一種光電雙導(dǎo)傳輸導(dǎo)線的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及光電信號(hào)傳輸技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種光電雙導(dǎo)傳輸導(dǎo)線。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來(lái)，國(guó)家智能電網(wǎng)建設(shè)對(duì)傳統(tǒng)的光纜和電力線纜傳輸提出了新的要求，需要其滿足智能電網(wǎng)信息化、自動(dòng)化、互動(dòng)化的需求。在智能檢測(cè)領(lǐng)域，光學(xué)檢測(cè)方法以其精度高、抗干擾能力強(qiáng)、穩(wěn)定性好等特點(diǎn)，在一定程度上替代傳統(tǒng)的電學(xué)檢測(cè)方法，光電復(fù)合檢測(cè)方法應(yīng)用越來(lái)越廣泛。光電雙導(dǎo)傳輸導(dǎo)線作為智能電網(wǎng)建設(shè)中用戶接入端的重要產(chǎn)品，集光纖通信和電力傳輸于一體，具有較強(qiáng)的優(yōu)勢(shì)和較廣泛的應(yīng)用，將為智能電網(wǎng)建設(shè)提供安全、可靠的保障。
[0003]智能檢測(cè)中信號(hào)傳輸網(wǎng)絡(luò)的對(duì)傳輸線纜的方便、高效和低成本、輕質(zhì)量都提出了較高的要求，一根導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)光電信號(hào)同時(shí)傳輸就顯得尤為重要?，F(xiàn)有的光電雙導(dǎo)傳輸導(dǎo)線如公開(kāi)號(hào)為101923921A的專利所公開(kāi)的電力光纖復(fù)合導(dǎo)線，如圖1所示，所述電力光纖復(fù)合導(dǎo)線包括多股電力傳輸絞線1，還包括光纖10，該光纖3與電力傳輸絞線I復(fù)合，沿電力傳輸絞線I延伸，多股電力傳輸絞線I形成絞合層，在絞合層內(nèi)部容納光纖10，絞合層內(nèi)還設(shè)置一根或多根支撐芯材2。
[0004]但是，現(xiàn)有的光電雙導(dǎo)傳輸導(dǎo)線的光纖與電力傳輸絞線單獨(dú)設(shè)置，單純的捆綁絞合在一起，其導(dǎo)線的體積與重量還是比較大，仍無(wú)法較好的滿足現(xiàn)有智能檢測(cè)中信號(hào)傳輸網(wǎng)絡(luò)建設(shè)需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是提供一種光電雙導(dǎo)傳輸導(dǎo)線，以解決上述問(wèn)題。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
[0007]—種光電雙導(dǎo)傳輸導(dǎo)線，包括:
[0008]光纖；
[0009]防污染涂覆層，所述防污染涂覆層包覆在所述光纖表面；
[0010]石墨烯導(dǎo)線，所述石墨烯導(dǎo)線對(duì)稱分布在所述防污染涂覆層表面，且所述石墨烯導(dǎo)線之間填充有絕緣材料。
[0011]本發(fā)明實(shí)施例所公開(kāi)的光電雙導(dǎo)傳輸導(dǎo)線，石墨烯導(dǎo)線作為電信號(hào)導(dǎo)線直接設(shè)置在所述光纖表面，光纖與電信號(hào)導(dǎo)線真正成為了一根導(dǎo)線，而不是單純的將光纖與電信號(hào)導(dǎo)線捆綁(電力傳輸絞線)與現(xiàn)有的光電雙導(dǎo)傳輸導(dǎo)線相比，本發(fā)明實(shí)施例所公開(kāi)的光電雙導(dǎo)傳輸導(dǎo)線的更加纖細(xì)、質(zhì)量更小，能夠更好的滿足現(xiàn)有智能檢測(cè)中信號(hào)傳輸網(wǎng)絡(luò)建設(shè)需求。
【附圖說(shuō)明】
[0012]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0013]圖1為現(xiàn)有的一種光電雙導(dǎo)傳輸導(dǎo)線結(jié)構(gòu)不意圖；
[0014]圖2為本發(fā)明提供的一種光電雙導(dǎo)傳輸導(dǎo)線結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖3為圖2沿AA’方向剖面的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖4為本發(fā)明提供的一種光電雙導(dǎo)傳輸導(dǎo)線工作示意圖；
