專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
近年來(lái)的硅集成電路的特征在于元件的水平方向的微細(xì)化的進(jìn)步，但在高度方向上迄今沒(méi)有大的進(jìn)步。因此最近半導(dǎo)體元件呈立體狀，芯片尺寸或晶片尺寸的絕對(duì)臺(tái)階高度變大。
在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中，既要增大電容器的容量、又要實(shí)現(xiàn)微細(xì)化，所以存儲(chǔ)器單元部分呈立體狀，與外圍電路之間形成了較高的臺(tái)階。在邏輯IC中為了實(shí)現(xiàn)高性能化、高速化而使得布線多層化，布線疏的部分和密的部分之間形成了較高的臺(tái)階。該臺(tái)階在將圖形轉(zhuǎn)移到襯底上時(shí)成為很大的問(wèn)題。
在圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)中，伴隨分辨率的提高，成問(wèn)題的是聚焦深度淺。由于透鏡的口徑增大和波長(zhǎng)的縮短，聚焦深度急劇變小，伴隨半導(dǎo)體元件的立體化，構(gòu)成了對(duì)微細(xì)化的障礙。如果進(jìn)一步微細(xì)化，就必須在工藝中采取降低絕對(duì)臺(tái)階高度的平坦化技術(shù)，以便即使聚焦深度淺也能進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移。
以往采用的SOG、BPSG回流(reflow)等層間絕緣膜的平坦化技術(shù)是一種局部(幾微米范圍)的平坦化技術(shù)，不能降低芯片尺寸或晶片尺寸的絕對(duì)臺(tái)階高度。現(xiàn)在能降低絕對(duì)臺(tái)階高度的只有化學(xué)機(jī)械研磨法。
作為能適應(yīng)以往的要求的方法，提出了圖7所示的化學(xué)機(jī)械研磨法(以下適當(dāng)?shù)睾?jiǎn)稱為CMP研磨或CMP研磨法)(參照特公平5-30052號(hào)、特開(kāi)平7-285050號(hào)公報(bào)等)。
圖7中，111是旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)(壓磨板)，112是研磨布，113是有在其上形成的絕緣膜的半導(dǎo)體晶片，114是襯墊材料，115是研磨頭，116是研磨劑。研磨布112用粘接劑裝在旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)111上，旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)111以軸為中心旋轉(zhuǎn)。襯墊材料114用粘接劑裝在研磨頭115上，帶有絕緣膜的半導(dǎo)體晶片113利用真空吸附力或水的表面張力，以表面向下的方式安裝在襯墊材料114上。
參照?qǐng)D7，說(shuō)明實(shí)際的研磨方法。在圖7中，使旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)111繞軸旋轉(zhuǎn)，而且使研磨頭115繞軸旋轉(zhuǎn)。一邊使研磨劑116按規(guī)定的流量流到研磨布112的表面上，一邊將研磨頭115以規(guī)定的壓力壓在研磨布112上。于是對(duì)半導(dǎo)體晶片113的絕緣膜表面進(jìn)行研磨。
圖8是說(shuō)明使用這樣的化學(xué)機(jī)械研磨法的實(shí)際的研磨工序的例圖。在圖8中，21是硅襯底，22是氧化膜，23是第一擴(kuò)散層，24是氮化膜，25是硅電極，26是第二擴(kuò)散層，27是布線下方的絕緣膜，28是第一金屬布線層，29是層間絕緣膜，30是第二金屬布線層。
