專利名稱：電力輸送和分配設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電力輸送和分配的設(shè)備。
當(dāng)從地球表面釋放到大氣中的一些化合物吸收由黑體輻射所發(fā)射的紅外線時(shí)，產(chǎn)生了環(huán)球暖化，因此加熱了大氣并且使空氣溫度升高。已經(jīng)升高了的空氣溫度值表示成在CFC11和二氧化碳釋放到大氣中的情況下已經(jīng)升高的空氣溫度的相對(duì)值。環(huán)球暖化因子(GWP)常常根據(jù)下面這些來(lái)表示在一些化合物以1ppb的濃度(vol)均勻地?cái)U(kuò)散到大氣中的情況下的大氣的溫度升高與該化合物在大氣中的壽命之積對(duì)于在二氧化碳以相同方式進(jìn)行擴(kuò)散的情況下的大氣的溫度升高與大氣中的二氧化碳的壽命的積的比率。
最近，從防止事故的觀點(diǎn)來(lái)看，電力輸送和分配設(shè)備需要阻燃性和不燃性。已經(jīng)開(kāi)始使用不燃性的變壓器或者類似物，而這些變壓器或者類似物采用SF6或者全氟化碳(PFC)流體作為絕緣或者冷卻介質(zhì)，而這些絕緣或者冷卻介質(zhì)具有較高的介電擊穿強(qiáng)度并且不能燃燒及化學(xué)性能穩(wěn)定。但是，與二氧化碳相比，SF6和PFC具有大得多的環(huán)球暖化因子。因此，當(dāng)這些化合物釋放到大氣中時(shí)，發(fā)生了由于溫室效應(yīng)或者環(huán)球暖化所引起的地球表面的溫度升高，從而產(chǎn)生了地球環(huán)境問(wèn)題。SF6和PFC的使用已經(jīng)受到限制，并且認(rèn)為在未來(lái)將加強(qiáng)實(shí)施對(duì)它們的排放控制。由于在實(shí)踐中難以制造完全不將SF6和PFC釋放到大氣中的電力輸送和分配設(shè)備，因此電力輸送和分配設(shè)備需要采用這樣的絕緣介質(zhì)和冷卻介質(zhì)來(lái)取代SF6和PFC，該絕緣介質(zhì)和冷卻介質(zhì)具有較高的介電擊穿強(qiáng)度、阻燃性或者不燃性和較低的環(huán)球暖化因子。
特開(kāi)平No.59612/1997公開(kāi)了使用CF3I作為冷卻循環(huán)裝置的冷卻劑。
總之，隨著分子量的增加，氣體的介電擊穿強(qiáng)度增加。并且，含有氯原子或者溴原子的化合物是阻燃性的或者不燃性的。如果氯原子或者溴原子加入到分子中，從而得到阻燃性的或者不燃性的化合物，所得到的化合物具有較高的破環(huán)臭氧的因子。人們知道，在分子中含有氟、氯或者溴的化合物之中，化學(xué)性能穩(wěn)定并且難以分解的阻燃的那些化合物在大氣中具有較長(zhǎng)的壽命和大的環(huán)球暖化因子。
為此，設(shè)計(jì)具有較高的介電擊穿強(qiáng)度、阻燃性或者不燃性并具有較低的環(huán)球暖化因素從而可以用作SF6和PFC的取代物的絕緣介質(zhì)的分子非常困難。
特開(kāi)平59612/1997公開(kāi)了使用CF3I作為冷卻循環(huán)裝置的冷卻劑；但是，它沒(méi)有公開(kāi)關(guān)于介電擊穿強(qiáng)度的內(nèi)容。
CF3I作為冷卻循環(huán)裝置所需要的介電絕緣性能是這種程度的介電絕緣性能即局部放電和介電擊穿不會(huì)產(chǎn)生于安裝在壓縮機(jī)中的馬達(dá)內(nèi)的線圈等中；而未考慮到電力輸送和分配設(shè)備中的絕緣介質(zhì)所需要的介電擊穿強(qiáng)度。
