專利名稱：發(fā)光半導(dǎo)體裝置及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光半導(dǎo)體裝置及其制作方法，特別是關(guān)于具有反射層結(jié)構(gòu)的發(fā)光半導(dǎo)體裝置及其制作方法。
現(xiàn)有技術(shù)中使用可吸收光線的襯底制作的面接觸型發(fā)光二極管，如

圖1所示，首先在可吸收光線的襯底20上生長一層下包覆層(cladding layer)21，在其上生長一活性層(active layer)22，然后，在活性層上再生長一上包覆層(cladding layer)23，這樣，便形成雙異質(zhì)結(jié)(double heterostructure)。這種發(fā)光二極管的光波波長由活性層中的成分比例決定，包覆層能隙較活性層高，故一方面可以提高載子的注入效率，另一方面由活性層所發(fā)出的光亦不會被包覆層吸收，最后，在發(fā)光二極管的發(fā)光面上鍍上正面金屬電極24，同時在襯底20無生長磊晶層的一面上鍍上背面金屬電極25。此種垂直式發(fā)光二極管因為使用了吸光襯底砷化鎵(GaAs)，此襯底可吸收波長介于570nm到650nm的可見光，進而降低了發(fā)光效率。故降低吸光襯底的吸收效應(yīng)，是決定其發(fā)光效率的重要因素之一。
為了改善使用吸光襯底所造成吸收可見光的缺點及增進發(fā)光效率，現(xiàn)有技術(shù)發(fā)展出另一種如圖2所示的發(fā)光二極管，主要是增加了電流阻隔區(qū)34及反射層33。在上包覆層23上生長一同于包覆層但不同于摻雜型的半導(dǎo)體電流阻隔區(qū)34，這樣可使電流散開的面積增加，而改進發(fā)光效率；再者，在吸光襯底20與下包覆層21之間加入反射層33，以使向吸光襯底入射的光線能在反射層33內(nèi)被反射回來，以提高發(fā)光效率。然而，此種結(jié)構(gòu)，一則需界定出電流阻隔區(qū)的區(qū)域，且使用兩次MOCVD磊晶，其存在工藝復(fù)雜及時間長的缺點；再則其反射層是由兩種不同折射系數(shù)的材料為一對(pair)重復(fù)交疊制作而成，這種反射層的反射角頻寬由此對的折射系數(shù)差所決定，然而，受限于組成材料為化合物半導(dǎo)體，兩組成材料之間的折射系數(shù)差是有限的，其只能對幾乎垂直入射的光線才有反射作用，其余的光線仍需通過此反射層而被襯底吸收，所以降低襯底吸收光的作用極為有限。
現(xiàn)有技術(shù)中發(fā)展出另一種如圖3所示的發(fā)光二極管，其是先將發(fā)光二極管異質(zhì)結(jié)構(gòu)36磊晶生長在暫時性的吸光襯底20上，并維持晶格相匹配(lattice match)，而后，再將吸光襯底20去除，接下來使用晶片接合(Wafer bonding)技術(shù)，將另一透光導(dǎo)電襯底35與發(fā)光二極管異質(zhì)結(jié)構(gòu)36相結(jié)合，透光導(dǎo)電襯底35不僅可增加電流散開的面積，同時亦不吸收自活性層所發(fā)出的光，故能提高其發(fā)光效率。在此技術(shù)中，使用晶片接合(Wafer bonding)技術(shù)是將另一個透光導(dǎo)電襯底35與發(fā)光二極管異質(zhì)結(jié)構(gòu)36相結(jié)合，此技術(shù)的原理是利用不同材料之間的熱膨脹系數(shù)之差，經(jīng)由熱處理而產(chǎn)生單軸壓力的推擠而使透光導(dǎo)電襯底35與發(fā)光二極管異質(zhì)結(jié)構(gòu)36結(jié)合面之間產(chǎn)生原子與原子的凡德瓦力而鍵結(jié)；故為了達到大面積的均勻性，需產(chǎn)生均勻的大面積單軸壓力，這樣不需要特別設(shè)計的熱結(jié)合機具，且又需保持透光導(dǎo)電襯底35與發(fā)光二極管異質(zhì)結(jié)構(gòu)36之間的表面晶格方向一致，才能得到足夠強度的鍵結(jié)力及低阻抗的接合界面，故此法在制作技術(shù)上較為復(fù)雜且難度高，因此制作的合格率不易提高。
