專利名稱：電阻器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及高密度配線用的電阻器及其制造方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的此種電阻器公知的有在日本專利特開昭59-75607中所公開的電阻器。
下面，參考附圖對現(xiàn)有的電阻器及其制造方法的制造過程進行說明。


圖11為現(xiàn)有的電阻器的平面圖。
在圖11中，1為絕緣基板，2a、2b為設(shè)置于基板1兩側(cè)的電極。3為使電極2a、2b之間導(dǎo)通的電阻體。4a、4b為使電極2a、2b導(dǎo)通而設(shè)置在基板1的側(cè)面上的側(cè)面電極。5為對電阻體3進行微調(diào)的微調(diào)槽。
下面參考附圖對具有如上結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有電阻器的制造方法予以說明。
圖12為示出現(xiàn)有的電阻器的制造方法的主要部分的工序圖。
如圖12所示，首先，在表面上具有開裂用的縱槽12及橫槽13的片狀絕緣基板上，沿縱槽12在各區(qū)域中獨立地并沿橫槽13橫跨縱槽12在其兩側(cè)形成電極14，之后在橫向上在橫跨相鄰電極14之間利用厚膜法形成電阻體17。
之后，利用激光進行微調(diào)。電阻值微調(diào)是一邊測量一邊進行，各電阻體17的電阻值的測量及微調(diào)是對在橫向上并排排列的每個電阻進行。即比如在最上段中對在橫向上并排排列的電阻的各電極中的每一個配置測量端子并利用其測量電阻值的同時，以激光照射來對電阻體進行微調(diào)。
之后，根據(jù)需要在表面上形成玻璃等的絕緣保護膜后，使之沿縱槽12裂開而得到多個帶狀體。并根據(jù)需要在各帶狀體的兩側(cè)利用厚膜法形成側(cè)面電極，并且在電極表面施加鍍層。
其次，使之沿橫槽13裂開而得到各個芯片。
結(jié)果，現(xiàn)有的電阻器在微調(diào)工序中，使探針與上面電極層接觸，使電流流過電阻層，讀出其電壓降，利用激光等手段形成微調(diào)槽一直到得到預(yù)定的電阻值為止。
但是，在上述現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)及制造方法中，在低電阻區(qū)的電阻器中，存在由于微調(diào)探針與上面電極層的接觸位置的偏差而使微調(diào)后的電阻值的精度很差的問題。
下面參考附圖對該問題予以說明。圖13示出在現(xiàn)有的電阻器的標(biāo)準模式圖中由于在微調(diào)時的探針的位置而使電流的路徑不同的標(biāo)準模式圖，其中圖13(a)(b)(c)為高電阻的場合，圖13(d)(e)(f)為低電阻的場合。
在圖13中，23為上面電極層和探針的接觸位置，24為測量電阻值時的電流路徑。在高電阻區(qū)中，由于上面電極層和探針的接觸位置23即使改變，對電流路徑24也沒有影響(參考圖13(a)(b)(c))，所以不存在問題，而在低電阻區(qū)中，由于上面電極層與電阻層的面積電阻率的差別很小，電流不是流經(jīng)整個電阻層，如參考13(d)(e)(f)所示，如改變上面電極層和探針的接觸位置23，電流路徑24會發(fā)生很大的變化。結(jié)果，因為測得的電阻值會因上面電極層與探針的接觸位置的不同而改變，所以存在由于上面電極層與探針的接觸位置存在偏差之故，而使得即使在微調(diào)時電阻值的修正精度很高，實際上微調(diào)后的電阻值也存在偏差的問題。