在硅襯底21上形成氮化膜掩模24，并形成氧化膜22、第一擴(kuò)散層23(圖8a)。在氧化膜22上形成硅電極25和第二擴(kuò)散層26(圖8b)。形成布線下方的絕緣膜27后，開(kāi)設(shè)接觸孔，形成第一金屬布線層28(圖8c)。在它上面形成層間絕緣膜29(圖8d)。其次，用上述的化學(xué)機(jī)械研磨法使層間絕緣膜29平坦化(圖8e)。其次，開(kāi)設(shè)通孔后，形成第二金屬布線層30(圖8f)。
這時(shí)，在產(chǎn)品的管理上需要測(cè)定從鋁布線圖形開(kāi)始的層間絕緣膜29的厚度，需要管理所形成的膜厚、研磨量、研磨后的膜的厚度。
因此，在劃線上形成測(cè)定膜厚用的圖形，通常用它進(jìn)行研磨前后的膜厚管理。
圖9是表示為了以往的這種目的而在半導(dǎo)體晶片上形成的測(cè)定膜厚用的圖形的配置例圖。圖中1是半導(dǎo)體晶片，3是劃線區(qū)(以下簡(jiǎn)稱劃線)，5是半導(dǎo)體晶片1上的各芯片，9是在劃線3中形成的測(cè)定膜厚用的監(jiān)視圖形。
可是，上述這種化學(xué)機(jī)械研磨法在其平坦性方面具有圖形依賴性。該圖形依賴性的問(wèn)題在于越是大而密的圖形，降低臺(tái)階高度時(shí)越要花費(fèi)時(shí)間。混合地安裝DRAM或DRAM的邏輯IC等的芯片內(nèi)存在大而密的圖形，如圖9所示，使用劃線3的膜厚監(jiān)視圖形9測(cè)定的膜厚未必與實(shí)際的電路部分的膜厚一致，在管理CMP工藝的方面存在可靠性低的問(wèn)題。
本發(fā)明就是為了解決上述這樣的問(wèn)題而完成的，其目的在于提供一種能更準(zhǔn)確地測(cè)定經(jīng)過(guò)研磨、平坦化后的絕緣膜的厚度的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)和制造方法。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于在半導(dǎo)體晶片中用劃線區(qū)域區(qū)分的芯片區(qū)域中備有半導(dǎo)體器件形成用的器件圖形；與該器件圖形同時(shí)地用同一種材料形成的監(jiān)視圖形；以及覆蓋上述器件圖形及上述監(jiān)視圖形的層間絕緣膜，能用上述監(jiān)視圖形測(cè)定上述層間絕緣膜的厚度。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于在半導(dǎo)體芯片的器件形成區(qū)域中備有半導(dǎo)體器件形成用的器件圖形；與該器件圖形同時(shí)地用同一種材料形成的監(jiān)視圖形；以及覆蓋上述器件圖形及上述監(jiān)視圖形的層間絕緣膜，能用上述監(jiān)視圖形測(cè)定上述層間絕緣膜的厚度。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于上述半導(dǎo)體晶片或上述半導(dǎo)體芯片有存儲(chǔ)單元區(qū)，在上述存儲(chǔ)單元區(qū)中或靠近上述存儲(chǔ)單元區(qū)形成上述監(jiān)視圖形。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于在上述半導(dǎo)體晶片或上述半導(dǎo)體芯片中，有上述器件圖形的密度為百分之五十以下的區(qū)域和超過(guò)百分之五十的區(qū)域，在各個(gè)區(qū)域中形成了上述監(jiān)視圖形。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于上述監(jiān)視圖形的大小為短邊在5微米以上，長(zhǎng)邊在150微米以下。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于包括以下工序在半導(dǎo)體晶片的用劃線區(qū)域區(qū)分的芯片區(qū)域中形成半導(dǎo)體器件形成用的器件圖形，同時(shí)在上述芯片區(qū)域中與上述器件圖形同時(shí)地用同一種材料形成監(jiān)視圖形的工序；形成覆蓋上述器件圖形及上述監(jiān)視圖形的層間絕緣膜的工序；使上述層間絕緣膜平滑的工序；以及在上述監(jiān)視圖形上測(cè)定上述平滑化了的層間絕緣膜的厚度的工序。