專利名稱：電子元件的制造方法和薄膜的制造裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子元件的制造方法和薄膜的制造裝置。
在現(xiàn)代社會里薄膜在非常廣的范圍內(nèi)起作用。在包裝紙、磁帶、電容器、半導(dǎo)體等日常生活的各個方面都在使用薄膜。沒有這些薄膜、就無法談到近年來高性能化和小型化技術(shù)的基本發(fā)展。同時，為滿足工業(yè)的需要，對形成薄膜的方法進(jìn)行了各種研究。例如，在包裝紙、磁帶、電容器等的用途上，采用了有利于快速大量生產(chǎn)的連續(xù)卷繞真空蒸鍍方法。
此時，為了形成薄膜，在選擇蒸發(fā)材料和基片材料的同時，根據(jù)需要可以在真空槽中導(dǎo)入反應(yīng)氣體，并在基片上產(chǎn)生電位而形成薄膜，這樣形成的薄膜可擁有希望有的特性。例如，在制造磁性存儲媒體時，使用Co.Ni.Fe等含有磁性元素的蒸發(fā)材料，并在向真空槽中導(dǎo)入氧氣的同時進(jìn)行反應(yīng)蒸鍍，由此可以得到很長的磁存儲媒體。
在半導(dǎo)體方面主要是用濺射法形成薄膜。濺射法對使用陶瓷性材料形成薄膜特別適用。在多數(shù)情況，陶瓷薄膜的薄膜厚度為數(shù)μm以上時以涂敷燒成法形成，在1μm以下時以濺射法形成。
另一方面，在用樹脂材料形成薄膜時，是用涂漆法，工業(yè)上用逆式涂層和增粘涂層法，一般將被溶劑稀釋過的材料涂漆后使之干燥硬化。用這些方法形成的樹脂薄膜的厚度的下限取決于使用材料，但在1μm左右的較多。若厚度在這以下則較難制成。一般的涂漆方法在剛涂漆后涂敷厚度在數(shù)μm以上，因此在形成極薄樹脂膜時需要溶劑稀釋。但即使用這樣的方法在多數(shù)情況下也得不到1μm以下的樹脂薄膜。另外，進(jìn)行溶劑稀釋則干燥后的涂膜易產(chǎn)生缺陷，且從環(huán)境保護(hù)的觀點看也是不理想的，因此，希望產(chǎn)生即使不進(jìn)行溶劑稀釋也能形成樹脂薄膜的方法，及穩(wěn)定地得到極薄的樹脂薄膜的方法。為了實現(xiàn)這一目的，人們提出了在真空中形成樹脂薄膜的方法。這種方法是在真空中將樹脂材料氣化后附著在支持體上，根據(jù)這種方法可以形成沒有空隙缺陷的樹脂薄膜，而且不用稀釋溶劑。
在陶瓷薄膜和樹脂薄膜的上面再疊層別的種類的薄膜，可以制成過去不能制造的各種各樣的復(fù)合薄膜，它在工業(yè)上的利用領(lǐng)域非常廣泛。這其中具有片狀形狀的電子元件非常有前景，電容器、線圈、阻抗、電容性電池或者它們的組合元件等，因為薄膜疊層而變得極小型化和高性能化。并且已經(jīng)開始商品化，其市場正在擴大。
要制成電子元件，電極當(dāng)然是不可缺少的，對于使用金屬薄膜的電子元件，通過在金屬薄膜上構(gòu)制圖形，可以在電子元件中形成電位不同的金屬薄膜。即，作為絕緣部分的構(gòu)制圖形部分(金屬薄膜未形成部分)，將金屬薄膜分成幾部分，再將其與絕緣性薄膜疊層，可以形成復(fù)雜的電子元件。
圖4表示由薄膜的疊層構(gòu)成的電子元件的制造裝置的一個實施例的概略圖。如圖所示，在圓筒狀冷卻滾筒7的周圍，配置有金屬薄膜的制造裝置8、由樹脂材料等構(gòu)成的絕緣性薄膜的制造裝置9、對金屬薄膜進(jìn)行構(gòu)制圖形的構(gòu)圖材料施加裝置11。這些裝置被放在真空槽5內(nèi)，由吸泵構(gòu)成的排氣系統(tǒng)6維持真空槽內(nèi)達(dá)到予定的真空度。冷卻滾筒7沿箭頭方向旋轉(zhuǎn)，由此在冷卻滾筒7的外周面上，形成絕緣性薄膜和構(gòu)制圖形后的金屬薄膜交替疊層的薄膜疊層體。圖中10表示將絕緣性薄膜硬化至預(yù)定硬度的硬化裝置，12為將金屬薄膜形成后除去所產(chǎn)生的多余的構(gòu)圖材料的構(gòu)圖材料除去裝置。