[0017]圖5為本發(fā)明提供的另一種光電雙導(dǎo)傳輸導(dǎo)線結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]其中，1、電力傳輸絞線，2、支撐芯材，10、光纖，101、纖芯，102、疏密度包層，11、防污染涂覆層，12、石墨烯導(dǎo)線，13、絕緣材料，14、保護(hù)層。
【具體實(shí)施方式】
[0019]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0020]本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種光電雙導(dǎo)傳輸導(dǎo)線，如圖2和圖3所不，包括:
[0021]光纖10，所述光纖10由纖芯101和包裹在所述纖芯101周圍的疏密度包層102構(gòu)成，光信號(hào)通過(guò)纖芯101與疏密度包層102交界處不斷進(jìn)行全反射，從而不斷地在光纖10中向前傳遞。
[0022]防污染涂覆層11，所述防污染涂覆層11包覆在所述光纖10表面，用于防止光纖10受到污染。所述防污染涂覆層11為聚酰亞胺層，所述防污染涂覆層的厚度為10 μ m-50 μ m，通過(guò)噴涂工藝噴涂到所述光纖10表面。
[0023]兩條石墨烯導(dǎo)線12，所述兩條石墨烯導(dǎo)線12對(duì)稱分布在所述防污染涂覆層11表面，且所述石墨烯導(dǎo)線12之間填充有絕緣材料13。所述石墨烯導(dǎo)線12的厚度為Inm-lOOnm，通過(guò)對(duì)石墨烯材料板絞繞按壓在所述防污染涂覆層11表面。電信號(hào)通過(guò)高導(dǎo)電介質(zhì)石墨烯以正負(fù)相對(duì)形式形成導(dǎo)電回路傳遞。所述絕緣材料為聚酰亞胺，通過(guò)噴涂工藝填充在所述石墨烯導(dǎo)線12之間，以防止回路短接，以上所用材質(zhì)均為常用典型材質(zhì)，其他功能相同的材質(zhì)也在本專利保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0024]光電雙導(dǎo)傳輸導(dǎo)線對(duì)光信號(hào)與電信號(hào)的傳輸過(guò)程如圖4所示，光信號(hào)通過(guò)纖芯101與疏密度包層102交界處不斷進(jìn)行全反射，從而不斷向前傳遞。電信號(hào)通過(guò)石墨烯導(dǎo)線12以正負(fù)相對(duì)形式形成導(dǎo)電回路傳遞。導(dǎo)電回路正負(fù)極之間填充絕緣材料，以防止回路短接。
[0025]本發(fā)明實(shí)施例所公開(kāi)的光電雙導(dǎo)傳輸導(dǎo)線，包括:光纖；防污染涂覆層，所述防污染涂覆層包覆在所述光纖表面；石墨烯導(dǎo)線，所述石墨烯導(dǎo)線對(duì)稱分布，包括如圖3所示的兩條石墨烯導(dǎo)線上下對(duì)稱結(jié)構(gòu)，還包括如三條石墨烯導(dǎo)線對(duì)稱結(jié)構(gòu)、四條石墨烯上下左右對(duì)稱結(jié)構(gòu)等等；在所述防污染涂覆層表面，且所述石墨烯導(dǎo)線之間填充有絕緣材料。石墨烯導(dǎo)線作為電信號(hào)導(dǎo)線直接設(shè)置在所述光纖表面，光纖與電信號(hào)導(dǎo)線真正成為了一根導(dǎo)線，而不是單純的將光纖與電信號(hào)導(dǎo)線捆綁(電力傳輸絞線)與現(xiàn)有的光電雙導(dǎo)傳輸導(dǎo)線相比，本發(fā)明實(shí)施例所公開(kāi)的光電雙導(dǎo)傳輸導(dǎo)線的更加纖細(xì)、質(zhì)量更小，能夠更好的滿足現(xiàn)有智能檢測(cè)中信號(hào)傳輸網(wǎng)絡(luò)建設(shè)需求。
[0026]此外，由于本發(fā)明采用石墨烯作為導(dǎo)電介質(zhì)，而石墨烯是一種透明、良好的導(dǎo)體，電阻率比銅或銀更低。石墨烯結(jié)構(gòu)非常穩(wěn)定，各碳原子之間的連接非常柔韌，當(dāng)施加外部機(jī)械力時(shí)，碳原子面就彎曲變形，從而使碳原子不必重新排列來(lái)適應(yīng)外力，也就保持了結(jié)構(gòu)穩(wěn)定。這些優(yōu)異的性能使得石墨烯非常適合與光纖材料結(jié)合形成高強(qiáng)度與高韌度、輕質(zhì)量的光電雙導(dǎo)材料。
[0027]同時(shí)，在生產(chǎn)過(guò)程中，光纖采用主動(dòng)放線，張力控制很小，石墨烯張力比較大，光纖有一定的余長(zhǎng)，保證了光纖電纜的拉力，又因?yàn)閮蛇呌惺亩ＷC光電雙導(dǎo)傳輸導(dǎo)線有一定的彎曲半徑，滿足了光纖的彎曲半徑的要求。
[0028]此外，如圖5所示，所述光電雙導(dǎo)傳輸導(dǎo)線還包括包裹在所述石墨烯導(dǎo)線12和絕緣材料13表面的保護(hù)層14。所述保護(hù)層14為絕緣硅橡膠保護(hù)層，用于對(duì)整個(gè)光電雙導(dǎo)線纜的保護(hù)。