本發(fā)明旨在解決上述現(xiàn)有的問題，其目的在于提供一種在低電阻區(qū)中和探針與上面電極層的接觸位置的偏差無關(guān)并且可使電阻值以良好的精度進入預(yù)定電阻值范圍內(nèi)電阻器及其制造方法。
發(fā)明簡介用來解決上述問題的本發(fā)明的電阻器的構(gòu)成包括基板、具有設(shè)置在上述基板的上面兩側(cè)的切口部的一對上面電極層、設(shè)置用來對上述上面電極層進行電連接的電阻層、設(shè)置用來至少覆蓋上述電阻層的保護層、以及設(shè)置用來在上述基板的側(cè)面與上述上面電極層一部分的上面重疊而進行電連接的側(cè)面電極層。
根據(jù)上述的電阻器，由于在基板上面兩側(cè)的一對上面電極層中設(shè)置有切口部，即使在微調(diào)時測量電阻值的探針和上面電極層之間的接觸位置發(fā)生偏差，電阻體中的電流路徑會因為存在切口部而不會發(fā)生偏差而得到穩(wěn)定的產(chǎn)品，其結(jié)果是即使在低電阻區(qū)也可以使電阻值以良好的精度進入預(yù)定的電阻值范圍內(nèi)。
附圖簡介圖1為本發(fā)明第一實施例的電阻器切去一部分后的斜視圖；圖2(a)～(c)為示出同一電阻器的制造方法的工序圖；圖3(a)～(d)為示出同一電阻器的制造方法的工序圖；圖4(a)～(c)為示出同一電阻器的電阻測定時的電流路徑的標(biāo)準模式圖；圖5為本發(fā)明第二實施例的電阻器切去一部分后的斜視圖；圖6(a)～(d)為示出同一電阻器的制造方法的工序圖；圖7(a)～(d)為示出同一電阻器的制造方法的工序圖；圖8(a)～(c)為示出同一電阻器的電阻測定時的電流路徑的標(biāo)準模式圖；圖9為本發(fā)明第三實施例的電阻器切去一部分后的斜視圖；圖10(a)～(c)為示出同一電阻器的電阻測定時的電流路徑的標(biāo)準模式圖；圖11為現(xiàn)有的電阻器的俯視圖；圖12為示出同一電阻器的制造方法的主要部分的工序圖；圖13(a)～(f)為示出同一電阻器的電阻測定時的電流路徑的標(biāo)準模式圖。
本發(fā)明的最佳實施形態(tài)第一實施例下面參考附圖對本發(fā)明第一實施例的電阻器的制造方法予以說明。
圖1為本發(fā)明第一實施例的電阻器切去一部分后的斜視圖。
在圖1中，31是由氧化鋁等制作的基板。32是設(shè)置于基板31上面兩側(cè)上的由銀和玻璃的混合材料等制作的一對上面電極層。33是與基板31上面的一對電極層32部分重疊設(shè)置以進行電連接的由氧化釕和玻璃的混合材料或由銀、鈀和玻璃的混合材料制作的電阻層。34是在電極層印刷工序中在上面電極層32上在與電極層的寬度方向為同一方向上形成的從上面電極層32兩側(cè)部分開始向著上面電極層32的中心部分并使上面電極層32的寬度保留1/4的切口部。35是利用激光等手段設(shè)置的微調(diào)槽，用來將電阻值修正到預(yù)定電阻值。36是為了至少覆蓋電阻層33而設(shè)置的由硼硅酸鉛玻璃制作的保護層。37是為了與上面電極層32進行電連接而在基板31的側(cè)面上設(shè)置的由銀和玻璃的混合材料制作的側(cè)面電極層。另外，根據(jù)需要可以設(shè)置通過鍍鎳等方法而形成的第一鍍層(圖中未示出)將側(cè)面電極層37覆蓋，同時還可以根據(jù)需要設(shè)置第二鍍層(圖中未示出)將第一鍍層覆蓋。
下面參考附圖對如上構(gòu)成的電阻器的制造方法予以說明。
圖2、圖3為示出本發(fā)明的第一實施例的電阻器的制造方法的工序圖。