這樣形成的薄膜疊層體從冷卻滾筒7分離后，將其切斷成各種電子元件所需要的大小，或供給其外部電極，由此形成大多數(shù)的電子元件。
為了制造構(gòu)制圖形后的金屬薄膜，可使用被稱作油限界的方法。這是利用了預(yù)先形成薄的構(gòu)圖材料后，當(dāng)用蒸鍍等方法形成金屬薄膜時，構(gòu)圖材料上不會形成金屬薄膜的方法。這樣形成的金屬薄膜呈去掉構(gòu)圖部分以后的形狀，可以因此形成具有所需圖形的金屬薄膜，例如用圖4的裝置對金屬薄膜和樹脂薄膜進(jìn)行交替疊層時，變換構(gòu)圖位置再進(jìn)行疊層，然后切斷疊層體，就可以得到許多個具有圖3所示斷面構(gòu)造的電容器。
但是，按照上述方法制造的電子元件的成品率，會由于薄膜疊層體從滾筒等支持體分離時產(chǎn)生的裂紋等而降低。而且，這種裂紋會顯著降低電子元件的可靠性。另外，為了使薄膜疊層體從支持體分離，需要停止裝置的運轉(zhuǎn)，并且每次都會破壞真空環(huán)境使裝置的成膜效率變低。
本發(fā)明的目的是解決在上述現(xiàn)有的電子元件用薄膜疊層體的制造方法中存在的問題，提供具有高生產(chǎn)率，可靠性高的電子元件的制造方法。本發(fā)明的另一個目的是提供生產(chǎn)性能良好，能制造出可靠性高的薄膜疊層體的制造裝置。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用以下方案本發(fā)明第一個方案的電子元件的制造方法，其特征在于，包括在預(yù)先施加分離劑的支持體上形成疊層薄膜的工序；及將前述疊層薄膜從前述支持體分離的工序。根據(jù)此方案，由于在支持體上形成疊層薄膜以前，已經(jīng)在支持體上供給了分離劑，所以疊層薄膜形成后，從支持體分離時，不會產(chǎn)生疊層薄膜的裂紋等損傷。其結(jié)果是能得到成品率高，可靠性高的電子器件。由此，本發(fā)明的制造方法適用于以高性能電容為代表的高性能電子元件等的批量生產(chǎn)。
在上述方案中，當(dāng)前述的疊層薄膜為多層疊層時，也可以在疊層的中途將分離劑施加到前述疊層薄膜表面。根據(jù)此方案，在將疊層薄膜疊層到預(yù)定的層數(shù)完成制造后，在施加分離劑的面上將疊層薄膜分離、由此可以在連續(xù)的疊層工序中得到大多數(shù)的電子元件用疊層薄膜。而且分離時不會產(chǎn)生裂紋等的損傷，其結(jié)果，可以制造生產(chǎn)率高，可靠性良好的電子元件。
本發(fā)明第2方案是至少含有金屬薄膜和絕緣性薄膜的電子元件的制造方法，其特征為，包括在支持體上分別疊層所述金屬薄膜和所述絕緣性薄膜2層以上，形成疊層體的工序；和將所述疊加體沿厚度方向分離的工序。根據(jù)本方案，因為可以沿厚度方向疊層制造多層電子元件用疊層體，所以可以提高電子元件的生產(chǎn)率。因此，本發(fā)明適用于以高性能電容器為代表的高性能電子元件的批量生產(chǎn)。
