引入大于或等于5%的應(yīng)力，對(duì)于某些應(yīng)用優(yōu)選 地不引入大于或等于1 %的應(yīng)力，對(duì)于某些應(yīng)用更優(yōu)選地不引入大于或等于0. 5 %的應(yīng)力。
[0127]"半導(dǎo)體"指為任意一種如下的材料，該材料在非常低的溫度是絕緣體，但在大約 300開(kāi)爾文的溫度具有明顯的電導(dǎo)率。在本說(shuō)明書(shū)中，術(shù)語(yǔ)"半導(dǎo)體"的使用意在與該術(shù)語(yǔ) 在微電子和電學(xué)器件領(lǐng)域中的使用一致。適用于本發(fā)明的半導(dǎo)體可W包含元素半導(dǎo)體，諸 如娃、錯(cuò)和金剛石，W及化合物半導(dǎo)體，諸如；IV族化合物半導(dǎo)體諸如SiC和SiGe，III-V族 半導(dǎo)體諸如AlSb、AlAs、Aln、AlP、BN、Ga訊、GaAs、GaN、GaP、InSb、InAs、InN和InP，III-V 族H元半導(dǎo)體合金諸如AlxGai_,As，II-VI族半導(dǎo)體諸如CsSe、CdS、CdTe、化0、aiSe、ZnS和 化Te，I-VII族半導(dǎo)體諸如化Cl, IV-VI族半導(dǎo)體諸如PbS、PbTe和SnS，層半導(dǎo)體諸如Pbl2、 M0S2和GaSe，氧化物半導(dǎo)體諸如化0和化2〇。術(shù)語(yǔ)"半導(dǎo)體"包括本征半導(dǎo)體和慘雜有一 種或多種選定材料W提供適用于給定應(yīng)用或器件的有益的電學(xué)特性的非本征半導(dǎo)體，非本 征半導(dǎo)體包括具有P型慘雜材料和n型慘雜材料的半導(dǎo)體。術(shù)語(yǔ)"半導(dǎo)體"包括一些包含 了半導(dǎo)體和/或慘雜劑的混合物的復(fù)合材料。適用于本發(fā)明的某些應(yīng)用的具體半導(dǎo)體材 料包括但不限于 Si、Ge、SiC、A1P、AlAs、A1 訊、GaN、GaP、GaAs、Ga訊、InP、InAs、Ga訊、InP、 InAs、InSb、ZnO、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、機(jī)S、機(jī)Se、PbTe、 AlGaAs、AlInAs、AllnP、GaAsP、GalnAs、GalnP、AlGaAsSb、AlGalnP 和 GalnAsP。多化娃半 導(dǎo)體材料適用于本發(fā)明在傳感器和發(fā)光材料--諸如發(fā)光二極管（LED)和固態(tài)激光--領(lǐng) 域的應(yīng)用。半導(dǎo)體材料的雜質(zhì)是除該半導(dǎo)體材料自身W外的原子、元素、離子和/或分子， 或提供到該半導(dǎo)體材料的任何慘雜劑。雜質(zhì)是出現(xiàn)在半導(dǎo)體材料中的可能負(fù)面地影響半導(dǎo) 體材料的電學(xué)特性的并不想要的材料，雜質(zhì)包括但不限于氧、碳和包括重金屬的金屬。重金 屬雜質(zhì)包括但不限于，周期表上銅和鉛之間的元素族、巧、軸，和其所有離子、化合物和/或 配合物（complex)。
[012引"塑料"指通常當(dāng)加熱時(shí)可W被模制或成形并硬化為所需形狀的任何合成的或自 然存在的材料或材料的組合。適用于本發(fā)明的器件和方法的示例性塑料包括但不限于聚合 物、樹(shù)脂、和纖維素衍生物。在本發(fā)明中，術(shù)語(yǔ)塑料意在包括一些包含一種或多種塑料一 其具有一種或多種添加劑一的復(fù)合塑料材料，所述添加劑是諸如結(jié)構(gòu)加強(qiáng)劑、填充劑、纖 維、塑化劑、穩(wěn)定劑、或可W提供所需化學(xué)或物理特性的添加劑。