本發(fā)明的發(fā)明者試驗(yàn)了CF3I的介電擊穿強(qiáng)度，并且發(fā)現(xiàn)了CF3I可以用作電力輸送和分配設(shè)備的絕緣介質(zhì)，并且發(fā)明了采用CF3I作為絕緣介質(zhì)的電力輸送和分配設(shè)備。
本發(fā)明的目的是提供采用了一種絕緣介質(zhì)的電力輸送和分配設(shè)備，該絕緣介質(zhì)具有較高的介電擊穿強(qiáng)度、阻燃性或者不燃性和極小的環(huán)球暖化因子，而該電力輸送和分配設(shè)備具有較高的性能并且對(duì)環(huán)球暖化產(chǎn)生的影響非常小。
實(shí)現(xiàn)前述目的的本發(fā)明在于，包含在電力輸送和分配設(shè)備如變壓器、電抗器、母線、氣體絕緣開(kāi)關(guān)裝置(GIS)、斷路器和開(kāi)關(guān)中的絕緣介質(zhì)含有用下面化學(xué)式(1)或者(2)所表示的化合物CxHyFzI (1)(這里y＋z＝2x＋1，z＞y，x是6或者更小的自然數(shù)，z是自然數(shù)，并且y是0或者自然數(shù)。)CaHbFcI(2)(這里CaHbFcI是環(huán)狀化合物，b＋c＝2a，c＞b，a是3到6的自然數(shù)，c是自然數(shù)，并且b是0或者自然數(shù)。)用化學(xué)式(1)所表示的化合物包括如CF3CHFCF2I和CH2CF2CF2I。用化學(xué)式(2)所表示的化合物包括如環(huán)狀化合物如 用化學(xué)式(1)或者(2)所表示的化合物在分子中含有碘并且具有較高的分子量；因此氣體的介電強(qiáng)度較高。此外，在分子中含有碘，容易借助于光來(lái)分解，并且在大氣中壽命較短。因此，用化學(xué)式(1)或者(2)所表示的化合物具有極小環(huán)球暖化因子和幾乎可以忽略的臭氧破壞因子。而且，這些化合物在烴中超過(guò)一半的氫為氟和碘所取代，因此是阻燃性的。
因此，由于這個(gè)特征，由于使用了具有上述性能的、含有用化學(xué)式(1)和(2)所表示的化合物的絕緣介質(zhì)，因此可以得到這樣的電力輸送和分配設(shè)備它具有較高的性能、阻燃性并且對(duì)環(huán)球暖化的影響非常小。
還有，絕緣介質(zhì)可含有用下面化學(xué)式(3)或者(4)所表示的化合物。
CxF(2x＋1)I (3)(這里x是6或者小于6的自然數(shù))CaF2aI (4)(這里CaF2aI是環(huán)狀化合物，a是3到6的自然數(shù))化學(xué)式(3)和化學(xué)式(4)的化合物是分別相應(yīng)于y＝0時(shí)的化學(xué)式(1)的化合物和b＝0時(shí)的化學(xué)式(2)的化合物的化合物。用化學(xué)式(3)所表示的化合物包括如CF3I、CF3CF2I和CF3CF2CF2I。而化學(xué)式(4)所表示的化合物包括如環(huán)狀化合物如 這些化合物在烴中的所有氫為氟和碘所取代，并且，如果x或者a相等，那么由于分子量大于用化學(xué)式(1)和化學(xué)式(2)所表示的化合物，因此氣體的介電強(qiáng)度較高，并且它是阻燃劑或者不燃物。