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于在上述半導(dǎo)體晶片的芯片區(qū)域中形成存儲(chǔ)單元區(qū)，在上述存儲(chǔ)單元區(qū)中或靠近該存儲(chǔ)單元區(qū)形成上述監(jiān)視圖形。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于在上述半導(dǎo)體晶片的芯片區(qū)中，形成器件圖形的密度為百分之五十以下的區(qū)域和超過(guò)百分之五十的區(qū)域，在各個(gè)區(qū)域中形成上述監(jiān)視圖形。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于將上述監(jiān)視圖形形成為短邊在5微米以上，長(zhǎng)邊在150微米以下。
圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的制造工序的剖面圖。
圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施例2的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施例3的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖6是表示本發(fā)明的實(shí)施例4的半導(dǎo)體裝置的制造工序的剖面圖。
圖7是說(shuō)明現(xiàn)有的研磨方法用的研磨裝置的剖面圖。
圖8是表示采用現(xiàn)有的制造方法的半導(dǎo)體裝置的制造工序的剖面圖。
圖9是表示現(xiàn)有的膜厚的監(jiān)視圖形的配置情況的平面圖。
以下，參照


本發(fā)明的實(shí)施例。另外，圖中相同的符號(hào)分別表示相同的或相當(dāng)?shù)牟糠帧?br> 實(shí)施例1圖1～圖3是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置及其制造方法用的說(shuō)明圖。圖1表示該半導(dǎo)體裝置的制造工序的剖面圖，圖2是說(shuō)明該半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)用的剖面圖。圖3是該半導(dǎo)體裝置的平面圖。
參照?qǐng)D1，說(shuō)明本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法。如圖1(a)所示，首先在硅半導(dǎo)體晶片1上形成氧化硅膜作為基底絕緣膜2。在該基底絕緣膜2上將以后對(duì)半導(dǎo)體晶片1劃線時(shí)的劃線區(qū)3刻蝕成線狀。(為了比較而進(jìn)行了圖示，以往在該劃線區(qū)3中形成了島部4。)用劃線區(qū)3將半導(dǎo)體晶片1區(qū)分為芯片區(qū)5。實(shí)際上半導(dǎo)體晶片1被縱橫地分成許多劃線區(qū)3，形成多個(gè)芯片區(qū)5，圖1中只是示出了代表例，其它部分未示出。
其次，如圖1(b)所示，在基底絕緣膜2上形成器件形成用的器件圖形。具體地說(shuō)，在該例的情況下，首先形成布線層6。
其次，如圖1(c)所示，刻蝕該布線層6，形成多條布線7。這時(shí)，同時(shí)在芯片區(qū)5中形成測(cè)定層間絕緣膜的厚度用的監(jiān)視圖形8。(為了比較而進(jìn)行了圖示，以往在劃線區(qū)3中的島部4上形成了監(jiān)視圖形9。)作為布線層6，例如形成鋁層或多晶硅層。布線7通常形成為線狀，監(jiān)視圖形8通常形成為四邊形。
