專利名稱：半導(dǎo)體器件成膜方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于半導(dǎo)體器件的薄膜，特別是一種為半導(dǎo)體器件生成薄膜的改進方法，該方法采用乙硅烷進行化學(xué)氣相淀積，可以改進淀積速度和薄膜的分步覆蓋，盡管薄膜是在低溫下淀積的。
通常，制造半導(dǎo)體器件的方法主要包括生成薄膜和在薄膜上形成圖案。用來制造半導(dǎo)體器件的薄膜根據(jù)需要可分為絕緣薄膜、電介質(zhì)薄膜、導(dǎo)電薄膜、平面薄膜和鈍化薄膜等。用來制作電介質(zhì)薄膜的最常用的材料是氧化硅(SiO2)和氮化硅(Si3N4)，用于制作導(dǎo)電薄膜的材料是多晶硅和硅化鎢(WXSiY)，用來制作絕緣薄膜的材料是氧化硅(SiO2)和磷硅玻璃(PSG)，用來制作平面薄膜的材料是磷硅玻璃(PSG)和硼磷硅玻璃(BPSG)，而氮化硅則是用來制作防護薄膜的。
淀積薄膜的方法有物理淀積、真空淀積、化學(xué)氣相淀積(CVD)和濺射等，其中化學(xué)氣相淀積是最常用的方法。用化學(xué)氣相淀積方法生成薄膜，就是在基片上形成材料氣體，基片上或氣體中產(chǎn)生的粒子散布在基片的表面上。最常用的化學(xué)氣相淀積設(shè)備有常壓化學(xué)氣相淀積(APCVD)設(shè)備、低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)設(shè)備和等離子體增強化學(xué)氣相淀積(PECVD或等離子體淀積)設(shè)備。
首先，適用常壓化學(xué)氣相淀積(APCVD)設(shè)備的常壓化學(xué)氣相淀積方法最初是用于為偶極器件生成多晶硅層而發(fā)展的，它在低溫、大氣壓760乇條件下對多晶硅(SiH4)熱分解，淀積成多晶硅薄膜。常壓化學(xué)氣相淀積設(shè)備在低溫下進行化學(xué)氣相淀積，淀積速度快，但分步覆蓋不均勻，而且經(jīng)過氣態(tài)反應(yīng)，粒子的雜質(zhì)高。常壓化學(xué)氣相淀積是最常用的化學(xué)氣相淀積技術(shù)，主要用于氧化硅(SiO2)、磷硅玻璃(PSG)、硼磷硅玻璃(BPSG)、或多晶硅外延淀積。
與常壓化學(xué)氣相淀積相比，適用低壓化學(xué)氣相淀積設(shè)備的低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)方法改進了分步覆蓋，而且薄膜的厚度均勻，但是，這種方法的淀積速度慢，從而降低了大規(guī)模生產(chǎn)能力，而且要求在高溫下加工。低壓化學(xué)氣相淀積方法用來制作多晶硅、氧化硅(SiO2)、硅氧氮化物(SiOXNY)、磷硅玻璃(PSG)、或硼磷硅玻璃(BPSG)淀積。為了改進低壓化學(xué)氣相淀積設(shè)備需在高溫下工作的缺點，現(xiàn)在已經(jīng)研制成等離子體增強化學(xué)氣相淀積(PECVD)設(shè)備。等離子體增強化學(xué)氣相淀積設(shè)備采用一種能量來使材料氣體以及熱產(chǎn)生反應(yīng)加速度，從而避免了需在高溫下加工的缺點。適用等離子體增強化學(xué)氣相淀積設(shè)備的等離子體增強化學(xué)氣相淀積方法是在低溫下工作，在減壓(大約10-100帕)的反應(yīng)室內(nèi)放電以產(chǎn)生反應(yīng)加速度，從而釋放等離子體并激勵氣態(tài)分子使其進入激活狀態(tài)。最常用的等離子體化學(xué)氣相淀積方法是對一個平行板型電極采用高頻來產(chǎn)生等離子體。用這種方法產(chǎn)生等離子體的頻率范圍是在50千赫至15.56兆赫之間。由于等離子體增強化學(xué)氣相淀積是在比較低的溫度下工作，并且淀積速度快，因此是各種淀積方法中使用最為廣泛的一種。