首先，如圖2(a)所示，利用具有切口部43a的掩模將銀和玻璃的混合糊狀材料通過絲網(wǎng)印刷和干燥并借助帶式連續(xù)焙燒爐在大約850℃的溫度下焙燒大約45分鐘而在由氧化鋁等構(gòu)成的具有縱橫分割槽41的片狀基板42上橫跨縱橫分割槽41形成具有切口部43a的上面電極層43b。另外，此時也可根據(jù)需要在片狀基板42的里面在與上面電極層43b相對的位置處，利用銀和玻璃的混合糊狀材料通過絲網(wǎng)印刷和干燥，在上面電極層43b形成的同時形成里面電極層(圖中未示出)。
之后，如圖2(b)所示，為了在上面電極層43b之間進行電連接，將氧化釕和玻璃的混合糊狀材料通過絲網(wǎng)印刷和干燥并借助帶式連續(xù)焙燒爐在大約850℃的溫度下焙燒大約45分鐘而在片狀基板42上面與電極層43b的一部分重疊形成電阻層44。
之后，如圖2(c)所示，為了修正電阻層44的電阻值，利用激光等手段進行微調(diào)而形成微調(diào)槽45。此時，在進行微調(diào)之前，也可以在利用硼硅酸玻璃等進行預(yù)涂敷(圖中未示出)之后，從預(yù)涂敷層上面利用激光等手段對預(yù)涂敷層及電阻層44進行微調(diào)而形成微調(diào)槽45。
之后，如圖3(a)所示，可將硼硅酸鉛玻璃糊劑通過絲網(wǎng)印刷和干燥并借助帶式連續(xù)焙燒爐在大約620℃的溫度下焙燒大約45分鐘而形成至少覆蓋電阻層44的上面的保護層46。
之后，如圖3(b)所示，沿基板42的分割槽41進行分割而形成長條形基板47以使上面電極層43b從基板側(cè)面露出。
之后，如圖3(c)所示，將銀和玻璃的混合糊狀材料通過滾筒轉(zhuǎn)印和干燥并借助帶式連續(xù)焙燒爐在大約620℃的溫度下焙燒大約45分鐘而在長條形基板47的側(cè)面形成部分與上面電極層43b重疊以使之導(dǎo)通的側(cè)面電極層48。
之后，如圖3(d)所示，將長條形基板47(此圖中未示出)分割為單片而形成單片狀的基板49。
最后，根據(jù)需要可以設(shè)置通過鍍鎳等方法形成的第一鍍層的壁壘層，將上面電極層43b的露出部及側(cè)面電極層48覆蓋，同時還可以形成由錫和鉛合金鍍層構(gòu)成的第二鍍層的焊錫層，將該第一鍍層覆蓋而制成電阻器。
另外，在上述本發(fā)明的第一實施例中，所說明的保護層材料使用的是硼硅酸玻璃，但也可使用環(huán)氧樹脂材料。
另外，在本發(fā)明的第一實施例中，所說明的側(cè)面電極材料使用的是銀和玻璃的混合材料，但也可使用鎳系酚醛環(huán)氧樹脂材料。
另外，在本發(fā)明的第一實施例中，具有切口部43a的上面電極層43b是采用具有切口部43a的掩模通過絲網(wǎng)印刷而形成的，但也可以借助激光等手段對上面電極層43b進行切削而在上面電極層43b上形成切口部43a。
下面參考附圖對按如上方式制作的電阻器的作用進行說明。
圖4(a)(b)(c)為本發(fā)明的第一實施例的電阻器在制造過程中的標(biāo)準模式圖。51是在微調(diào)工序中探針和上面電極層的接觸位置。52是測量電阻值時的電流路徑。圖4(a)(b)(c)中探針和上面電極層的接觸位置51互相之間不同。由此圖4(a)(b)(c)可知，在本發(fā)明的第一實施例的電阻器中，即使探針和上面電極層的接觸位置不同，由于在上面電極層中存在切口部，看不到在圖13(d)(e)(f)中所觀察到的那種在測量電阻值時的電流路徑的巨大變化，所以無論探針與上面電極層的任何位置接觸都可以顯示穩(wěn)定的電阻值，從而可以提高微調(diào)的精度。
