專利名稱：利用晶體管閾值電壓控制的壓控振蕩器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及壓控振蕩器(VCO)，特別涉及改變金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的閾值電壓控制振蕩器工作頻率的方法和系統(tǒng)。此外，本發(fā)明還特別涉及改變MOSFET本體電壓以控制VCO的工作頻率的方法和系統(tǒng)。
可變振蕩器已設(shè)計(jì)在過去利用晶體振蕩器、直接模擬頻率合成、數(shù)值控制及其它方法中。每種形式的振蕩器有至少一個(gè)特性限制了它在較高頻率范圍內(nèi)的應(yīng)用。例如，要形成利用晶體的可變振蕩器，需要多個(gè)晶體，但很難或不可能得到多個(gè)溝道之間的相相干性，這些大量溝道的頻率準(zhǔn)確性存在高成本的問題。
數(shù)字鎖相環(huán)已用于提供高頻可變振蕩器。然而，數(shù)字鎖相環(huán)需要超大片外電感器。需要制造具有壓控振蕩器的鎖相環(huán)，完全由互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)場效應(yīng)晶體管(FET)構(gòu)成，不利用如電感器和電容器等的片外元件。
CMOS電路廣泛的制造能力提供了較便宜的基本調(diào)諧器件，用于如無線電話等利用千兆赫頻率范圍的產(chǎn)品?？梢缘玫嚼靡粋€(gè)或多個(gè)反相器環(huán)的各種形式的無電感CMOS基環(huán)形振蕩器設(shè)計(jì)，并且目前正在制造。
代表性的振蕩器介紹在U.S.專利No.5,331,295中，1994年7月19日申請，由Jules J.Jelinek等人發(fā)明，U.S.專利No.5,172,076中，1992年12月15日申請，由Anthony K.D.Brown等人發(fā)明。
然而，現(xiàn)已發(fā)現(xiàn)利用體CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)的環(huán)形振蕩器具有重要的局限，包括隨著頻率增加振幅減小，和隨著頻率增加相位噪聲增加?，F(xiàn)已認(rèn)識(shí)到環(huán)形振蕩器的相位噪聲與電壓過渡斜率和節(jié)點(diǎn)電容值成反比。要減小相位噪聲，需要大節(jié)點(diǎn)電容。大電容需要電容器“片外”設(shè)置，遠(yuǎn)離其上制造有振蕩器的集成電路，或在集成電路上增加的硅區(qū)域上制作。
參考

圖1，示出了典型的環(huán)形振蕩器100。第一反相器102、第二反相器104和第三反相器106串聯(lián)連接。第三反相器的輸出連接到第一反相器102的輸入。
環(huán)形反相器通常由環(huán)形連接的奇數(shù)個(gè)反相器組成。圖1示出了控制輸入108、通常為電壓，它也需要用于驅(qū)動(dòng)環(huán)形振蕩器100，由此以受控的頻率振蕩。因此，得到術(shù)語壓控振蕩器(VCO)。
為了操作由CMOS反相器環(huán)形成的環(huán)形振蕩器，必須驅(qū)動(dòng)CMOS反相器的環(huán)使振蕩器以需要的頻率振蕩。如圖1所示，大多數(shù)的VCO設(shè)計(jì)通過改變環(huán)形振蕩器100的地參考電位來控制振蕩頻率。根據(jù)晶體管110的狀態(tài)，控制輸入108升高和降低第一反相器102的地參考電位。雖然圖1示出了控制輸入108借助晶體管110僅施加到第一反相器102，但環(huán)形振蕩器100的其它設(shè)計(jì)可以在所有三個(gè)反相器102、104和106的地參考電位之間提供平行連接。改變地參考電位使環(huán)振蕩器易受噪聲影響。由于干線與干線的電壓差減小，因此改變地參考電位的方法也限制了振蕩的信號擺幅。例如，如果反相器106的地參考電位連接到節(jié)點(diǎn)112，那么它的輸出波形(為振蕩器的輸出)在某種程度上振幅減小。
現(xiàn)代電路具有比前幾代集成電路更低的操作電壓。現(xiàn)有技術(shù)集成電路的電路標(biāo)準(zhǔn)為1.8伏。由此通過升高將地參考電壓升高到高電壓控制VCO通常將允許的信號擺幅降低到小于一伏。