再者，現(xiàn)有技術(shù)中使用藍寶石(Sapphire)襯底所制成的氮化鎵系列的發(fā)光二極管，由于此襯底是絕緣的，無法導(dǎo)電，故須制成橫向電極，如圖4所示，包含一藍寶石絕緣襯底40，其上依序磊晶生長一緩沖層41，一n型下包覆層42，一活化層43，一p型上包覆層44及一p型歐姆接觸層45，然后制作正面電極46及橫向背面電極47。此外，現(xiàn)有技術(shù)亦有使用碳化硅(Silicon Carbide)當(dāng)成氮化鎵系列的發(fā)光二極管的襯底，雖然碳化硅可以導(dǎo)電，可制作成垂直式電極，但是此襯底不易制作，且成本亦相當(dāng)高；故目前主要使用絕緣襯底制成氮化物發(fā)光二極管裝置。由于使用絕緣襯底，無法制作成傳統(tǒng)式垂直電極結(jié)構(gòu)，而須制成橫向電極結(jié)構(gòu)，如此不僅須特殊連線機構(gòu)及封裝技術(shù)，且晶粒的制作面積相對增加，導(dǎo)致加工工藝復(fù)雜，且每單位元件所需成本亦增加。
綜上可知，現(xiàn)有技術(shù)存在下列缺點1、電流阻隔區(qū)需加設(shè)兩次MOCVD磊晶的復(fù)雜工藝，以及其中反射層只能反射特定入射角的光線，反射作用小。
2、為了達到鍵結(jié)均勻性及低阻抗結(jié)合界面所須的晶片接合技術(shù)工藝復(fù)雜。
3、使用藍寶石(Sapphire)襯底所制成的氮化鎵系列的發(fā)光二極管，無法制作成垂直式電極，而使得單位元件成本增加。
本發(fā)明的目的在于提供一種發(fā)光效率高的發(fā)光半導(dǎo)體裝置。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種易于加工的發(fā)光半導(dǎo)體裝置，主要是將一襯底與一發(fā)光半導(dǎo)體相結(jié)合，以降低工藝的復(fù)雜性，但可提高合格率。
本發(fā)明的目的之三在于簡化制造電流阻隔區(qū)的工藝，并能有效提供分散電流的功能，以增進發(fā)光效率。
本發(fā)明的目的之四在于提供一種易于將具有橫向電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光半導(dǎo)體裝置改制成具有垂直式電極結(jié)構(gòu)的光半導(dǎo)體裝置，以便有效地降低晶粒制作的單位面積，并利于連線封裝等后段工藝。
為達到上述目的本發(fā)明采取如下措施本發(fā)明的一種發(fā)光半導(dǎo)體裝置，包括一半導(dǎo)體堆疊結(jié)構(gòu)，用以回應(yīng)電流的導(dǎo)通而發(fā)出光線；反射層，位于半導(dǎo)體堆疊結(jié)構(gòu)的一主要表面上，用以反射由堆疊結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的光線；
襯底為一厚層，位于反射層的表面上；電極用以施加電流至半導(dǎo)體堆疊結(jié)構(gòu)。
其中，所述反射層中具有至少一個導(dǎo)電性較其他部分差的電流阻隔區(qū)域。
其中，所述電流阻隔區(qū)域為絕緣氧化物、絕緣氮化物、空氣或肖特基性接觸區(qū)中之一。
本發(fā)明的一種發(fā)光半導(dǎo)體裝置的制作方法，其特征在于，包括下列步驟在一第一襯底上形成第一導(dǎo)電型的下包覆層；鄰接下包覆層，形成第二導(dǎo)電型上包覆層；在上包覆層上形成一歐姆接觸層；在歐姆接觸層上形成一反射層；將一第二襯底接合在反射層上；移去第一襯底；制作可分別導(dǎo)通至上包覆層及下包覆層的電極。
其中，還包括下列步驟在形成下包覆層之前，在第一襯底上形成一第一導(dǎo)電型的緩沖層，下包覆層形成在緩沖層上。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下效果由于本發(fā)明的發(fā)光半導(dǎo)體裝置中原來的吸光襯底已在加工中被去除，因此完全克服了因使用吸光襯底所造成降低發(fā)光效率的問題。此外，本發(fā)明的發(fā)光半導(dǎo)體裝置具有一反射層，其可將發(fā)光半導(dǎo)體射向襯底方向的光線有效地反射，故能提高發(fā)光半導(dǎo)體裝置的發(fā)光效率。本發(fā)明的反射層可包括單層或多層金屬結(jié)構(gòu)，金屬層可作為第二襯底與發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)結(jié)合的介質(zhì)，不僅可解決現(xiàn)有的晶片直接接合的困難，且可大大放寬對第二襯底材料的選擇。再者，本發(fā)明的發(fā)光半導(dǎo)體裝置可在制作反射層時同時制作電流阻隔區(qū)，因此可簡化加工工藝。
