個接觸焊盤施加單個測試電位；以及在已施加測試電位之后使所述至少兩個接觸焊盤電短路。
[0274]各種實施例提供了一種用于處理半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括:
提供要測試的半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件具有多個器件單元且具有相互電分離且被耦合到在器件單元中形成的相應(yīng)的電極區(qū)或電極的至少兩個接觸焊盤；
向所述至少兩個接觸焊盤施加一個或多個測試電位以檢測所述多個器件單元中的缺陷；
在已施加所述一個或多個測試電位之后在所述至少兩個接觸焊盤之間形成永久電連接。
[0275]圖15示出了根據(jù)各種實施例的用于處理半導(dǎo)體器件的方法1500。
[0276]方法1500可包括:
提供具有第一焊盤、第二焊盤以及耦合在第一焊盤與第二焊盤之間且在其中第一和第二焊盤經(jīng)由開關(guān)元件而被相互電連接的第一狀態(tài)與其中第一和第二焊盤相互電分離的第二狀態(tài)之間可切換的開關(guān)元件的半導(dǎo)體器件(在1502中)；
在開關(guān)元件處于第二狀態(tài)的同時向第一焊盤和第二焊盤中的至少一個施加至少一個電測試電位(在1504中)；以及
在向第一和第二焊盤中的所述至少一個施加所述至少一個電測試電位之后將開關(guān)元件從第二狀態(tài)切換至第一狀態(tài)(在1506中)。
[0277]在一個或多個實施例中，提供半導(dǎo)體器件可包括在開關(guān)元件處于第一狀態(tài)的情況下提供半導(dǎo)體器件。換言之，當(dāng)提供半導(dǎo)體器件時，開關(guān)元件可處于第一狀態(tài)中。
[0278]在一個或多個實施例中，可在施加所述至少一個電測試電位之前將開關(guān)元件從第一狀態(tài)切換至第二狀態(tài)。
[0279]在一個或多個實施例中，所述第一狀態(tài)可以是開關(guān)元件的休眠狀態(tài)。
[0280]在一個或多個實施例中，可將開關(guān)元件配置為常開晶體管。
[0281]在一個或多個實施例中，可將常開晶體管的第一源極/漏極端子耦合到第一焊盤，并且可將常開晶體管的第二源極/漏極端子耦合到第二焊盤。
[0282]在一個或多個實施例中，術(shù)語“常開晶體管”可包括或者可指的是自導(dǎo)電(self-conducting)晶體管。在一個或多個實施例中，術(shù)語“常開晶體管”可包括或者可指的是當(dāng)未向晶體管的柵極施加控制電壓時或者當(dāng)施加于晶體管的柵極的控制電壓為零或基本上為零時處于導(dǎo)電狀態(tài)或“導(dǎo)通”狀態(tài)的晶體管。
[0283]在一個或多個實施例中，將開關(guān)元件從第一狀態(tài)切換至第二狀態(tài)可包括向開關(guān)元件的控制端子施加控制電壓(例如向常開晶體管的柵極端子施加控制電壓)，并且將開關(guān)元件從第二狀態(tài)切換至第一狀態(tài)可包括關(guān)斷控制電壓的施加。
[0284]在一個或多個實施例中，所述控制電壓可以是非零電壓。在一個或多個實施例中，所述控制電壓可以是小于零的電壓。在一個或多個實施例中，所述控制電壓可以是大于零的電壓。
[0285]在一個或多個實施例中，開關(guān)元件可以是常開晶體管，其中，可例如通過向晶體管的柵極施加適當(dāng)柵極控制電壓、同時施加所述至少一個電測試電位來將晶體管切換至“斷開”狀態(tài)。
[0286]在一個或多個實施例中，一旦不再向晶體管的柵極施加?xùn)艠O控制電壓，就可將常開晶體管從“斷開”狀態(tài)切換回到“導(dǎo)通”狀態(tài)。