因此希望能控制壓控振蕩器的振蕩頻率，同時(shí)將干線與干線的電壓差保持在振蕩器輸出。此外，需要提供一壓控振蕩器，具有較小的寄生電容，由此壓控振蕩器可以較高的頻率操作。
因此本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種壓控振蕩器(VCO)。
本發(fā)明的另一目的是提供一種改變金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的閾值電壓以控制振蕩器操作頻率的方法和系統(tǒng)。
本發(fā)明的再一目的是提供一種改變MOSFET本體電壓以控制VCO的操作頻率的方法和系統(tǒng)。
現(xiàn)在介紹以上目的的獲得。公開一種能在低壓操作并提供可變周期輸出的環(huán)形壓控振蕩器(VCRO)。多個(gè)晶體管形成環(huán)形振蕩器，選擇的晶體管具有通過施加到晶體管本體的電壓控制的閾值電壓?？刂戚斎脒B接到晶體管本體，由此晶體管的本體通過控制輸入充電。充電本體改變了晶體管的閾值電壓，由此控制了振蕩器的振蕩頻率。
在下面詳細(xì)的文字說明中，本發(fā)明的以上及附加的目的、特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將變得很顯然。
本發(fā)明的新穎結(jié)構(gòu)得到的特性陳述在附帶的權(quán)利要求書中。然而，當(dāng)結(jié)合附圖參考以下示例性實(shí)施例的詳細(xì)說明，將更好地理解本發(fā)明自身、使用的優(yōu)選模式、其它的目的及優(yōu)點(diǎn)，其中圖1示意性地示出了現(xiàn)有技術(shù)的壓控振蕩器；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明具有體電壓控制的壓控振蕩器；圖3A示出了沿在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中使用的體接觸的絕緣體上硅(SOI)MOSFET的體和柵接觸的剖面圖；圖3B示出了沿體接觸的SOI MOSFET的源和漏接觸的剖面圖；圖4示出了圖3A和3B中示出的體接觸的SOI MOSFET的俯視圖；圖5A為根據(jù)本發(fā)明的環(huán)形壓控振蕩器的輸出頻率響應(yīng)的圖形表示；以及圖5B示出了振蕩器輸出信號與沒有受輸出控制電壓影響的干線與干線輸出振幅的關(guān)系曲線。
現(xiàn)在參考附圖具體參考圖2，示出了完全由CMOS元件形成的環(huán)形壓控振蕩器(VCRO)200。振蕩器由一系列CMOS反相器組成，其中一對互補(bǔ)MOSFET形成每個(gè)反相器，即輸入反相器202、中間反相器204、以及輸出反相器206。
圖2示出了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，其中VCRO200由三個(gè)反相器組成。然而，應(yīng)該指出可以修改實(shí)施例，在VCRO200中可以使用不同數(shù)量的反相器，并且不脫離本發(fā)明的范圍。然而，本質(zhì)上構(gòu)成VCO的反相器數(shù)量為奇數(shù)，并且超過二個(gè)。與基本的環(huán)形振蕩器的構(gòu)成一致，輸出反相器206的輸出連接到輸入反相器202的輸入。根據(jù)本發(fā)明精神實(shí)現(xiàn)VCRO200的一個(gè)例子是使外部時(shí)鐘與芯片的內(nèi)部時(shí)鐘同步的鎖相環(huán)(PLL)。
如VCRO200等的環(huán)形振蕩器的振蕩頻率可以幾種方式控制，但所有的方式都基于控制級聯(lián)的反相器的上升和下降時(shí)間。加速或減速反相器操作的所述方法也稱做相移。
對VCRO200而言，相移實(shí)質(zhì)上必然改變通過反相器202、204和206的有效電阻。
對輸出頻率提供可變控制所需的相移的一個(gè)實(shí)現(xiàn)方法是改變或調(diào)節(jié)形成環(huán)形振蕩器中反相器的一個(gè)或多個(gè)晶體管的閾值電壓(Vt)?，F(xiàn)代的半導(dǎo)體制造工藝允許MOSFET具有在幾百毫伏數(shù)量級的開關(guān)閾值。閾值電壓為電路的關(guān)鍵屬性。具體地，通過保持電源電壓和地參考電位同時(shí)改變晶體管的閾值電壓，可以優(yōu)良控制壓控振蕩器。