下面對其特性進行比較說明。
作為實驗方法，是利用低電阻用的4探針將微調(diào)前的平均電阻值為70mΩ的電阻片微調(diào)為目標(biāo)電阻值為100mΩ，然后對其電阻值分布進行測量。
表1示出現(xiàn)有的和本發(fā)明第一實施例的電阻器的微調(diào)精度分布。
表1

Cv＝標(biāo)準偏差/平均值×100
從表1可知，本發(fā)明第一實施例的電阻器，由于其結(jié)構(gòu)使其在微調(diào)時難于受到探針與上面電極層的接觸位置的影響，所以與現(xiàn)有的電阻器相比較其微調(diào)精度可以提高，可提供目標(biāo)電阻值精度更高的電阻器。
第二實施例下面參考附圖對本發(fā)明第二實施例的電阻器的制造方法予以說明。
圖5為本發(fā)明第二實施例的電阻器切去一部分后的斜視圖。
在圖5中，61是由氧化鋁等制作的基板。62是設(shè)置于基板61上面兩側(cè)上的銀和玻璃的混合材料等制作的一對上面電極層。63是與基板61上面的一對電極層62部分重疊設(shè)置以進行電連接的、由氧化釕和玻璃的混合材料或由銀、鈀和玻璃的混合材料制作的電阻層。64是利用激光等手段在一對上面電極層62上在與電極層的寬度方向為同一方向上交錯形成的、長度等于上面電極層62的寬度的3/4的切口部。65是利用激光等手段設(shè)置的微調(diào)槽，用來將電阻層63的電阻值修正到預(yù)定電阻值。66是為了至少覆蓋電阻層63而設(shè)置的由硼硅酸鉛玻璃制作的保護層。67是為了與上面電極層62進行電連接而在基板61的側(cè)面上設(shè)置的由銀和玻璃的混合材料制作的側(cè)面電極層。另外，根據(jù)需要可以設(shè)置通過鍍鎳等方法而形成的第一鍍層(圖中未示出)將側(cè)面電極層67覆蓋，同時還可以根據(jù)需要設(shè)置第二鍍層(圖中未示出)將第一鍍層覆蓋。
下面參考附圖對如上構(gòu)成的電阻器的制造方法予以說明。
圖6、圖7為示出本發(fā)明第二實施例的電阻器的制造方法的工序圖。
首先，如圖6(a)所示，將銀和玻璃的混合糊狀材料通過絲網(wǎng)印刷和干燥并借助帶式連續(xù)焙燒爐在大約850℃的溫度下焙燒大約45分鐘而在由氧化鋁等構(gòu)成的具有縱橫分割槽71的片狀基板72上橫跨縱橫分割槽71形成上面電極層73。另外，此時也可根據(jù)需要在片狀基板72的里面在與上面電極層73相對的位置處利用銀和玻璃的混合糊狀材料通過絲網(wǎng)印刷和干燥在和上面電極層73形成的同時形成里面電極層(圖中未示出)。
之后，如圖6(b)所示，利用激光等手段在上面電極層73上在與基板的寬度方向為同一方向上交錯形成一對切口部74。
之后，如圖6(c)所示，為了在上面電極層73之間進行電連接，將氧化釕和玻璃的混合糊狀材料通過絲網(wǎng)印刷和干燥并借助帶式連續(xù)焙燒爐在大約850℃的溫度下焙燒大約45分鐘而在片狀基板72上面與電極層73的一部分重疊形成電阻層75。
之后，如圖6(d)所示，為了修正電阻層75的電阻值，利用激光等手段進行微調(diào)而形成微調(diào)槽76。此時，在進行微調(diào)之前，至少也可以在利用硼硅酸玻璃等進行預(yù)涂敷(圖中未示出)之后，從預(yù)涂敷層上面利用激光等手段對預(yù)涂敷層及電阻層75進行微調(diào)而形成微調(diào)槽76。
之后，如圖7(a)所示，可將硼硅酸鉛玻璃糊劑通過絲網(wǎng)印刷和干燥并借助帶式連續(xù)焙燒爐在大約620℃的溫度下焙燒大約45分鐘而形成至少覆蓋電阻層75(此圖中未示出)的上面的保護層77。
