專(zhuān)利名稱(chēng)：圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于制造半導(dǎo)體裝置的集成電路和LCD(光耦合器件)的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)，尤其涉及X射線曝光裝置試樣臺(tái)。
近年來(lái)，由于半導(dǎo)體集成電路的高密度化和高速化水平的提高，對(duì)半導(dǎo)體集成電路各元件尺寸微細(xì)化的努力正在繼續(xù)。還有，隨著元件尺寸的微細(xì)化，在各種工藝中形成的半導(dǎo)體元件相互疊合是否適宜是很重要的。通常，疊合精度的要求值是元件尺寸的1/4到1/3，在近年來(lái)開(kāi)發(fā)中所采用的0.25或0.18μm規(guī)格的圖形中，精度必須是50或80nm。
用于制造半導(dǎo)體集成電路的硅基片，在制造過(guò)程中，由于受到熱變化或形成有內(nèi)部應(yīng)力的薄膜，會(huì)稍微縮短(收縮)或伸長(zhǎng)(膨脹)。例如直徑6英寸的硅基片上形成0.2μm厚的氮化硅膜時(shí)，縮短4ppm，即長(zhǎng)度為20mm的圖形只縮短80nm。該縮短的80nm與所述的疊合精度一樣，是不可忽視的。因此，在以下曝光工藝的圖形復(fù)制中，必須將這部分進(jìn)行補(bǔ)正后曝光。
另外，用CVD方法，在硅基片上形成1.0μm厚的氧化硅膜的情況下，伸長(zhǎng)5ppm，即長(zhǎng)度為20mm的圖形只伸長(zhǎng)100nm。該伸長(zhǎng)的100nm為所述疊合精度一樣同等程度以上，其大的程度是不可忽視的。因此，在以下曝光工藝的圖形復(fù)制中，必須將這部分校正后進(jìn)行曝光。
對(duì)此，在使用紫外線進(jìn)行掩膜圖形的縮小復(fù)制的曝光裝置中，調(diào)整光學(xué)組合透鏡的間隔，可以由給定的值稍微變化復(fù)制的放大倍數(shù)，就能在所述的曝光工藝中很容易進(jìn)行校正。
但是，在使用紫外線曝光中，不能對(duì)應(yīng)的微細(xì)圖形的形成中，以同步加速器放射光(S0R)為光源的X射線曝光中，由于沒(méi)有X射線有效實(shí)用的透鏡，一般使用等倍的掩膜，但是不能改變圖形復(fù)制的放大倍數(shù)。
在特開(kāi)昭63-260023號(hào)公報(bào)(以下稱(chēng)已有技術(shù)1)中，著眼于掩模支持基片(熔融石英)和試樣基片(硅)的膨脹系統(tǒng)不同，在使掩模支持基片和試樣基片雙方的溫度變化之后，在曝光工藝中進(jìn)行校正。(以下稱(chēng)已有技術(shù)1)另外，在A.C.chen et al.,Proc.SPIE Vol.2437,PP.140-150(1955)(以下稱(chēng)已有技術(shù)2)中，對(duì)掩模支持基片加外力，將掩模基片強(qiáng)制伸長(zhǎng)之后，在曝光工藝中進(jìn)行校正。
所述已有技術(shù)1和2存在如下所述的問(wèn)題。
首先，在先行技術(shù)1中，伴隨掩?；驮嚇踊臏囟茸兓难b置自身的變動(dòng)因素，即放大倍數(shù)不吻合，測(cè)定部件和位置偏移而使測(cè)定部件的精度降低。另外，在該已有技術(shù)1中，還存在的問(wèn)題是溫度變化到穩(wěn)定為止需要10分鐘至數(shù)10分鐘的時(shí)間，不能在短時(shí)間內(nèi)變更測(cè)定校正量。
另一方面，在已有技術(shù)2中，由于必須要對(duì)掩?；磸?fù)增加外力，這樣，就會(huì)使掩模的基片容易疲勞，容易使掩模自體或掩模區(qū)支持基片產(chǎn)生破損。并且，由于增加外力只限于將掩模在伸長(zhǎng)方向伸長(zhǎng)，因此，對(duì)于掩模圖形也只限于試樣上的圖形為變大的情況。相反，也存在試樣上的圖形小的情況就不能適應(yīng)這樣的問(wèn)題。
這樣，對(duì)應(yīng)硅基片的伸縮時(shí)，為了在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行調(diào)整，與利用溫度變化的方法相比，使用外力的方法是有利的，但是對(duì)掩模基片增加外力的方法，容易使掩?；蜓谀ＶС只a(chǎn)生破損。
因此，發(fā)明的目的是，為解決這些已有技術(shù)中存在的問(wèn)題，將外力加在試樣基片上，由此，在試樣基片上構(gòu)成的圖形可以準(zhǔn)確地與掩模圖形匹配，特別是提供X射線曝光裝置中有效的曝光裝置用的試樣臺(tái)。
本發(fā)明作為解決所述存在的問(wèn)題的技術(shù)手段，提供如下所示的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)。
即，本發(fā)明的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)，裝有試樣并利用曝光裝置將在掩模上形成的電路圖形復(fù)制在試樣上，其特征是試樣臺(tái)分為中央部和包圍該中央部的周?chē)?，設(shè)有移動(dòng)部件，在吸附試樣的狀態(tài)下，至少周?chē)康囊徊糠挚梢匝卦嚇优_(tái)的半徑方向移動(dòng)。
以下對(duì)附圖及其符號(hào)作簡(jiǎn)單說(shuō)明。


圖1是本發(fā)明實(shí)施例的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)主要部分構(gòu)成的簡(jiǎn)略透視圖。
圖2是圖1所示的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)全部構(gòu)成簡(jiǎn)略剖視圖。
圖3是本發(fā)明實(shí)施例2的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)主要部分構(gòu)成的簡(jiǎn)略透視圖。
圖4是圖3所示的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)全部構(gòu)成簡(jiǎn)略剖視圖。
圖5是本發(fā)明實(shí)施例3的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)主要部分構(gòu)成的簡(jiǎn)略透視圖。
圖6是圖5所示的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)全部構(gòu)成簡(jiǎn)略剖視圖。
圖7是本發(fā)明實(shí)施例4的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)主要部分構(gòu)成的簡(jiǎn)略透視圖。
圖8是圖7所示的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)全部構(gòu)成簡(jiǎn)略剖視圖。
圖9是本發(fā)明實(shí)施例5的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)主要部分構(gòu)成的簡(jiǎn)略透視圖。
圖10是圖9所示的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)全部構(gòu)成簡(jiǎn)略剖視圖。
圖11是本發(fā)明實(shí)施例6的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)主要部分構(gòu)成的簡(jiǎn)略透視圖。
圖12是圖11所示的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)全部構(gòu)成簡(jiǎn)略剖視圖。