此外，本發(fā)明所公開的方法，可直接用于將原本使用絕緣襯底的發(fā)光半導(dǎo)體裝置(如氮化物發(fā)光二極管)制作成具有垂直電極的發(fā)光半導(dǎo)體裝置，不僅可有效地降低晶粒制作的單位面積、利用傳統(tǒng)的連線封裝后段工藝，并能以斷開(cleavage)方式分割，有利于制造激光二極管裝置。
本發(fā)明效果具體綜述如下(1)制造工藝簡單、成本低在發(fā)光二極管異質(zhì)結(jié)構(gòu)與導(dǎo)電襯底之間加入金屬反射層的同時亦制作出電流阻隔區(qū)，不須以兩次MOCVD磊晶制作電流阻隔區(qū)，由于入射光只在金屬材料的表面穿透隨即被雙極子(dipole)所反射，所以，金屬對光線的入射角并無選擇性地反射，所以能增加反射角頻寬，更有效地達到光的反射，而不易被襯底吸收。
(2)加設(shè)金屬反射層于發(fā)光二極管雙異質(zhì)結(jié)與導(dǎo)電襯底之間，由于金屬與化合物半導(dǎo)體易形成合金化鍵結(jié)，故可當(dāng)作晶片結(jié)合的介質(zhì)，較晶片對晶片直接接合容易且制作簡單。
(3)加設(shè)金屬反射層在使用絕緣襯底所生長的氮化鎵發(fā)光二極管雙異質(zhì)結(jié)與另一導(dǎo)電襯底之間，再將絕緣襯底除去，可制作成垂直式電極結(jié)構(gòu)的氮化鎵發(fā)光二極管，有利于晶粒的連線及封裝作業(yè)，并可減小晶粒的制作面積，故可降低成本。
結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明的具體結(jié)構(gòu)及方法特征詳細說明如下附圖簡單說明圖1現(xiàn)有的一種面接觸型發(fā)光二極管的剖面圖；圖2現(xiàn)有的另一種面接觸型發(fā)光二極管的剖面圖；圖3現(xiàn)有的又一種面接觸型發(fā)光二極管的剖面圖4現(xiàn)有的使用絕緣襯底制作的一種面接觸型發(fā)光二極管的剖面圖；圖5本發(fā)明的一種面接觸型發(fā)光二極管的剖面圖；圖6a-6g本發(fā)明的一種面接觸型發(fā)光二極管的制作流程示意圖；圖7a-7d本發(fā)明的另一種面接觸型發(fā)光二極管的制作流程示意圖；圖8a-8d本發(fā)明的又一種面接觸型發(fā)光二極管的制作流程示意圖；圖9a-9e本發(fā)明的一種使用絕緣襯底制作發(fā)光二極管的制作流程示意圖；圖10a-10c本發(fā)明的另一種使用絕緣襯底制作發(fā)光二極管的制作流程示意圖；如圖5所示，其為本發(fā)明的面接觸型發(fā)光二極管的示意圖，由下而上，包括一導(dǎo)電襯底1(conductive substrate)、一金屬反射層8、一歐姆接觸層7(ohmic contact layer)、一上包覆層6(cladding layer)、一活性層5(active layer)、一下包覆層4、一正面金屬電極11及背面金屬電極10。
本發(fā)明的實施例1如圖6a所示，在第一個n型砷化鎵(GaAs)襯底120上依序磊晶生長一n型鋁鎵銦磷(AlGaInP)下包覆層121、一鋁鎵銦磷活性層122(為現(xiàn)有的組成結(jié)構(gòu))，其可為單層量子阱(SQW)或多層量子阱(MQW)，一P型鋁鎵銦磷上包覆層123，一p型銦鎵磷(InGaP)與P型砷化鎵組合而成的歐姆接觸層124。磊晶生長完成后將部分P型歐姆接觸層124利用蝕刻技術(shù)移去，并暴露出P型上包覆層123，如圖6b所示；接下來利用蒸鍍或濺鍍技術(shù)將一金屬反射層125鍍在P型歐姆接觸層124及P型上包覆層123上，如圖6c所示；接下來將第二個P型導(dǎo)電襯底126以熱接合方法與金屬反射層125結(jié)合，完成后，將第一個n型砷化鎵襯底120移去，如圖6d所示；再制作正面金屬電極128及背面金屬電極127，如圖6e所示。
此金屬反射層125能與P型歐姆接觸層124形成良好的歐姆性接觸(Ohmic contact)，其與P型上包覆層123形成肖特基接觸(Schottky contact)。此金屬歐姆性接觸導(dǎo)電性相當(dāng)高，除了可做為電流擴散路徑外，由于金屬反射層125對光線的入射角并無選擇性地反射，所以能增加反射角頻寬，故能更有效地將自活性層122所發(fā)出的光加以反射，而金屬肖特基接觸導(dǎo)電性相對地較差，可當(dāng)作電流阻隔區(qū)，但亦可使自活性層122所發(fā)出的光反射。