之后，如圖7(b)所示，沿基板72的分割槽71進行分割而形成長條形基板78以使上面電板層73從基板側(cè)面露出。
之后，如圖7(c)所示，將銀和玻璃的混合糊狀材料通過滾筒轉(zhuǎn)印印刷和干燥并借助帶式連續(xù)焙燒爐在大約620℃的溫度下焙燒大約45分鐘而在長條形基板78的側(cè)面形成部分與上面電極層73重疊以使之導(dǎo)通的側(cè)面電極層79。
之后，如圖7(d)所示，將長條形基板78(此圖中未示出)分割為單片而形成單片狀的基板80。
最后，根據(jù)需要可以設(shè)置通過鍍鎳等方法而形成的第一鍍層的壁壘層，將上面電極層73的露出部及側(cè)面電極層79覆蓋，同時還可以形成由錫和鉛合金鍍層構(gòu)成的第二鍍層的焊錫層，將該第一鍍層覆蓋而制成電阻器。
另外，在上述本發(fā)明的第二實施例中，所說明的保護層材料使用的是硼硅酸玻璃，但也可使用環(huán)氧樹脂材料。
另外，在本發(fā)明的第二實施例中，所說明的側(cè)面電極材料使用的是銀和玻璃的混合材料，但也可使用鎳系酚醛環(huán)氧樹脂材料。
另外，在上面電極層73上形成切口部74的工序也可安排在形成電阻層75的工序或形成預(yù)涂敷層工序之后也一樣。
另外，在本發(fā)明的第二實施例中，上面電極層73的切口部74是借助激光等手段對上面電極層73進行切削而形成，但也可在形成上面電極層73時采用具有切口部的掩模通過絲網(wǎng)印刷而形成。
下面參考附圖對按如上方式制作的電阻器的作用進行說明。
圖8(a)(b)(c)為本發(fā)明的第二實施例的電阻器在制造過程中的標(biāo)準模式圖。81是在微調(diào)工序中探針和上面電極層的接觸位置。82是測量電阻值時的電流路徑。圖8(a)(b)(c)中探針和上面電極層的接觸位置81互相之間不同。由此圖8(a)(b)(c)可知，在本發(fā)明的第二實施例的電阻器中，即使探針和上面電極層的接觸位置不同，由于在上面電極層中存在切口部，看不到在圖13(d)(e)(f)中所觀察到的那種在測量電阻值時的電流路徑的巨大變化，所以無論探針與上面電極層的任何位置接觸都可以顯示穩(wěn)定的電阻值，從而可以提高微調(diào)的精度。
下面對其特性進行比較說明。
作為實驗方法，是利用低電阻用的4探針將微調(diào)前的平均電阻值為70mΩ的電阻片微調(diào)為目標(biāo)電阻值為100mΩ，然后對其電阻值分布進行測量。
表1示出現(xiàn)有的和本發(fā)明第二實施例的電阻器的微調(diào)精度分布。
從表1可知，本發(fā)明第二實施例的電阻器，由于其結(jié)構(gòu)使其在微調(diào)時難于受到探針與上面電極層的接觸位置的影響，所以與現(xiàn)有的電阻器相比較其微調(diào)精度可以提高，可提供目標(biāo)電阻值精度更高的電阻器。
第三實施例下面參考附圖對本發(fā)明第三實施例的電阻器的制造方法予以說明。
圖9為本發(fā)明第三實施例的電阻器切去一部分后的斜視圖。
在圖9中，91是由氧化鋁等制作的基板。92是設(shè)置于基板91上面兩側(cè)上的銀和玻璃的混合材料等制作的一對上面電極層。93是與基板91上面的電極層92部分重疊設(shè)置以進行電連接的由氧化釕和玻璃的混合材料或由銀、鈀和玻璃的混合材料制作的電阻層。94是在電極層印刷工序中在一對電極層92上形成的切口部，從而只使上面相對的一對電極層92的1/4寬度與電阻層連接。95是利用激光等手段設(shè)置的微調(diào)槽，用來將電阻層93的電阻值修正到預(yù)定電阻值。96是為了至少覆蓋電阻層93而設(shè)置的由硼硅酸鉛玻璃制作的保護層。97是為了與上面電極層92進行電連接而在基板91的側(cè)面上設(shè)置的由銀和玻璃的混合材料制作的側(cè)面電極層。另外，根據(jù)需要可以設(shè)置通過鍍鎳等方法而形成的第一鍍層(圖中未示出)將側(cè)面電極層97覆蓋，同時還可以根據(jù)需要設(shè)置第二鍍層(圖中未示出)將第一鍍層覆蓋。