[0287]說明性地，例如常開晶體管之類的開關(guān)元件的正常狀態(tài)或休眠狀態(tài)可以是導(dǎo)電的或“導(dǎo)通”，使得可經(jīng)由開關(guān)元件將第一焊盤和第二焊盤相互電連接，并且可暫時地使諸如常開晶體管之類的開關(guān)元件被帶到不導(dǎo)電或“斷開”狀態(tài)，例如達缺陷篩選測試的持續(xù)時間。也就是說，在缺陷篩選測試期間，可由于開關(guān)元件被切換成“斷開”而使第一和第二焊盤相互電分離。在缺陷篩選(或任何其它測試測量)完成之后，開關(guān)元件可例如通過關(guān)斷施加于常開晶體管的柵極的控制電壓而返回到其休眠狀態(tài)，并且可例如經(jīng)由開關(guān)元件被切換成“導(dǎo)通”而將第一和第二焊盤永久地相互電連接。
[0288]在一個或多個實施例中，可將半導(dǎo)體器件配置為具有用于源極多晶硅(XFET)的單獨接觸焊盤的雙多晶硅M0SFET，其中，第一焊盤可以是例如源極多晶硅焊盤且第二焊盤可以是XFET的源極焊盤，如上文所述。然而，在其它實施例中，可根據(jù)本文所述的其它實施例來配置半導(dǎo)體器件，或者其一般地可以是可要求在測試測量(例如缺陷篩選)期間將兩個(或更多)焊盤電分離以便能夠向焊盤施加單個測試電位并在完成測試之后再次被電連接的任何器件。
[0289]在一個或多個實施例中，常開晶體管可包括至少一個溝槽或者可在其中形成。
[0290]在一個或多個實施例中，可將常開晶體管配置為具有橫向電流的晶體管。在一個或多個實施例中，術(shù)語“橫向電流”可包括或者可指的是平行于或基本上平行于芯片表面(例如芯片主處理表面，例如芯片的正面和/或背面)的電流。
[0291]在一個或多個實施例中，常開晶體管可以具有與半導(dǎo)體器件的主晶體管(例如功率晶體管，例如溝槽晶體管，例如XFET)相同導(dǎo)電類型。在一個或多個實施例中，術(shù)語“主晶體管”可包括或指的是由半導(dǎo)體器件的器件單元或單元場實現(xiàn)的晶體管。
[0292]在一個或多個實施例中，可將常開晶體管配置成具有比主晶體管更高的擊穿電壓。這可例如由布局設(shè)計和/或溝槽寬度設(shè)計和/或摻雜分布來實現(xiàn)。例如，在一個或多個實施例中，可與主晶體管的漂移區(qū)不同地(例如，通過使用反向摻雜劑注入)摻雜常開晶體管的漂移區(qū)。
[0293]在一個或多個實施例中，可相對于芯片半導(dǎo)體材料(例如硅)的結(jié)晶取向而以與主晶體管不同的取向來布置常開晶體管。例如，可相對于主晶體管的布局將常開晶體管的布局旋轉(zhuǎn)一定角度，例如45°。例如,在一個或多個實施例中,可相對于芯片半導(dǎo)體材料的主結(jié)晶取向和/或相對于主晶體管的取向而將常開晶體管旋轉(zhuǎn)約45°的角度。例如，在一個或多個實施例中，可使主晶體管的單元溝槽平行于或基本上平行于芯片邊緣對準，同時可使常開晶體管的單元溝槽以與芯片邊緣的例如45°的角對準。說明性地，在一個或多個實施例中，可使常開晶體管(例如晶體管的一個或多個溝槽)在芯片或芯片布局上的“對角線”方向上對準。
[0294]圖16示出了根據(jù)各種實施例的半導(dǎo)體器件1600的布局圖。
[0295]可將半導(dǎo)體器件1600配置為功率晶體管，例如功率場效應(yīng)晶體管，例如功率MOSFET (如所示)，其中，圖16示出了功率晶體管的右上芯片拐角的布局圖。如上文所述，可以以例如與諸如圖1A中所示的類似方式將半導(dǎo)體器件1600配置為包括多個器件單元的溝槽器件?？蓪雽?dǎo)體器件1600配置為XFET器件。
