專利名稱：電涌吸收器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電涌吸收器，用于吸收作用在電子裝置上的電涌噪聲。
背景技術(shù)：
經(jīng)審查的日本專利公告No.JP-B-63-57918公開了一種電涌吸收器，其結(jié)構(gòu)為在一圓柱形絕緣件的表面上形成有導(dǎo)電陶瓷薄膜，形成一微間隙以將導(dǎo)電陶瓷薄膜沿圓周方向分開，而整個(gè)薄膜被氣密地密封于一圓柱形玻璃體內(nèi)，該玻璃體內(nèi)部充滿了氣體。另外，未經(jīng)審查的日本實(shí)用新型公告No.JU-A-49-80351提出一種電涌吸收器，其中各電極形成在平板形的絕緣襯底上，每個(gè)電極具有向著微間隙變尖的尖頂形狀。


圖17和圖18示出通用的電涌吸收器的截面圖。
圖17示出一種圓柱形電涌吸收器。其工作原理是這樣的，當(dāng)電涌被加到圓柱形電涌吸收器40上時(shí)，在微間隙41內(nèi)引起電弧放電，并且密封的氣體因該放電而被連續(xù)地離子化，從而引起電暈放電，電涌因電暈放電而被吸收。
圖18示出一種平板形電涌吸收器42，其工作原理基本上與圓柱形電涌吸收器的一樣。
然而，按照通用電涌吸收器中的圓柱形電涌吸收器，其導(dǎo)線從圓柱形兩端的中心部延伸，因此產(chǎn)生其表面難以安裝或難以自動(dòng)安裝的問題。并且，外部形狀是圓柱形的，所以氣密蓋材料除玻璃外難以采用別的材料。
此外，按照平板形的電涌吸收器，其在微間隙處的前端是變尖的，從而產(chǎn)生在加上電涌時(shí)該前端易被放電削掉的問題，結(jié)果是縮短了壽命。
本發(fā)明的公開內(nèi)容鑒于上述情況，本發(fā)明的目的是提供一種易于表面安裝并在反復(fù)放電方面具備高度可靠性的電涌吸收器。
本發(fā)明第一方面的特征在于，它包括
(1)一平板形的絕緣襯底；(2)一具有環(huán)形間隙的導(dǎo)電膜，它在絕緣襯底上制成為與該間隙同心的圓盤形；(3)設(shè)置在導(dǎo)電膜中心部的第一電極；(4)環(huán)形的第二電極，它與設(shè)置在導(dǎo)電膜周邊部的間隙同心；(5)與絕緣襯底共同氣密密封導(dǎo)電膜、第一電極和第二電極的氣密頂蓋，其內(nèi)部充滿了預(yù)定的氣體；(6)設(shè)置在氣密頂蓋外部的第一終端，用于電連接到第一電極上；以及(7)設(shè)置在氣密頂蓋外部的第二終端，用于電連接到第二電極上。
在此，按照本發(fā)明的電涌吸收器，其第一電極和第一終端可通過在絕緣襯底上設(shè)置有第一電極的部分上所形成的一通孔電連接起來，該通孔貫穿絕緣襯底的表面和背面并填充以導(dǎo)電體，該導(dǎo)電體在該通孔內(nèi)部電連接到第一電極上，并且一導(dǎo)電膜形成在絕緣襯底的背面，以便使通孔內(nèi)的導(dǎo)電體與第一終端電連接，或者第一電極和第一終端可通過在絕緣襯底上設(shè)置有第一電極的部分所形成的通路孔電連接起來，該通路孔填充以導(dǎo)電體，該導(dǎo)電體在該通路孔內(nèi)部電連接到第一電極上，并在絕緣襯底的內(nèi)部形成導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層電連接于第一終端并在通路孔的底部電連接于通路孔內(nèi)部的導(dǎo)電體，或者本發(fā)明的電涌吸收器可以包括一個(gè)形成在絕緣襯底上的絕緣膜導(dǎo)電膜、第一電極和第二電極形成或設(shè)置在絕緣膜上；并且第一電極和第一終端可通過在絕緣膜上設(shè)置有第一電極的位置所形成的通路孔電連接起來，該通路孔填充以導(dǎo)電體，該導(dǎo)電體在該通路孔內(nèi)部電連接于第一電極，并且在絕緣襯底與絕緣膜之間形成一導(dǎo)電膜，用于將通路孔內(nèi)部的導(dǎo)電體與第一終端電連接。