本發(fā)明通過利用稱做“體效應(yīng)”的晶體管性能特性以特別適合于CMOS MOSFET器件設(shè)計(jì)的方式控制閾值電壓。體效應(yīng)是一種與MOSFET晶體管相關(guān)的現(xiàn)象，其中源和晶體管的體之間的電壓差改變了晶體管的閾值電壓。所述變化的閾值電壓改變了晶體管由源到漏的導(dǎo)電性。體效應(yīng)在集成電路技術(shù)領(lǐng)域中是公知的，在這里引入作為參考。
再參考圖2，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，VCRO200的頻率控制開始于施加到NMOSFET 212、214和216的體上的控制輸入208?？刂戚斎?08的來源沒有示出，但可以由通常用在通常實(shí)現(xiàn)VCO的鎖相環(huán)(PLL)中的反饋電路構(gòu)成。在圖2示出的例子中，控制輸入208為當(dāng)施加到N-MOSFET 212、214和216的體時(shí)控制每個(gè)N-MOSFET的源和體之間電壓差的電壓。所述差別在體CMOS技術(shù)中稱為“襯底偏置”(Vbs)，所得效應(yīng)稱做“襯底偏置效應(yīng)”或“體效應(yīng)”。
在MOSFET器件的領(lǐng)域中公知閾值電壓(Vt)(有時(shí)在數(shù)字應(yīng)用中稱做“開關(guān)電壓”)為Vbs的輔助功能。因此，隨著控制輸入208改變每個(gè)N-MOSFET 212、214和216的體電壓，每個(gè)N-MOSFET的Vt改變，進(jìn)而導(dǎo)致通過每個(gè)N-MOSFET或多或少的相移。由此所述相移的增加或減小直接控制VCRO200將振蕩的頻率。在N-MOSFET中，例如N-MOSFET 212，Vt隨體電壓反方向改變。因此，隨著控制輸入208施加的電壓增加，N-MOSFET的Vt減小，由此導(dǎo)致開關(guān)速度更快、穿過反相器202的相移減小以及VCRO200的工作頻率更高。
目前正開發(fā)新類型的集成電路。所述新類型的集成電路為絕緣體上硅(SOI)設(shè)計(jì)。本發(fā)明的方法和系統(tǒng)的優(yōu)選實(shí)施例通過利用SOI CMOS MOSFET的浮體特性實(shí)現(xiàn)Vt控制。因此本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例利用SOI技術(shù)實(shí)現(xiàn)。SOI技術(shù)將載流子傳輸層設(shè)置在基片上的絕緣層上。
載流子傳輸層和晶體管本體由基片相互電隔離。因此，在SOI實(shí)現(xiàn)中，晶體管本體相對于地和電源浮動(dòng)。然后電源連接到晶體管本體，由此晶體管本體的電壓相對于電壓和地改變。晶體管的閾值電壓與本體電壓成反比。
現(xiàn)在參考圖3A和3B，示出了根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例利用體接觸N-MOS SOI MOSFET 300的簡化示例性剖面圖。示于圖3A中沿柵接觸304和體接觸302的簡化的剖面圖最佳地示出了在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中有利地使用的N-MOS MOSFET 300的特殊物理特性。
SOI MOSFET 300示出的剖面包括柵接觸304、接觸柵314、體接觸302、接觸體312。根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例，如參考圖所介紹的，控制輸入可以施加到體接觸302，由此改變了施加到MOSFET體312的偏置。如圖3A所示，MOSFET體312通過絕緣層308與基片310電絕緣。所述體和公共基片之間的絕緣為本發(fā)明所依賴的基本特性。通過體接觸302施加到MOSFET體312的電壓在這里稱做“體電壓”。