在制作諸如氧化膜、多晶硅膜、硅化鎢膜、磷硅玻璃(PSG)膜，以及硼磷硅玻璃(BPSG)膜等時，通常采用多晶硅(SiH4)或原硅酸四乙酯(TEOS)作為材料氣體。表1給出每一種化學(xué)氣相淀積設(shè)備所采用的淀積條件，即材料氣體、溫度和壓力。表2給出依據(jù)表1所列條件淀積成形的每種薄膜的分步覆蓋和淀積速度。也就是說，為了生成一種常規(guī)的氧化膜，無論是那一種化學(xué)氣相淀積設(shè)備，都可以采用原硅酸四乙酯和O2、原硅酸四乙酯和O3、多晶硅和氧化氮、或多晶硅和O2作為材料氣體。表1中示出了每種化學(xué)氣相淀積設(shè)備所采用的溫度和壓力。即，用低壓化學(xué)氣相淀積設(shè)備時，薄膜是大約在1.0乇、430至800℃下淀積的，而用等離子體增強化學(xué)氣相淀積設(shè)備時，薄膜是在3.0乇、低于450℃下淀積的。同樣，用常壓化學(xué)氣相淀積設(shè)備時是在大氣壓下、溫度低于450℃條件下淀積的。
另外，采用二氯硅烷(SiH2Cl2)和NH3，或多晶硅和NH3來淀積氮化膜。做這種膜時，用低壓化學(xué)氣相淀積設(shè)備，溫度為700℃，壓力為0.4乇，而用等離子體增強化學(xué)氣相淀積設(shè)備時，溫度低于450℃，壓力低于3.0乇。
為了生成磷硅玻璃或硼磷硅玻璃膜(平面膜)，原硅酸四乙酯，O2或O3，以及磷化氫或四甲基原亞磷酯(TMOP)；原硅酸四乙酯，O2或O3，乙硼烷或四甲基原硼酯(TMOB)，以及磷化氫或四甲基原亞磷酯均可分別用作材料氣體。用低壓化學(xué)氣相淀積設(shè)備時，淀積條件是壓力為1.0至4.0乇，溫度為610至700℃，而用等離子體增強化學(xué)氣相淀積設(shè)備的淀積條件是溫度約低于450℃，壓力低于3.0乇，用常壓化學(xué)氣相淀積設(shè)備的淀積條件是溫度低于450℃。下面表1和表2中的氣體一欄中的括號()內(nèi)的氣體可取代括號外的氣體。即書寫成O2(O3)的情況，O3可以取代O2。
然而，應(yīng)用常規(guī)方法生成薄膜時，即使用表1中所列的方法和條件生成薄膜，薄膜淀積速度低，分步覆蓋也低，如表2中所示。
為此，本發(fā)明的目的在于提供一種生成半導(dǎo)體器件薄膜的方法，它采乙硅烷作為材料氣體而不是多晶硅或原硅酸四乙酯，從而能夠改進薄膜的淀積速度和分步覆蓋。
表1
從下文的描述可明顯看出本發(fā)明的其它優(yōu)點、目的和特征。
從下文的詳細描述和附圖將會對本發(fā)明有更充分的了解。附圖僅是為了舉例說明目的，對本發(fā)明沒有限制性。


圖1是半導(dǎo)體基片的縱剖視圖，顯示分步覆蓋情況。
表3列出根據(jù)本發(fā)明采用每一種工藝設(shè)備為一種半導(dǎo)體器件生成薄膜的條件，表4為根據(jù)表3所列條件獲得的每一種薄膜的淀積速度和分步覆蓋情表2
況。從表4中可以看到如圖1中所示的分步覆蓋情況。即，在半導(dǎo)體基片1上形成了一個絕緣薄膜2，將絕緣薄膜2腐蝕掉預(yù)定的面積形成一個腔體3。這時，薄膜4固定在腔體3一側(cè)壁上的那部份的厚度稱作A，而薄膜4在絕緣薄膜2的上表面的那部份的厚度稱作B，則分步覆蓋的公式為A/B×100=分步覆蓋(％)。亦即，當A和B具有相同厚度時，分步覆蓋為100％，而較高的分步覆蓋更適合于高集成度的半導(dǎo)體器件。
下面將描述根據(jù)本發(fā)明采用每一種工藝設(shè)備生成薄膜的條件。
首先，描述使用低壓化學(xué)氣相淀積設(shè)備生成薄膜的這種方法的條件。
即，根據(jù)下述條件生成氧化膜(SiO2)。
表3
反應(yīng)室內(nèi)的溫度范圍為500至850℃，壓力范圍為0.1至9乇。乙硅烷(Si2H6)，即主材料氣體，以10至400sccm的速度流進反應(yīng)室，而氧化氮則是以100至10000sccm流入反應(yīng)室(這里，sccm系指標準cm3/min)。此時，比較理想的溫度和壓力范圍分別是650至800℃和0.3至5乇。在上述條件下淀積成的氧化膜，其淀積速度為15至500埃/分，分步覆蓋為95％。
表4
用另一種方法生成氧化膜時，反應(yīng)室內(nèi)的溫度和壓力范圍分別為300至700℃和0.1至9乇。乙硅烷(Si2H6)以10至500sccm流入反應(yīng)室，而O2則以20至1000sccm流入反應(yīng)室。這時，比較理想的溫度和壓力范圍分別為300至550℃和0.1至5乇。在上述條件下淀積成的氧化膜，其淀積速度為15至1000埃/分，分步覆蓋為90％。