如圖6f所示，其表示本實施例中輸入的電流在發(fā)光二極管中的分布狀態(tài)。加入的金屬反射層125能有效地將電流散開，以提高發(fā)光效率。
如圖6g所示，從圖中可看出加入的金屬反射層125如何將活性層所發(fā)出的光反射而不被襯底吸收的機理。
如圖7a所示，其為本發(fā)明實施例二的示意圖，在第一個n型砷化鎵襯底130上依序磊晶生長一n型鋁鎵銦磷下包覆層131，一鋁鎵銦磷活性層132為現(xiàn)有的組成結(jié)構(gòu)，其可為單層量子阱(SQW)或多層量子阱(MQW)，一P型鋁鎵銦磷上包覆層133，一P型歐姆接觸層134。磊晶生長完成后，接下來利用蒸鍍或濺鍍技術(shù)將一金屬反射層135鍍在P型歐姆接觸層134上；接著如圖7b所示，再將部分金屬反射層135以蝕刻技術(shù)移去，并暴露出P型歐姆接觸層134；如圖7c所示，再將第二個P型導(dǎo)電襯底136以熱接合方法與金屬反射層135結(jié)合，完成后，將第一個n型砷化鎵襯底130移去；最后，如圖7d所示，再制作正面金屬電極138及背面金屬電極137。
金屬反射層135能與P型歐姆接觸層134形成良好的歐姆接觸，此金屬歐姆接觸的功能同實施例一，而暴露出的P型歐姆接觸層134與第二個P型導(dǎo)電襯底136之間的空隙則當(dāng)作電流阻隔區(qū)，而且由于鋁鎵銦磷上包覆層133的折射系數(shù)n(refraction index)約為3.5，而P型歐姆接觸層134與第二個P型導(dǎo)電襯底136之間的空隙的折射系數(shù)n約等于1，所以自活性層132所發(fā)出的光進入P型歐姆接觸層134與第二個P型導(dǎo)電襯底136之間的空隙時，光線從密介質(zhì)到疏介質(zhì)，所以此空隙亦能將光線反射回來。
本實施例的電流分布及自活性層所發(fā)出的光線的反射情形同實施例一。
請參閱圖8a，其表示本發(fā)明的實施例三，在本實施例中，在第一個n型砷化鎵襯底140上，依序磊晶生長一n型鋁鎵銦磷下包覆層141，一鋁鎵銦磷活性層142為現(xiàn)有的組成結(jié)構(gòu)，其可為單層量子阱(SQW)或多層量子阱(MQW)，一P型鋁鎵銦磷上包覆層143，一P型歐姆接觸層144。磊晶生長完成后，接下來利用蒸鍍或濺鍍的技術(shù)將一金屬反射層145鍍在第二個P型導(dǎo)電襯底146上，再將部分金屬反射層145移去，暴露出第二個P型導(dǎo)電襯底146，如圖8b所示；接下來以熱接合的方法將此金屬反射層145與歐姆接觸層144接合，完成后，將一個n型襯底140移去，如圖8c所示；最后，再制作正面金屬電極148及背面金屬電極147，如圖8d所示。
金屬反射層145能與P型歐姆接觸層144形成良好的歐姆接觸，金屬歐姆接觸及暴露出的第二個P型導(dǎo)電襯底146與歐姆接觸層144之間的空隙的功能與實施例二中所描述的相同。
本實施例的電流分布及自活性層所發(fā)出的光線的反射情形同實施例一。
請參閱圖9a，其表示本發(fā)明的實施例四，在本實施例中，在第一個藍寶石絕緣襯底150上依序磊晶生長一n型氮化鎵(GaN)緩沖層151，一n型氮化鋁鎵(AlGaN)下包覆層152，一氮化銦鎵(InGaN)活性層153，其為現(xiàn)有組成結(jié)構(gòu)，其可為單層量子阱(SQW)或多層量子阱(MQW)，一P型氮化鋁鎵(AlGaN)上包覆層154，一P型氮化鎵(GaN)歐姆接觸層155。然后，將部分P型歐姆接觸層155利用掩模蝕刻技術(shù)制作出金屬蒸鍍圖案(pattern)200，如圖9b所示，接下來利用蒸鍍或濺鍍技術(shù)將一金屬反射層156鍍在P型歐姆接觸層155金屬蒸鍍圖案200之上，如圖9c所示。接下來將第二個P型導(dǎo)電襯底157以熱接合方法與金屬反射層156結(jié)合，完成后，將第一個藍寶石絕緣襯底150移去，如圖9d所示。最后，再制作正面金屬電極159及背面金屬電極158，這樣，即可制作出垂直式電極的氮化鎵系發(fā)光二極管，如圖9e所示。
金屬反射層156能與P型歐姆接觸層155形成良好的歐姆性接觸，金屬歐姆接觸155及第二個P型導(dǎo)電襯底157與歐姆接觸層155之間暴露出的空隙的功能與實施例二中所描述的相同。
本實施例的電流分布及自活性層所發(fā)出的光線的反射情形同實施例一。