現(xiàn)在參考圖3B，示出了根據(jù)本發(fā)明沿體接觸的SOI MOSFET300的源接觸318和漏接觸322的剖面圖。示出的載流子傳輸層326與硅氧化層308相鄰。MOSFET體312(體電壓)和N擴(kuò)散316(SOIMOSFET 300的源)之間的電壓差引起以可預(yù)測的方式改變MOSFET 300的閾值電壓的體效應(yīng)。
通過在基片材料310中形成硅氧化層制造SOI MOSFET。廣泛使用的基片材料是硅。通過各種方法可以形成硅氧化層。一個(gè)方法為本領(lǐng)域的技術(shù)人員稱做注氧隔離(SIMOX)，用于制造SOICMOS。在典型的SOI方法中，通過控制氧原子穿入硅襯底深度的轟擊技術(shù)將氧注入到單晶硅片中。硅氧化層308形成在以被氧原子穿透的薄層硅(即，載流子傳輸層326)下。在硅襯底材料上形成絕緣層的其它方法當(dāng)然是不脫離本發(fā)明的精神或范圍的可行方法。
在制造期間，在載流子傳輸層326內(nèi)形成N擴(kuò)散316和324。N擴(kuò)散316和324形成SOI MOSFET 300的漏和源。在晶體管的制造中摻雜是公知的，因此這里不再介紹。多晶硅層314形成在表面氧化層320上。然后表面氧化層320形成在N阱316和324之間的載流子傳輸層326的頂部。
圖3A和3B示出了根據(jù)本發(fā)明的可以工作的示例性結(jié)構(gòu)。然而，利用其它構(gòu)成方法的許多其它實(shí)施例可以提供例如SOI MOSFET300的閾值電壓可調(diào)的MOSFET。例如，本發(fā)明不限于硅結(jié)構(gòu)。硅鍺和其它的化合物可以提供用于具有特殊要求的應(yīng)用的增強(qiáng)性能。
當(dāng)利用SOI技術(shù)實(shí)現(xiàn)時(shí)，本發(fā)明特別有用。然而，本發(fā)明也可以利用可以控制晶體管本體的任何技術(shù)。根據(jù)本發(fā)明，在環(huán)形振蕩器結(jié)構(gòu)中至少一個(gè)晶體管本體被充電，當(dāng)晶體管本體被充電時(shí)，晶體管的開關(guān)閾值減小。晶體管閾值電壓中的微小變化導(dǎo)致振蕩頻率顯著變化。
再參考圖2，在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，每個(gè)反相器由P-MOSFET 210(即，在圖3B中，漏324和源316為p型材料)組成，它的源-漏電路與N-MOSFET 212的源-漏電路串聯(lián)連接。P-MOSFET210和N-MOSFET 212的柵連接在一起形成到每個(gè)反相器的輸入。P-MOSFET 210的源連接到提供正電壓的干線電壓，輸入反相器202的N-MOSFET 212的源連接到地。
根據(jù)本發(fā)明，通過控制輸入208提供電壓控制。控制輸入208連接到輸入反相器202、中間反相器204和輸出反相器206的N-MOSFET本體。
在示例性實(shí)施例中，控制電壓借助控制輸入208提供到每個(gè)反相器的N-MOS FET本體。然而，通過將控制輸入提供到每個(gè)反相器內(nèi)任何數(shù)量(一個(gè)或多個(gè))的晶體管本體得到對振蕩頻率的控制。在另一實(shí)施例中，控制輸入連接到一個(gè)或多個(gè)P-MOS FET晶體管的本體。在又一實(shí)施例中，適當(dāng)極性的控制電壓連接到所有晶體管的本體(即，一個(gè)控制電壓施加到所有的P-MOS FET，另一個(gè)施加到所有的N-MOS FET)。通過改變本體電壓不改變參考電壓(即，電源和公共極)，低電壓可用于功率VCRO 200，并且不限制本發(fā)明中的信號漂移。此外，本發(fā)明和現(xiàn)有技術(shù)的環(huán)形振蕩器相比對噪聲不太敏感，是由于改變了地或電源參考的電源電壓，它們可以將噪聲耦合到環(huán)形振蕩器內(nèi)，產(chǎn)生小于理想操作。
由輸出反相器206的FET的公共節(jié)點(diǎn)提供環(huán)的輸出信號。施加到輸出反相器202、中間反相器204和輸出反相器206本體的控制電壓必須保持充分低于電源電壓，以使噪聲和其它干擾不影響反相器MOSFET的狀態(tài)。借助控制輸入208施加的電壓的典型范圍從-1.5伏到+0.6伏。