按照本發(fā)明的電涌吸收器，第一電極、第二電極、導(dǎo)電膜和微間隙都設(shè)置在平板形絕緣襯底上方的同一平面上，因此其外部構(gòu)形能夠在平板上構(gòu)成，在此平板上表面安裝更為方便。
并且，由于外部構(gòu)形能夠是平板形狀，鋁土陶瓷材料等可以用作氣密頂蓋的材料。
此外，按照本發(fā)明的電涌吸收器，第一電極、第二電極、導(dǎo)電膜和微間隙都形成在同一平面上并成同心圓的形狀，因此在微間隙的整個(gè)區(qū)域引起的放電是均勻的，即使當(dāng)導(dǎo)電膜的一部分由于放電被削掉，放電起始電壓也不改變并且在反復(fù)放電方面可靠性是很高的。
并且，按照本發(fā)明的電涌吸收器，用以連接設(shè)置在中心部的第一電極和與外部連接的第一終端的連接裝置，例如可以采用設(shè)置在絕緣襯底上的通孔和位于襯底背面上的導(dǎo)電膜，或者采用設(shè)置在絕緣襯底上的通路孔和在襯底內(nèi)部形成的導(dǎo)電層或設(shè)置在絕緣膜上的通路孔和位于絕緣膜下面的導(dǎo)電層，憑借這些裝置，能夠獲得具有包括少量零件的結(jié)構(gòu)而仍具有高度可靠性的電涌吸收器。
另外，本發(fā)明的電涌吸收器的基本原理與上述經(jīng)審查的日本專利公告No.JP-A-63-57918所公開的是一樣的，因此實(shí)際上保持了該公告中所公開的電涌吸收器的優(yōu)良電涌吸收特性和高度可靠性。
按照本發(fā)明的第二方面，具有按照第一方面的電涌吸收器，其中第二電極構(gòu)成氣密頂蓋。
在這種情況下，第二電極可以是氣密頂蓋的一部分或可以為其整體。
以這種方式構(gòu)造電涌吸收器，與第一實(shí)施方案的情況相比可以減小尺寸以及其安裝于電路等的面積。
此外，按照本發(fā)明的第三方面，具有本發(fā)明第一或第二方面提供的電涌吸收器，其中每個(gè)第一終端分別形成在絕緣襯底相互遠(yuǎn)離的兩側(cè)面上而每個(gè)第二終端分別形成在絕緣襯底的另外兩側(cè)面上。
以這種方式構(gòu)造電涌吸收器，如以下參照附圖所說明的，電涌吸收器可以跨越在信號(hào)線或接地線上或者跨在信號(hào)線或接地線上安置，借此可以增加電路板上的布線密度。
按照本發(fā)明的第四方面，具有按照第一至第三任一方面提供的電涌吸收器，它還包括設(shè)置在氣密頂蓋外部的第三終端，該第三終端通過借助于絕緣襯底背面形成的膜式電連接線路連接于第一終端和第二終端的任一個(gè)終端上而構(gòu)成，其中至少膜式線路的一部分為膜式保險(xiǎn)絲。
按照通用的電涌吸收器，不管其類型如何，保險(xiǎn)絲都可以與電涌吸收器結(jié)合使用以便防止過電壓或過電流。其理由是防止在電涌電流長期延續(xù)時(shí)因電涌吸收器本身的過熱而燒毀電路。在這種情況下，保險(xiǎn)絲必須與電涌吸收器分開連接，因此產(chǎn)生增加安裝面積和增加安裝費(fèi)用等等問題。雖然按常規(guī)已公開了解決這些問題的方法(例如，未經(jīng)審查的日本專利公告No.JP-A-3-230485)，但由于其保險(xiǎn)絲為單獨(dú)集成的結(jié)構(gòu)，其制造工序是復(fù)雜的，結(jié)果提高了成本。
然而，按照本發(fā)明的電涌吸收器，保險(xiǎn)絲形成在與形成有導(dǎo)電膜的絕緣襯底面相對(duì)的背面上，因此其成形更為方便且防止了產(chǎn)品本身尺寸變大。并且，保險(xiǎn)絲不會(huì)被機(jī)械振動(dòng)切斷，于是可靠性較高。
按照本發(fā)明的第五方面，具有按照第一至第四實(shí)施方案中的任一個(gè)實(shí)施方案提供的電涌吸收器，它還包括一電容器，電容器包括多片導(dǎo)電膜，至少其中一個(gè)膜片在絕緣襯底的內(nèi)部延伸，各膜片相互平行延伸，該電容器形成在第一終端和第二終端之間。