請參閱圖10a，其表示本發(fā)明的實施例5，在本實施例中，在第一個藍寶石絕緣襯底160上依序磊晶生長一n型氮化鎵緩沖層161，-n型氮化鋁鎵下包覆層162，一氮化銦鎵活性層163，其為現(xiàn)有的組成結(jié)構(gòu)，其可為單層量子阱(SQW)或多層量子阱(MQW)，一P型氮化鋁鎵上包覆層164，一P型氮化鎵歐姆接觸層165。
磊晶生長完成后，接下來利用蒸鍍或濺鍍技術(shù)將一金屬反射層201圖案鍍在第二個P型導(dǎo)電襯底166上，接下來將以熱接合方法將金屬反射層201與歐姆接觸層165結(jié)合，如圖10b所示。完成后，將第一個藍寶石絕緣襯底160移去，再制作正面金屬電極168及背面金屬電極167，即可制作出具垂直式電極的氮化鎵發(fā)光二極管，如圖10c所示。
金屬反射層201能與P型歐姆接觸層165形成良好的歐姆接觸，金屬歐坶接觸及暴露出的第二個P型導(dǎo)電襯底166與歐姆接觸層165之間的空隙的功能與實施例四中所描述的相同。
本實施例的電流分布及自活性層及發(fā)出光線的反射情形同實施例一。
本發(fā)明實施例中的第二襯底的材料可為鍺(Ge)、硅(Si)或磷化鎵(GaP)、磷化銦(InP)等任何組成的化合物半導(dǎo)體，亦可為導(dǎo)電型氧化物，如氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)等。
本發(fā)明發(fā)光半導(dǎo)體裝置的其他實施例可以不包含活化層，而由上包覆層及下包覆層間的P-N介面發(fā)光。
本發(fā)明其他實施例中的電流阻隔區(qū)的組成可以是絕緣氧化物或絕緣氮化物。
本發(fā)明不同實施例中的電極結(jié)構(gòu)亦可視需要而制作成橫向式電極結(jié)構(gòu)。
以上敘述是借實施例來說明本發(fā)明的結(jié)構(gòu)特征，并非用于限制本發(fā)明的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光半導(dǎo)體裝置，包括一半導(dǎo)體堆疊結(jié)構(gòu)，用以回應(yīng)電流的導(dǎo)通而發(fā)出光線，一襯底及電極，電極用以施加電流至半導(dǎo)體堆疊結(jié)構(gòu)；其特征在于，還包括一反射層，位于半導(dǎo)體堆疊結(jié)構(gòu)的一主要表面上，用以反射由堆疊結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的光線；襯底為一厚層，位于反射層的表面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述反射層中具有至少一個導(dǎo)電性較其他部分差的電流阻隔區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述電流阻隔區(qū)域為絕緣氧化物、絕緣氮化物、空氣或肖特基性接觸區(qū)中之一。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置，其特征在于，所述反射層是單層結(jié)構(gòu)鈦、鋁、金、多層結(jié)構(gòu)金/鍺、鈦/鋁、鎳/金中之一。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體堆疊結(jié)構(gòu)包括一下包覆層，下包覆層中摻入第一導(dǎo)電型雜質(zhì)；一上包覆層，上包覆層中摻入第二導(dǎo)電型雜質(zhì)且鄰接于下包覆層；一歐姆接觸層，形成在上包覆層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體堆疊結(jié)構(gòu)還包括一活性層，界于下包覆層與上包覆層之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述下包覆蓋為一n型鋁鎵銦磷半導(dǎo)體層，所述上包覆層為一p型鋁鎵銦磷半導(dǎo)體層。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述下包覆層為一n型氮化鎵Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體層，所述上包覆層為一p型氮化鎵Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置，其特征在于，所述襯底的材料為鍺、硅、磷化鎵、磷化銦等任何組成的化合物半導(dǎo)體。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置，其特征在于，所述襯底的材料為氧化銦錫、氧化鋅等導(dǎo)電型氧化物中之一。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置，其特征在于，所述電極包括兩個電極，分別位于所述襯底的表面及所述堆疊結(jié)構(gòu)相對于所述主要表面的另一表面上。