因此，即使使用用化學(xué)式(3)和化學(xué)式(4)所表示的化合物，但是可以得到具有高性能、阻燃性或者不燃性并且對(duì)環(huán)球暖化影響非常小的電力輸送和分配設(shè)備。而且，由于這類化合物如CF3I、CF3CF2I和CF3CF2CF2I的滅火性高，因此可以把自滅火性特性賦予電力輸送和分配設(shè)備。
此外，電力輸送和分配設(shè)備可以使用這樣的絕緣介質(zhì)該介質(zhì)是用化學(xué)式(1)到(4)所表示的化合物與氮或者氦的混合物。
附圖的簡(jiǎn)短描述

圖1是示出了第一例子的氣體絕緣開(kāi)關(guān)裝置的圖；圖2是示出了第二例子中的母線的圖；圖3是示出了第三例子的斷路器的圖；圖4是示出了第四例子的氣體絕緣變壓器的圖；圖5是示出了用于測(cè)量AC擊穿電壓的電極的結(jié)構(gòu)的圖；圖6是示出了相對(duì)于壓力CF3I的AC擊穿電壓的變化的圖；圖7是示出了相對(duì)于壓力CF3I和氮的混合物的AC擊穿電壓的變化的圖。
優(yōu)選實(shí)施例的描述首先描述用于本發(fā)明的電力輸送和分配設(shè)備的絕緣介質(zhì)。表1示出了用于本發(fā)明的電力輸送和分配設(shè)備中的絕緣介質(zhì)(CF3I，CF3CF2I，CF3CF2CF2I，CF3CF2CF2CF2I，CF3CF(CF3)CF(CF3)CF2I，c-C4F7I，c-C5F9I，c-C6F11I，CF3-c-C4F6I，CF3CHFCF2I，CF3CHFCF(CF2CF3)CF2I，CH3CF2CF2I，CH3CF(CF3)CF(CF3)CF2I，CH3-c-C4F6I，c-C5H2F7I，c-C8H2F8I和CF3-c-C4H2F4I)和它們的分子量。由于它們含有碘并且具有較大的分子量，因此氣體的絕緣強(qiáng)度較高。此外，由于它們?cè)诜肿觾?nèi)含有碘，因此光容易使它們分解并且在大氣中具有較短的壽命。因此，它們使全球暖化的因子非常小，并且它們的臭氧破壞的因子幾乎可以忽略不計(jì)。而且，這些化合物的烴中具有超過(guò)一半以上的為氟和碘所取代的氫，并且是阻燃性的。
表1
對(duì)于這些絕緣介質(zhì)而言，測(cè)量AC擊穿電壓。借助于絕緣介質(zhì)密封在壓力容器中來(lái)測(cè)量AC擊穿電壓，在該壓力容器中，由SUS所形成的球形電極(直徑為12.5mm)(如圖5所示一樣)布置成1mm的間隔，而電壓在球形電極之間以0.5KVrms的電壓升高率來(lái)施加。
表2示出了CF3I、CF3CF2I、CF3CF2CF2I、CF3CF2CF2CF2I、CF3CF(CF3)CF(CF3)CF2I，c-C4F7I，c-C5F9I，c-C6F11I，CF3-c-C4F6I，CF3CHFCF2I，CF3CHFCF(CF2CF3)CF2I，CH3CF2CF2I，CH3CF(CF3)CF(CF3)CF2I，CH3-c-C4F6I，c-C5H2F7I，c-C8H2F8I和CF3-c-C4H2F4I的和它們中的每一個(gè)與氮或者氦的混合介質(zhì)的擊穿電壓。每個(gè)AC擊穿電壓在表2所示出的溫度和壓力下進(jìn)行測(cè)量。它們的AC擊穿電壓大約為7-17KV；因此，這些絕緣介質(zhì)和混合介質(zhì)可以用作使用了SF6的電力輸送和分配設(shè)備(如變壓器、電抗器、母線、氣體絕緣開(kāi)關(guān)裝置、斷路器和開(kāi)關(guān))的SF6和PFC的替代物。
表2