在上述附圖中，10-試樣臺(tái)、11、11A-試樣臺(tái)中央部、12-試樣臺(tái)周?chē)潭ú俊?3-試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部、14、14A-試樣臺(tái)中央部真空吸盤(pán)、14’、14A’-試樣臺(tái)中央部靜電吸盤(pán)、15-試樣臺(tái)周?chē)潭ú空婵瘴P(pán)、15’-試樣臺(tái)周?chē)潭ú快o電吸盤(pán)、16-試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部真空吸盤(pán)、16’-試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部靜電吸盤(pán)、20-試樣臺(tái)真空吸盤(pán)、20’-試樣臺(tái)靜電吸盤(pán)、21-試樣硅基片、22-可動(dòng)用桿、23-可動(dòng)用馬達(dá)、24、24A-試樣臺(tái)中央部真空吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置、24’、24A’-試樣臺(tái)中央部靜電吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置、25-試樣臺(tái)周?chē)潭ú空婵瘴P(pán)驅(qū)動(dòng)裝置、25’-試樣臺(tái)周?chē)潭ú快o電吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置、26-試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部真空吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置、26’-試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部靜電吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置、30-試樣臺(tái)真空吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置、30’-試樣臺(tái)靜電吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置以下參照附圖詳細(xì)說(shuō)明有關(guān)本發(fā)明的實(shí)施例。
實(shí)施例1
圖1及圖2所示為本發(fā)明實(shí)施例1中的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)主要部分的構(gòu)成及整體構(gòu)成。
本實(shí)施例的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)，如圖1所示，試樣臺(tái)分為試樣臺(tái)中央部11、試樣臺(tái)周?chē)潭ú?2和多個(gè)試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部13。分別用于真空吸附固定試樣硅基片21的吸盤(pán)，即由試樣臺(tái)中央部真空吸盤(pán)14、試樣臺(tái)周?chē)潭ú空婵瘴P(pán)15以及試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部真空吸盤(pán)16組成。
試樣臺(tái)固定部12和多個(gè)試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部13設(shè)在試樣臺(tái)中央部11的外周，換句話說(shuō)，即試樣臺(tái)中央部11由試樣臺(tái)周?chē)潭ú?2以及試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部13包圍著。多個(gè)試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部13，如圖1所示，沿周?chē)较虺史派錉畹氐冉情g隔配置。
另外，試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部13，如圖2所示那樣，通過(guò)可動(dòng)用馬達(dá)23及可動(dòng)用桿22，可以由試樣臺(tái)的中央部沿半徑方向移動(dòng)。還有，試樣臺(tái)中央部真空吸盤(pán)14與試樣臺(tái)周?chē)潭ú空婵瘴P(pán)15和試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部真空吸盤(pán)16分別是相互獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的裝置，它們分別由試樣臺(tái)中央部真空吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置24，試樣臺(tái)周?chē)潭ú空婵瘴P(pán)驅(qū)動(dòng)裝置25以及試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部真空吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置26驅(qū)動(dòng)。
使用具有這種構(gòu)成的本實(shí)施例的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)，半導(dǎo)體集成電路制造工藝中的硅基片，由于熱變化或形成有內(nèi)部應(yīng)力的薄膜，在稍微縮短(收縮)的情況，按如下的順序，進(jìn)行所必要的伸長(zhǎng)(膨脹)，以取得掩模(圖中未示)的匹配。
首先，使試樣臺(tái)的中心軸與試樣硅基片21的中心軸一致，以這種狀態(tài)，使試樣臺(tái)中央真空吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置24動(dòng)作，由此，驅(qū)動(dòng)試樣臺(tái)中央部真空吸盤(pán)14，對(duì)著試樣臺(tái)中央部11吸附試樣硅基片21。然后，使試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部真空吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置26動(dòng)作，由此驅(qū)動(dòng)試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部真空吸盤(pán)16，對(duì)著試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部13吸附試樣硅基片21。然后，停止試樣臺(tái)中央部真空吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置24的動(dòng)作，試樣臺(tái)中央部真空吸盤(pán)14的吸附功能也停止。這樣，只以試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部真空吸盤(pán)16保持著吸咐試樣硅基片21。在這種狀態(tài)下，使可動(dòng)用馬達(dá)23動(dòng)作，通過(guò)可動(dòng)用桿22將每個(gè)試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部13沿半徑方向的外側(cè)呈放射狀地移動(dòng)。如果將試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部13只移動(dòng)了給定的長(zhǎng)度，使試樣硅基片21的整體均的一地伸長(zhǎng)，就可以使稍微縮短的試樣硅基片21恢復(fù)到原來(lái)的大小。在這種狀態(tài)下，使試樣臺(tái)中央部真空吸盤(pán)14以及試樣臺(tái)周?chē)潭ú空婵瘴P(pán)15動(dòng)作，保持吸附著整個(gè)試樣硅基片21。