按照通用的電涌吸收器，具有低電壓和高頻率的高頻噪聲不可能被排除，并且當(dāng)需要排除高頻噪聲時(shí)將電涌吸收器與一電容器結(jié)合使用。然而，當(dāng)采用多個(gè)部件時(shí)，不可能避免增加安裝面積和提高安裝費(fèi)用的問題。并且，雖然已提出的電涌吸收器為了解決這些問題都包括一電容器(未經(jīng)審查的日本專利公告No.JP-A-8-83670，未經(jīng)審查的日本專利公告No.JP-A-8-102355)，但這些電涌吸收器的結(jié)構(gòu)復(fù)雜且成本高。
相比之下，按照具有本發(fā)明第五方面的電涌吸收器，其電容器設(shè)立在內(nèi)部，因此具有低電壓和高頻率的高頻噪聲同樣可以被排除。為構(gòu)成排除高頻噪聲的電容器，導(dǎo)電膜形成在絕緣襯底的內(nèi)部，因此這不會(huì)引起例如因?qū)⑴懦哳l噪聲所用的電容器連接至電涌吸收器而產(chǎn)生的元件尺寸變大和表面安裝面積增大等問題。并且，排除高頻噪聲所用的電容器可以通過采用制造多層襯底的通用方法來形成，并可降低形成電容器的成本。
附圖簡(jiǎn)述圖1是一透視圖，示出本發(fā)明電涌吸收器的第一方面并通過部分切去蓋示出其內(nèi)部結(jié)構(gòu)；圖2是一平面圖，透過蓋示出本發(fā)明電涌吸收器的第一方面；圖3是沿圖1和圖2中A-A線截取的剖面圖，示出本發(fā)明電涌吸收器的第一方面的一個(gè)實(shí)施方案；圖4是沿圖1和圖2中A-A線截取的剖面圖，示出本發(fā)明電涌吸收器的第一方面的另一個(gè)實(shí)施方案；圖5是沿圖1和圖2中A-A線截取的剖面圖，示出本發(fā)明電涌吸收器的第一方面的又一個(gè)實(shí)施方案；圖6是一透視圖，示出本發(fā)明電涌吸收器的第二方面并通過切去蓋示出其內(nèi)部結(jié)構(gòu)；圖7是一透視圖，示出本發(fā)明電涌吸收器的第三方面并通過部分切去蓋示出其內(nèi)部結(jié)構(gòu)；圖8是沿圖7中A-A線截取的剖面圖；圖9是沿圖7中B-B線截取的剖面圖；圖10示出本發(fā)明電涌吸收器的第三方面和電路的接線圖，電路中安裝了電涌吸收器；圖11是一透視圖，示出本發(fā)明電涌吸收器的第四方面；圖12是沿圖11中A-A線截取的剖面圖；圖13是沿圖11中A-A’線截取的剖面圖；圖14是本發(fā)明電涌吸收器的第四方面的等效電路圖；圖15是一剖面圖，示出本發(fā)明電涌吸收器的第五方面；圖16是一剖面圖，按照本發(fā)明電涌吸收器的第五方面的另一個(gè)實(shí)施方案；圖17是一透視圖，示出圓柱型式的通用電涌吸收器；圖18是一透視圖，示出平板型式的通用電涌吸收器。
實(shí)施本發(fā)明的最佳模式雖然對(duì)本發(fā)明的諸實(shí)施方案將說明如下，但本發(fā)明并不限于這些實(shí)施方案。
圖1至圖5示出按照本發(fā)明電涌吸收器的第一方面的各實(shí)施方案。
圖1是一透視圖，通過部分切去蓋示出其內(nèi)部結(jié)構(gòu)，圖2是透過蓋的平面圖，而圖3至圖5是沿圖1和圖2中A-A線截取的剖面圖。
一通孔11(參見圖3)形成在平板形鋁土襯底1中，該襯底1按眾所周知的通用技術(shù)形成為絕緣襯底，通孔11內(nèi)填充導(dǎo)電體，一導(dǎo)電膜10形成在鋁土襯底1的表面上，一導(dǎo)電膜12形成在襯底背面，第一終端8和第二終端9形成在鋁土襯底1的兩側(cè)面上，通過連續(xù)噴涂將氮化鈦(TiN)粘附到鋁土襯底的表面上作為導(dǎo)電膜5，通過光刻制出寬度約50μm的環(huán)形微間隙3且將導(dǎo)電膜5制成所需的環(huán)形，并且第一電極2和第二電極4被連接成與微間隙3同心的導(dǎo)電膜5相接觸。此外，鋁土陶瓷制的蓋6用熔結(jié)玻璃7焊上，借此，微間隙3、第一電極2和第二電極4被密封于氬氣中。因此，獲得一種電涌吸收器，其外形為平板形，它適于表面安裝且對(duì)于反復(fù)放電具備高度可靠性。