在上述方案中，最好將所述金屬薄膜和所述絕緣性薄膜疊層到予定的層數(shù)后，施加分離劑，繼續(xù)將所述金屬薄膜和絕緣性薄膜疊層到預(yù)定的層數(shù)，根據(jù)這一最佳方案，因為預(yù)先在分離面上施加了分離劑，當(dāng)將疊層體分離時就不會產(chǎn)生裂紋等的損傷，其結(jié)果，可以得到成品率高?？煽啃愿叩碾娮釉?br> 在上述方案中最好包括有在所述疊層體形成工序以前，將分離劑施加到支持體上的工序，根據(jù)這一最佳方案，因為在支持體上施加了分離劑，將疊層體從支持體分開時，疊層體上不會產(chǎn)生裂紋等損傷，其結(jié)果是，可以得到成品率高，可靠性高的電子元件。
在上述方案中，最好在真空中不破壞真空環(huán)境的條件下，連續(xù)形成所述金屬薄膜及絕緣性薄膜。另外，在上述方案中，最好在真空中不破壞真空環(huán)境下，連續(xù)進(jìn)行所述金屬薄膜和絕緣性薄膜的形成及所述分離劑的施加。在此，所說的破壞真空環(huán)境是指一旦回到大氣壓下則不進(jìn)行操作的意思，不包括允許程度內(nèi)的真空度的降低(變動)。根據(jù)此最佳構(gòu)成，可以高效率地制造電子元件。而且，因為可以防止由于真空環(huán)境的破壞造成的金屬薄膜的氧化和疊層體中的異物混入，所以可以防止成品率的下降，得到可靠性高的電子元件。
在上述方案中，前述分離劑的供給，最好按照蒸鍍法，噴霧法、濺射法中的一個或者其組合方法來進(jìn)行，根據(jù)此最佳構(gòu)成，由于分離劑的施加可以穩(wěn)定可靠地進(jìn)行，所以疊層體的分離可變得很容易，其結(jié)果，可防止成品率的低下，得到可靠性高的電子元件。
本發(fā)明的薄膜制造裝置，其特征在于它包括真空槽；維持所述真空槽達(dá)到預(yù)定真空度的真空泵；在所述真空槽內(nèi)配置的支持體；在所述支持體上直接或間接地疊層形成金屬薄膜的金屬薄膜形成裝置；在所述支持體上直接或間接地疊層形成絕緣性薄膜的絕緣性薄膜形成裝置；在所述支持體、金屬薄膜及絕緣性薄膜中的至少一個的表面上施加分離劑的分離劑供給裝置。根據(jù)此方案，因為包括有在支持體，金屬薄膜或絕緣性薄膜的表面上施加分離劑的分離劑供給裝置，所以可以在疊層開始前或疊層的中途施加分離劑。其結(jié)果，制成的薄膜疊層體與支持體的分離，及沿該疊層體厚度方向的分割可以容易地進(jìn)行。此時不會產(chǎn)生該疊層體的裂紋等損傷，其結(jié)果，可高效率生產(chǎn)出可靠性高的薄膜疊層體。
附圖的簡單說明

圖1是表示為實施本發(fā)明的電子元件的制造方法的，薄膜的制造裝置的一個實施例的簡要結(jié)構(gòu)的斷面圖。
圖2是疊層體母元件的一個實施例的簡要結(jié)構(gòu)的透視圖。
圖3是本發(fā)明電子元件的一個實施例的簡要結(jié)構(gòu)的斷面圖。
圖4是現(xiàn)有的薄膜的制造裝置的一個實施例的簡要結(jié)構(gòu)的斷面圖。以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的實施型態(tài)予以說明。
圖1表示由金屬薄膜和絕緣性薄膜構(gòu)成的電子元件用多層疊層體的制造裝置的概略圖。
如圖1所示，被冷卻到所定溫度的圓筒狀疊層膜支持滾筒7的周圍，配置有金屬薄膜形成源8，絕緣性薄膜形成源9、硬化裝置10、構(gòu)圖材料供給裝置11，構(gòu)圖材料除去裝置12，分離劑供給裝置13。滾筒7沿箭頭方向旋轉(zhuǎn)，使在滾筒7的外周面上，形成金屬薄膜和絕緣性薄膜交替疊層的薄膜疊層體，其疊層數(shù)與滾筒7的轉(zhuǎn)數(shù)相對應(yīng)。