在本實(shí)施例中，將試樣硅基片21的周?chē)话唇o定的長(zhǎng)度收縮、膨脹的過(guò)程是由加在可動(dòng)用馬達(dá)23的動(dòng)力以及或者控制時(shí)間來(lái)進(jìn)行的。另外，試樣硅基片21的周?chē)欠衲馨唇o定的長(zhǎng)度收縮、膨脹，要用監(jiān)測(cè)裝置(圖中未示)對(duì)事先在試樣硅基片21上做好的標(biāo)記(圖中未示)進(jìn)行監(jiān)測(cè)后進(jìn)行判定。
以上說(shuō)明了有關(guān)試樣收縮的情況，相反，在半導(dǎo)體集成電路制造工藝中的硅基片21，也有時(shí)由于熱變化或形成有內(nèi)部應(yīng)力的薄膜而使其稍微伸長(zhǎng)，在本實(shí)施例中，也可以按如下順序，進(jìn)行必要的縮短，與掩模取得匹配。
首先，使試樣臺(tái)的中心軸與試樣硅基片21的中心軸一致，以這種狀態(tài)，使試樣臺(tái)中央真空吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置24動(dòng)作，由此，驅(qū)動(dòng)試樣臺(tái)中央部真空吸盤(pán)14，對(duì)著試樣臺(tái)中央部11吸附試樣硅基片21。然后，使試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部真空吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置26動(dòng)作，由此驅(qū)動(dòng)試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部真空吸盤(pán)16，對(duì)著試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部13吸附試樣硅基片21。然后，停止試樣臺(tái)中央部真空吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置24的動(dòng)作，試樣臺(tái)中央部真空吸盤(pán)14的吸附功能也停止。這樣，只以試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部真空吸盤(pán)16保持著吸咐試樣硅基片21。在這種狀態(tài)下，使可動(dòng)用馬達(dá)23動(dòng)作，通過(guò)可動(dòng)用桿22分別將每個(gè)試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部13沿半徑方向的內(nèi)側(cè)呈放射狀地移動(dòng)。各試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部13只按給定的長(zhǎng)度移動(dòng)，試樣硅基片21被均勻地縮短，使稍微伸長(zhǎng)的硅基片21能恢復(fù)到原來(lái)的大小。在這種狀態(tài)下，使試樣臺(tái)中央部真空吸盤(pán)14以及試樣臺(tái)固定部真空吸盤(pán)15動(dòng)作，保持吸附著整個(gè)試樣硅基處21。
如上所述，采用該第一實(shí)施例的試樣臺(tái)，不論硅基片21伸長(zhǎng)還是縮短，都可以使其恢復(fù)到原來(lái)的大小，掩模上的圖形投影時(shí)的尺寸，也不會(huì)產(chǎn)生偏移。
實(shí)施例2下面，參照?qǐng)D3及圖4說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例2的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)。
本實(shí)施例中的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)，如圖3所示，分為試樣臺(tái)中央部11和包圍它的試樣臺(tái)可動(dòng)部13，分別用于真空吸附固定試樣硅基片21的吸盤(pán)，即由試樣臺(tái)中央部真空吸盤(pán)14A以試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部真空吸盤(pán)16構(gòu)成。由此可以理解，試樣臺(tái)中央部11A，相當(dāng)于所述實(shí)施例1中，試樣臺(tái)中央部11與試樣臺(tái)周?chē)潭ú?2形成整體。另外，試樣臺(tái)中央部真空吸盤(pán)14A，相當(dāng)于在所述實(shí)施例1中，試樣臺(tái)中央部真空吸盤(pán)14和試樣臺(tái)周?chē)潭ú空婵瘴P(pán)15組合的吸盤(pán)。
另外，試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部13，如圖4所示，通過(guò)可動(dòng)用馬達(dá)23以及可動(dòng)用桿22，可以從試樣臺(tái)的中央，沿半徑方向呈放射狀地移動(dòng)。試樣臺(tái)中央部真空吸盤(pán)14A和試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部真空吸盤(pán)16分別有相互獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)裝置，通過(guò)試樣臺(tái)中央部真空吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置24A以及試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置26被驅(qū)動(dòng)。由此可以理解，試樣臺(tái)中央部真空吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置24A，相當(dāng)于所述實(shí)施例1中的試樣臺(tái)中央部真空吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置24和試樣臺(tái)周?chē)潭ú空婵瘴P(pán)驅(qū)動(dòng)裝置25組合的驅(qū)動(dòng)裝置。
以具有這種構(gòu)成的本實(shí)施例的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)，半導(dǎo)體集成電路制造工藝中的硅基片21，由于熱變化或形成有內(nèi)部應(yīng)力的薄膜而稍微縮短的情況，按如下順序，進(jìn)行必要的伸長(zhǎng)，與掩模(圖中未示)可以匹配。