在表2所示出的絕緣介質(zhì)和混合介質(zhì)中，將更加詳細(xì)地描述CF3I。圖6示出了CF3I的AC擊穿電壓。為了比較，也示出了SF6的AC擊穿電壓。CF3I的AC擊穿電壓在氣體壓力范圍為0.1-0.2MPa的情況下優(yōu)于SF6的AC擊穿電壓。因此，CF3I可以作為SF6的替代物施加到使用了SF6的電力輸送和分配設(shè)備中。
接下來(lái)，當(dāng)CF3I與氮混合時(shí)(在20℃的CF3I的分壓處于0.1MPa和0.2MPa的情況下)，可以測(cè)量AC擊穿電壓。圖7示出了CF3I和氮的混合物的AC擊穿電壓。為了比較，還示出了SF6的AC擊穿電壓。CF3I和氮的混合介質(zhì)的AC擊穿電壓稍稍小于SF6的AC擊穿電壓，但是在氣體壓力范圍為0.2-0.5MPa時(shí)高于10KVrms。
在與其它化合物混合的方式來(lái)使用CF3I的情況下，氮是理想的，因?yàn)樗哂休^高的介電擊穿強(qiáng)度、阻燃劑和為零的環(huán)球暖化因子。按以下得到具有較高的介電擊穿強(qiáng)度的介質(zhì)也是可能的借助于還使用惰性氣體如氦、氖、氬和氙或者二氧化碳和其它通常目的的化合物。因此，考慮到CF3I和氮的混合介質(zhì)和CF3I和氦的混合介質(zhì)，可以作為SF6的替代物應(yīng)用到使用了SF6的電力輸送和分配設(shè)備中。
此外，表1所示的絕緣介質(zhì)(CF3I、CF3CF2I、CF3CF2CF2I、CF3CF2CF2CF2I、CF3CF(CF3)CF(CF3)CF2I，c-C4F7I，c-C5F9I，c-C6F11I，CF3-c-C4F6I，CF3CHFCF2I，CF3CHFCF(CF2CF3)CF2I，CH3CF2CF2I，CH3CF(CF3)CF(CF3)CF2I，CH3-c-C4F6I，c-C5H2F7I2，c-C8H2F8I和CF3-c-C4H2F4I)在分子中含有氟和碘，因此具有較小的分子間的相互作用。因此，與具有相同分子量的烴類化合物相比，它的沸點(diǎn)較低。這些化合物借助于調(diào)整它們的使用溫度和容器內(nèi)的壓力可以以氣體形式使用，也可以以液態(tài)形式使用。
由于CF3I具有-22.5℃的沸點(diǎn)，因此它在正常溫度(30℃)下可以以氣體形式使用，并且在高壓下它還可以以液化形式進(jìn)行使用。此外，具有12℃的沸點(diǎn)的CF3CF2I和具有41℃的沸點(diǎn)的CF3CF2CF2I可以以氣體形式進(jìn)行使用，如果調(diào)整了溫度也可以在大氣壓力下以液體形式進(jìn)行使用；在高壓作用下，它還可以以液化形式進(jìn)行使用。
此外，SF6、C2F6、八氟丁烷(c-C4F8)等具有較高的環(huán)球暖化因子；但是，借助于與表2中的絕緣介質(zhì)或者它們的混合介質(zhì)進(jìn)行混合可以減少使用這些化合物的用量。
(實(shí)施例1)將給出作為本發(fā)明第一例子的氣體絕緣的開(kāi)關(guān)裝置(GIS)的解釋。圖1示出了這個(gè)例子的氣體絕緣的開(kāi)關(guān)。這個(gè)例子的氣體絕緣開(kāi)關(guān)沿著是主電流通道的母線導(dǎo)體21具有襯管1、連接母線18、連接到連接母線18中的避雷器19、連接母線16、連接有接地裝置15和變壓器17的連接母線16、線路斷路器11、配置有接地裝置12的連接母線13、變流器10、斷路器8、在下部具有工作裝置14的斷路器8、變流器9、連接母線7、母線斷路器4、連接母線5、接地裝置6和放置在每個(gè)母線2上的母線斷路器4。在母線2的箱體內(nèi)裝有三相母線導(dǎo)體3。