由于按如上方式構(gòu)成的電阻器的制造方法與本發(fā)明第一實施例或第二實施例實質(zhì)上相同，所以其說明省略。
下面參考附圖對按如上方式制作的電阻器的作用進行說明。
圖10(a)(b)(c)為本發(fā)明的第三實施例的電阻器在制造過程中的標(biāo)準模式圖。101是在微調(diào)工序中探針和上面電極層的接觸位置。102是測量電阻值時的電流路徑。圖10(a)(b)(c)中探針和上面電極層的接觸位置101互相之間不同。由此圖10(a)(b)(c)可知，在本發(fā)明的第三實施例的電阻器中，即使探針和上面電極層的接觸位置不同，由于在上面電極層中存在切口部，看不到在圖13(d)(e)(f)中所觀察到的那種在測量電阻值時的電流路徑的巨大變化，所以無論探針與上面電極層的任何位置接觸都可以顯示穩(wěn)定的電阻值，從而可以提高微調(diào)的精度。
下面對其特性進行比較說明。
作為實驗方法，是利用低電阻用的4探針將微調(diào)前的平均電阻值為70mΩ的電阻片微調(diào)為目標(biāo)電阻值為100mΩ，然后對其電阻值分布進行測量。
表1示出現(xiàn)有的和本發(fā)明第三實施例的電阻器的微調(diào)精度分布。
從表1可知，本發(fā)明第三實施例的電阻器，由于其結(jié)構(gòu)使其在微調(diào)時難于受到探針與上面電極層的接觸位置的影響，所以與現(xiàn)有的電阻器相比較其微調(diào)精度可以提高，可提供目標(biāo)電阻值精度更高的電阻器。
工業(yè)上利用的可能性如上所述，本發(fā)明的電阻器的構(gòu)成包括基板、具有設(shè)置在上述基板的上面兩側(cè)的切口部的一對上面電極層、設(shè)置用來對上述上面電極層進行電連接的電阻層、設(shè)置用來至少覆蓋上述電阻層的保護層以及設(shè)置用來在上述基板的側(cè)面與上述上面電極層一部分的上面重疊而進行電連接的側(cè)面電極層，并且利用上述的結(jié)構(gòu)，由于在基板上面兩側(cè)的一對上面電極層中設(shè)置有切口部，即使在微調(diào)時測量電阻值的探針和上面電極層之間的接觸位置發(fā)生偏差，電阻體中的電流路徑會因為存在切口部而不會發(fā)生偏差而得到穩(wěn)定的產(chǎn)品，其結(jié)果是即使在低電阻區(qū)也可以使電阻值以良好的精度進入預(yù)定電阻值范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電阻器，包括基板、具有在上述基板的上面兩側(cè)設(shè)置的切口部的一對上面電極層、設(shè)置用來對上述上面電極層進行電連接的電阻層、設(shè)置用來至少覆蓋上述電阻層的保護層、以及設(shè)置用來在上述基板的側(cè)面與上述上面電極層一部分的上面重疊而進行電連接的側(cè)面電極層。