首先，使試樣臺(tái)的中心軸和試樣硅基片21的中心軸一致，在這種狀態(tài)下，使試樣臺(tái)中央部真空吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置24A動(dòng)作，由此驅(qū)動(dòng)試樣臺(tái)中央部吸盤(pán)14A，對(duì)著試樣臺(tái)中央部11A吸附試樣硅基片21。接著，使試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部真空吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置26動(dòng)作，由此驅(qū)動(dòng)試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部真空吸盤(pán)16，對(duì)著試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部13吸附試樣硅基片21。然后，停止試樣臺(tái)中央部真空吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置24A的動(dòng)作，試樣臺(tái)中央部真空吸盤(pán)14A的功能也停止。這樣，只通過(guò)試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部真空吸盤(pán)16保持著吸附試樣硅基片21，在這種狀態(tài)下，使可動(dòng)用馬達(dá)23動(dòng)作，通過(guò)可動(dòng)桿22將每個(gè)試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部13對(duì)著半徑方向外側(cè)呈放射狀移動(dòng)。只將各試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部13移動(dòng)給定的長(zhǎng)度。使整個(gè)試樣硅基片21均勻地伸長(zhǎng)，這樣就可以使稍微縮短的硅基片21恢復(fù)到原來(lái)的大小，以這種狀態(tài)，使試樣臺(tái)中央部真空吸盤(pán)14A動(dòng)作保持吸附試樣硅基片21。
在本實(shí)施例中，試樣硅基片21的周?chē)话唇o定的長(zhǎng)度收縮、膨脹的狀態(tài)，也可以對(duì)可動(dòng)馬達(dá)23增加動(dòng)力或控制時(shí)間來(lái)進(jìn)行調(diào)整。另外，對(duì)于試樣硅基片21的周?chē)欠衲馨唇o定的長(zhǎng)度收縮、膨脹，可以用監(jiān)測(cè)裝置(圖中未示)對(duì)事先在試樣硅基片21上做好的標(biāo)記(圖中未示)進(jìn)行監(jiān)測(cè)后進(jìn)行判定。
以上說(shuō)明了有關(guān)試樣收縮的情況，相反，在半導(dǎo)體集成電路制造工藝中的硅基片21由于熱變化或形成有內(nèi)部應(yīng)力的薄膜，也有時(shí)稍微伸長(zhǎng)，在這種狀態(tài)下，以本實(shí)施例，按如下順序，也可以進(jìn)行必要的縮短，與掩模(圖中未示)取得匹配。
首先，使試樣臺(tái)的中心軸和試樣硅基片21的中心軸一致，在這種狀態(tài)下，使試樣臺(tái)中央部真空吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置24A動(dòng)作，由此驅(qū)動(dòng)試樣臺(tái)中央部吸盤(pán)14A，對(duì)著試樣臺(tái)中央部11A吸附試樣硅基片21。接著，使試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部真空吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置26動(dòng)作，由此驅(qū)動(dòng)試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部真空吸盤(pán)16，對(duì)著試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部13吸附試樣硅基片21。然后，停止試樣臺(tái)中央部真空吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置24A的動(dòng)作，試樣臺(tái)中央部真空吸盤(pán)14A的功能也停止。這樣，只通過(guò)試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部真空吸盤(pán)16保持著吸附試樣硅基片21，在這種狀態(tài)下，使可動(dòng)用馬達(dá)23動(dòng)作，通過(guò)可動(dòng)桿22將每個(gè)試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部13移動(dòng)給定的長(zhǎng)度，使試樣硅基片21整體均勻地縮短，可以使稍微伸長(zhǎng)的試樣硅基片21恢復(fù)原來(lái)的大小，在這種狀態(tài)下，使試樣臺(tái)中央部真空吸盤(pán)14A動(dòng)作，保持吸附整個(gè)試樣硅基片21。
如上所述，采用該實(shí)施例2的試樣臺(tái)，不論硅基片21伸長(zhǎng)還是縮短，都可以使其恢復(fù)到原來(lái)的大小，掩模上的圖形投影時(shí)的尺寸，也不會(huì)產(chǎn)生偏移。
另外，在所述實(shí)施例2的說(shuō)明中，試樣臺(tái)中央部11A中，以位于試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部之間的部分和其以外的中央部分吸附硅基片21的吸盤(pán)機(jī)構(gòu)是一起控制的，但也不僅限于此，也可以分別獨(dú)立地進(jìn)行控制。
實(shí)施例3以下參照?qǐng)D5及圖6說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例3的圖形曝光裝置用試樣臺(tái)的構(gòu)成。
本實(shí)施例的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)，如圖5所示，試樣臺(tái)10被細(xì)分解，分別設(shè)有試樣臺(tái)真空吸盤(pán)20，另外，在本實(shí)施例的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)，如圖6所示，各部分可以同時(shí)從中心沿半徑方向呈放射狀地移動(dòng)，在各部分設(shè)有可動(dòng)用馬達(dá)23及可動(dòng)用桿22，只有試樣臺(tái)10的中央的一處被固定。另外，如圖6所示，試樣臺(tái)真空吸盤(pán)20都是由共用的試樣臺(tái)真空吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置30驅(qū)動(dòng)。
具有這種構(gòu)成的本實(shí)施例的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)，在半導(dǎo)體集成電路制造工藝中的硅基片21，由于熱變化或形成有內(nèi)部應(yīng)力的薄膜而稍微縮短的情況，按如下所示的順序，進(jìn)行必要的伸長(zhǎng)，可以與掩模(圖中未示)取得匹配。
首先，使試樣臺(tái)10的中心軸和試樣硅基片21的中心軸一致，在這種狀態(tài)下，使試樣臺(tái)真空吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置30動(dòng)作，由此驅(qū)動(dòng)試樣臺(tái)真空吸盤(pán)20，對(duì)著試樣臺(tái)10吸附試樣硅基片21。這樣，試樣臺(tái)真空吸盤(pán)20整體保持吸附試樣硅基片21，在這種狀態(tài)下，使可動(dòng)用馬達(dá)23動(dòng)作，通過(guò)可用桿22將細(xì)分的試樣臺(tái)10的各部分對(duì)著半徑方向的外側(cè)呈放射狀移動(dòng)。只將試樣臺(tái)的各部分移動(dòng)給定的長(zhǎng)度，使試樣硅基片21整體均勻地伸長(zhǎng)，使稍微縮短的硅基片21能恢復(fù)到原來(lái)的大小。