金屬薄膜形成源8，按照需要形成的金屬薄膜，可以使用阻抗加熱蒸發(fā)源，感應(yīng)加熱蒸發(fā)源，電子束蒸發(fā)源，濺射蒸發(fā)源、蒸發(fā)源組及其它用于形成的薄膜裝置，或者它們的組合。
絕緣性薄膜薄膜形成源9，根據(jù)需要形成的絕緣性薄膜選擇使用適合的裝置。例如，為使用樹脂性材料作為絕緣性薄膜時，可使用電加熱裝置、由超聲波或噴霧產(chǎn)生的氣化裝置或霧化裝置。在使用陶瓷性材料作為絕緣性薄膜時，可使用濺射裝置，使用金屬氧化物時可使用氧化物的濺射裝置或蒸鍍裝置。
硬化裝置10是將絕緣性薄膜硬化到預(yù)定硬度的裝置，根據(jù)需要形成的絕緣性薄膜可選擇使用適合的裝置。例如，當(dāng)使用樹脂薄膜作為絕緣性薄膜時，可使用紫外線硬化裝置，電子束硬化裝置，熱硬化裝置，或者這些裝置的組合。
構(gòu)圖材料施加裝置11，是對金屬薄膜進(jìn)行構(gòu)圖的裝置，例如，可采用油限界方法，即在金屬薄膜形成前，用油按予定的形狀涂敷圖形。
作為構(gòu)圖材料，可使用以烴類油、礦物油，氟類油等為主的各種油及適用于形成金屬薄膜的其它材料。構(gòu)圖材料供給方法可使用涂敷或其它與之類似的方法(接觸法)，此外，還可采用，往對應(yīng)于圖形的微小開口部的密封噴嘴內(nèi)，裝入構(gòu)圖材料并加熱，使材料的蒸氣從開口噴出，在金屬薄膜形成面凝集的方法(非接觸法)。
沿構(gòu)圖材料的幅寬方向(圖1中與紙面垂直方向)的供給位置，最好隨著滾筒7的旋轉(zhuǎn)可以移動。這樣可以得到在各層金屬薄膜上構(gòu)圖位置不同的薄膜疊層體。
構(gòu)圖材料除去裝置12為將金屬薄膜形成后多余的構(gòu)圖材料除去的裝置。除去的方法，可根據(jù)使用的構(gòu)圖材料的種類進(jìn)行適當(dāng)選擇。例如，遠(yuǎn)紅外線，紅外線等光線或電熱絲加熱，或等離子體照射，離子照射，電子束照射等產(chǎn)生的分解來除去的方法。
分離劑施加裝置13，是在制造疊層體前在滾筒7的外周面上，及在制造疊層體中途時在金屬薄膜或絕緣性薄膜上施加分離劑的裝置。對使用的分離劑沒有特別限定，可根據(jù)金屬薄膜及絕緣性薄膜的材料適當(dāng)選擇。對分離劑的施加方法也沒有特別限制，可根據(jù)使用的分離劑來選擇。
這些裝置設(shè)置在真空槽5內(nèi)，由吸泵構(gòu)成的排氣系統(tǒng)6維持真空槽達(dá)到預(yù)定的真空度。
由上述的裝置可以在滾筒7的外周面上形成金屬薄膜和絕緣性薄膜交替疊層的多層薄膜疊層體。此后，沿半徑方向?qū)B層體分割成8份(每隔45°切斷)后取下來，在加熱條件下施加壓力使其呈平板狀展開。圖2表示按這種方法得到的絕緣性薄膜和金屬薄膜構(gòu)成的疊層體母元件20的大致結(jié)構(gòu)的透視圖。本圖中箭頭21為滾筒7的外周面的移動方向。如圖所示，疊層體母元件20，由已構(gòu)圖的金屬薄膜1和絕緣性薄膜2多層疊層而成。4為金屬薄膜1的構(gòu)圖位置。此外，圖中將疊層狀態(tài)模式化了，圖中畫出的疊層數(shù)比實際要少得多。
例如，在制造電容器時，將疊層體母元件20沿切斷面22a切斷，在切斷面通過將黃銅金屬熔射而形成外部電極。然后，在相當(dāng)于圖2的切斷面22b的地方切斷，將其外表面涂料處理，可以得到圖3所示的片狀電容器。