母線2、母線斷路器4、連接母線5和7、變流器9和10、斷路器8、連接母線13、16和18、變壓器17和避雷器19充有表2所示的絕緣介質(zhì)或者它們的混合介質(zhì)以作為絕緣介質(zhì)23(CF3I、CF3CF2I、CF3CF2CF2I、CF3CF2CF2CF2I、CF3CF(CF3)CF(CF3)CF2I，c-C4F7I，c-C5F9I，c-C6F11I，CF3-c-C4F6I，CF3CHFCF2I，CF3CHFCF(CF2CF3)CF2I，CH3CF2CF2I，CH3CF(CF3)CF(CF3)CF2I，CH3-c-C4F6I，c-C5H2F7I，c-C8H2F8I和CF3-c-C4H2F4I)，并且它們借助于絕緣分隔件20來(lái)隔開(kāi)。
用于這個(gè)例子的氣體絕緣的開(kāi)關(guān)裝置中的絕緣介質(zhì)或者混合介質(zhì)可以是一種，或者該種類可以根據(jù)設(shè)備來(lái)改變。
對(duì)于這個(gè)例子的氣體絕緣開(kāi)關(guān)裝置，由于使用了含有具有較高的氣體介電強(qiáng)度的化合物的絕緣化合物23，因?yàn)樗诜肿又泻械?、是阻燃性的并且不能燃燒、具有極小的環(huán)球暖化因子和很小的臭氧破壞因子，因此環(huán)球暖化的作用極小并且可以高性能地打開(kāi)和關(guān)閉電力電路。
(實(shí)施例2)
解釋作為本發(fā)明的第二例子的母線2。圖2示出了這個(gè)例子的母線2。在母線2的箱體24內(nèi)，遍布著絕緣介質(zhì)23，母線導(dǎo)體3借助于絕緣支撐25來(lái)支撐。
由于作為絕緣介質(zhì)23使用了表2所示的絕緣介質(zhì)或者它們的混合介質(zhì)(CF3I、CF3CF2I、CF3CF2CF2I、CF3CF2CF2CF2I、CF3CF(CF3)CF(CF3)CF2I，c-C4F7I，c-C5F9I，c-C6F11I，CF3-c-C4F6I，CF3CHFCF2I，CF3CHFCF(CF2CF3)CF2I，CH3CF2CF2I，CH3CF(CF3)CF(CF3)CF2I，CH3-c-C4F6I，c-C5H2F7I，c-C8H2F8I和CF3-c-C4H2F4I或者它們與氮或者氦的混合物，因此可能得到如同使用了SF6的情況下的高性能的母線2。
(實(shí)施例3)解釋作為本發(fā)明的第三例子的斷路器。圖3示出了這個(gè)例子的斷路器的剖視圖。
在斷路器的內(nèi)部，遍布著絕緣介質(zhì)23并且設(shè)置了斷開(kāi)部分30。斷開(kāi)部分30包括固定的緩沖活塞31和可移動(dòng)的緩沖氣缸(cylinder)32。在緩沖氣缸32的端部處形成了移動(dòng)接觸33，該移動(dòng)接觸33與固定接觸36處于接觸之中。在緩沖氣缸32的前端形成了氣口37，并且連接絕緣噴嘴38。移動(dòng)接觸33連接到借助于控制器(未示出)來(lái)驅(qū)動(dòng)的桿35。緩沖室34位于緩沖氣缸32和緩沖活塞31之間。在緩沖室34中，遍布著絕緣介質(zhì)23。