在本實(shí)施例中，使試樣臺(tái)的各部分，對(duì)應(yīng)從中心的距離，移動(dòng)量不同，可動(dòng)用桿22的移動(dòng)量分別以各自不同的比率移動(dòng)。另外，在本實(shí)施例中，為達(dá)到這一目的，通過(guò)可動(dòng)用馬達(dá)23轉(zhuǎn)動(dòng)圓棒狀的可動(dòng)用桿22，在可動(dòng)用桿22周?chē)讨频奈佪?圖中未示)與試樣臺(tái)的各部分的齒輪(圖中未示)嚙合，試樣臺(tái)各部分采用這種移動(dòng)構(gòu)造，其各部分的齒輪的比例，對(duì)應(yīng)從試樣臺(tái)中心的距離而變化。
以上只說(shuō)明了試樣收縮的情況，相反，半導(dǎo)體集成電路工藝中的硅基片21，也有時(shí)由于熱變化和形成有內(nèi)部應(yīng)力的薄膜而稍微伸長(zhǎng)的情況，即使有這種情況，在本實(shí)施例中，按照以下的順序，進(jìn)行必要的縮短，可與掩模(圖中未示)取得匹配。
首先，使試樣臺(tái)10的中心軸和試樣硅基片21的中心軸一致，在這種狀態(tài)下，使試樣臺(tái)真空吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置30動(dòng)作，由此驅(qū)動(dòng)試樣臺(tái)真空吸盤(pán)20，對(duì)著試樣臺(tái)10吸附試樣硅基片21。這樣，通過(guò)試樣臺(tái)真空吸盤(pán)20保持吸附試樣硅基片21，在這種狀態(tài)下，使可動(dòng)用馬達(dá)23動(dòng)作，通過(guò)可用桿22，將細(xì)分的試樣臺(tái)10的各部分對(duì)著半徑方向的內(nèi)側(cè)呈放射狀移動(dòng)。試樣臺(tái)10的各部分按給定的長(zhǎng)度移動(dòng)的話，使試樣硅基片21整體均勻地縮短，使稍微伸長(zhǎng)的硅基片21能恢復(fù)到原來(lái)的大小。
如以上所述，采用該實(shí)施例3的試樣臺(tái)，不論硅基片21伸長(zhǎng)還是縮短，都可以使其恢復(fù)到原來(lái)的大小，掩模上的圖形投影時(shí)的尺寸，也不會(huì)產(chǎn)生偏移。
實(shí)施例4下面參照?qǐng)D7及圖8說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例4的圖形曝光裝置用試樣臺(tái)。
本實(shí)施例的圖形曝光裝置用試樣臺(tái)，如圖7所示，試樣臺(tái)分為試樣臺(tái)中央部11，包圍它的試樣臺(tái)周?chē)潭ú?2以及多個(gè)試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部13，分別用于靜電吸附試樣硅基片21而固定的吸盤(pán)。即，設(shè)有試樣臺(tái)中央部靜電吸盤(pán)14’，試樣臺(tái)周?chē)潭ú快o電吸盤(pán)15’以及試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部靜電吸盤(pán)16’。另外，試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部13，如圖8所示，通過(guò)可動(dòng)用馬達(dá)23及可動(dòng)用桿22，可以從試樣臺(tái)的中央沿半徑方向呈放射狀地移動(dòng)。另外，試樣臺(tái)中央部靜電吸盤(pán)14’，試樣臺(tái)周?chē)潭ú快o電吸盤(pán)15’和試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部靜電吸盤(pán)16’分別是相互獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)裝置，通過(guò)試樣臺(tái)中央靜電吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置24’，試樣臺(tái)周?chē)潭o電吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置25’及試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部靜電吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置26’驅(qū)動(dòng)。
由所述的構(gòu)成可以理解，本實(shí)施例的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)，不是使用所述實(shí)施例1中的真空吸盤(pán)機(jī)構(gòu)，使用了靜電吸盤(pán)機(jī)構(gòu)。
具有這樣構(gòu)成的的本實(shí)施例的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)，由于半導(dǎo)體集成電路制造工藝中的硅基片21，受到熱變化或形成有內(nèi)部應(yīng)力的薄膜，而稍微縮短的情況，按如下順序，進(jìn)行必要的伸長(zhǎng)，可以與掩模(圖中未示)取得匹配。
首先，使試樣臺(tái)的中心軸和試樣硅基片21的中心軸一致，在這種狀態(tài)下，使試樣臺(tái)中央部靜電吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置24’動(dòng)作，由此驅(qū)動(dòng)試樣臺(tái)中央部靜電吸盤(pán)14’，對(duì)著試樣臺(tái)中央部11吸附試樣硅基片21。然后，使試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部靜電吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置26’動(dòng)作，由此，驅(qū)動(dòng)試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)靜電吸盤(pán)16’，對(duì)著試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部13吸附試樣硅基片21，然后，停止試樣臺(tái)中央部靜電吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置24’的動(dòng)作，試樣臺(tái)中央部靜電吸盤(pán)14’的功能也停止。這樣，只通過(guò)試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部真空吸盤(pán)16’，保持吸附試樣硅基片21的狀態(tài)，在這種狀態(tài)下，使可動(dòng)用馬達(dá)23動(dòng)作，通過(guò)可用桿22，將試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部13沿半徑方向外側(cè)呈放射狀移動(dòng)。其結(jié)果是將試樣臺(tái)周?chē)目蓜?dòng)部13只移動(dòng)給定的長(zhǎng)度，就使試樣硅基片21整體均勻地伸長(zhǎng)，可以使稍微縮短的硅基片21恢復(fù)到原來(lái)的大小。在這種狀態(tài)下，使試樣臺(tái)中央部靜電吸盤(pán)14’，試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部靜電吸盤(pán)15’動(dòng)作，保持吸附整個(gè)試樣硅基片21。
在本實(shí)施例中，將試樣臺(tái)硅基片21的周?chē)话唇o定的長(zhǎng)度收縮或膨脹?？梢酝ㄟ^(guò)對(duì)可動(dòng)用馬達(dá)23加動(dòng)力或控制時(shí)間來(lái)進(jìn)行。另外，試樣硅基片21的周?chē)欠癜唇o定的長(zhǎng)度收縮、膨脹，要用監(jiān)測(cè)裝置(圖中未示)對(duì)事先在試樣硅基片21的上面做好的標(biāo)記(圖中未示)進(jìn)行監(jiān)測(cè)后進(jìn)行判定。