另外，在芯片區(qū)5中根據(jù)需要而在形成規(guī)定的器件的器件形成區(qū)中形成監(jiān)視圖形8。
其次，如圖1(d)所示，在全部半導(dǎo)體晶片1上形成氧化硅膜作為層間絕緣膜10，以便將器件圖形及監(jiān)視圖形圖形覆蓋起來(lái)。如圖所示，該層間絕緣膜10根據(jù)在半導(dǎo)體晶片1上形成的圖形的疏密而形成凹凸。
其次，如圖1(e)所示，使層間絕緣膜10平滑化。該平滑化是為了在它上面再形成器件形成用的層所必要的工序。該平滑化通常采用以往的說(shuō)明中說(shuō)明過(guò)的化學(xué)機(jī)械研磨法(CMP法)進(jìn)行。通過(guò)該平滑化，層間絕緣膜10的表面上的凹凸變得平滑，但不能完全呈平面狀。
另外，作為半導(dǎo)體裝置的器件圖形的具體例，形成布線7的寬度例如為幾微米、厚度為0.5～1微米左右，例如將層間絕緣膜10形成為2微米左右，然后研磨掉0.5～1微米左右。
在這樣的半導(dǎo)體裝置的制造工序中為了管理采用化學(xué)機(jī)械研磨法(CMP法)的工藝，適當(dāng)?shù)卣{(diào)整研磨量，將層間絕緣膜10的厚度調(diào)整到所希望的值，有必要在器件形成區(qū)、即在器件用的圖形存在的區(qū)域中準(zhǔn)確地測(cè)定層間絕緣膜10的厚度。
為此，在本實(shí)施例中在芯片區(qū)5形成監(jiān)視圖形8。
該監(jiān)視圖形的大小最好是短邊在5微米以上，長(zhǎng)邊在150微米以下。測(cè)定用的光束直徑約為4～5微米，所以如果監(jiān)視圖形的一邊或直徑為該大小就能測(cè)定。另外，如果太大，會(huì)妨礙器件圖形的形成。在工廠的制造工序中為了容易自動(dòng)測(cè)定，一邊的長(zhǎng)度或直徑為100～150微米較為方便。
圖2是表示將處于如圖1(e)所示那樣的形成階段的半導(dǎo)體晶片1放大了的圖。另外，圖3是表示半導(dǎo)體晶片1的平面和監(jiān)視圖形8的配置的圖。沿圖3中的Ⅱ-Ⅱ線的剖面如圖2所示。
假定通過(guò)化學(xué)機(jī)械研磨來(lái)形成完全的平面，則表面如圖2中的虛線h1所示?？墒?，實(shí)際上并非完全呈平面狀，而是如虛線h2所示的呈平緩的凹凸?fàn)畹谋砻?。在圖形密度大的芯片區(qū)5中研磨量小，但在圖形密度小的劃線區(qū)3中研磨量大，呈較大的凹陷。其差用圖中的d2表示。
換句話說(shuō)，芯片區(qū)5中的層間絕緣膜10的厚度厚，用圖中的d1表示，劃線區(qū)3中的層間絕緣膜10的厚度薄，用圖中的d3表示。
因此，象以往那樣用在劃線區(qū)3中的島部4上形成的監(jiān)視圖形圖形9測(cè)定層間絕緣膜10的厚度，但不能準(zhǔn)確地測(cè)定芯片區(qū)5中的層間絕緣膜10的厚度。
在該實(shí)施例中，由于在芯片區(qū)5中形成監(jiān)視圖形8，所以能準(zhǔn)確地測(cè)定芯片區(qū)5中的層間絕緣膜10的厚度。因此，能正確地評(píng)價(jià)半導(dǎo)體晶片中的層間絕緣膜的全局平面度(global planarity)，能確保圖形轉(zhuǎn)移容限、提高制品管理的效率。另外，通過(guò)將它轉(zhuǎn)換成研磨條件，能期待減少制品偏差、提高成品率。
實(shí)施例2圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施例2的半導(dǎo)體裝置的平面圖。
圖4中，1是半導(dǎo)體晶片，3是劃線區(qū)，5是芯片區(qū)，5a是劃線區(qū)5中的存儲(chǔ)單元區(qū)，8a是膜厚測(cè)定用的監(jiān)視圖形，9是為了比較而給出的現(xiàn)有的監(jiān)視圖形。
如圖4所示，在本實(shí)施例中，在半導(dǎo)體晶片1上形成用劃線區(qū)3區(qū)分的多個(gè)芯片區(qū)5，在芯片區(qū)5中形成例如存儲(chǔ)單元區(qū)5a作為器件形成區(qū)。在該芯片區(qū)5的表面上按規(guī)定的工序形成規(guī)定的器件圖形。作為具體例是形成布線圖形。