2.一種電阻器，包括基板、具有在上述基板的上面兩側(cè)設(shè)置的切口部的一對上面電極層及在下面兩側(cè)設(shè)置的一對里面電極層、設(shè)置用來對上述上面電極層進行電連接的電阻層、設(shè)置用來至少覆蓋上述電阻層的保護層、以及設(shè)置用來在上述基板的側(cè)面與上述上面電極層一部分的上面重疊而進行電連接的側(cè)面電極層。
3.如權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的電阻器，其中上面電極層的切口部設(shè)置為在與基板的寬度方向相同的方向上使一對上面電極層相對。
4.如權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的電阻器，其中上面電極層的切口部是在與基板的寬度方向相同的方向上設(shè)置于上面電極層的兩側(cè)上。
5.如權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的電阻器，其中由于切口部的存在使上面電極層具有與電阻層連接的部分和不連接的部分。
6.如權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的電阻器，其中保護層設(shè)置為至少與上面電極層的切口部重疊。
7.一種電阻器的制造方法，包括在具有分割槽的片狀基板上橫跨分割槽的上面而形成上面電極層的上面電極層形成工序、為了在上述上面電極層之間進行電連接而設(shè)置電阻層的電阻層形成工序、設(shè)置至少覆蓋上述上面電極層和電阻層的上面的保護層的保護層形成工序、將形成了上述保護層的具有分割槽的片狀基板分割而形成片狀基板的長條形基板分割工序、至少在上述長條形基板的側(cè)面上設(shè)置使上述上面電極層進行電連接的側(cè)面電極層的側(cè)面電極層形成工序、將形成了上述上面電極層的長條形基板分割為單片的單片狀基板分割工序，其中上述上面電極層形成工序是利用具有切口部的掩模通過印刷形成電極圖形而穩(wěn)定電阻體的電流路徑的工序。
8.一種電阻器的制造方法，包括在具有分割槽的片狀基板上橫跨分割槽的上面形成上面電極層的上面電極層形成工序、在上述基板的下面設(shè)置橫跨分割槽的里面電極層的里面電極層形成工序、為了在上述上面電極層之間進行電連接而設(shè)置電阻層的電阻層形成工序、設(shè)置至少覆蓋上述上面電極層和電阻層的上面的保護層的保護層形成工序、將形成了上述保護層的具有分割槽的片狀基板分割而形成片狀基板的長條形基板分割工序、至少在上述長條形基板的側(cè)面上設(shè)置使上述上面電極層進行電連接的側(cè)面電極層的側(cè)面電極層形成工序、將形成了上述上面電極層的長條形基板分割為單片的單片狀基板分割工序，其中上述上面電極層形成工序是利用具有切口部的掩模通過印刷形成電極圖形而穩(wěn)定電阻體的電流路徑的工序。
9.如權(quán)利要求7或權(quán)利要求8所述的電阻器的制造方法，其中上面電極層形成工序是使切口部在與基板的寬度方向相同的方向上使一對上面電極層相對而設(shè)置的工序。
10.如權(quán)利要求7或權(quán)利要求8所述的電阻器的制造方法，其中上面電極層形成工序是使切口部在與基板的寬度方向相同的方向上成對設(shè)置于上面電極層的兩側(cè)上的工序。
11.如權(quán)利要求7或權(quán)利要求8所述的電阻器的制造方法，其中上面電極層形成工序由于切口部的存在是將上面電極層設(shè)置成具有與電阻層連接的部分和不連接的部分的工序。