圖4是一剖面圖，示出按照本發(fā)明電涌吸收器的第一方面的另一個(gè)實(shí)施方案。
按照這個(gè)實(shí)施方案，采用燒結(jié)的多層襯底15作為絕緣襯底，其中形成有導(dǎo)電層14和填充以導(dǎo)電體的通路孔16，導(dǎo)電膜10形成在襯底15的表面上，終端8和9形成在襯底的兩側(cè)面上，氮化鈦膜通過連續(xù)噴涂粘附到襯底15的表面上作為導(dǎo)電膜5，通過光刻制出寬度約50μm的環(huán)形微間隙3且將導(dǎo)電膜5制成所需的環(huán)形，并且第一電極2和第二電極4連接于與微間隙3同心的導(dǎo)電膜5。鋁土陶瓷制的蓋6用熔結(jié)玻璃7焊上，借此，微間隙被密封于氬氣中。
按照這個(gè)實(shí)施方案，類似于上述第一實(shí)施方案，獲得一種電涌吸收器，其外形為平板形，它很好地適用于表面安裝且對(duì)于反復(fù)放電具備高度可靠性。
圖5是一剖面圖，示出按照本發(fā)明電涌吸收器的第一方面的又一個(gè)實(shí)施方案。
按照這個(gè)實(shí)施方案，采用具有絕緣層23、通路孔24和在鋁土襯底1上形成的內(nèi)部導(dǎo)電膜25的多層結(jié)構(gòu)的襯底，該內(nèi)部導(dǎo)電膜25形成在鋁土襯底1上，且該鋁土襯底1是用厚膜多層工藝制成的絕緣襯底，導(dǎo)電膜10形成在絕緣襯底和絕緣層的表面上，終端8和9形成在襯底1的兩側(cè)面上，氮化鈦通過連續(xù)噴涂粘附到絕緣層的表面上作為導(dǎo)電膜5，通過光刻制出寬度約50μm的環(huán)形微間隙3且將導(dǎo)電膜5制成所需的環(huán)形，并且第一電極2和第二電極4連接于與微間隙3同心的導(dǎo)電膜5。鋁土陶瓷制的蓋6用熔結(jié)玻璃7焊上，借此，微間隙3被密封于氬氣中。
按照這個(gè)實(shí)施方案，類似于上述兩個(gè)實(shí)施方案，獲得一種電涌吸收器，它具備優(yōu)良的表面安裝適應(yīng)性和高度可靠性。
圖6示出本發(fā)明電涌吸收器的第二方面。該圖為一透視圖，通過部分切去蓋示出其內(nèi)部結(jié)構(gòu)。
通孔11(參見圖3)形成在平板形鋁土襯底1中，該襯底1是一種按眾所周知的通用技術(shù)制成的絕緣襯底，通孔11內(nèi)填充導(dǎo)電體，導(dǎo)電膜10形成在鋁土襯底1的表面上，導(dǎo)電膜12(類似于圖3中)形成在其背面，第一終端8和第二終端9形成在鋁土襯底1的兩側(cè)面上，氮化鈦通過連續(xù)噴涂粘附到鋁土襯底的表面上作為導(dǎo)電膜5，通過光刻制出寬度約50μm的環(huán)形微間隙3且將導(dǎo)電膜5制成所需的環(huán)形，并且第一電極2和第二電極4連接成與微間隙3同心的導(dǎo)電膜5相接觸。第二電極4為一環(huán)形件，其高度等于或高于第一電極2的高度。此外，通過熔結(jié)玻璃7將鋁土陶瓷制的圓盤形蓋6焊在第二電極的上表面，與鋁土襯底1和第二電極4相結(jié)合使微間隙3和第一電極2密封于氬氣中。第一電極2和第一終端8通過設(shè)置在鋁土襯底1之通孔11中所填充的導(dǎo)電體和位于鋁土襯底背面的導(dǎo)電膜12相互連接。此外，第二電極4和第二終端9通過鋁土襯底1表面上的導(dǎo)電膜10相互連接。因此，獲得一種電涌吸收器，其外觀制成平板形，它適于表面安裝且對(duì)于反復(fù)放電具有高度可靠性。