這時(shí)，在存儲(chǔ)單元區(qū)5a的中央、以及用與存儲(chǔ)單元區(qū)5a相接或相鄰的方式同時(shí)形成測(cè)定膜厚用的監(jiān)視圖形8a。在它上面形成層間絕緣膜，用化學(xué)機(jī)械研磨法對(duì)層間絕緣膜進(jìn)行平坦化研磨。關(guān)于采用具體的化學(xué)機(jī)械研磨法的研磨方法以現(xiàn)有的技術(shù)為準(zhǔn)。研磨后例如使用Tencole公司制的光學(xué)式膜厚測(cè)定器UV-1050等測(cè)定監(jiān)視圖形8a上的膜厚。
雖然與圖形的情況有關(guān)，但用監(jiān)視圖形8得到的測(cè)定結(jié)果與利用劃線區(qū)3上的現(xiàn)有的膜厚測(cè)定圖形9測(cè)定的結(jié)果相比，在1000-5000埃的測(cè)定結(jié)果方面存在差別。
這可以認(rèn)為在對(duì)具有包括存儲(chǔ)單元的圖形的芯片進(jìn)行研磨時(shí)，通過(guò)測(cè)定存儲(chǔ)單元區(qū)5a的內(nèi)部或近旁的監(jiān)視圖形8a，比測(cè)定劃線區(qū)3上的監(jiān)視圖形9更能準(zhǔn)確地測(cè)定實(shí)際的膜厚。
如上所述，如果采用本實(shí)施例，則由于在半導(dǎo)體芯片的中央的器件形成區(qū)形成測(cè)定膜厚用的監(jiān)視圖形，所以在對(duì)包括存儲(chǔ)器的圖形依賴性大的芯片中，能直接測(cè)定存儲(chǔ)器附近的CMP研磨后的膜厚。因此，能評(píng)價(jià)半導(dǎo)體晶片中的層間絕緣膜的全局平面度，能確保圖形轉(zhuǎn)移容限、提高制品管理的效率。另外，通過(guò)將它轉(zhuǎn)換成研磨條件，能期待減少制品偏差、提高成品率。
實(shí)施例3圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施例3的半導(dǎo)體裝置的平面圖。
圖5中，1是半導(dǎo)體晶片，3是劃線區(qū)，5是芯片區(qū)，5b、5c、5d分別表示芯片區(qū)5中形成的例如圖形密度為30％、40％、70％的器件形成區(qū)。另外，8b、8c、8d分別是配置在器件形成區(qū)5b、5c、5d中的測(cè)定膜厚用的監(jiān)視圖形。
在本實(shí)施例中，在圖5所示的器件形成區(qū)5b、5c、5d中分別形成布線圖形，在它上面形成層間絕緣膜后，用化學(xué)機(jī)械研磨法對(duì)其進(jìn)行平坦化研磨。關(guān)于采用具體的化學(xué)機(jī)械研磨法的研磨方法以現(xiàn)有的技術(shù)為準(zhǔn)。研磨后例如使用Tencole公司制的光學(xué)式膜厚測(cè)定器UV-1050等測(cè)定監(jiān)視圖形8b、8c、8d上的絕緣膜的厚度。
雖然與器件形成區(qū)5b、5c、5d的圖形的情況有關(guān)，但用監(jiān)視圖形8得到的測(cè)定結(jié)果與利用劃線區(qū)3上的膜厚測(cè)定用的監(jiān)視圖形9測(cè)定的結(jié)果相比，在1000-5000埃的測(cè)定結(jié)果方面存在差別。另外在監(jiān)視圖形8b、8c、8d之間也有1000-3000埃的厚度差。這可以認(rèn)為在每個(gè)器件形成區(qū)或每個(gè)塊中，對(duì)具有不同的布線密度的圖形的芯片進(jìn)行研磨時(shí)，通過(guò)測(cè)定各塊中的監(jiān)視圖形8b、8c、8d，比測(cè)定劃線區(qū)3上的監(jiān)視圖形9更能準(zhǔn)確地測(cè)定實(shí)際的膜厚。另外示出了能明確地測(cè)定由一個(gè)芯片內(nèi)的位置決定的膜厚的差的情況。