在圖3中，1為金屬薄膜，2為絕緣性薄膜，3為與金屬薄膜1電連接的外部電極，4為金屬薄膜1的構(gòu)圖位置。
根據(jù)本發(fā)明，因為預(yù)先在滾筒7的表面施加分離劑，所以可以容易地將疊層體從滾筒7分離，而不給疊層體帶來損傷。
疊層體的疊層開始后，滾筒7旋轉(zhuǎn)到予定的轉(zhuǎn)數(shù)時刻施加分離劑。然后繼續(xù)疊層，在施加分離劑的面上，疊層體可以很容易地被多次分割。其結(jié)果，可在厚度方向按予定層數(shù)疊層制造電子元件用疊層體，使生產(chǎn)率大幅提高，因為已供給了分離劑，所以在分割時不會對疊層體造成損傷。疊層體沿厚方向的分離，在任何時刻都可以進(jìn)行，但在形成外部電極時，最好應(yīng)在此前分離，因為若外部電極已形成則分離會變得困難。
在上述說明中，疊層體從滾筒7分離后，進(jìn)行了切斷、外部電極的形成等處理，這些工序可根據(jù)電子元件的種類而適當(dāng)變更。另外，根據(jù)電子元件的種類，有的電子元件也可不進(jìn)行這些后加工。
圖1表示形成金屬薄膜和絕緣性薄膜的多層疊層體的一種方法。不可以按圖1的方法來限制本發(fā)明的范圍。
實施例實施例1用圖1所示裝置制造電容器用的疊層體。
在滾筒7上形成作為金屬薄膜的鋁的蒸發(fā)薄膜，和作為電介質(zhì)薄膜的由電加熱氣化產(chǎn)生的丙烯酸脂樹脂薄膜。此時，用紫外線照射樹脂薄膜使之硬化，將金屬薄膜以油限界構(gòu)圖法按予定形狀構(gòu)圖。在疊層到予定的層數(shù)后，將疊層體從滾筒7分離得到如圖2所示疊層體母元件20，并進(jìn)行切斷、外部電極的形成等后加工，制成了電容器。圖3表示制成的電容器斷面構(gòu)造模式的概略圖。
鋁薄膜的厚度為50nm，樹脂薄膜的厚度為1μm。樹脂材料使用的是1.9壬二醇二丙烯酸酯與5wt％光重合開始劑的混合物。鋁薄膜和樹脂薄膜的疊層數(shù)各約1000層，構(gòu)圖形成的絕緣部分的幅寬約0.5mm。構(gòu)圖材料用的是含氟素油。在同一疊層面相鄰構(gòu)圖絕緣部分的中心間隔為2.5mm，除去構(gòu)圖材料使用的是遠(yuǎn)紅外線加熱器，在疊層開始之前，在大氣中，在圓筒狀滾筒的外周面上噴射氟素類分離劑的噴霧(大金工業(yè)株式會社制ダイフリ-GA-6010)，用被酒精含浸過的不織布使其更薄地展開。鋁薄膜和樹脂薄膜各約形成1000層后，將疊層體從圓筒狀滾筒分離，在100℃條件下壓成平板狀后進(jìn)行切斷及外部電極的熔射等處理，形成電容器。
(比較例1)在實施例1中，除不實施向滾筒的外周面施加分離劑外，其它采用和實施例1同樣的方法疊層并形成電容器。
在按實施例1及比較例1的方法形成的電容器中相對于設(shè)計上取的個數(shù)，在表1中將與滾筒分離時有明顯裂紋等的破損的電容器的比例，及雖然呈電容器的形狀，但其容量與設(shè)計值相比有30％以上誤差的電容器的比例，作為破損不良率示出。
表1破損不良率的比較
從表1的結(jié)果可以看出，在比較例1中發(fā)生的疊層體的明顯的破損、及以容量異常的形式顯示出的疊層體內(nèi)部的微小裂紋破損，在實施例1中得到了大幅改善。這是由于預(yù)先施加分離劑，使得從疊層體分離時，不用再對疊層體施加過大的力的緣故。
(實施例2)使用圖1所示裝置制造出電容器用的疊層體。