此外，按照這個(gè)實(shí)施方案，本發(fā)明中涉及的氣密頂蓋由第二電極4和蓋6制成圓盤形，氣密頂蓋的外徑與第二電極4的直徑相同，與將氣密頂蓋與第二電極4分開來構(gòu)造以便將第二電極4氣密密封在氣密頂蓋內(nèi)部的情況相比還可縮小尺寸。
并且，按照這個(gè)實(shí)施方案，氣密頂蓋可只由第二電極4來構(gòu)造。即，將金屬制的蓋用作第二電極并釬焊到絕緣襯底上。
圖7至圖9示出按照本發(fā)明的第三方面的實(shí)施方案。
圖7是一透視圖，通過部分切去蓋示出其內(nèi)部結(jié)構(gòu)，圖8是沿圖7中A-A線截取的剖面圖而圖9是沿其B-B線截取的剖面圖。
制備鋁土襯底1，它按眾所周知的通用技術(shù)是一個(gè)設(shè)有通孔11的絕緣襯底，一導(dǎo)電體填充于鋁土襯底1的通孔11中，導(dǎo)電膜10形成在鋁土襯底1的表面上，導(dǎo)電膜12形成在其背面，各第一終端8分別形成在鋁土襯底1相互遠(yuǎn)離的兩側(cè)面上而各第二終端9分別形成在另外兩側(cè)面上，氮化鈦通過連續(xù)噴涂粘附到鋁土襯底1的表面上作為導(dǎo)電膜5，通過光刻制出寬度約50μm的環(huán)形微間隙3且將導(dǎo)電膜5制成所需的環(huán)形，并且第一電極2和第二電極4與微間隙3同心地連接。
并且，用熔結(jié)玻璃7將鋁土陶瓷制的蓋6焊接上，微間隙3和第一電極2以及第二電極4被密封于氬氣中。
在這種情況下，各第一終端8和第二終端9設(shè)置在鋁土襯底1的相應(yīng)側(cè)面上以便連接第一終端的直線和連接第二終端9的直線相互正交。第一電極2和兩個(gè)第一終端8通過設(shè)置在襯底1上的通孔11和位于襯底1背面的導(dǎo)電體12相互連接，而第二電極4和兩個(gè)終端9通過襯底表面上形成的導(dǎo)電膜相互連接。
按照這個(gè)實(shí)施方案，類似于圖4也可構(gòu)成一種采用通路孔的實(shí)施方案。
圖10是一示意圖，示出電路板上的布線型式，其上安裝有按照第三方面的電涌吸收器。
電路板上的信號(hào)線31和接地線32在電涌吸收器30的接線位置斷開，而信號(hào)線31通過電涌吸收器30的兩終端8連接。并且接地線32通過電涌吸收器30的另外兩終端9被連接。
這樣，由于采用本發(fā)明的電涌吸收器，可增加襯底上的布線密度并可增加安裝電涌吸收器的密度。因此可以縮小電路的尺寸。
圖11至圖13示出本發(fā)明的第四方面的實(shí)施方案。
圖11是一透視圖，其中蓋6朝下，圖12是沿圖11中A-A線截取的剖面圖而圖13是沿圖11中A-A’線截取的剖面圖。
通孔11按照眾所周知的通用技術(shù)形成在平板形鋁土襯底1中，該襯底1是一絕緣襯底，通孔11內(nèi)填充導(dǎo)電體，導(dǎo)電膜10形成在鋁土襯底1的表面上，而導(dǎo)電膜12與保險(xiǎn)絲19形成在其背面。保險(xiǎn)絲19通過蒸汽沉積工藝粘附一鉛合金膜而形成。此外，氮化鈦通過連續(xù)噴涂粘附到鋁土襯底1的表面上作為導(dǎo)電膜5，通過光刻制出寬度約50μm的環(huán)形微間隙3并將導(dǎo)電膜5制成所需的環(huán)形，并且第一電極2和第二電極4被連接成與微間隙3同心的導(dǎo)電膜5相接觸。并且，通過用熔結(jié)玻璃7焊接鋁土陶瓷制的蓋6，微間隙3、第一電極2和第二電極5被密封于氬氣中，并且連接上導(dǎo)電件33、34和20，它們的形狀如圖11和圖12所示。按照這個(gè)實(shí)施方案，導(dǎo)電件33和34分別相當(dāng)于第一終端和第二終端，且在這個(gè)實(shí)施方案中。設(shè)置了通過保險(xiǎn)絲19連接至第一電極2的第三終端20。
因此，獲得一種電涌吸收器，它具有如圖14所示的設(shè)有保險(xiǎn)絲19的等效電路。