當(dāng)?shù)捷斎敕聪嗥?02的輸入為高邏輯電平(高)時(shí)，輸出反相器202的輸出為低。由此，在每個(gè)反相器輸出處存在恒定反轉(zhuǎn)的邏輯電平。所得振蕩頻率與三個(gè)反相器的傳播延遲成反比。
由于延遲正比于反相器的輸出電容，因此，最大頻率由使用的特定技術(shù)限制。在SOI CMOS技術(shù)中，每個(gè)晶體管的寄生電容遠(yuǎn)低于常規(guī)體技術(shù)CMOS VCO。反相器的寄生電容主要包括反相器中的FET的柵電容。
每個(gè)反相器的傳播延遲基于將輸出電壓由Vdd(正電壓干線電壓)改變到接下來的反相器的開關(guān)電壓(即，閾值電壓)所需的時(shí)間。在所述區(qū)域中，F(xiàn)ET飽和，達(dá)到第一級近似值。由此通過降低驅(qū)動(dòng)FET的閾值電壓，可以增加VCRO的振蕩頻率。
當(dāng)VCRO 200中的所有N-MOS FET的本體連接到控制輸入208時(shí)，可以改變VCRO 200的三個(gè)延遲。如果僅控制一個(gè)反相器，那么通過將控制的反相器引起的延遲填加到其它反相器延遲的和取倒數(shù)可以近似振蕩頻率。延遲的和總共360度。
現(xiàn)在參考圖4，SOI MOSFET的俯視圖示出了已制造MOSFET300作為如反相器202、204和206等的CMOS反相器的一部分之后可以訪問的它的功能區(qū)和接觸的近似布局。如圖4所示，包括體接觸402、柵接觸404、源接觸420以及漏接觸418的總共四個(gè)接觸通過金屬導(dǎo)體訪問。漏接觸418用于保持漏422和互補(bǔ)MOSFET的漏(P-MOS MOSFET的漏)之間的接觸。所述電接觸示作圖2中的節(jié)點(diǎn)44。源接觸420用于保持源424和地或負(fù)參考電壓之間的電接觸。柵接觸404用于保持柵414和它的互補(bǔ)P-MOS MOSFET之間的電連接。第四個(gè)接觸，即用在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中的體接觸，提供了到其它電絕緣MOSFET體412的電訪問。
現(xiàn)在參考圖5，示出了根據(jù)本發(fā)明環(huán)形壓控振蕩器的輸出頻率響應(yīng)的圖形表示。通過將從與VCRO200相一致構(gòu)形的VCRO的輸出響應(yīng)收集到的數(shù)據(jù)點(diǎn)相連可以推導(dǎo)出響應(yīng)曲線502。響應(yīng)曲線502示出了相對線性的方式，其中振蕩頻率隨施加在如控制輸入208的控制輸入處的電壓成函數(shù)關(guān)系改變。
另一頻率響應(yīng)曲線表示在圖5B中，示出了振蕩輸出信號510的頻率隨控制電壓520的增加而增加。為說明的目的疊加了作為控制電壓的函數(shù)的閾值電壓518的變化。如圖5B所示，輸出信號510為基本上大于控制電壓520的具有峰值到峰值振幅514的方波。通過施加遠(yuǎn)低于電源電壓的控制電壓，輸出信號510隨后不容易受電源噪聲影響。此外，當(dāng)控制電壓520施加到環(huán)形振蕩器的輸出反相器級時(shí)(例如反相器級206)，輸出信號510的振幅不減小，仍將保持在振幅514。
雖然參考優(yōu)選實(shí)施例具體顯示和介紹了本發(fā)明，但應(yīng)該理解本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以不脫離本發(fā)明的精神和范圍對形式和細(xì)節(jié)進(jìn)行各種修改。
權(quán)利要求
1.一種環(huán)形壓控振蕩器(VCRO)，能在低壓操作并提供可變周期輸出，包括多個(gè)形成環(huán)形振蕩器的晶體管，其中所述多個(gè)晶體管中的至少一個(gè)晶體管具有本體和閾值電壓；以及連接到所述至少一個(gè)晶體管的控制輸入，其中通過所述控制輸入可以將所述至少一個(gè)晶體管的所述本體充電到改變所述至少一個(gè)晶體管的所述閾值電壓，由此控制所述環(huán)形振蕩器的振蕩頻率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的環(huán)形壓控振蕩器，其中所述環(huán)形振蕩器由多于五個(gè)的MOSFET晶體管組成，每個(gè)所述MOSFET晶體管具有一個(gè)閾值電壓和一個(gè)本體電壓，其中所述閾值電壓為所述本體電壓的函數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的環(huán)形壓控振蕩器，其中所述環(huán)形振蕩器由n個(gè)CMOS反相器組成，其中n為大于一的奇數(shù)，每個(gè)所述CMOS反相器具有n個(gè)N型晶體管和n個(gè)P型晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的環(huán)形壓控振蕩器，其中所述控制輸入連接到所有所述N型晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求3的環(huán)形壓控振蕩器，其中所述控制輸入連接到所有所述P型晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的環(huán)形壓控振蕩器，其中所述多個(gè)晶體管利用絕緣上硅技術(shù)制造。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的環(huán)形壓控振蕩器，還包括CMOS晶體管結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的環(huán)形壓控振蕩器，其中所述環(huán)形壓控振蕩器在千兆赫頻率范圍內(nèi)工作。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的環(huán)形壓控振蕩器，其中所述控制輸入為在-1.5伏到+0.6伏范圍內(nèi)的電壓信號。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的環(huán)形壓控振蕩器，其中所述環(huán)形振蕩器被偏置以產(chǎn)生方波輸出信號。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的環(huán)形壓控振蕩器，其中所述控制輸入包括將所述方波輸出信號與外部參考信號同步的裝置，由此可以使所述方波輸出與所述外部的方波參考信號同步。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的環(huán)形壓控振蕩器，其中所述環(huán)形振蕩器被偏置以產(chǎn)生正弦輸出信號。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的環(huán)形壓控振蕩器，其中所述控制輸入包括調(diào)節(jié)所述正弦輸出信號的所述輸出頻率的裝置。
14.一種提供可變控制環(huán)形振蕩器的振蕩頻率的系統(tǒng)，所述環(huán)形振蕩器具有從電源電壓到地參考電位的輸出振幅范圍，所述系統(tǒng)包括多個(gè)CMOS MOSFET，形成環(huán)形振蕩器，其中至少一個(gè)所述多個(gè)MOSFET具有相對于電源和地參考電位浮動(dòng)的本體；以及將控制信號連接到所述至少一個(gè)MOSFET的所述浮動(dòng)本體的裝置，由此所述閾值電壓可以受控改變。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的系統(tǒng)，其中所述控制信號為可變的電壓源。
全文摘要
一種能在低壓操作并提供可變周期輸出的環(huán)形壓控振蕩器(VCRO)。多個(gè)晶體管形成環(huán)形振蕩器,所選擇的晶體管具有通過施加到晶體管本體的電壓控制的閾值電壓?？刂戚斎脒B接到晶體管本體,由此晶體管的本體通過控制輸入充電。充電本體改變了晶體管的閾值電壓,由此控制了振蕩器的振蕩頻率。
文檔編號H01L27/12GK1264961SQ99127058
公開日2000年8月30日 申請日期1999年12月27日 優(yōu)先權(quán)日1999年2月25日
發(fā)明者小威斯利·法沃斯, 埃里克·威廉·馬克多納爾德, 蘇伯爾·穆克赫基, 萊恩·阿爾伯特·瓦里納爾 申請人:國際商業(yè)機(jī)器公司