[0129] "彈性體"指可W被拉伸或變形并回到其原始形狀而不本質(zhì)上永久變形的聚合物 材料。彈性體一般經(jīng)歷本質(zhì)上彈性的變形。適用于本發(fā)明的示例性彈性體可W包含聚合 物、共聚物、聚合物與共聚物的復(fù)合材料或混合物。彈性層指包含至少一個(gè)彈性體的層。彈 性層還可W包括慘雜劑和其他非彈性材料。適用于本發(fā)明的彈性體可W包括但不限于：熱 塑性彈性體、苯己帰類材料（styrenic material)、帰姪類材料（olefenic material)、聚帰 姪、聚氨醋熱塑性彈性體、聚醜胺、合成橡膠、PDMS、聚下二帰、聚異下帰、聚（苯己帰-下二 帰-苯己帰）、聚氨醋、聚氯下二帰、和娃樹(shù)脂。彈性體提供適用于本方法的彈性印模。
[0130] "轉(zhuǎn)移器件"指能夠接收、重定位、組裝和/或集成元件或元件陣列一諸如一個(gè)或 多個(gè)可印刷半導(dǎo)體元件一的器件或器件構(gòu)件。適用于本發(fā)明的轉(zhuǎn)移器件包括順應(yīng)性轉(zhuǎn)移 器件，其具有一個(gè)或多個(gè)能夠與進(jìn)行轉(zhuǎn)移的元件建立共形接觸的接觸表面。本方法和成分 特別適用于結(jié)合轉(zhuǎn)移器件來(lái)實(shí)施，所述轉(zhuǎn)移器件包含彈性轉(zhuǎn)移器件。適用的彈性轉(zhuǎn)移器件 包括：彈性印模；復(fù)合彈性印模；彈性層；多個(gè)彈性層；和結(jié)合到襯底一諸如玻璃、陶瓷、 金屬或聚合物襯底一的彈性層。
[0131] "大面積"指一個(gè)大于或等于36平方英寸的面積，所述面積，諸如一個(gè)用于器件制 造的襯底的接收表面的面積。
[0132] "共形接觸"指建立在表面、涂覆表面和/或其上沉積有材料的表面之間的接觸， 其可W適用于將結(jié)構(gòu)（諸如可印刷半導(dǎo)體元件）轉(zhuǎn)移、組裝、組織和集成在襯底表面上。在 一方面，共形接觸包括順應(yīng)性轉(zhuǎn)移器件的一個(gè)或多個(gè)接觸表面到襯底表面或諸如可印刷半 導(dǎo)體元件等物體表面的總體形狀的宏觀適配。在另一方面，共形接觸包括順應(yīng)性轉(zhuǎn)移器件 的一個(gè)或多個(gè)接觸表面到襯底表面的微觀適配，其導(dǎo)致無(wú)空隙的緊密接觸。術(shù)語(yǔ)"共形接 觸"意在與該術(shù)語(yǔ)在軟刻蝕領(lǐng)域的使用一致。共形接觸可W建立順應(yīng)性轉(zhuǎn)移器件的一個(gè)或 多個(gè)裸接觸表面和襯底表面之間。替代地，共形接觸可W建立在順應(yīng)性轉(zhuǎn)移器件的一個(gè)或 多個(gè)涂覆接觸表面一例如其上沉積有轉(zhuǎn)移材料、可印刷半導(dǎo)體元件、器件構(gòu)件和/或器件 的接觸表面一和襯底表面之間。替代地，共形接觸可W建立在順應(yīng)性轉(zhuǎn)移器件的一個(gè)或 多個(gè)裸的或涂覆的接觸表面和涂有諸如轉(zhuǎn)移材料的材料、固體光致抗蝕劑層、預(yù)聚物層、液 體、薄膜或流體的襯底表面之間。
[0133] "放置準(zhǔn)確度"指一種轉(zhuǎn)移方法或器件將可印刷元件一諸如可印刷半導(dǎo)體元 件一轉(zhuǎn)移到選定位置的能力，所述選定位置或者關(guān)乎諸如電極之類的其他器件構(gòu)件的位 置，或者關(guān)乎接收表面的選定區(qū)域。"良好的放置"準(zhǔn)確度指能夠?qū)⒖捎∷⒃D(zhuǎn)移到選定 位置的方法和器件一所述選定位置關(guān)乎另一個(gè)器件或器件構(gòu)件，或關(guān)乎接收表面的選定 區(qū)域，同時(shí)與絕對(duì)正確位置的空間偏差小于或等于50微米，對(duì)于某些應(yīng)用更優(yōu)選地小于或 等于20微米，對(duì)于某些應(yīng)用進(jìn)一步優(yōu)選地小于或等于5微米。本發(fā)明提供了包含至少一個(gè) W良好的放置準(zhǔn)確度被轉(zhuǎn)移的可印刷元件的器件。
