專利名稱：射頻電路模塊的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及射頻電路模塊，主要涉及在VHF頻段、UHF頻段、微波段以及毫米波段中使用的射頻電路模塊。
在該圖中所示的射頻電路模塊的結(jié)構(gòu)中，通過把第2介質(zhì)基板32背面的接地圖形37與空腔39周圍的通路孔33相連接，能夠在電屏蔽空腔39的同時進行氣密密封。另外，由于能夠在第2介質(zhì)基板32上安裝表面安裝用部件35，因此具有能夠提高電路的安裝密度的特征。
然而，現(xiàn)有的射頻電路模塊由于像以上那樣構(gòu)成，因此雖然能夠?qū)τ诎惭b在空腔39內(nèi)的射頻電路元件34進行氣密密封，但是不能夠?qū)τ诘?介質(zhì)基板32上的電路進行氣密密封，因此只有分別密封安裝在第2介質(zhì)基板32上的表面安裝用部件35。
另外，由于為了把第1介質(zhì)基板31的直流線路31a與第2介質(zhì)基板32的直流線路32a相連接而需要設置連接部38，因此存在電路變大且制造成本提高的問題。
本發(fā)明是了解決這樣的問題而產(chǎn)生的，其目的在于獲得能夠容易地把第1介質(zhì)基板及第2介質(zhì)基板上的作為射頻半導體器件的射頻電路元件電屏蔽的同時進行氣密密封，實現(xiàn)了小型化、高性能化的射頻電路模塊。
另外，與本發(fā)明有關的射頻電路模塊的特征在于第1介質(zhì)基板具有圍繞第2介質(zhì)基板的介質(zhì)，金屬罩是板形的。
進而，按照本發(fā)明，射頻電路模塊具備被壁包圍，在第1面上具有布線了的空腔的第1介質(zhì)電路基板；安裝在第1介質(zhì)電路基板的空腔內(nèi)的第1射頻半導體器件；放置在第1介質(zhì)電路基板的壁上的第2介質(zhì)電路基板；安裝在第2介質(zhì)電路基板上的第2射頻半導體器件；設置在第1介質(zhì)電路基板的第2面上的金屬基底；以分別以其一端電連接到金屬基底，以另一端露出到第1面上并且埋設在壁內(nèi)，包圍空腔的方式配置的多個埋設導體；以及密封粘接到第1介質(zhì)電路基板上，覆蓋第2介質(zhì)基板及第2射頻半導體器件，在壁的上表面電連接多個埋設導體，進而分別在把第1及第2射頻半導體器件電屏蔽的同時氣密密封第1及第2射頻半導體器件的金屬罩。
另外，壁還可以具備形成包圍并收容第2介質(zhì)基板及第2射頻半導體器件的第2空腔的延長部，可以把金屬罩做成平板形的。
另外，與本發(fā)明有關的射頻電路模塊的特征在于，第1介質(zhì)基板是高溫燒結(jié)基板，第2介質(zhì)基板是低溫燒結(jié)基板。
另外，與本發(fā)明有關的射頻電路模塊的特征在于，第1介質(zhì)基板與第2介質(zhì)基板通過焊錫凸點連接。
另外，與本發(fā)明有關的射頻電路模塊的特征在于，第1介質(zhì)基板與第2介質(zhì)基板通過各向異性導電性薄片連接。
另外，與本發(fā)明有關的射頻電路模塊的特征在于，具備在金屬罩的外側(cè)安裝在第1介質(zhì)基板上并且不需要氣密密封的射頻電路器件。
另外，與本發(fā)明有關的射頻電路模塊的特征在于，第1介質(zhì)基板具備安裝射頻電路器件的階梯部。
另外，與本發(fā)明有關的射頻電路模塊的特征在于，第1介質(zhì)基板具備金屬基底，金屬基底在空腔的底面上露出。
另外，與本發(fā)明有關的射頻電路模塊的特征在于，在第1介質(zhì)基板上安裝發(fā)送系統(tǒng)電路，在第2介質(zhì)基板上安裝接收系統(tǒng)電路。
圖2是示出本發(fā)明實施形態(tài)1的射頻電路模塊的剖面圖。
圖3是示出本發(fā)明實施形態(tài)2的射頻電路模塊的剖面圖。
圖4是示出本發(fā)明實施形態(tài)3的射頻電路模塊的剖面圖。
圖5是示出本發(fā)明實施形態(tài)4的射頻電路模塊的剖面圖。
圖6是示出本發(fā)明實施形態(tài)5的射頻電路模塊的剖面圖。