以上說(shuō)明了有關(guān)試樣收縮的情況，相反，在半導(dǎo)體集成電路工藝中的硅基片21，有時(shí)也由于熱變化或形成有內(nèi)部應(yīng)力的薄膜，而稍微伸長(zhǎng)的情況，在本實(shí)施例中，在這種情況下也可按照以下的順序，進(jìn)行必要的縮短，與掩模(圖中未示)取得匹配。
首先，使試樣臺(tái)的中心軸和試樣硅基片21的中心軸一致，在這種狀態(tài)下，使試樣臺(tái)中央部靜電吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置24’動(dòng)作，由此驅(qū)動(dòng)試樣臺(tái)中央部靜電吸盤(pán)14’，對(duì)著試樣臺(tái)中央部11吸附試樣硅基片21。然后，使試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部靜電吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置26’動(dòng)作，由此，驅(qū)動(dòng)試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)靜電吸盤(pán)16’，對(duì)著試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部13吸附試樣硅基片21，然后，停止試樣臺(tái)中央部靜電吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置24’的動(dòng)作，試樣臺(tái)中央部靜電吸盤(pán)14’的功能也停止。這樣，只通過(guò)試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部真空吸盤(pán)16’，保持吸附試樣硅基片21的狀態(tài)，在這種狀態(tài)下，使可動(dòng)用馬達(dá)23動(dòng)作，通過(guò)可用桿22，將試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部13對(duì)著半徑方向內(nèi)側(cè)，呈放射狀移動(dòng)。其結(jié)果是將試樣臺(tái)周?chē)骺蓜?dòng)部13只移動(dòng)給定的長(zhǎng)度，就使試樣硅基片21整體均勻地縮短，這樣，可以使稍微伸長(zhǎng)的硅基片21恢復(fù)到原來(lái)的大小。在這種狀態(tài)下，使試樣臺(tái)中央部靜電吸盤(pán)14’，及試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部靜電吸盤(pán)15’動(dòng)作，保持吸附整個(gè)試樣硅基片21。
如上所述，采用該實(shí)施例4的試樣臺(tái)，不論硅基片21伸長(zhǎng)還是縮短，都可以使其恢復(fù)到原來(lái)的大小，掩模上的圖形投影時(shí)的尺寸，也不會(huì)產(chǎn)生偏移。
實(shí)施例5下面，參照?qǐng)D9及圖10，說(shuō)明有關(guān)本發(fā)明實(shí)施例5的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)。
本實(shí)施例中的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)，如圖9所示，試樣臺(tái)分為試樣臺(tái)中央部11A和包圍中央部11A的試樣臺(tái)可動(dòng)部13，分別用于吸附固定靜電吸附試樣硅基片21的吸盤(pán)，即由試樣臺(tái)中央部靜電吸盤(pán)14A’及試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部靜電吸盤(pán)16’構(gòu)成。由此可以理解，試樣臺(tái)中央部11A相當(dāng)于將所述實(shí)施例4中的試樣臺(tái)中央部11與試樣臺(tái)周?chē)潭ú?2形成整體，而試樣臺(tái)中央部靜電吸盤(pán)14A’相當(dāng)于將所述實(shí)施例4中的試樣臺(tái)中央部靜電14’與試樣臺(tái)周?chē)潭ú快o電吸盤(pán)15’組合為整體的吸盤(pán)。
試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部13，如圖10所示，通過(guò)可動(dòng)用馬達(dá)23及可動(dòng)用桿22，可以從試樣臺(tái)的中央沿半徑方向呈放射狀地移動(dòng)。另外，試樣臺(tái)中央靜電吸盤(pán)14A’和試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部靜電吸盤(pán)16’，分別是使用相互獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)裝置。通過(guò)試樣臺(tái)中央部靜電吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置24A’及試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部驅(qū)動(dòng)裝置26’驅(qū)動(dòng)。由此可以理解，試樣臺(tái)中央部靜電驅(qū)動(dòng)裝置24A’相當(dāng)于所述實(shí)施例4中的試樣臺(tái)中央部靜電吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置24’與試樣臺(tái)周?chē)潭ú快o電吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置25’組合的驅(qū)動(dòng)裝置。
換句話說(shuō)，本實(shí)施例的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)，使用靜電吸盤(pán)裝置，替代所述實(shí)施例2中的真空吸盤(pán)機(jī)構(gòu)。
具有這種構(gòu)成的本實(shí)施例中的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)，在半導(dǎo)體集成電路制造工藝中的硅基片21，由于熱變化或形成有內(nèi)部應(yīng)力的薄膜，在稍微縮短的情況下，可以按如下順序，進(jìn)行必要的伸長(zhǎng)，與掩模取得匹配。