[0134] "光通信"指兩個(gè)或更多個(gè)元件的配置，其中一個(gè)或更多個(gè)電磁福射束能夠從一個(gè) 元件傳播到其他元件。光通信中的元件可W直接光通信或間接光通信。"直接光通信"指兩 個(gè)或更多個(gè)元件的配置，其中一個(gè)或更多個(gè)電磁福射束直接從第一個(gè)器件元件傳播到另一 個(gè)器件元件，而不使用用于將該些束轉(zhuǎn)向和/或組合的光學(xué)構(gòu)件。在另一方面，"間接光通 信"指兩個(gè)或更多個(gè)元件的配置，其中一個(gè)或更多個(gè)電磁福射束經(jīng)由一個(gè)或多個(gè)器件構(gòu)件 在兩個(gè)元件之間傳播，所述器件構(gòu)件包括但不限于；波導(dǎo)、光纖元件、反射器、濾鏡、棱鏡、透 鏡、光柵和該些器件構(gòu)件的任意結(jié)合。
[01巧]本發(fā)明涉及W下領(lǐng)域；聚集光學(xué)器件、漫射光學(xué)器件、顯示器、拾放組件、垂直腔面 發(fā)射激光器（VCSEL)及其陣列、L邸及其陣列、透明電子器件、光生伏打器件陣列、太陽(yáng)能電 池及其陣列、柔性電子器件、顯微操縱術(shù)（micromanipulation)、塑料電子器件、顯示器、轉(zhuǎn) 移印刷、LED、透明電子器件、可拉伸電子器件、和柔性電子器件。
[0136] 本發(fā)明提供包含了一些經(jīng)由轉(zhuǎn)移印刷技術(shù)組裝和集成的可印刷高品質(zhì)無(wú)機(jī)半導(dǎo) 體元件的光學(xué)器件和器件陣列，例如LED陣列、激光器陣列、光學(xué)傳感器及傳感器陣列、和 光生伏打器件陣列。本發(fā)明的組裝和集成方法包括可印刷半導(dǎo)體元件的干式接觸印刷、用 于制造器件襯底一諸如具有集成光學(xué)構(gòu)件（例如透鏡陣列）的器件襯底一的復(fù)制模制 (r巧lica molding) W及層疊處理步驟。
[0137] 在一個(gè)實(shí)施方案中，本發(fā)明提供了一種新型顯示器，其通過(guò)發(fā)光二極管（LED)或 其他發(fā)光或聚集器件的組件的協(xié)同運(yùn)作來(lái)生成圖像。該圖像可W是高清晰度的一如同計(jì) 算機(jī)監(jiān)視器或電視上的圖像，或可類似于英光燈的方式提供簡(jiǎn)單照明。本發(fā)明由小型 無(wú)機(jī)發(fā)光器件、晶體管和導(dǎo)電互連件的組件構(gòu)成。轉(zhuǎn)移印刷和其他新制造過(guò)程可W被用來(lái) 執(zhí)行該些構(gòu)件的組合并賦予它們新的功能，例如可拉伸性。
[013引本發(fā)明可W構(gòu)筑在多種襯底上，包括剛性材料（例如玻璃）、柔性材料（例如薄塑 料），甚至是可拉伸材料（例如彈性體），該為該些顯示和照明產(chǎn)品賦予了多種益處，包括高 度的透明度、柔性和/或可拉伸性，W及機(jī)械耐用性和低重量。因此本發(fā)明可適用于航空航 天、運(yùn)輸、醫(yī)藥和時(shí)尚的工業(yè)等多種應(yīng)用，包括適用于一些可W動(dòng)態(tài)地適應(yīng)目標(biāo)的復(fù)雜輪廓 的建筑元件和器件中。所使用的發(fā)光二極管（LED)能夠高速運(yùn)作并具有高亮度，使得即使 在全日光下也能夠有效顯示圖像（例如，用于戶外顯示）。
[0139] 本發(fā)明的新式轉(zhuǎn)移印刷和其他制造過(guò)程，除了為顯示器賦予功能外，還使得本發(fā) 明的系統(tǒng)的生產(chǎn)成本能夠低于其他一些用途更少的顯示器（例如常規(guī)L邸顯示器）的生產(chǎn) 成本。該新型轉(zhuǎn)移印刷和其他制造過(guò)程還使得本發(fā)明的系統(tǒng)能夠獲得對(duì)其他顯示技術(shù)（液 晶顯示器、有機(jī)L邸顯示器、常規(guī)L邸顯示器、陰極射線管顯示器等等）而言不可能達(dá)到的 亮度水平、大面積覆蓋、透明度、機(jī)械特性、運(yùn)行壽命和/或分辨率組合。