在斷開(kāi)部分30進(jìn)行斷開(kāi)運(yùn)動(dòng)時(shí)，桿35借助于控制器來(lái)拖出，緩沖氣缸32被移動(dòng)，并且緩沖室34內(nèi)的絕緣介質(zhì)23被壓縮。從移動(dòng)接觸33和絕緣噴嘴38中拖固定接觸36。伴隨著電路斷路在固定接觸36以及移動(dòng)接觸33之間產(chǎn)生電弧。在較大的電流斷開(kāi)時(shí)緩沖室34內(nèi)的氣體壓力由于產(chǎn)生于打開(kāi)的移動(dòng)接觸33和固定接觸36之間的等離子弧的加熱而進(jìn)一步升高。緩沖室34內(nèi)的增壓氣體通過(guò)氣口37進(jìn)入絕緣噴嘴38中，然后從絕緣噴嘴38的前端噴出，因此熄滅了等離子弧。在對(duì)著等離子弧噴吹之后，氣體變成了高溫氣體并且排出到固定側(cè)或者移動(dòng)側(cè)中。
由于使用了作為絕緣介質(zhì)23的、表2所示的絕緣介質(zhì)或者它們的混合介質(zhì)(CF3I，CF3CF2I，CF3CF2CF2I，CF3CF2CF2CF2I，CF3CF(CF3)CF(CF3)CF2I，c-C4F7I，c-C5F9I，c-C6F11I，CF3-c-C4F6I，CF3CHFCF2I，CF3CHFCF(CF2CF3)CF2I，CH3CF2CF2I，CH3CF(CF3)CF(CF3)CF2I，CH3-c-C4F6I，c-C5H2F7I，c-C8H2F8I和CF3-c-C4H2F4I或者它們與氮或者氦的混合物)，因此在可以得到如同使用了SF6的情況下的高性能的斷路器。
而且，由于這些絕緣介質(zhì)或者混合介質(zhì)是阻燃性的或者不能燃燒并且具有極小的環(huán)球暖化因子和幾乎可忽略不計(jì)的臭氧破壞因子，因此可以制造對(duì)環(huán)球環(huán)境具有非常小影響的斷路器。
(實(shí)施例4)解釋作為本發(fā)明的第四實(shí)施例的氣體絕緣的變壓器。圖4示出了這個(gè)例子的氣體絕緣的變壓器。在容器41的內(nèi)部，裝配有鐵芯42和線圈43與絕緣介質(zhì)23。冷卻器44和吹風(fēng)機(jī)45通過(guò)冷卻管46連接到容器41的外部。絕緣介質(zhì)23借助于冷卻器44來(lái)冷卻，如箭頭所示一樣，然后通過(guò)下方冷卻管借助于吹風(fēng)機(jī)45輸送到容器41中，并且它進(jìn)入到鐵芯42和線圈43中，除去它們所產(chǎn)生的熱量并且再一次通過(guò)冷卻管返回到冷卻器44中，并流過(guò)循環(huán)通道。
由于使用了作為絕緣介質(zhì)23的、表2所示的絕緣介質(zhì)或者它們的混合介質(zhì)(CF3I，CF3CF2I，CF3CF2CF2I，CF3CF2CF2CF2I，CF3CF(CF3)CF(CF3)CF2I，c-C4F7I，c-C5F9I，c-C6F11I，CF3-c-C4F6I，CF3CHFCF2I，CF3CHFCF(CF2CF3)CF2I，CH3CF2CF2I，CH3CF(CF3)CF(CF3)CF2I，CH3-c-C4F6I，c-C5H2F7I，c-C8H2F8I和CF3-c-C4H2F4I或者它們與氮或者氦的混合物)，因此可以得到如同使用了SF6的情況下的高性能的氣體絕緣的變壓器。
而且，由于這些絕緣介質(zhì)或者混合介質(zhì)是阻燃性的或者不能燃燒并且具有極小的環(huán)球暖化因子和幾乎可忽略的臭氧破壞因子，因此可以制造對(duì)環(huán)球環(huán)境具有非常小影響的氣體絕緣的變壓器。