[0296]在一個或多個實施例中，半導(dǎo)體器件1600可形成于半導(dǎo)體工件中或者可以是其一部分，例如晶片或芯片。
[0297]半導(dǎo)體器件1600可包括第一焊盤1602，其可以是被耦合到功率晶體管的源極單元場(例如MOS源極單元場，如所示)的源極焊盤。例如，可將第一焊盤(源極焊盤)1602耦合到器件單元中的源極區(qū)(例如圖1A中的器件單元120中的區(qū)域102)，如上文所述。第一焊盤1602可例如與圖13A中所示的第一焊盤1302相當(dāng)(comparable)。半導(dǎo)體器件1600還可包括第二焊盤1603，其可以是可被耦合到器件單元中的附加電極(例如屏蔽電極)的源極多晶硅(S-多晶硅)焊盤，如上文所述(諸如圖1A中的器件單元120中的電極111)。第二焊盤1603可例如與圖13A中所示的第二焊盤1303相當(dāng)。
[0298]半導(dǎo)體器件1600還可包括被耦合在第一焊盤(源極焊盤)1602與第二焊盤(S-多晶硅焊盤)1603之間的開關(guān)元件1607?？蓪㈤_關(guān)元件1607配置為常開晶體管，如所示。晶體管1607可具有第一源極/漏極端子、第二源極/漏極端子、以及柵極端子?？蓪⒌谝辉礃O/漏極端子耦合到第一焊盤1602且可將第二源極/漏極端子耦合到第二焊盤1603。晶體管1607可包括或者可被配置為溝槽晶體管。
[0299]半導(dǎo)體器件1600還可包括第三焊盤(未示出)，其可以是被耦合到器件單元中的柵極電極(例如圖1A中的器件單元120中的柵極電極109)的功率晶體管的柵極焊盤?？衫缰T如以與圖13A中所示的第三焊盤1304相似的方式將第三焊盤設(shè)置在右下芯片拐角(圖16中未示出)中。半導(dǎo)體器件1600還可包括第四焊盤(未示出)，其可以是被耦合到功率晶體管的漏極區(qū)的功率晶體管的漏極焊盤?？衫鐚⒌谒暮副P(漏極焊盤)設(shè)置在芯片的背面處，同時可將第一焊盤(源極焊盤)1602、第二焊盤(源極多晶硅焊盤)1603以及第三焊盤(柵極焊盤)(未示出)設(shè)置在芯片的正面處。
[0300]半導(dǎo)體器件1600還可包括第五焊盤1608，其可以是常開晶體管1607的柵極焊盤。也就是說，可將第五焊盤1608耦合到常開晶體管1607的柵極端子，使得可經(jīng)由第五焊盤1608向常開晶體管1607的柵極端子施加控制電壓。
[0301]如圖16中所示，MOS源極單元場可從芯片的邊緣凹進某個距離以便容納常開晶體管(和對應(yīng)柵極焊盤1608)和用于XFET的附加源極多晶硅焊盤1603。換言之，根據(jù)某些實施例，可將兩個焊盤1603和1608及常開晶體管集成在芯片的拐角(例如，圖16中所示的示例中的右上拐角)的自由空間中。
[0302]圖17示出了圖16的剖面的放大圖。
[0303]在圖17中，可更清楚地看到常開晶體管1607的直接附近區(qū)域。MOS源極金屬線(在圖中表示為“MOS源極”)從圖的左下方接近于圓圈1607 (指示常開晶體管)，并且源極多晶硅金屬線(在圖中表示為“源極多晶硅”)從圖的右上方接近于常開晶體管1607，并且朝著圖的左側(cè)向單元場溝槽中的源極多晶硅且朝著圖的底部向XFET源極多晶硅焊盤1603延伸(參見圖16)?？稍赬FET缺陷篩選測量期間向常開晶體管1607的柵極(在圖中表示為“常開柵極”)施加非零電壓(例如正電壓)，使得可將MOS源極與單元場溝槽中的源極多晶硅之間的導(dǎo)電連接(否則其將存在)中斷達此缺陷篩選測量的持續(xù)時間。