圖7是示出本發(fā)明實施形態(tài)6的射頻電路模塊的剖面圖。
圖8是示出本發(fā)明實施形態(tài)7的射頻電路模塊的剖面圖。
圖9是示出本發(fā)明實施形態(tài)8的射頻電路模塊的剖面圖。


圖10是示出本發(fā)明實施形態(tài)9的射頻電路模塊的電路的電路結(jié)構(gòu)圖。
圖11是示出現(xiàn)有的射頻電路模塊的剖面圖。
用于實施發(fā)明的最佳形態(tài)實施形態(tài)1圖1是示出作為本發(fā)明實施形態(tài)的射頻電路模塊100的結(jié)構(gòu)的組裝圖，圖2是示出射頻電路模塊100的剖面圖。
在圖1及圖2中，由陶瓷構(gòu)成的多層介質(zhì)所組成的第1介質(zhì)基板1具有作為上表面的第1面和作為下表面的第2面，在第2面上設置作為導電體的平板形的金屬基底11。在第1介質(zhì)基板1中，通過部分地去除從中層到上層的介質(zhì)把疊層的部分殘留在金屬基底11上，形成了作為凹洼的空腔4。在該空腔4的周圍形成了第1介質(zhì)基板1的作為壁的壁3，使其圍繞空腔4。在該壁3中遍及全周設置從底部的金屬基底11延伸到壁3的上端的多個通路孔13。
在空腔4的內(nèi)部，在第1介質(zhì)基板1上安裝第1射頻半導體器件19，通過導線10把設置在空腔4內(nèi)的第1介質(zhì)基板1上的直流線路17與第1射頻半導體器件19電連接。在壁3的上表面，放置并且連接了在作為背面的底部上具有接地導體5的多層的第2介質(zhì)基板2。在第2介質(zhì)基板2上配置直流線路27，并且通過作為連接部件的通路孔8電連接第1介質(zhì)基板1的直流線路17。在第2介質(zhì)基板2上也安裝第2射頻半導體器件29，通過導線20電連接設置在第2介質(zhì)基板2上的直流線路27與第2射頻半導體器件29。這樣，第1及第2介質(zhì)基板1及2是第1及第2介質(zhì)電路基板。
設置在第1介質(zhì)基板1上并且覆蓋第2介質(zhì)基板2的是底部開口的長方形的由金屬制造的板形體構(gòu)成的箱體形金屬罩12。金屬罩12在其端部12a通過導電性粘接劑等在壁3的上表面上粘接第1介質(zhì)基板1，同時與設置在第1介質(zhì)基板1的壁3上而且連接到金屬基底11的多個通路孔13電連接。
從而，第1及第2射頻半導體器件19及29由相互電連接的金屬基底11、通路孔13以及金屬罩12進行電屏蔽，另外，第1及第2射頻半導體器件19及29由相互氣密密封的第1、第2介質(zhì)基板1、2以及金屬罩12密封。
另外，射頻電路模塊100的組裝如圖1所示，在安裝了第1射頻半導體器件19的第1介質(zhì)基板1上放置并且連接安裝了第2射頻半導體器件29的第2介質(zhì)基板2以后，把金屬罩12連接到第1介質(zhì)基板1上。
如以上那樣構(gòu)成本實施形態(tài)的射頻電路模塊100，由于層疊地安裝了第1射頻半導體器件19的第1介質(zhì)基板1與安裝了第2射頻半導體器件29的第2介質(zhì)基板，把金屬罩12密封粘接在第1介質(zhì)基板1的壁3的上表面，同時，通過第2介質(zhì)基板2的空腔4周圍的通路孔13電連接金屬基底11，因此在把第1射頻半導體器件19及第2射頻半導體器件29電屏蔽的同時進行氣密密封。實施形態(tài)2圖3是示出作為本發(fā)明其它實施形態(tài)的射頻電路模塊200的剖面圖。以后，對與圖1及2相同或者同等的部件及部位標注相同的符號，省略重復的說明。
圖3的射頻電路模塊200與圖1中所示的射頻電路模塊100的不同點在于具備在第1介質(zhì)基板1的壁3上延長部1a，由陶瓷構(gòu)成，具有對應于通路孔13被電連接了的多個通路孔，形成包圍并收容第2介質(zhì)基板2及第2射頻半導體器件29的第2空腔；以及金屬罩112是平坦的平板形。其它的結(jié)構(gòu)相同。
