專(zhuān)利名稱：一種浪涌吸收裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及過(guò)電壓保護(hù)技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種本身使用壽命長(zhǎng)的過(guò)電壓浪涌吸收
裝置。
背景技術(shù)：
在日常的生產(chǎn)、生活中，常常會(huì)有過(guò)電壓的現(xiàn)象發(fā)生。比如雷陣雨天氣，雷電常常 會(huì)擊中電力線路、建筑物、樹(shù)木等；因此，其感應(yīng)的過(guò)電壓常常會(huì)瞬時(shí)反映在附近的線路上， 進(jìn)而破壞用電設(shè)備，如果電器設(shè)備剛好在運(yùn)行的話，那么，會(huì)使其過(guò)壓損壞，最直接的是電 源部分，如果時(shí)間長(zhǎng)一點(diǎn)的話，會(huì)波及其它部分。這種過(guò)電壓往往會(huì)達(dá)到數(shù)千伏特、甚至是 數(shù)萬(wàn)伏特；因此，常有電視機(jī)、洗衣機(jī)、電話、程控交換機(jī)等等被過(guò)壓損壞的現(xiàn)象發(fā)生。即使 是發(fā)生雷擊時(shí)電器未打開(kāi)，只要是相關(guān)的插頭連接在線路上，由于電器開(kāi)關(guān)的間隙的不同， 這種過(guò)電壓仍可能損壞電器。 為了解決上述問(wèn)題，國(guó)內(nèi)外對(duì)抗浪涌器件進(jìn)行了大量的研發(fā)，申請(qǐng)日為2003年9 月24日、授權(quán)公告日為2004年10月6日、授權(quán)公告號(hào)為CN2646926Y、名稱為一種改進(jìn)的 抗浪涌保護(hù)器件，它是使用半導(dǎo)體固體放電芯片一端或二端串接有反并聯(lián)二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)抗 浪涌的。由于半導(dǎo)體固體放電芯片具有在其兩端超過(guò)一定電壓值時(shí)電流快速增加的固有特 性，因此，有效地保護(hù)了程控交換機(jī)。 經(jīng)本申請(qǐng)人在多個(gè)使用場(chǎng)合以高壓發(fā)生器來(lái)進(jìn)行驗(yàn)證，表明，使用在其它電器設(shè) 備的前端或電源供給的前端，都可以達(dá)到有效的保護(hù)性能。 然而，這種抗浪涌保護(hù)器件中由于只有二極管及半導(dǎo)體固體放電芯片，無(wú)論是二 極管還是半導(dǎo)體固體放電芯片，其都存在PN結(jié)，由于PN結(jié)是相當(dāng)薄的一層，故經(jīng)過(guò)過(guò)電壓 沖擊后，由于其短時(shí)的大電流，很容易使PN結(jié)燒毀，形成開(kāi)路，因此，盡管經(jīng)過(guò)過(guò)電壓后其 起到了保護(hù)作用，但其不能在下一次過(guò)壓中起保護(hù)作用。

發(fā)明內(nèi)容
為克服上述已有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種本身使用壽命長(zhǎng)的過(guò)電壓浪涌吸收 裝置。它是通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的 —種浪涌吸收裝置，包括一固體放電芯片、至少一對(duì)反并聯(lián)的二極管，所述的固體
放電芯片與反并聯(lián)的二極管是串聯(lián)的，其特征在于所述裝置中還串聯(lián)有電阻。 上述所述的浪涌吸收裝置，其特征在于所述電阻的阻值小于任一二極管的正向電阻值。 上述所述的浪涌吸收裝置，其特征在于所述裝置為一體化封裝結(jié)構(gòu)，對(duì)外僅有兩 個(gè)接線端。 上述所述的浪涌吸收裝置，其特征在于所述裝置為分立元件構(gòu)成的。 進(jìn)一步地，上述所述的浪涌吸收裝置，其特征在于所述反并聯(lián)的二極管為封裝在
一起的或者是未封裝的。
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由于該裝置中串聯(lián)有電阻，且該電阻有較小的阻值，因此，瞬間的過(guò)電壓形成的大 電流被適當(dāng)?shù)亟档?，同時(shí)產(chǎn)生的熱量可以有效地被該電阻吸收，有效地保護(hù)了二極管及固 體放電芯片中PN結(jié)，使該裝置的使用壽命更長(zhǎng)，可以多次起作用。 另外，由于電阻的存在，電阻在高頻下有微電感特性，與PN結(jié)形成的電容可以適 當(dāng)?shù)牡窒?，使整個(gè)裝置呈現(xiàn)近似的純電阻特性，故其高頻特性方面更佳，更適合于程控交換 機(jī)等高頻設(shè)備的保護(hù)中。


圖1為發(fā)明實(shí)施例1的原理圖；
圖2為發(fā)明實(shí)施例2的原理圖；
圖3為發(fā)明實(shí)施例3的原理圖。
具體實(shí)施例方式
以下結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作詳細(xì)描述。
實(shí)施例1 請(qǐng)見(jiàn)圖1，一種浪涌吸收裝置，包括一固體放電芯片LT、有一對(duì)反并聯(lián)的二極管 (D1、D2)，固體放電芯片的一端與反并聯(lián)的二極管的一端相連接，其特征在于所述裝置中還 串聯(lián)有電阻R1，電阻一端連接固體放電芯片的另一端；電阻的阻值小于任一二極管的正向 電阻值；所述裝置為一體化封裝結(jié)構(gòu)，對(duì)外僅有兩個(gè)接線端。