[0029]綜上，本發(fā)明所公開(kāi)的光電雙導(dǎo)傳輸導(dǎo)線能夠?qū)崿F(xiàn)光信號(hào)與正負(fù)電信號(hào)在同一根導(dǎo)線上的同時(shí)高效傳輸且互不干擾，與現(xiàn)有的光電雙導(dǎo)傳輸導(dǎo)線相比，本發(fā)明實(shí)施例所公開(kāi)的光電雙導(dǎo)傳輸導(dǎo)線的更加纖細(xì)、質(zhì)量更小，能夠更好的滿足現(xiàn)有智能檢測(cè)中信號(hào)傳輸網(wǎng)絡(luò)建設(shè)需求。此外，本發(fā)明所公開(kāi)的光電雙導(dǎo)傳輸導(dǎo)線的傳輸損耗低、傳輸距離遠(yuǎn)、絕緣性能好、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、施工方便、投資少。
[0030]以上對(duì)本發(fā)明所提供實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)介紹。本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想。應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行若干改進(jìn)和修飾，這些改進(jìn)和修飾也落入本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種光電雙導(dǎo)傳輸導(dǎo)線，其特征在于，包括: 光纖; 防污染涂覆層，所述防污染涂覆層包覆在所述光纖表面； 石墨烯導(dǎo)線，所述石墨烯導(dǎo)線對(duì)稱分布在所述防污染涂覆層表面，且所述石墨烯導(dǎo)線之間填充有絕緣材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述光電雙導(dǎo)傳輸導(dǎo)線，其特征在于，還包括包裹在所述石墨烯導(dǎo)線和絕緣材料表面的保護(hù)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述光電雙導(dǎo)傳輸導(dǎo)線，其特征在于，所述防污染涂覆層為聚酰亞胺層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述光電雙導(dǎo)傳輸導(dǎo)線，其特征在于，所述防污染涂覆層的厚度為10 μ m-50 μ m。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述光電雙導(dǎo)傳輸導(dǎo)線，其特征在于，所述石墨烯導(dǎo)線的厚度為Inm-1OOnm0
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述光電雙導(dǎo)傳輸導(dǎo)線，其特征在于，所述石墨烯導(dǎo)線通過(guò)對(duì)石墨烯材料板絞繞按壓在所述防污染涂覆層表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述光電雙導(dǎo)傳輸導(dǎo)線，其特征在于，所述絕緣材料為聚酰亞胺，通過(guò)噴涂工藝填充在所述石墨烯導(dǎo)線之間。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種光電雙導(dǎo)傳輸導(dǎo)線，包括：光纖；防污染涂覆層，所述防污染涂覆層包覆在所述光纖表面；石墨烯導(dǎo)線，所述石墨烯導(dǎo)線對(duì)稱分布在所述防污染涂覆層表面，且所述石墨烯導(dǎo)線之間填充有絕緣材料。石墨烯導(dǎo)線作為電信號(hào)導(dǎo)線直接設(shè)置在所述光纖表面，光纖與電信號(hào)導(dǎo)線真正成為了一根導(dǎo)線，而不是單純的將光纖與電信號(hào)導(dǎo)線捆綁(電力傳輸絞線)與現(xiàn)有的光電雙導(dǎo)傳輸導(dǎo)線相比，本發(fā)明實(shí)施例所公開(kāi)的光電雙導(dǎo)傳輸導(dǎo)線的更加纖細(xì)、質(zhì)量更小，能夠更好的滿足現(xiàn)有智能檢測(cè)中信號(hào)傳輸網(wǎng)絡(luò)建設(shè)需求。
【IPC分類】H01B7-17, H01B9-00
【公開(kāi)號(hào)】CN104538106
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410699789
【發(fā)明人】張曉燦, 李濤, 范茂軍, 胡志新, 何永剛, 張德
【申請(qǐng)人】中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第三研究所
【公開(kāi)日】2015年4月22日
【申請(qǐng)日】2014年11月27日