在滾筒7上形成作為金屬薄膜的鋁的蒸發(fā)薄膜，和作為電介質(zhì)薄膜的經(jīng)過電加熱氣化產(chǎn)生的丙烯酸脂樹脂薄膜。此時，用紫外線照射樹脂薄膜使之硬化，用油構(gòu)圖法對金屬膜按予定形狀構(gòu)圖。疊層到預(yù)定的疊層數(shù)后，將疊層體從滾筒7分離，得到圖2所示疊層體母元件，再經(jīng)過切斷，外部電極形成等后加工，得到電容器。圖3表示制成的電容器的斷面構(gòu)造的模式的概略圖。
鋁薄膜的厚度為50nm，樹脂薄膜的厚度為1μm。樹脂材料使用的是1.9壬二醇二丙烯酸酯與5wt％光重合開始劑的混合物。鋁薄膜和樹脂薄膜的疊層數(shù)各約1000層，構(gòu)圖形成的絕緣部分的幅寬約0.5mm。構(gòu)圖材料用的是含氟素油。在同一疊層面相鄰構(gòu)圖絕緣部分的中心間隔為2.5mm，除去構(gòu)圖材料使用的是遠(yuǎn)紅外線加熱器，在疊層開始之前，在大氣中，在圓筒狀滾筒的外周面上噴射氟素類分離劑的噴霧(大金工業(yè)株式會社制ダイフリ-GA-6010)，用被酒精含浸過的不織布使其更薄地展開。鋁薄膜和樹脂薄膜各約形成1000層后，在疊層體表面施加分離劑，分離劑使用的是氟素系材料，氟素系材料經(jīng)過RF噴濺，供給疊層體表面。噴濺功率為100W，噴濺過程中中斷鋁薄膜的形成和樹脂薄膜的形成。此后停止噴濺，再次疊層鋁薄膜和樹脂薄膜的交替疊層分別至約1000層。這樣的過程反復(fù)進(jìn)行，形成的氟素系噴濺層有3層，鋁薄膜、樹脂薄膜各約4000層。將制成的積層體從圓筒狀滾筒分離，在100℃條件下壓成平板狀后，以氟素系噴濺層為界將疊層體分割為4部分。分割后的疊層體經(jīng)切斷及外部電極的熔射等處理形成了電容器。
(實施例3)使用圖1所示裝置制造出了電容器用的疊層體。
在滾筒7上形成作為金屬薄膜的銅的蒸發(fā)薄膜，及和作為電介質(zhì)薄膜的由電加熱氣化產(chǎn)生的丙烯酸脂樹脂薄膜。此時，用紫外線照射樹脂薄膜使之硬化，將金屬薄膜以油限界構(gòu)圖法按予定形狀構(gòu)圖。在疊層到予定的層數(shù)后，將疊層體從滾筒7分離得到如圖2所示疊層體母元件20，并進(jìn)行切斷、外部電極的形成等后加工，制成了電容器。圖3表示制成的電容器斷面構(gòu)造模式的概略圖。
銅薄膜的厚度為40nm，樹脂薄膜的厚度為0.1μm。樹脂材料使用的是二甲醇三環(huán)癸烷二丙烯酸酯。銅薄膜、樹脂薄膜經(jīng)反復(fù)疊層其各自的疊層數(shù)達(dá)到約4000層，經(jīng)構(gòu)制圖案形成的絕緣部分的幅寬約0.1mm。構(gòu)圖材料用的是礦物型油。在同一疊層面上相鄰構(gòu)圖絕緣部分的中心間隔為1.4mm。構(gòu)圖材料的去除用的是電子束。在疊層開始前，在大氣中將氟素系分離劑的噴霧(大金工業(yè)株式會社產(chǎn)ゲイフリ-GA-6010)噴向圓筒形滾筒的外周面，并用含浸過酒精的不織布將其更薄地展開。銅薄膜、樹脂薄膜各形成4000層后，在疊層體的表面施加分離劑。分離劑用的是市場上銷售的氟素分離劑(大金工業(yè)株式會社制造的“タイフリ-”GA-6010)，將其噴嘴部的中間設(shè)置一個電磁閥，延長的部分引向真空槽中，在中斷銅薄膜，樹脂薄脂的形成時施加疊層體表面上述分離劑。由于噴霧會暫時破壞真空度，待回復(fù)真空狀態(tài)后再同樣疊層銅薄膜和樹脂薄膜。于是制成含有一層分離劑層的，銅薄膜，樹脂薄膜各約8000層的疊層體。制成的疊層體從圓筒狀滾筒分離后，在分離劑面分割，此后在120℃壓成平板狀后，按與實施例2同樣的方法制成電容器。