一般來(lái)說(shuō)，在CMP研磨中，已知當(dāng)器件圖形的密度在百分之50以下時(shí)和超過(guò)百分之50時(shí)，該研磨量的差較大。另外，可以說(shuō)研磨量是圖形密度的倒數(shù)。因此，在半導(dǎo)體裝置的制造工序中知道器件圖形的密度在百分之50以下的區(qū)域和超過(guò)百分之50的區(qū)域?qū)τ跍?zhǔn)確地知道研磨后的絕緣膜的厚度是重要的。
因此在該實(shí)施例中，在器件圖形的密度在百分之50以下的區(qū)域和超過(guò)百分之50的區(qū)域中分別形成測(cè)定絕緣膜的厚度用的監(jiān)視圖形。
如上所述，如果采用本實(shí)施例，則由于在同一芯片中包括圖形密度不同的塊或器件形成區(qū)的情況，例如包括存儲(chǔ)單元等，所以在圖形依賴性大的芯片中，能直接測(cè)定圖形密度不同的塊之間的CMP研磨后的膜厚。因此，能評(píng)價(jià)絕緣膜的全局平面度，能確保圖形轉(zhuǎn)移容限、提高制品管理的效率。另外，通過(guò)將它轉(zhuǎn)換成研磨條件，能期待減少制品偏差、提高成品率。
實(shí)施例4圖6是表示本發(fā)明的實(shí)施例4的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。
該實(shí)施例表示在實(shí)施例1中的圖1(e)上再形成布線層的情況。即，如圖6(a)所示，在平滑化后的層間絕緣膜10上形成上層布線7’。這時(shí)，同時(shí)形成監(jiān)視圖形8’。(為了比較而進(jìn)行了圖示，以往在劃線區(qū)3中形成了監(jiān)視圖形9’。)其次，如圖6(b)所示，在全部半導(dǎo)體晶片1上形成層間絕緣膜10’，以便將器件圖形及監(jiān)視圖形被覆起來(lái)，然后將其平滑化。該平滑化通常采用化學(xué)機(jī)械研磨法進(jìn)行。通過(guò)該平滑化，層間絕緣膜10’的表面上的凹凸變得平滑，但仍留有平緩的高低差。
在該實(shí)施例中，利用在芯片區(qū)5上形成的監(jiān)視圖形8’測(cè)定該層間絕緣膜10’的厚度。
以上說(shuō)明了第二層層間絕緣膜10’的厚度的測(cè)定方法，但該方法測(cè)定哪一層都可以。在半導(dǎo)體裝置的制造中互相重疊地形成多個(gè)器件圖形和多層層間絕緣膜。本發(fā)明是一種能夠以與其基底層無(wú)關(guān)的方式測(cè)定在器件圖形上形成的絕緣膜的厚度、并反饋給工序管理的發(fā)明。
另外，以上雖然在非劃線區(qū)的芯片區(qū)等中形成監(jiān)視圖形，但根據(jù)需要也不排除與芯片區(qū)一起在劃線區(qū)上形成多個(gè)監(jiān)視圖形。
如上所述，如果采用本發(fā)明，由于在半導(dǎo)體晶片的芯片區(qū)中及芯片區(qū)中特定的器件形成區(qū)中形成測(cè)定絕緣膜厚度用的監(jiān)視圖形，所以能更準(zhǔn)確地測(cè)定芯片區(qū)或其中的特定的器件形成區(qū)中的絕緣膜的厚度。
另外，能更準(zhǔn)確地測(cè)定同一芯片區(qū)中的不同的器件形成區(qū)的絕緣膜的厚度。
因此，能評(píng)價(jià)半導(dǎo)體晶片中的層間絕緣膜的全局平面度，能確保圖形轉(zhuǎn)移容限、提高制品管理的效率。
另外，通過(guò)將它轉(zhuǎn)換成研磨條件，能期待減少制品偏差、提高成品率。
權(quán)利要求
1．一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于在半導(dǎo)體晶片中用劃線區(qū)域區(qū)分的芯片區(qū)域中備有半導(dǎo)體器件形成用的器件圖形；與該器件圖形同時(shí)地用同一種材料形成的監(jiān)視圖形；以及覆蓋上述器件圖形及上述監(jiān)視圖形的層間絕緣膜，能用上述監(jiān)視圖形測(cè)定上述層間絕緣膜的厚度。