實(shí)施例2 請(qǐng)見(jiàn)圖2，一種浪涌吸收裝置，包括一固體放電芯片LT、有一對(duì)反并聯(lián)的二極管 (D1、D2)，其特征在于所述裝置中還串聯(lián)有電阻R1，電阻一端連接固體放電芯片的一端；電 阻另一端連接反并聯(lián)的二極管的一端；電阻的阻值小于任一二極管的正向電阻值；所述裝 置全為分立元件構(gòu)成的，對(duì)外僅有兩個(gè)接線端。
實(shí)施例3 請(qǐng)見(jiàn)圖3，一種浪涌吸收裝置，包括一固體放電芯片LT、有二對(duì)反并聯(lián)的二極管 (D1、D2及D3、D4)，固體放電芯片的一端與一對(duì)反并聯(lián)的二極管(Dl、 D2)的一端相連接， 其特征在于所述裝置中還串聯(lián)有電阻R1，電阻一端連接固體放電芯片的另一端；電阻的另 一端連接另一對(duì)反并聯(lián)的二極管(D3、D4)的一端；電阻的阻值小于任一二極管的正向電 阻值；所述裝置部分為分立元件構(gòu)成的，對(duì)外僅有兩個(gè)接線端；所述一對(duì)反并聯(lián)的二極管 (D1、D2)為封裝在一起的，另一對(duì)反并聯(lián)的二極管(D3、D4)是未封裝的。
當(dāng)然，上述任一實(shí)施例中，所述反并聯(lián)的二極管至少為一對(duì)。
上述任一實(shí)施例中，所述電阻是串聯(lián)在裝置中的，為一公共的支路。 上述任一實(shí)施例中，所述電阻的阻值小于任一二極管的正向電阻值。 上述任一實(shí)施例中，所述裝置為一體化封裝結(jié)構(gòu)，對(duì)外僅有兩個(gè)接線端。 上述任一實(shí)施例中，所述裝置為一體化封裝構(gòu)成的。 上述任一實(shí)施例中，所述裝置為全分立元件構(gòu)成的或部分為分立元件。 -步地，上述所述的浪涌吸收裝置，其特征在于所述反并聯(lián)的二極管為封裝在 當(dāng)然 當(dāng)然 當(dāng)然 當(dāng)然 當(dāng)然 進(jìn)
一起的或者是未封裝的'
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當(dāng)然，上述任一實(shí)施例中，所述反并聯(lián)的二極管中，每一支路中還可以有多個(gè)二極管單一方向相串聯(lián)形成。 由于該裝置中串聯(lián)有電阻，且該電阻有較小的阻值，因此，瞬間的過(guò)電壓形成的大電流被適當(dāng)?shù)亟档?，同時(shí)產(chǎn)生的熱量可以有效地被該電阻吸收，有效地保護(hù)了二極管及固體放電芯片中PN結(jié)，使該裝置的使用壽命更長(zhǎng)，可以多次起作用。 另外，由于電阻的存在，電阻在高頻下有微電感特性，與PN結(jié)形成的電容可以適當(dāng)?shù)牡窒?，使整個(gè)裝置呈現(xiàn)近似的純電阻特性，故其高頻特性方面更佳，更適合于程控交換機(jī)等高頻設(shè)備的保護(hù)中。 本文具體說(shuō)明了本發(fā)明示例性實(shí)施實(shí)例和目前的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明構(gòu)思可以按其他種種形式實(shí)施運(yùn)用，它們同樣落在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種浪涌吸收裝置，包括一固體放電芯片、至少一對(duì)反并聯(lián)的二極管，所述的固體放電芯片與反并聯(lián)的二極管是串聯(lián)的，其特征在于所述裝置中還串聯(lián)有電阻。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的浪涌吸收裝置，其特征在于所述電阻的阻值小于任一二極管 的正向電阻值。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的浪涌吸收裝置，其特征在于所述裝置為一體化封裝結(jié)構(gòu)，對(duì) 外僅有兩個(gè)接線端。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的浪涌吸收裝置，其特征在于所述裝置中全為分立元件構(gòu)成的 或部分為分立元件構(gòu)成的。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的浪涌吸收裝置，其特征在于所述反并聯(lián)的二極管為封裝在一 起的或者是未封裝的。
全文摘要
本發(fā)明涉及過(guò)電壓保護(hù)技術(shù)領(lǐng)域，一種浪涌吸收裝置，包括一固體放電芯片、至少一對(duì)反并聯(lián)的二極管，所述的固體放電芯片與反并聯(lián)的二極管是串聯(lián)的，其特征在于所述裝置中還串聯(lián)有電阻；所述電阻的阻值小于任一二極管的正向電阻值；所述裝置為一體化封裝結(jié)構(gòu)或分立元件構(gòu)成的，對(duì)外僅有兩個(gè)接線端。由于該裝置中串聯(lián)有電阻且其有較小的阻值，故瞬間的過(guò)電壓形成的大電流被適當(dāng)?shù)亟档停瑫r(shí)產(chǎn)生的熱量可以有效地被該電阻吸收，有效地保護(hù)了二極管及固體放電芯片中PN結(jié)，使裝置的使用壽命更長(zhǎng)且可多次起作用。另外，電阻在高頻下有微電感特性，與PN結(jié)形成的電容抵消，使整個(gè)裝置呈現(xiàn)純電阻特性，故其高頻特性方面更佳。
文檔編號(hào)H02H9/04GK101764400SQ20091026082
公開(kāi)日2010年6月30日 申請(qǐng)日期2009年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月11日
發(fā)明者龔建良 申請(qǐng)人:龔建良