按照這個(gè)實(shí)施方案，獲得一種與保險(xiǎn)絲成一體的電涌吸收器，它具有高度可靠性、小的安裝面積和低的成本。
按照這個(gè)實(shí)施方案，也可以構(gòu)造設(shè)有通路孔的電涌吸收器，該通路孔相當(dāng)于圖4所示第一方面的實(shí)施方案中的那樣。
圖15示出本發(fā)明的第五方面的實(shí)施方案。
在這個(gè)實(shí)施方案中，采用多層襯底1作為絕緣襯底，在襯底1內(nèi)按眾所周知的通用技術(shù)制有導(dǎo)電膜17和18以及通孔11，導(dǎo)電膜10和12分別形成在襯底1的表面和背面上，第一電極8和第二電極9分別形成在襯底1的兩側(cè)面上，氮化鈦通過連續(xù)噴涂粘附到襯底1的表面上作為導(dǎo)電膜5，通過光刻制出寬度約50μm的環(huán)形微間隙且將導(dǎo)電膜5制成所需的環(huán)形，并且第一電極2和第二電極4被連接成與微間隙3同心的導(dǎo)電膜5相接觸。
此外，用熔結(jié)玻璃7焊接鋁土陶瓷制的蓋6，借此，微間隙3被密封于氬氣中。
第一電極2和襯底內(nèi)部的導(dǎo)電膜18經(jīng)設(shè)置在襯底1上的通孔11連接至第一終端8。
并且，在襯底1內(nèi)部形成的導(dǎo)電膜17在一部分上穿有一個(gè)孔，通孔11穿過該部分，并且導(dǎo)電膜17通過其位于第二終端9側(cè)面的襯底端面而連接至第二終端9并通過第二終端9和導(dǎo)電膜10連接至第二電極4。
因此，獲得一種電涌吸收器，其外形制成平板形狀，它適于表面安裝且對(duì)于反復(fù)放電具備高度可靠性，而且它設(shè)有吸收高頻噪聲的一個(gè)電容器。
此外，本發(fā)明的第五方面可以提供以圖16所示的實(shí)施方案。
按照這個(gè)實(shí)施方案，獲得一種電涌吸收器，其中在絕緣襯底內(nèi)部的導(dǎo)電膜27電連接于通路孔16，另一導(dǎo)電膜28電連接于第二終端9，由該兩導(dǎo)電膜形成一個(gè)電容器。
權(quán)利要求
1.一種電涌吸收器，它包括一平板形絕緣襯底；一具有環(huán)形間隙的導(dǎo)電膜，它在絕緣襯底上制成為與該間隙同心的圓盤形；設(shè)置在導(dǎo)電膜中心部的第一電極；環(huán)形的第二電極，該環(huán)形構(gòu)成與設(shè)置在導(dǎo)電膜周邊部的間隙同心的一個(gè)圓；與絕緣襯底共同氣密密封導(dǎo)電膜、第一電極和第二電極的氣密頂蓋，其內(nèi)部充滿了預(yù)定的氣體；設(shè)置在氣密頂蓋外部的第一終端，用于電連接至第一電極；和設(shè)置在氣密頂蓋外部的第二終端，用于電連接至第二電極。
2.按照權(quán)利要求1所述的電涌吸收器，其特征在于第一電極和第一終端通過在絕緣襯底上設(shè)置有第一電極的那部分上所形成的通孔電連接起來，該通孔貫穿在絕緣襯底的表面和背面并填充以導(dǎo)電體，該導(dǎo)電體在該通孔內(nèi)部電連接至第一電極，并在絕緣襯底的背面形成有導(dǎo)電膜用于使通孔內(nèi)的導(dǎo)電體與第一終端電連接。
3.按照權(quán)利要求1所述的電涌吸收器，其特征在于第一電極和第一終端通過在絕緣襯底上設(shè)置有第一電極的那部分上所形成的通路孔電連接起來，該通路孔填充以導(dǎo)電體，該導(dǎo)電體在該通路孔內(nèi)部電連接于第一電極，并在絕緣襯底的內(nèi)部形成有導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層電連接于第一終端并在通路孔的底部電連接于通路孔內(nèi)部的導(dǎo)電體。