12.一種發(fā)光半導(dǎo)體裝置的制作方法，其特征在于，包括下列步驟在一第一襯底上形成第一導(dǎo)電型的下包覆層；鄰接下包覆層，形成第二導(dǎo)電型上包覆層；在上包覆層上形成一歐姆接觸層；在歐姆接觸層上形成一反射層；將一第二襯底接合在反射層上；移去第一襯底；制作可分別導(dǎo)通至上包覆層及下包覆層的電極。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，還包括下列步驟在形成下包覆層之前，在第一襯底上形成一第一導(dǎo)電型的緩沖層，下包覆層形成在緩沖層上。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述下包覆層為一n型氮化鎵Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體層，上包覆層為一P型氮化鎵Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體層。
15.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的方法，其特征在于，還包括下列步驟在形成所述上包覆層之前，在下包覆蓋層上形成一活性層，活性層界于所述下包覆蓋層與上包覆層之間。
16.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的方法，其特征在于，所述反射層中至少具有一個導(dǎo)電性較其他部分差的區(qū)域，作電流阻隔區(qū)域。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述電流阻隔區(qū)為絕緣氧化物、絕緣氮化物、空氣及肖特基性接觸區(qū)中之一。
18.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的方法，其特征在于，所述反射層是鈦、鋁或金等單層結(jié)構(gòu)、金/鍺、鈦/鋁或鎳/金等多層結(jié)構(gòu)中之一。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述下包覆層為一n型鋁鎵銦磷半導(dǎo)體層，所述上包覆層為一P型鋁鎵銦磷半導(dǎo)體層。
20.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的方法，其特征在于，所述第二襯底的材料為鍺、硅、磷化鎵、磷化銦等任何組成的化合物半導(dǎo)體、氧化銦錫、氧化鋅等導(dǎo)電型氧化物中之一。
21.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述電極包括兩個電極分別位于所述第二襯底及所述下包覆蓋層的表面上。
22.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述電極包括兩個電極，分別位于所述第二襯底及緩沖層的表面上。
全文摘要
一種發(fā)光半導(dǎo)體裝置及其制作方法,在本裝置中,一反射層制作在發(fā)光半導(dǎo)體堆疊結(jié)構(gòu)上,再將一第二襯底結(jié)合在反射層之上,最后,將堆疊結(jié)構(gòu)的原襯底去除,以第二襯底作為整體裝置的襯底。由于反射層可將發(fā)光半導(dǎo)體射向襯底方向的光有效地反射出,故能有效地提高發(fā)光半導(dǎo)體裝置的發(fā)光效率;本發(fā)明亦可將使用絕緣襯底制作的發(fā)光半導(dǎo)體裝置中的電極改制成垂直式電極,以有效地降低晶粒制作的單位面積。
文檔編號H01L33/00GK1295350SQ99122398
公開日2001年5月16日 申請日期1999年11月5日 優(yōu)先權(quán)日1999年11月5日
發(fā)明者洪詳竣, 簡奉任, 賴穆人 申請人:洲磊科技股份有限公司