2．一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于在半導(dǎo)體芯片的器件形成區(qū)域中備有半導(dǎo)體器件形成用的器件圖形；與該器件圖形同時(shí)地用同一種材料形成的監(jiān)視圖形；以及覆蓋上述器件圖形及上述監(jiān)視圖形的層間絕緣膜，能用上述監(jiān)視圖形測(cè)定上述層間絕緣膜的厚度。
3．根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于上述半導(dǎo)體晶片或上述半導(dǎo)體芯片有存儲(chǔ)單元區(qū)，在上述存儲(chǔ)單元區(qū)中或靠近上述存儲(chǔ)單元區(qū)形成上述監(jiān)視圖形。
4．根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于在上述半導(dǎo)體晶片或上述半導(dǎo)體芯片中，有上述器件圖形的密度為百分之五十以下的區(qū)域和超過(guò)百分之五十的區(qū)域，在各個(gè)區(qū)域中形成了上述監(jiān)視圖形。
5．根據(jù)權(quán)利要求1～4中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于上述監(jiān)視圖形的大小為短邊在5微米以上，長(zhǎng)邊在150微米以下。
6．一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包括以下工序在半導(dǎo)體晶片的用劃線區(qū)域區(qū)分的芯片區(qū)域中形成半導(dǎo)體器件形成用的器件圖形，同時(shí)在上述芯片區(qū)域中與上述器件圖形同時(shí)地用同一種材料形成監(jiān)視圖形的工序；形成覆蓋上述器件圖形及上述監(jiān)視圖形的層間絕緣膜的工序；使上述層間絕緣膜平滑的工序；以及在上述監(jiān)視圖形上測(cè)定上述平滑化了的層間絕緣膜的厚度的工序。
7．根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在上述半導(dǎo)體晶片的芯片區(qū)域中形成存儲(chǔ)單元區(qū)，在該存儲(chǔ)單元區(qū)中或靠近該存儲(chǔ)單元區(qū)形成上述監(jiān)視圖形。
8．根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在上述半導(dǎo)體晶片的芯片區(qū)中，形成器件圖形的密度為百分之五十以下的區(qū)域和超過(guò)百分之五十的區(qū)域，在各個(gè)區(qū)域中形成上述監(jiān)視圖形。
9．根據(jù)權(quán)利要求6～8的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于將上述監(jiān)視圖形形成為短邊在5微米以上，長(zhǎng)邊在150微米以下。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于準(zhǔn)確地測(cè)定在半導(dǎo)體晶片的器件圖形上形成的層間絕緣膜的厚度。在用半導(dǎo)體晶片的劃線區(qū)域區(qū)分的芯片區(qū)中形成半導(dǎo)體器件用的器件圖形,同時(shí)在該芯片區(qū)中與器件圖形同時(shí)地用同一種材料形成監(jiān)視圖形。用層間絕緣膜覆蓋在它上面后,通過(guò)研磨進(jìn)行平坦化。在監(jiān)視圖形上測(cè)定該平坦化了的層間絕緣膜的厚度。
文檔編號(hào)H01L21/66GK1225503SQ9812082
公開(kāi)日1999年8月11日 申請(qǐng)日期1998年9月30日 優(yōu)先權(quán)日1998年2月3日
發(fā)明者坂井裕一, 千葉原宏幸, 須田核太郎, 巖崎正修 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社