[0140] 圖1提供了由本發(fā)明提供的光學(xué)系統(tǒng)的示意圖。如圖1所示，本發(fā)明提供了 許多類的光學(xué)系統(tǒng)和制造該些系統(tǒng)的相關(guān)方法，所述光學(xué)系統(tǒng)包括用于光發(fā)生（li曲t generation)的系統(tǒng)和用于光收獲（li曲t harvesting)的系統(tǒng)，其包含具有配準(zhǔn)的集成光 學(xué)構(gòu)件的印刷式無(wú)機(jī)光學(xué)和光電子系統(tǒng)。光發(fā)生系統(tǒng)包括印刷式L邸顯示器、微L邸器件、 無(wú)源矩陣L邸顯示器、有源矩陣L邸顯示器、印刷式VCS化系統(tǒng)和印刷式半導(dǎo)體激光器陣 列，可選地包含光漫射光學(xué)器件、光聚焦光學(xué)器件和/或?yàn)V光光學(xué)器件。光收獲系統(tǒng)包括： 傳感器，諸如人造眼傳感器、球面/平面可轉(zhuǎn)換印模傳感器和球面順應(yīng)性可拉伸半導(dǎo)體基 傳感器；W及光伏系統(tǒng)，諸如光生伏打器件陣列、微太陽(yáng)能電池，可選地包含聚集光學(xué)器件。 本發(fā)明的光學(xué)系統(tǒng)包括可拉伸器件和系統(tǒng)、柔性器件和系統(tǒng)、W及剛性器件和系統(tǒng)。
[0141] 圖2A-E提供了本發(fā)明的包含可印刷半導(dǎo)體元件的光學(xué)系統(tǒng)的示意圖。圖2A示 出了具有集成光學(xué)漫射器的印刷式LED陣列。圖2B示出了娃芯片上的具有集成光纖的 VCS化陣列。圖2C示出了具有集成光學(xué)聚集器的印刷式光生伏打器件陣列。圖2D示出了 聚集透鏡上包含印刷式光電二極管陣列的人造眼傳感器。圖2E示出了平板掃描器（sheet scanner),其兼具感光和光發(fā)生功能，并包含被提供在聚合物或其他低成本襯底上的印刷 式陣列L邸和光電二極管構(gòu)件W及集成聚集光學(xué)器件。
[0142] 圖3提供了制造本發(fā)明的印刷式無(wú)機(jī)有源矩陣L邸顯示器的單個(gè)像素元件的工藝 流程示意圖。圖片1圖示了在襯底上準(zhǔn)備柵極電極的步驟。圖片2圖示了將薄膜粘附劑旋 涂到已圖案化的襯底上的步驟。圖片3圖示了將薄膜晶體管結(jié)構(gòu)印刷在粘附層上（例如使 用接觸印刷）的步驟。圖片4圖示了沉積（或印刷）電極線W互連已印刷的晶體管結(jié)構(gòu)的 步驟。圖片5圖示了將L邸結(jié)構(gòu)印刷在一個(gè)或多個(gè)電極上的步驟。在某些實(shí)施方案中，該 些元件的結(jié)合通過(guò)冷焊實(shí)現(xiàn)。圖片6圖示了封裝或平面化該些器件構(gòu)件，例如使用可光致 固化的環(huán)氧樹(shù)脂。圖片7圖示了將電接點(diǎn)沉積或印刷到LED電極結(jié)構(gòu)的頂部的步驟。
[0143] 圖4提供了玻璃襯底上的印刷式有源矩陣L邸顯示器的示意圖（未按比例）。所 示的顯示器包含100個(gè)像素，并是大約11英寸的顯示器。該器件的薄膜晶體管（TFT)元件、 L邸元件、柵極線、陽(yáng)極線和數(shù)據(jù)線在圖4中示出。TFT和L邸結(jié)構(gòu)經(jīng)由印刷組裝，例如使用 一個(gè)或多個(gè)彈性印模。金屬線用陰影掩模圖案化。底板安置有L邸結(jié)構(gòu)、數(shù)據(jù)及柵極線、和 TFT結(jié)構(gòu)。頂板安置有陽(yáng)極線。
[0144] 圖5提供了（透明）玻璃襯底上的有源矩陣L邸顯示器的單個(gè)像素的照片（圖 5A)和操作電流-電壓特性（圖5B)。如圖5A所示，有源矩陣L邸顯示器的單個(gè)像素包含 印刷式TFT結(jié)構(gòu)、L邸結(jié)構(gòu)、柵極電極和電互連。圖5