[0304]根據(jù)一個或多個實施例，可從常開晶體管1607的MOS源極向柵極形成高電阻連接(例如，在圖中表示為“M0hml-4”的高歐姆連接)。在一個或多個實施例中，高歐姆連接可具有在兆歐(ΜΩ )范圍中的電阻，例如大于或等于IMΩ、例如大于或等于2ΜΩ、例如大于或等于5ΜΩ、例如大于或等于1MΩ、例如大于或等于20ΜΩ、例如大于或等于50ΜΩ、例如大于或等于100ΜΩ的電阻，然而其它電阻值也可以是可能的。此高歐姆連接可用來在器件的使用壽命期間增加器件的可靠性。例如，在一個或多個實施例中，此高歐姆連接可防止可能浮置的常開柵極(常開晶體管1607的柵極)累積電荷并最后中斷MOS源極到單元場溝槽中的源極多晶硅的電連接。高歐姆連接可確保放電電流可流動且常開柵極保持在源極電位。換言之，在一個或多個實施例中，高歐姆連接可防止常開晶體管由于其柵極處的電荷累積而在其使用壽命期間的某個點處切斷。
[0305]在一個或多個實施例中，可在長的雙多晶硅溝槽曲徑中(在“M0hm2”處)形成此高歐姆連接。高歐姆連接可從到溝槽中的下多晶硅的接觸開始(在“MOhml”處)，(在“M0hm3”處)從溝槽中的下多晶硅變成上多晶硅，并且最終接觸常開柵極(在“M0hm4”處)。換言之，可提供具有曲折結(jié)構(gòu)1609的溝槽，其中，在曲折溝槽1609中形成下多晶硅和上多晶硅，并且其中，在曲折溝槽1609的一端處，將下多晶硅耦合到MOS源極并將上多晶硅耦合到常開晶體管的柵極，并且其中，在曲折溝槽1609的另一端處，將下多晶硅耦合到上多晶硅。因此，電流可在曲折溝槽結(jié)構(gòu)1609中“來回”流動。
[0306]圖18示出了圖17的剖面的放大圖。
[0307]圖18用于進一步圖示出半導(dǎo)體器件1600的常開晶體管1607的配置。
[0308]根據(jù)一個或多個實施例，例如，相比于單元場溝槽的布局，可用旋轉(zhuǎn)45°的布局來實施常開晶體管1607。這可具有溝槽中的場氧化物厚度明顯比在單元場中更高的效果。這可具有這樣的效果，即在雪崩情形下，晶體管1607的反向電壓(也稱為阻斷電壓)可更高，在某些實施例中例如約10V，如在主單元場中，并且因此主單元場系統(tǒng)將不受干擾。并且，溝槽寬度且因此還有溝槽深度可比在單元場中大，其也可導(dǎo)致較高的擊穿強度?？稍诒恍D(zhuǎn)45°的布局中提供與主單元場中相同的源極和本體區(qū)。這可在沒有額外努力的情況下實現(xiàn)。然而，可將常開晶體管1607配置為橫向晶體管(換言之，具有橫向電流流動方向的晶體管)，其中，電流在“導(dǎo)通”狀態(tài)下橫向流動(換言之，平行于芯片表面)，與具有垂直電流的主單元場相反。為了調(diào)整用于常開晶體管的起始電壓，根據(jù)一個或多個實施例，可使用輕微反向注入在表面附近對本體區(qū)進行反向摻雜。與常規(guī)MOS工藝流程相比，此反向注入可以是僅有的附加過程。
[0309]根據(jù)一個或多個實施例，還可在已存在的溝槽中或者在已經(jīng)以極端的寬度(非常寬的溝槽阱)軋制(draw)的溝槽中實現(xiàn)橫向常開晶體管，并且根據(jù)某些實施例，在每種情況下可借助于嵌入式多晶硅結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)。
[0310]各種實施例提供了一種半導(dǎo)體器件，其可包括:
至少一個器件單元，其包括至少一個溝槽、至少一個第一端子電極端子區(qū)、至少一個第二端子電極區(qū)、至少一個柵極電極、以及至少部分地設(shè)置在所述至少一個溝槽中的至少一個附加電極；
第一焊盤，被耦合到所述至少一個第一電極端子區(qū)；
第二焊盤，被耦合到所述至少一個附加電極；
開關(guān)元件，被電耦合在第一焊盤和第二焊盤之間，并且在其中第一和第二焊盤經(jīng)由開關(guān)元件而被相互電連接的第一狀態(tài)與其中第一和第二焊盤相互電分離的第二狀態(tài)之間可切換。