在壁3上，圍繞第2介質(zhì)基板2形成延長部1a。在延長部1a上設置金屬罩112，使用導電性粘接劑等與延長部1a連接。在延長部1a的內(nèi)部延伸設置著通路孔13，對金屬基底11與金屬罩112進行電連接。
由于如以上那樣構(gòu)成本實施形態(tài)的射頻電路模塊200，因此具有與圖1及圖2中所示的射頻電路模塊相同的優(yōu)點，同時，由于金屬罩112是板形的，因此可以提高金屬罩112安裝的可操作性。實施形態(tài)3圖4是示出作為本發(fā)明其它實施形態(tài)的射頻電路模塊300的剖面圖。第1介質(zhì)基板101和第2介質(zhì)基板102的材料與圖2不同。第1介質(zhì)基板101是多層的高溫燒結(jié)基板，熱傳導率高，例如把氮化鋁作為基板材料。第2介質(zhì)基板102是多層的低溫燒結(jié)基板。所謂低溫燒結(jié)基板是對于通常的基板用較低的溫度燒結(jié)的，由于燒結(jié)溫度低，因此作為在基板上布線的布線材料，可以使用金或銅等熔點低的材料。
這樣，本實施形態(tài)的射頻電路模塊300除去具有與圖1及2中所示的射頻電路模塊相同的優(yōu)點以外，由于高溫燒結(jié)基板的熱傳導率好，因此作為安裝在第1介質(zhì)基板101上的射頻半導體器件19即使使用發(fā)熱量大的器件，也能夠容易地進行散熱。另外，如果使用低溫燒結(jié)基板作為第2介質(zhì)基板102，則可以使用金或銅的布線材料作為2介質(zhì)基板102的直流線路27，而由于這些布線材料的電阻率低，因此能夠減小直流線路27的電阻。從而，能夠抑制由于第2介質(zhì)基板102的直流線路27引起的電壓降。實施形態(tài)4圖5是示出作為本發(fā)明其它實施形態(tài)的射頻電路模塊400的剖面圖。圖中，在第1介質(zhì)基板1與第2介質(zhì)基板2之間插入了焊錫凸點118這一點與圖2不同。在第1介質(zhì)基板1的壁3的上表面與第2介質(zhì)基板2背面的接地導體5之間插入著球形焊錫即焊錫凸點118。
這樣，本實施形態(tài)的射頻電路模塊400除去具有與圖1及2中所示的射頻電路模塊相同的優(yōu)點以外，進而由于通過通路孔8及焊錫凸點118進行第1介質(zhì)基板1的直流線路17與第2介質(zhì)基板2的直流線路27的連接，以及第1介質(zhì)基板1與第2介質(zhì)基板2的接地導體5的連接，因此與對直流線路17與27重合的連接部進行加工的情況相比能夠使射頻電路模塊小型化。實施形態(tài)5圖6是示出作為本發(fā)明其它實施形態(tài)的射頻電路模塊500的剖面圖。圖中，在第1介質(zhì)基板1與第2介質(zhì)基板2之間插入各向異性導電性薄片119這一點與圖2不同。所謂各向異性導電性薄片是根據(jù)薄片材料的方向其性質(zhì)不同的材料，是使得第1介質(zhì)基板1與第2介質(zhì)基板2相對方向的導電粒子易于移動而提高了導電率的材料。
這樣，本實施形態(tài)的射頻電路模塊500除去具有與圖5中所示的射頻電路模塊相同的優(yōu)點以外，由于能夠通過各向異性導電性薄片119進行第1介質(zhì)基板1的直流線路17與第2介質(zhì)基板2的直流線路27的連接，及第1介質(zhì)基板1與第2介質(zhì)基板2的接地導體5的連接，因此為了連接第1介質(zhì)基板1與第2介質(zhì)基板2不需要焊錫回流，因此在提高組裝可操作性的同時，還容易進行第2介質(zhì)基板2的替換作業(yè)。實施形態(tài)6圖7是示出作為本發(fā)明其它實施形態(tài)的射頻電路模塊600的剖面圖。圖中，與圖2不同點在于在金屬罩12外側(cè)的第1介質(zhì)基板1上配置不需要進行氣密密封的片形電容器等射頻電路器件120。