4.按照權(quán)利要求1所述的電涌吸收器，它還包括形成于絕緣襯底上的一絕緣膜，導(dǎo)電膜、第一電極和第二電極被形成或設(shè)置在該絕緣膜上，其特征在于第一電極和第一終端由在絕緣膜上設(shè)置有第一電極的位置所形成的通路孔電連接起來，該通路孔填充以導(dǎo)電體，該導(dǎo)電體在該通路孔內(nèi)部電連接于第一電極，并在絕緣襯底與絕緣膜之間形成有導(dǎo)電膜，用于使通路孔內(nèi)部的導(dǎo)電體與第一終端電連接。
5.按照權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的電涌吸收器，其特征在于第二電極構(gòu)成氣密頂蓋的一部分。
6.按照權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的電涌吸收器，其特征在于第二電極用作氣密頂蓋。
7.按照權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的電涌吸收器，其特征在于各第一終端分別形成在絕緣襯底相互遠(yuǎn)離的兩側(cè)面上，而各第二終端分別形成在絕緣襯底的未形成有第一終端的兩側(cè)面上。
8.按照權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的電涌吸收器，它還包括設(shè)置在氣密頂蓋外部的第三終端，該第三終端通過借助于在絕緣襯底背面形成的膜式電連接線路連接于第一終端和第二終端中的任一個(gè)終端而構(gòu)成，其中至少膜式線路的一部分由膜式保險(xiǎn)絲構(gòu)成。
9.按照權(quán)利要求8所述的電涌吸收器，其特征在于第一電極和第一終端通過在絕緣襯底上設(shè)置有第一電極的那部分上所形成的通孔電連接起來，該通孔貫穿絕緣襯底的表面與背面并填充以導(dǎo)電體，該導(dǎo)電體在該通孔內(nèi)部電連接于第一電極，并在絕緣襯底的背面形成有一導(dǎo)電膜，用于使通孔中的導(dǎo)電體與第一終端電連接；并且導(dǎo)電膜和第三終端通過在絕緣襯底的背面上形成的膜式保險(xiǎn)絲電連接起來。
10.按照權(quán)利要求9所述的電涌吸收器，其特征在于第一電極和第一終端通過在絕緣襯底上設(shè)置有第一電極的那部分上所形成的通路孔電連接起來，該通路孔填充以導(dǎo)電體，該導(dǎo)電體在該通路孔內(nèi)部電連接于第一電極，并在絕緣襯底的內(nèi)部形成有一導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層電連接于第一終端并在通路孔的底部電連接于通路孔內(nèi)部的導(dǎo)電體，而第一終端和第二終端中的任一終端通過在絕緣襯底的背面上形成的膜式保險(xiǎn)絲電連接于第三終端。
11.按照權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的電涌吸收器，它還包括一電容器，該電容器包括多片導(dǎo)電膜片，其至少一個(gè)膜片在絕緣襯底的內(nèi)部延伸，并且該膜片相互平行延伸，該電容器形成在第一終端和第二終端之間。
全文摘要
本發(fā)明涉及設(shè)置在輸入和輸出電路或者設(shè)置在通信裝置中可能產(chǎn)生電涌噪聲的其他部位處的感應(yīng)式減輕電涌裝置,或者涉及用于避免因交流(AC)電路的交叉接觸等引起電子裝置的故障和誤操作的電涌吸收器,其中第一終端電極2、具有微間隙3的導(dǎo)電膜5和第二終端電極4在平板形絕緣襯底1上制成同心圓形狀。
文檔編號(hào)H01T4/10GK1244304SQ98800005
公開日2000年2月9日 申請(qǐng)日期1998年2月23日 優(yōu)先權(quán)日1998年2月23日
發(fā)明者中村雅彥 申請(qǐng)人:三菱麻鐵里亞爾株式會(huì)社