根據(jù)本發(fā)明，由于使用了含有用化學(xué)式(1)或者化學(xué)式(2)所表示的化合物的絕緣化合物23，而該化合物由于它在分子中含有碘而具有較高的氣體介電強(qiáng)度、是阻燃物并且不可以燃燒，并且具有極小的環(huán)球暖化因子和極小的臭氧損壞因子，因此可以得到高性能的電力輸送和分配設(shè)備，該設(shè)備對(duì)環(huán)球暖化影響非常小。
如果x或者a相等，那么用化學(xué)式(3)和化學(xué)式(4)所表示的化合物的氣體介電強(qiáng)度大于用化學(xué)式(1)和化學(xué)式(2)所表示的化合物。借助于使用含有用化學(xué)式(3)和化學(xué)式(4)所表示的化合物的絕緣介質(zhì)，可以得到對(duì)環(huán)球暖化影響非常小的電力輸送和分配設(shè)備。
權(quán)利要求
1.一種容納了絕緣介質(zhì)的電力輸送和分配的設(shè)備，其特征在于所述絕緣介質(zhì)含有用下面化學(xué)式(1)或者(2)所表示的化合物CxHyFzI (1)(這里y＋z＝2x＋1，z＞y，x是6或者更小的自然數(shù)，z是自然數(shù)，并且y是0或者自然數(shù))CaHbFcI (2)(這里CaHbFcI是環(huán)狀化合物，b＋c＝2a，c＞b，a是3到6的自然數(shù)，c是自然數(shù)，并且b是0或者自然數(shù)。)
2.一種容納了絕緣介質(zhì)的電力輸送和分配的設(shè)備，其特征在于所述絕緣介質(zhì)含有用下面化學(xué)式(3)或者(4)所表示的化合物CxF(2x＋1)I (3)(這里x是6或者更小的自然數(shù))CaF2aI (4)(這里CaF2aI是環(huán)狀化合物，a是3到6的自然數(shù)。)
3.一種容納了絕緣介質(zhì)的電力輸送和分配的設(shè)備，其特征在于所述絕緣介質(zhì)含有CF3I。
4.一種如權(quán)利要求1、2或者3所述的電力輸送和分配的設(shè)備，其特征在于所述絕緣介質(zhì)是含有氮或者氦的混合物。
全文摘要
借助于使用絕緣介質(zhì)來(lái)提供一種電力輸送和分配的設(shè)備,該設(shè)備具有較好的性能并且對(duì)環(huán)球暖化影響非常小,而該絕緣介質(zhì)具有高的介電擊穿強(qiáng)度、阻燃性或者不可燃燒性及非常小的環(huán)球暖化因子。該絕緣介質(zhì)密封在母線(2)、母線斷路器(4)、連接母線(5和7)、變流器(9和10)、斷路器(8)、連接母線(13、16和18)、變壓器(17)和避雷器(19)中,并且這些部件借助于絕緣分隔件(20)來(lái)分隔開(kāi)。該絕緣介質(zhì)是用CxHyFzⅠ或者CaHbFcⅠ所表示的化合物(這里y+z=2x+1,z>y,x是6或者更小的自然數(shù),z是自然數(shù),y是0或者自然數(shù),b+c=2a,c>b,a是3到6的自然數(shù),c是自然數(shù),并且b是0或者自然數(shù)。)
文檔編號(hào)H01B3/56GK1329744SQ99813917
公開(kāi)日2002年1月2日 申請(qǐng)日期1999年10月27日 優(yōu)先權(quán)日1998年11月6日
發(fā)明者師岡壽至, 伊藤雄三, 白根隆志, 齋藤達(dá) 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立制作所