在按照實施例1的方法形成的在疊層方向不進(jìn)行分離的電容器，和按照實施例2,3形成的在疊層方向進(jìn)行分離的電容器中，相對于設(shè)計上取的個數(shù)，在表2中，將從滾筒分離時或?qū)ΟB層體分割時有明顯裂紋等破損的比例，及雖有電容器形狀但容量與設(shè)計值有30％以上誤差的比例，作為破損不良率示出。破損不良率的比較
如圖2所示，沿疊層方向的分離會增加若干的破損不良，但考慮到真空槽內(nèi)的清掃，準(zhǔn)備、真空排氣、冷卻、成膜要素(裝置)的操作等所需的時間，從生產(chǎn)效率的觀點來看這個差異是幾乎可以忽視的。另外，在實施例3中也和實施例2一樣，沿疊層方向的分離導(dǎo)致的破損不良的增加很小。
如實施例2和實施例3所示，如果在疊層過程當(dāng)中供給疊層體表面分離劑，則所有的疊層完成后可以在分離劑供給面將疊層體分割。從而能以超過制品的疊層單位連續(xù)疊層，大幅提高了生產(chǎn)效率。
在上述實施例中只敘述了用氟素系材料作為分離劑的情況，但本發(fā)明不局限于這種情況，當(dāng)然也可以用其它有分離效果的材料。另外，作為分離劑的供給方法，除了在實施例中提到的濺射法和噴射噴霧法外，也可用蒸鍍法，供給方法只要適當(dāng)選擇使其適合以使用材料為主的工藝條件即可。
在上述實施例中提到，絕緣性薄膜材料使用的是丙烯酸脂系的樹脂材料，也提到可以用乙烯類和環(huán)氧類等其它的樹脂，在樹脂材料以外也可用陶瓷類、金屬氧化物類材料。例如，金屬氧化物的鈦氧化物在經(jīng)過充有氧氣的電子束蒸發(fā)后其厚度為50nm～300nm，這樣的鈦氧化物作為絕緣性薄膜可以確認(rèn)具有本發(fā)明的效果。
在上述實施例中只敘述了鋁或銅作為金屬薄膜層的情況。也可用銀、鎳、鋅等其它金屬或含有這些金屬的合金。而且金屬薄膜層可不為一種，可以是例如Al層和Cu層的混合，由此可完善各種特性，根據(jù)不同使用條件可實現(xiàn)電子元件的高性能化。
實施例中關(guān)于構(gòu)圖材料除去的手段，只敘述了使用遠(yuǎn)紅外線加熱和電子束的情況，用紫外線燈照射和等離子體照射等其它除去手段也可得到同樣的效果。
在上述實施例中敘述了支持體是使用圓筒狀的滾筒的情況，本發(fā)明不限于這些支持體，也可用圓筒形狀以外的，平板狀和曲面形狀的支持體。其材料以金屬為代表，還可使用絕緣體、玻璃、半導(dǎo)體等，在此基礎(chǔ)上可形成本發(fā)明的電子元件。
在上述實施例中，電子元件以電容器為例進(jìn)行了說明，用本發(fā)明的制造方法來制造片狀電感，靜噪濾波器等其它的電子元件、也可提高生產(chǎn)率，因此，本發(fā)明可廣泛適用于電子元件的制造方法及薄膜的制造裝置。
發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明的第1方案的電子元件的制造方法，由于在疊層薄膜在支持體上形成以前，將分離劑供給支持體，疊層薄膜形成后，將疊層薄膜從支持體分離時，不會產(chǎn)生疊層薄膜的裂紋等損傷。其結(jié)果，可以得到成品率高，可靠性高的電子元件。
根據(jù)本發(fā)明第2方案的電子元件的制造方法，由于可以在厚度方向疊層制造多數(shù)電子元件用的疊層體，使電子元件的生產(chǎn)效率得到提高。