[0311 ] 在一個或多個實施例中，所述第一狀態(tài)可以是開關(guān)元件的休眠狀態(tài)。
[0312]在一個或多個實施例中，開關(guān)元件可以是常開晶體管。
[0313]在一個或多個實施例中，半導(dǎo)體器件還可包括被耦合到常開晶體管的柵極電極的附加焊盤。
[0314]在一個或多個實施例中，半導(dǎo)體器件還可包括將第一焊盤耦合到常開晶體管的柵極電極的高歐姆電連接。
[0315]在一個或多個實施例中，高歐姆電連接可包括曲折溝槽結(jié)構(gòu)。
[0316]在一個或多個實施例中，常開晶體管可具有比由所述至少一個器件單元形成的晶體管更高的擊穿電壓。
[0317]在一個或多個實施例中，與由所述至少一個器件單元形成的晶體管的布局相比，可將常開晶體管的布局旋轉(zhuǎn)一定角度。
[0318]雖然已參考特定實施例而特別地示出并描述了本公開的各種方面，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解的是在不脫離如由所附權(quán)利要求限定的本公開的精神和范圍的情況下可在其中進行形式和細節(jié)方面的各種修改。因此由所附權(quán)利要求來指示本公開的范圍，并且因此意圖涵蓋進入權(quán)利要求的等價物的含義和范圍內(nèi)的所有修改。
【主權(quán)項】
1.一種用于處理半導(dǎo)體器件的方法，包括: 提供具有第一焊盤和與第一焊盤電分離的第二焊盤的半導(dǎo)體器件； 向第一焊盤和第二焊盤中的至少一個施加至少一個電測試電位；以及 在施加所述至少一個電測試電位之后將第一焊盤和第二焊盤相互電連接。
2.權(quán)利要求1的方法，其中，所述半導(dǎo)體器件包括多個器件單元，并且其中，所述至少一個電測試電位被配置成檢測所述多個器件單元中的缺陷。
3.權(quán)利要求1的方法，其中，半導(dǎo)體器件被配置為溝槽晶體管，其包括源極端子區(qū)、漏極端子區(qū)、柵極電極以及至少部分地設(shè)置在溝槽中的至少一個附加電極， 其中，所述第一焊盤被耦合到源極端子區(qū)且所述第二焊盤被耦合到所述至少一個附加電極。
4.權(quán)利要求3的方法，其中，所述至少一個附加電極被配置為屏蔽電極。
5.權(quán)利要求1的方法，其中，將第一和第二焊盤相互電連接包括在第一和第二焊盤的至少一部分上面沉積導(dǎo)電層。
6.權(quán)利要求5的方法，其中，所述導(dǎo)電層包括金屬和金屬合金中的至少一個。
7.權(quán)利要求5的方法，其中，所述導(dǎo)電層具有比第一和第二焊盤中的至少一個更大的厚度。
8.權(quán)利要求1的方法，其中，所述第一和第二焊盤是相鄰焊盤，并且在第一和第二焊盤之間未設(shè)置導(dǎo)電元件。
9.權(quán)利要求1的方法，其中，在線后端處理階段中執(zhí)行將第一和第二焊盤相互電連接。
10.一種半導(dǎo)體器件，包括: 至少一個器件單元，其包括至少一個溝槽、至少一個第一端子電極端子區(qū)、至少一個第二端子電極區(qū)、至少一個柵極電極、以及至少部分地設(shè)置在所述至少一個溝槽中的至少一個附加電極； 第一焊盤，被耦合到所述至少一個第一電極端子區(qū)； 第二焊盤，被耦合到所述至少一個附加電極； 導(dǎo)電層，設(shè)置在第一焊盤和第二焊盤的至少一部分上且將第一焊盤電連接到第二焊盤。
11.一種用于處理半導(dǎo)體器件的方法，包括: 提供具有第一焊盤、第二焊盤以及耦合在第一焊盤與第二焊盤之間且在其中第一和第二焊盤經(jīng)由開關(guān)元件而被相互電連接的第一狀態(tài)與其中第一和第二焊盤并未經(jīng)由開關(guān)元件被相互電連接的第二狀態(tài)之間可切換的開關(guān)元件的半導(dǎo)體器件； 在開關(guān)元件處于第二狀態(tài)時向第一和第二焊盤中的至少一個施加至少一個電測試電位；以及 在向第一和第二焊盤中的所述至少一個施加所述至少一個電測試電位之后將開關(guān)元件從第二狀態(tài)切換至第一狀態(tài)。