這樣，本實施形態(tài)中的射頻電路模塊600除去具有與圖2中所示的射頻電路模塊相同的優(yōu)點以外，能夠減小空腔4的占有面積，容易抑制不需要的波導模。即，由于在空腔4的周圍具有金屬基底11，通路孔13，接地導體5，因此形成近似地被金屬壁包圍了四個面的波導管那樣的構(gòu)造。從而，如果在空腔4內(nèi)配置不需要氣密密封的片形電容器等射頻電路器件120，則由于加大空腔4的占有面積，加大該近似波導管的橫向?qū)挾?，故更易于產(chǎn)生使頻率低(波長長)的電波傳輸?shù)牟恍枰牟▽?，然而，通過在金屬罩12的外側(cè)配置不需要氣密密封的射頻電路器件120，能夠減小空腔4的占有面積，容易抑制不需要的波導模。實施形態(tài)7圖8是示出作為本發(fā)明其它實施形態(tài)的射頻電路模塊700的剖面圖。圖中，第1介質(zhì)基板201的安裝射頻電路器件120的部位形狀與圖7不同。
在第1介質(zhì)基板201中，在金屬罩12的外側(cè)，從中層到上層部分地去除介質(zhì)，形成階梯部201a。在該階梯部201a的第1介質(zhì)基板201的高度降低了部位上配置片形電容器等不需要氣密密封的射頻電路器件120。
這樣，本實施形態(tài)的射頻電路模塊700除去具有與圖7中所示的射頻電路模塊相同的優(yōu)點以外，關于片形電容器等不需要氣密密封的射頻器件120由于在金屬罩12的外側(cè)，在第1介質(zhì)基板201的高度降低了的部位上能夠配置射頻電路器件120，因此能夠降低射頻電路模塊700的總體高度。實施形態(tài)8圖9是示出作為本發(fā)明其它實施形態(tài)的電路塊800的剖面圖。圖中，第1介質(zhì)基板301的安裝射頻半導體器件19的部位形狀與圖2不同。
從下層到上層去除第1介質(zhì)基板301的一部分，使得金屬基底11露出在空腔4的底面上，在空腔4內(nèi)的金屬基底11上安裝了第1射頻半導體器件19。
這樣，本實施形態(tài)的射頻電路模塊800除去具有與圖2中所示的射頻電路模塊相同的優(yōu)點以外，由于在熱導電性良好的金屬基底11上安裝了第1射頻半導體器件19，因此能夠容易地進行來自第1射頻半導體器件19的散熱。實施形態(tài)9圖10是示出作為本發(fā)明其它實施形態(tài)的射頻電路模塊的電路結(jié)構(gòu)圖。
圖中，121是開關，122是大功率放大器，123是低噪聲放大器，124是發(fā)送系統(tǒng)電路，125是接收系統(tǒng)電路，126是射頻線路，127是直流線路，128是控制電路側(cè)端子，129是天線側(cè)端子，130是輸入輸出端子。
如果為了方便地說明包括該電路的射頻電路模塊而取圖1及圖2中所示的射頻電路模塊100為例，則把包括圖10中所示的大功率放大器122、開關121的發(fā)送系統(tǒng)電路124安裝在第1介質(zhì)基板1上。把包括低噪聲放大器123的接收系統(tǒng)電路125安裝在第2介質(zhì)基板2上。另外，用于控制發(fā)送系統(tǒng)電路124的大功率放大器122的直流線路17與用于控制接收系統(tǒng)電路125的低噪聲放大器123的直流線路27連接，經(jīng)過第2介質(zhì)基板2連接到控制電路側(cè)端子128。天線側(cè)端子129、輸入輸出端子130經(jīng)過第1介質(zhì)基板1連接。
這樣，在本實施形態(tài)的射頻電路模塊中，由于把發(fā)送系統(tǒng)電路124及接收系統(tǒng)電路125分別分離安裝，因此能夠容易地完成射頻電路模塊的電路結(jié)構(gòu)。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性如果依據(jù)本發(fā)明 的射頻電路模塊，具備在上層形成了被壁圍繞的空腔的多層的第1介質(zhì)基板；在空腔內(nèi)安裝在第1介質(zhì)基板上的第1射頻半導體器件；在壁的上表面與第1介質(zhì)基板連接，在背面具有接地導體的至少一層以上的第2介質(zhì)基板；安裝在第2介質(zhì)基板上表面的第2射頻半導體器件；以及覆蓋第2介質(zhì)基板及第2射頻半導體器件，在壁處與第1介質(zhì)基板連接，把第2射頻半導體器件電屏蔽的同時氣密密封第1及第2射頻半導體器件的金屬罩。