首先，使試樣臺(tái)10的中心軸和試樣硅基片21的中心軸一致，在這種狀態(tài)下，使試樣臺(tái)中央部靜電吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置24A’動(dòng)作，由此驅(qū)動(dòng)試樣臺(tái)中央部靜電吸盤(pán)14A’，對(duì)著試樣臺(tái)中央部11A吸附試樣硅基片21。然后，使試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部靜電吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置26’動(dòng)作，由此驅(qū)動(dòng)試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部靜電吸盤(pán)16’，對(duì)著試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部13吸附試樣硅基片21。然后，停止試樣臺(tái)中央部靜電驅(qū)動(dòng)裝置24’的動(dòng)作，試樣臺(tái)中央部靜電吸盤(pán)14’的功能也停止。這樣，只通過(guò)試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部靜電吸盤(pán)16’保持著吸附試樣硅基片21的狀態(tài)。在這種狀態(tài)下，使可動(dòng)用馬達(dá)23動(dòng)作，通過(guò)可動(dòng)桿22，將每個(gè)試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部13對(duì)著半徑方向外側(cè)呈放射狀移動(dòng)。只將各試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部13移動(dòng)給定的長(zhǎng)度。使試樣硅基片21均勻地伸長(zhǎng)，使稍微縮短的硅基片21恢復(fù)到原來(lái)的大小，在這種狀態(tài)下，使試樣臺(tái)中央部靜電吸盤(pán)14A’動(dòng)作，保持吸附試樣硅基片21的吸附狀態(tài)。
在本實(shí)施例中，將試樣硅基片21的周邊只按給定的長(zhǎng)度收縮和膨脹，可以通過(guò)對(duì)可動(dòng)馬達(dá)23增加動(dòng)力及/或控制時(shí)間來(lái)進(jìn)行。另外，試樣硅基片21是否只移動(dòng)了給定的長(zhǎng)度，以監(jiān)測(cè)裝置(圖中未示)對(duì)事先在試樣硅基片21上做好的標(biāo)記(圖中未示)進(jìn)行監(jiān)測(cè)后進(jìn)行判定。
以上說(shuō)明了試樣收縮的情況，相反，在半導(dǎo)體集成電路制造工藝中的硅基片21，有時(shí)也由于熱變化或形成有內(nèi)部應(yīng)力的薄膜，而稍微伸長(zhǎng)的情況，本實(shí)施例中，這種情況也可以按下面的順序，進(jìn)行必要的縮短，與掩模(圖中未示)取得匹配。
首先，使試樣臺(tái)10的中心軸和試樣硅基片21的中心軸一致，在這種狀態(tài)下，使試樣臺(tái)中央部靜電吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置24A’動(dòng)作，由此驅(qū)動(dòng)試樣臺(tái)中央部靜電吸盤(pán)14A’，對(duì)著試樣臺(tái)中央部11A吸附試樣硅基片21。然后，使試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部靜電吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置26’動(dòng)作，由此驅(qū)動(dòng)試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部靜電吸盤(pán)16’，對(duì)著試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部13吸附試樣硅基片21。然后，停止試樣臺(tái)中央部靜電驅(qū)動(dòng)裝置24’A的動(dòng)作，試樣臺(tái)中央部靜電吸盤(pán)14’的功能也停止。這樣，只通過(guò)試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部靜電吸盤(pán)16’保持著吸附試樣硅基片21的狀態(tài)。在這種狀態(tài)下，使可動(dòng)用馬達(dá)23動(dòng)作，通過(guò)可動(dòng)桿22將各試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部13對(duì)著半徑方向內(nèi)側(cè)，呈放射狀地移動(dòng)，其結(jié)果是將試樣臺(tái)周?chē)骺蓜?dòng)部13移動(dòng)給定的長(zhǎng)度，使試樣臺(tái)硅基片21整體均勻地縮短，這樣可以使稍微伸長(zhǎng)的試樣硅基片21恢復(fù)原來(lái)的大小，在這種狀態(tài)下，使試樣臺(tái)中央部靜電吸盤(pán)14A’動(dòng)作，保持吸附試樣硅基片21整體的狀態(tài)。
如上所述，采用該實(shí)施例5的試樣臺(tái)，不論硅基片21伸長(zhǎng)還是縮短，都可以使其恢復(fù)到原來(lái)的大小，掩模上的圖形投影時(shí)的尺寸，也不會(huì)產(chǎn)生偏移。
另外，在所述實(shí)施例5的說(shuō)明中，試樣臺(tái)中央部11A中，位于試樣臺(tái)周?chē)蓜?dòng)部13之間的部分和除此之外的中央部分吸附試樣臺(tái)硅基片21的吸盤(pán)機(jī)構(gòu)，是一起控制的，但也不僅限于此，也可以分別獨(dú)立地進(jìn)行控制。
實(shí)施例6以下參照?qǐng)D11及圖12說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例6的圖形曝光裝置用試樣臺(tái)的構(gòu)成。
本實(shí)施例的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)，如圖11所示，試樣臺(tái)10被細(xì)分，分別設(shè)有試樣臺(tái)靜電吸盤(pán)20’，另外，在本實(shí)施例的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)，各部分同時(shí)設(shè)有從試樣臺(tái)10中心沿半徑方向呈放射狀地移動(dòng)的可動(dòng)用馬達(dá)23及可動(dòng)用桿22，只有試樣臺(tái)10中央的一處固定。另外，如圖12所示，試樣臺(tái)靜電吸盤(pán)20’由共用的試樣臺(tái)靜電吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置30’驅(qū)動(dòng)。
由此可以理解，本實(shí)施例的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)，使用靜電吸盤(pán)機(jī)構(gòu)，替代所述實(shí)施例3中的真空吸盤(pán)機(jī)構(gòu)。
具有這種構(gòu)成的本發(fā)明實(shí)施例圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)，半導(dǎo)體集成電路制造工藝中的硅基片21，由于熱變化或形成有內(nèi)部應(yīng)力的薄膜而稍微縮短的情況，按如下的順序，進(jìn)行必要的伸長(zhǎng)，可以與掩模(圖中未示)取得匹配。
首先，使試樣臺(tái)10的中心軸和試樣硅基片21的中心軸一致，在這種狀態(tài)下，使試樣臺(tái)真空吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置30’動(dòng)作，由此驅(qū)動(dòng)試樣臺(tái)真空吸盤(pán)20’，對(duì)著試樣臺(tái)10吸附試樣硅基片21。這樣，試樣臺(tái)靜電吸盤(pán)20’的整體保持吸附試樣硅基片21的狀態(tài)，在這種狀態(tài)下，使可動(dòng)用馬達(dá)23動(dòng)作，通過(guò)可用桿22將細(xì)分的試樣臺(tái)10的各部分對(duì)著半徑方向的外側(cè)呈放射狀移動(dòng)，其結(jié)果，試樣臺(tái)10的各部分移動(dòng)給定的長(zhǎng)度，試樣硅基片21整體被均勻地伸長(zhǎng)，可以使稍微縮短的硅基片21能恢復(fù)到原來(lái)的大小。