12.一種電阻器的制造方法，包括在具有分割槽的片狀基板上橫跨分割槽的上面形成上面電極層的上面電極層形成工序、為了穩(wěn)定電阻體的電流路徑在上述上面電極層中設(shè)置切口部的切口部形成工序、為了在上述上面電極層之間進行電連接而設(shè)置電阻層的電阻層形成工序、設(shè)置至少覆蓋上述上面電極層和電阻層的上面的保護層的保護層形成工序、將形成了上述保護層的具有分割槽的片狀基板分割而形成片狀基板的長條形基板分割工序、至少在上述長條形基板的側(cè)面上設(shè)置使上述上面電極層進行電連接的側(cè)面電極層的側(cè)面電極層形成工序、以及將形成了上述上面電極層的長條形基板分割為單片的單片狀基板分割工序。
13.一種電阻器的制造方法，包括在具有分割槽的片狀基板上橫跨分割槽的上面形成上面電極層的上面電極層形成工序、為了穩(wěn)定電阻體的電流路徑在上述上面電極層中設(shè)置切口部的切口部形成工序、在上述基板的下面設(shè)置橫跨分割槽的里面電極層的里面電極層形成工序、為了在上述上面電極層之間進行電連接而設(shè)置電阻層的電阻層形成工序、設(shè)置至少覆蓋上述上面電極層和電阻層的上面的保護層的保護層形成工序、將形成了上述保護層的具有分割槽的片狀基板分割而形成片狀基板的長條形基板分割工序、至少在上述長條形基板的側(cè)面上設(shè)置使上述上面電極層進行電連接的側(cè)面電極層的側(cè)面電極層形成工序、以及將形成了上述上面電極層的長條形基板分割為單片的單片狀基板分割工序。
14.如權(quán)利要求12或權(quán)利要求13所述的電阻器的制造方法，其中上面電極層形成工序是使切口部在與基板的寬度方向相同方向上使一對上面電極層相對而設(shè)置的工序。
15.如權(quán)利要求12或權(quán)利要求13所述的電阻器的制造方法，其中上面電極層形成工序是使切口部在與基板的寬度方向相同方向上成對設(shè)置于上面電極層的兩側(cè)的工序。
16.如權(quán)利要求12或權(quán)利要求13所述的電阻器的制造方法，其中上面電極層形成工序由于切口部的存在是將上面電極層設(shè)置成具有與電阻層連接的部分和不連接的部分的工序。
17.如權(quán)利要求12或權(quán)利要求13所述的電阻器的制造方法，其中切口部形成工序是利用激光對上面電極層進行切削而形成切口部的工序。
18.如權(quán)利要求7、權(quán)利要求8、權(quán)利要求12或權(quán)利要求13所述的電阻器的制造方法，其中保護層形成工序是至少使其與上面電極層的切口部重疊而設(shè)置的工序。
全文摘要
一種用于高密度配線電路的電阻器,不管探針與低電阻區(qū)中的一對上面電極層的接觸位置如何變化,其電阻值可精確地保持在預(yù)定范圍。此電阻器包括基板(31)、在上述基板(31)的上面兩側(cè)設(shè)置的一對上面電極層(32)、用來使上述上面電極層(33)與層(32)進行電連接的電阻層(33)、用來至少覆蓋上述電阻層(33)的保護層(36)、以及設(shè)置在上述基板(31)的側(cè)面用來與上述上面電極層(32)一部分的上面重疊而進行電連接的側(cè)面電極層(37),在上面電極層(32)上設(shè)置有可降低由于在微調(diào)時探針位置的變化而引起其測量電阻值發(fā)生偏差的切口部(34)。
文檔編號H01C17/22GK1252887SQ98804221
公開日2000年5月10日 申請日期1998年4月14日 優(yōu)先權(quán)日1997年4月16日
發(fā)明者中山祥吾, 高嶋尚弘 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社