另外，本發(fā)明的射頻電路模塊具備被壁包圍，在第1面上具有布線了的空腔的第1介質(zhì)電路基板；安裝在第1介質(zhì)電路基板空腔內(nèi)的第1射頻半導體器件；放置在第1介質(zhì)電路基板的壁上的第2介質(zhì)電路基板；安裝在第2介質(zhì)電路基板上的第2射頻半導體器件；設置在第1介質(zhì)電路基板的第2面上的金屬基底；以分別以其一端電連接到金屬基底，以另一端露出到第1面上并且埋設在壁內(nèi)，包圍空腔的方式配置的多個埋設導體；以及密封粘接到第1介質(zhì)電路基板上，覆蓋第2介質(zhì)基板及第2射頻半導體器件，在壁的上表面電連接多個埋設導體，進而分別在對第1及第2射頻半導體器件進行電屏蔽的同時氣密密封第1及第2射頻半導體器件的金屬罩。
從而，按照本發(fā)明，能夠提供可以容易地在對第1介質(zhì)基板1及第2介質(zhì)基板上的射頻半導體器件進行電屏蔽的同時進行氣密密封，實現(xiàn)了小型化、高性能化的射頻電路模塊。
另外，如果依據(jù)本發(fā)明的射頻電路模塊，第1介質(zhì)基板具備圍繞第2介質(zhì)基板的介質(zhì)，金屬罩是板形的?；蛘弑诰邆湫纬砂鼑⑹杖莸?介質(zhì)基板及第2射頻半導體器件的第2空腔的延長部，金屬罩是平板形的，因此將提高金屬罩的安裝可操作性。
另外，如果依據(jù)本發(fā)明的射頻電路模塊，由于第1介質(zhì)基板是高溫燒結(jié)基板，熱傳導率優(yōu)良，因此能夠容易地進行在第1介質(zhì)基板上安裝的射頻半導體器件的散熱。另外，由于第2介質(zhì)基板是低溫燒結(jié)基板，因此作為基板的布線材料能夠使用低熔點而且電阻小的材料，能夠抑制電壓降低。
另外，如果依據(jù)本發(fā)明的射頻電路模塊，由于通過焊錫凸點連接第1介質(zhì)基板與第2介質(zhì)基板，因此能夠用簡單的結(jié)構(gòu)進行第1介質(zhì)基板與第2介質(zhì)基板的連接，能夠使射頻電路模塊進一步小型化。
另外，如果依據(jù)本發(fā)明的射頻電路模塊，由于使用各向異性導電性薄片連接第1介質(zhì)基板與第2介質(zhì)基板，因此為了連接第1介質(zhì)基板與第2介質(zhì)基板不需要焊錫回流，提高了組裝的可操作性。另外，第2介質(zhì)基板的替代作業(yè)也很容易。
另外，如果依據(jù)本發(fā)明的射頻電路模塊，由于把不需要氣密密封的射頻電路器件安裝在金屬罩外側(cè)的第1介質(zhì)基板上，因此能夠減小空腔的占有面積，能夠抑制不需要的波導模。
另外，如果依據(jù)本發(fā)明的射頻電路模塊，由于第1介質(zhì)基板具備安裝射頻電路器件的階梯部，因此能夠降低射頻電路模塊的總體高度。
另外，如果依據(jù)本發(fā)明的射頻電路模塊，由于第1介質(zhì)基板具備金屬基底，并且金屬基底露出到空腔的底面，因此能夠把第1射頻半導體器件直接安裝在金屬基底上，提高來自第1射頻半導體器件的散熱性。
另外，如果依據(jù)本發(fā)明的射頻電路模塊，由于把發(fā)送系統(tǒng)電路安裝在第1介質(zhì)基板上，把接收系統(tǒng)電路安裝在第2介質(zhì)基板上，因此容易實現(xiàn)射頻電路模塊的電路結(jié)構(gòu)。
權利要求
1．一種射頻電路模塊，其特征在于，具備在上層形成了被壁圍繞的空腔的多層的第1介質(zhì)基板；在上述空腔內(nèi)安裝在上述第1介質(zhì)基板上的第1射頻半導體器件；在上述壁的上表面與上述第1介質(zhì)基板連接，在背面具有接地導體的至少1層以上的第2介質(zhì)基板；安裝在上述第2介質(zhì)基板上表面的第2射頻半導體器件；以及覆蓋上述第2介質(zhì)基板及上述第2射頻半導體器件，在上述壁的上表面處與上述第1介質(zhì)基板連接，在對上述第2射頻半導體器件進行電屏蔽的同時氣密密封上述第1及第2射頻半導體器件的金屬罩。