根據(jù)本發(fā)明的薄膜的制造裝置，因為包括有向支持體、金屬薄膜、或絕緣性薄膜的表面上施加分離劑的分離劑供給裝置，所以可以在疊層開始前，或疊層中途施加分離劑。其結(jié)果，制成的薄膜疊層體能容易地從支持體分離、或沿該疊層體的厚度方向很容易地分割。此時，不會產(chǎn)生該疊層體的裂紋等的損傷，其結(jié)果，可以高效率地制造可靠性高的薄膜。
權(quán)利要求
1．一種電子元件的制造方法，其特征在于，包括在預(yù)先施加分離劑的支持體上形成疊層薄膜的工序，和將所述支持體從所述疊層薄膜分離的工序。
2．根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元件的制造方法，其特征在于，將所述疊層薄膜疊層多層，在疊層的中途將分離劑施加到所述疊層薄膜表面。
3．一種電子元件的制造方法，所述電子元件至少具有金屬薄膜和絕緣性薄膜，其特征在于，包括在支持體上將所述金屬薄膜和絕緣性薄膜各自疊層2層以上形成疊層體的工序，及沿厚度方向分離所述疊層體的工序。
4．根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子元件的制造方法，其特征在于，將所述金屬薄膜和絕緣性薄膜疊層到予定層數(shù)后，施加分離劑，再次將所述金屬薄膜和絕緣性薄膜疊層到予定層數(shù)。
5．根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子元件的制造方法，其特征在于，在形成所述疊層體工序以前，具有將分離劑供給所述支持體的工序。
6．根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子元件的制造方法，其特征在于，在真空中不破壞真空的條件下，連續(xù)形成金屬薄膜和絕緣性薄膜。
7．根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子元件的制造方法，其特征在于，在真空中不破壞真空環(huán)境的條件下，所述金屬薄膜和所述絕緣性薄膜的形成及所述分離劑的施加的工序連續(xù)進(jìn)行。
8．根據(jù)權(quán)利要求1,2,4或5任一項所述的電子元件的制造方法，其特征在于，所述分離劑的施加采用蒸鍍法，噴霧法，濺射法中的任意一種或者它們的組合。
9．一種薄膜的制造裝置，其特征在于，它包括真空槽；使所述真空槽內(nèi)維持為予定真空度的真空泵；配置在所述真空槽內(nèi)的支持體；在所述支持體上直接或間接疊層形成金屬薄膜的金屬薄膜形成裝置；在所述支持體上直接或間接疊層形成絕緣性薄膜的絕緣性薄膜形成裝置；在所述支持體，金屬薄膜及絕緣性薄膜的其中至少一個的表面上施加分離劑的分離施加給裝置。
全文摘要
一種在支持體上疊層金屬薄膜和絕緣性薄膜制造電子元件的方法,在疊層開始前將分離劑供給支持體?；蛘咴诏B層工序的中途在疊層體的表面上施加分離劑后,再繼續(xù)疊層。將疊層體從支持體分離時,或者將疊層體在疊層方向多個分割時,防止產(chǎn)生疊層體的裂紋,提高電子元件的成器率和生產(chǎn)效率。
文檔編號H01G4/18GK1224074SQ9812628
公開日1999年7月28日 申請日期1998年12月25日 優(yōu)先權(quán)日1997年12月25日
發(fā)明者本田和義, 越后紀(jì)康, 砂流伸樹, 小田桐優(yōu) 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社