12.權(quán)利要求11的方法，其中，提供半導(dǎo)體器件包括在開關(guān)元件處于第一狀態(tài)的情況下提供半導(dǎo)體器件， 所述方法還包括: 在施加所述至少一個電測試電位之前將開關(guān)元件從第一狀態(tài)切換至第二狀態(tài)。
13.權(quán)利要求11的方法，其中，所述第一狀態(tài)是開關(guān)元件的休眠狀態(tài)。
14.權(quán)利要求11的方法，其中，所述開關(guān)元件被配置為常開晶體管。
15.權(quán)利要求12的方法，其中，將開關(guān)元件從第一狀態(tài)切換至第二狀態(tài)包括向開關(guān)元件的控制端子施加控制電壓，并且其中，將開關(guān)元件從第二狀態(tài)切換至第一狀態(tài)包括關(guān)斷控制電壓的施加。
16.—種半導(dǎo)體器件,包括: 至少一個器件單元，其包括至少一個溝槽、至少一個第一端子電極端子區(qū)、至少一個第二端子電極區(qū)、至少一個柵極電極、以及至少部分地設(shè)置在所述至少一個溝槽中的至少一個附加電極； 第一焊盤，被耦合到所述至少一個第一電極端子區(qū)； 第二焊盤，被耦合到所述至少一個附加電極； 開關(guān)元件，被電耦合在第一焊盤和第二焊盤之間，并且在其中第一和第二焊盤經(jīng)由開關(guān)元件而被相互電連接的第一狀態(tài)與其中第一和第二焊盤相互電分離的第二狀態(tài)之間可切換。
17.權(quán)利要求16的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一狀態(tài)是開關(guān)元件的休眠狀態(tài)。
18.權(quán)利要求16的半導(dǎo)體器件，其中，所述開關(guān)元件是常開晶體管。
19.權(quán)利要求18的半導(dǎo)體器件，還包括被耦合到常開晶體管的柵極電極的附加焊盤。
20.權(quán)利要求18的半導(dǎo)體器件，還包括將第一焊盤耦合到常開晶體管的柵極電極的高歐姆電連接。
21.權(quán)利要求20的半導(dǎo)體器件，其中，所述高歐姆電連接包括曲折的溝槽結(jié)構(gòu)。
22.權(quán)利要求18的半導(dǎo)體器件，其中，所述常開晶體管具有比由所述至少一個器件單元形成的晶體管更高的擊穿電壓。
23.權(quán)利要求18的半導(dǎo)體器件，其中，與由所述至少一個器件單元形成的晶體管的布局相比，常開晶體管的布局被旋轉(zhuǎn)一定角度。
【專利摘要】半導(dǎo)體器件和處理方法。根據(jù)各種實施例的用于處理半導(dǎo)體器件的方法可包括：提供具有第一焊盤和與第一焊盤電分離的第二焊盤的半導(dǎo)體器件；向第一焊盤和第二焊盤中的至少一個施加至少一個電測試電位；以及在施加所述至少一個電測試電位之后將第一焊盤和第二焊盤相互電連接。
【IPC分類】H01L29-78, H01L21-66
【公開號】CN104576738
【申請?zhí)枴緾N201410551101
【發(fā)明人】L.博魯基, F.希爾勒, P.內(nèi)勒, E.J.福格爾, M.溫克勒, M.聰?shù)聽?
【申請人】英飛凌科技股份有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2014年10月17日
【公告號】US20140097431