2．如權利要求1所述的射頻電路模塊，其特征在于上述第1介質(zhì)基板具有圍繞上述第2介質(zhì)基板的介質(zhì)，上述金屬罩是板形的。
3．一種射頻電路模塊，其特征在于，具備被壁包圍在第1面上，具有布線了的空腔的第1介質(zhì)電路基板；安裝在上述第1介質(zhì)電路基板的上述空腔內(nèi)的第1射頻半導體器件；放置在上述第1介質(zhì)電路基板的上述壁上的第2介質(zhì)電路基板；安裝在上述第2介質(zhì)電路基板上的第2射頻半導體器件；設置在上述第1介質(zhì)電路基板的第2面上的金屬基底；分別以其一端電連接到上述金屬基底，以另一端露出到上述第1面上并且埋設在上述壁內(nèi)，以包圍上述空腔的方式配置的多個埋設導體；以及密封粘接到上述第1介質(zhì)電路基板上，覆蓋上述第2介質(zhì)基板及上述第2射頻半導體器件，在上述壁的上表面電連接多個上述埋設導體，進而分別在對上述第1及第2射頻半導體器件進行電屏蔽的同時氣密密封上述第1及第2射頻半導體器件的金屬罩。
4．如權利要求1所述的射頻電路模塊，其特征在于上述壁具備形成包圍并收容上述第2介質(zhì)基板及上述第2射頻半導體器件的第2空腔的延長部，上述金屬罩是平板形的。
5．如權利要求1至4的任一項中所述的射頻電路模塊，其特征在于上述第1介質(zhì)基板是高溫燒結(jié)基板，上述第2介質(zhì)基板是低溫燒結(jié)基板。
6．如權利要求1至5的任一項中所述的射頻電路模塊，其特征在于上述第1介質(zhì)基板與上述第2介質(zhì)基板通過焊錫凸點連接。
7．如權利要求1至5的任一項中所述的射頻電路模塊，其特征在于上述第1介質(zhì)基板與上述第2介質(zhì)基板通過各向異性導電性薄片連接。
8．如權利要求1至7的任一項中所述的射頻電路模塊，其特征在于具備在上述金屬罩的外側(cè)安裝到上述第1介質(zhì)基板上的不需要氣密密封的高頻電路器件。
9．如權利要求8中所述的射頻電路模塊，其特征在于上述第1介質(zhì)基板具備安裝上述高頻電路器件的階梯部。
10．如權利要求1至9的任一項中所述的射頻電路模塊，其特征在于上述第1介質(zhì)基板具備金屬基底，上述金屬基底露出在上述空腔的底面上。
11．如權利要求5或10中所述的射頻電路模塊，其特征在于在上述第1介質(zhì)基板上安裝發(fā)送系統(tǒng)電路，在第2介質(zhì)基板上安裝接收系統(tǒng)電路。
全文摘要
射頻電路模塊具備安裝在第1介質(zhì)電路基板1的被壁3包圍的空腔4內(nèi)的第1射頻半導體器件19和安裝在放置在壁3上的第2介質(zhì)電路基板2的第2射頻半導體器件29。在第1介質(zhì)電路基板1上設置金屬基底11,在壁3內(nèi)設置埋設成以其一端電連接到金屬基底11上而另一端露出的、把空腔4包圍在內(nèi)并配置了多個通路孔等的埋設導體13金屬罩12密封粘接在第1介質(zhì)電路基板1上,覆蓋第2介質(zhì)基板2及第2射頻半導體器件29,同時在壁3的上表面處電連接多個埋設導體13。從而,能夠提供在對第1及第2射頻半導體器件分別進行電屏蔽的同時進行氣密密封,實現(xiàn)小型化、高性能化的射頻電路模塊。金屬罩是板形的,第1介質(zhì)基板是高溫燒結(jié)基板,第2介質(zhì)基板是低溫燒結(jié)基板,介質(zhì)基板之間的連接可以是焊錫凸點、各向異性導電性薄片。金屬基底11在空腔中露出,可以在第1介質(zhì)基板上安裝發(fā)送系統(tǒng)電路,在第2介質(zhì)基板上安裝接收系統(tǒng)電路。也可以把不需要氣密密封的射頻電路器件配置在金屬罩的外部。
文檔編號H01L25/07GK1296642SQ99804934
公開日2001年5月23日 申請日期1999年6月17日 優(yōu)先權日1998年12月9日
發(fā)明者宮崎守泰, 湯川秀憲, 大橋英征, 新居真敏 申請人:三菱電機株式會社