在本實(shí)施例中，使試樣臺(tái)10的各部分，對(duì)應(yīng)從中心的距離，移動(dòng)量不同，可動(dòng)用桿22的移動(dòng)量分別以各自不同的比率移動(dòng)。另外，在本實(shí)施例中，為達(dá)此目的，通過(guò)可動(dòng)用馬達(dá)23轉(zhuǎn)動(dòng)圓棒狀的可動(dòng)用桿22，在可動(dòng)用桿22周?chē)讨频奈佪?圖中未示)與試樣臺(tái)的各部分的齒輪(圖中未示)嚙合，試樣臺(tái)各部分采用這種移動(dòng)構(gòu)造，其各部分的齒輪的比例，對(duì)應(yīng)從試樣臺(tái)中心的距離而變化。
以上說(shuō)明了試樣收縮的情況，相反，半導(dǎo)體集成電路工藝中的硅基片21，有時(shí)由于熱變化和形成有內(nèi)部應(yīng)力的薄膜而稍微伸長(zhǎng)的情況，在這種情況下，可按如下的順序，進(jìn)行必要的縮短，取得與掩模(圖中未示)的匹配。
首先，使試樣臺(tái)10的中心軸和試樣硅基片21的中心軸一致，在這種狀態(tài)下，使試樣臺(tái)真空吸盤(pán)驅(qū)動(dòng)裝置30’動(dòng)作，由此驅(qū)動(dòng)試樣臺(tái)真空吸盤(pán)20’，對(duì)著試樣臺(tái)10吸附試樣硅基片21。這樣，以試樣臺(tái)真空吸盤(pán)20’的整體吸附試樣硅基片21的狀態(tài)，在這種狀態(tài)下，使可動(dòng)用馬達(dá)23動(dòng)作，通過(guò)可用桿22，將細(xì)分的試樣臺(tái)10的各部分對(duì)向半徑方向的內(nèi)側(cè)呈放射狀移動(dòng)，試樣臺(tái)10的各部分只移動(dòng)了給定的長(zhǎng)度，使試樣硅基片21整體均勻地縮短，可以使稍微伸長(zhǎng)的硅基片21能恢復(fù)到原來(lái)的大小。
如以上所述，采用該實(shí)施例6的試樣臺(tái)，無(wú)論硅基片21是伸長(zhǎng)還是縮短，都可以恢復(fù)成原來(lái)的大小，掩模上的圖形投影時(shí)的尺寸，也不會(huì)產(chǎn)生偏移。
本發(fā)明不局限于所述的實(shí)施例，只要不脫離本發(fā)明的要旨的范圍，可以有種種變化。例如在所述的實(shí)施例中，說(shuō)明了試樣基片是硅基片的情況，但也適用于其他的基片。另外，曝光裝置也可以使用X射線以外的曝光裝置。
如上所述，本發(fā)明中，將掩模上形成的電路圖形復(fù)制在試樣上的曝光裝置用的試樣臺(tái)中，沒(méi)有放大倍數(shù)、測(cè)定部件和位置偏移等計(jì)測(cè)部件精度的降低，另外，也不會(huì)使掩模本身或掩模支持的基片破損。而且，無(wú)論掩模圖試樣上的圖形是變大還是變小，都可以獲得在短時(shí)間將試樣硅基片伸縮的效果。
權(quán)利要求
1．一種圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)，裝有試樣并使用曝光裝置，將在掩模上形成的電路圖形復(fù)制到試樣上，其特征是，所述試樣臺(tái)被分為中央部和包圍中央部的周?chē)?，設(shè)有移動(dòng)部件，在吸附所述試樣的狀態(tài)下，所述周?chē)恐兄辽儆幸徊靠梢匝厮鲈嚇优_(tái)的半徑方向移動(dòng)。
2．一種圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)，裝有試樣，使用曝光裝置，將在掩模上形成的電路圖形復(fù)制到試樣上，其特征是，所述試樣臺(tái)被分為中央部和包圍中央部的周?chē)?，設(shè)有吸盤(pán)機(jī)構(gòu)，分別對(duì)著所述中央部和所述各周?chē)浚剿鲈嚇拥脑嚇庸杌?；設(shè)有移動(dòng)部件，使所述周?chē)康囊徊炕蛉垦厮鲈嚇优_(tái)的半徑方向移動(dòng)。
3．如權(quán)利要求2所述的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)，其特征是所述試樣基片是試樣硅基片。
4．如權(quán)利要求2所述的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)，其特征是，所述周?chē)勘环譃楸还潭ǖ闹車(chē)潭ú亢湍苎厮霭霃椒较蛞苿?dòng)的周?chē)蓜?dòng)部；所述試樣臺(tái)設(shè)有控制部件，在該周?chē)潭ú亢退鲋醒氩糠謩e獨(dú)立控制所述吸附試樣基片的吸盤(pán)機(jī)構(gòu)。
5．如權(quán)利要求2所述的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)，其特征是，所述周?chē)勘环譃楸还潭ǖ闹車(chē)潭ú亢湍苎厮霭霃椒较蛞苿?dòng)的周?chē)蓜?dòng)部；該周?chē)潭ú颗c所述中央部形成整體；所述試樣臺(tái)設(shè)有控制部件，在所述中央部和所述周?chē)客瑫r(shí)控制吸附所述試樣基片的吸盤(pán)機(jī)構(gòu)。
6．如權(quán)利要求2所述的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)，其特征是，所述周?chē)勘环譃楸还潭ǖ闹車(chē)潭ú亢湍苎厮霭霃椒较蛞苿?dòng)的周?chē)蓜?dòng)部；該周?chē)潭ú颗c所述中央部形成整體；所述試樣臺(tái)設(shè)有控制部件，在所述中央部和所述周?chē)潭ú?，分別獨(dú)立控制吸附所述試樣基片的吸盤(pán)機(jī)構(gòu)。
7．如權(quán)利要求2所述的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)，其特征是，所述周?chē)坑杀还潭ǖ闹車(chē)潭ú亢湍艹史派錉畹匮厮霭霃椒较蛞苿?dòng)的多個(gè)周?chē)蓜?dòng)部構(gòu)成，所述試樣臺(tái)設(shè)有控制部件，能同時(shí)控制多個(gè)在周?chē)蓜?dòng)部的所有吸附所述試樣基片用的吸盤(pán)機(jī)構(gòu)，同時(shí)控制所述多個(gè)周?chē)蓜?dòng)部的移動(dòng)量，對(duì)應(yīng)從所述試樣臺(tái)的中心的距離而移動(dòng)。
8．如權(quán)利要求2所述圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)，其特征是所述曝光裝置是X射線曝光裝置。
9．如權(quán)利要求2所述的圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)，其特征是所述吸盤(pán)機(jī)構(gòu)是真空吸附所述試樣基片的真空吸盤(pán)機(jī)構(gòu)。
10．如權(quán)利要求2所述圖形曝光裝置用的試樣臺(tái)，其特征是所述吸盤(pán)機(jī)構(gòu)是靜電吸附所述試樣基片的靜電吸盤(pán)機(jī)構(gòu)。
全文摘要
一種曝光裝置用的試樣臺(tái)將在掩模上形成的電路圖形復(fù)制在試樣上,沒(méi)有放大倍數(shù)偏差、檢測(cè)部件和位置偏移計(jì)量部件而引起的精度降低,另外,也不會(huì)使掩模本身或掩模支持的基片受到損傷。即使在掩模圖形小的情況下,也可以在短時(shí)間內(nèi),將試樣硅基片伸長(zhǎng)或縮短。圖形曝光裝置用的試樣臺(tái),被分為中央部和周?chē)?分別設(shè)有吸附試樣硅基片21的吸盤(pán)機(jī)構(gòu),周?chē)囊徊糠只蛉靠梢詮脑嚇优_(tái)的中心沿半徑方向移動(dòng)。
文檔編號(hào)H01L21/027GK1233847SQ99102830
公開(kāi)日1999年11月3日 申請(qǐng)日期1999年3月5日 優(yōu)先權(quán)日1998年3月5日
發(fā)明者相崎尚昭 申請(qǐng)人:日本電氣株式會(huì)社