使用多晶硅和N2O，或多晶硅和O2作為材料氣體的常規(guī)方法，其淀積速度分別為低于10埃/分和約為100埃/分，本發(fā)明使用乙硅烷和N2O，或乙硅烷和O2作為材料氣體的低壓化學(xué)氣相淀積，表明其淀積速度比上述常規(guī)方法的有很大的提高。此外，用本發(fā)明的方法生成氧化膜的分步覆蓋超過90％，而使用多晶硅和O2的常規(guī)方法的分步覆蓋約為60％。另外，盡管本發(fā)明采用的化學(xué)氣相淀積是在低溫下生成薄膜，但其分步覆蓋仍然能得到改進。
根據(jù)下述條件生成氮化膜(Si3N4)。
反應(yīng)室內(nèi)的溫度范圍為350至800℃，壓力范圍為0.1至9乇。乙硅烷(Si2H6)以5至500sccm的速度流入反應(yīng)室，NH3以15至1000sccm的速度流入反應(yīng)室。此時，比較理想的溫度和壓力范圍分別是400至800℃和0.3至5乇。當?shù)ぴ谏鲜鰲l件下淀積成形時，其淀積速度范圍為5至500埃/分，分步覆蓋超過95％。采用二氯硅烷(SiH2Cl2)和NH3淀積氮化膜的常規(guī)方法，反應(yīng)室內(nèi)的溫度為700℃，壓力為0.4乇。這種方法的淀積速度為30埃/分。使用本發(fā)明的方法生成氮化膜，反應(yīng)室內(nèi)的溫度可從700℃降至350℃，而薄膜的淀積速度反而還能得到很大的提高，盡管是在低溫下淀積，本發(fā)明的分步覆蓋也不會有很大的下降。
在下述條件下生成氧氮化膜(SiOXNY)。
反應(yīng)室內(nèi)的溫度范圍為350至800℃，壓力范圍為0.1至9乇。采用乙硅烷和NH3，或采用乙硅烷和N2進行淀積。此時，比較理想的溫度和壓力范圍分別是400至800℃和0.3至5乇。
在下述條件下淀積硼磷硅玻璃膜，即平面膜。
反應(yīng)室內(nèi)的溫度范圍為350至800℃，壓力范圍為0.1至9乇。乙硅烷以50至800sccm的速度流入反應(yīng)室，四甲基原亞磷酯(TMOP)或磷化氫(PH3)以150至2400sccm的速度流入反應(yīng)室，四甲基原硼酯(TMOB)或乙硼烷(B2H6)以15至200sccm的速度流入反應(yīng)室，而O2以15至400sccm的速度流入反應(yīng)室，從而生成硼磷硅玻璃膜。用本發(fā)明的方法依據(jù)上述條件獲取硼磷硅玻璃膜的淀積速度為50至9000埃/分，這與用原硅酸四乙酯和O2或O3、磷化氫(PH3)或四甲基原亞磷酯、以及乙硼烷或四甲基原硼酯以常規(guī)方法獲得硼磷硅玻璃膜的淀積速度200埃/分相比，有很大改進。另外，用本發(fā)明方法淀積硼磷硅玻璃膜的分步覆蓋為90％，而用常規(guī)方法淀積的分步覆蓋為80％。雖然硼磷硅玻璃膜是在低溫下淀積的，但是薄膜的質(zhì)量和增長率都得到了改進。
磷硅玻璃膜是在反應(yīng)室內(nèi)的溫度和壓力分別為200至700℃和0.1至9乇的條件下淀積的。乙硅烷、以及四甲基原亞磷酯(磷化氫)和O2分別以50至800sccm和以15至500sccm的速度流入反應(yīng)室的。這時，根據(jù)本發(fā)明的方法淀積磷硅玻璃膜比較理想的壓力范圍是0.3至5乇。在上述條件下，磷硅玻璃膜的淀積速度為50至6000埃/分，而分步覆蓋超過90％。
廣泛用于金氧半導(dǎo)體存儲器的選通電極的硅化鎢(WXSiY)膜，采用乙硅烷和氟化鎢時，其淀積溫度和壓力范圍分別為200至650℃和0.1至9乇。這樣生成的硅化鎢膜，其電阻比用多晶硅和氟化鎢的常規(guī)方法淀積的硅化鎢膜的電阻低，而分步覆蓋則比后者高。另外，采用本發(fā)明的方法獲得的硅化鎢膜的晶粒大。
第二，敘述使用等離子體增強化學(xué)氣相淀積設(shè)備生成薄膜的條件。
氧化膜(SiO2)是在下述條件下生成的。反應(yīng)室內(nèi)的溫度和壓力范圍分別為150至750℃和0.1至9乇，乙硅烷和N2O分別以50至500sccm和100至5000sccm的速度流入反應(yīng)室。此時，比較理想的壓力范圍是0.2至5.3乇。氧化膜的淀積速度為50至9000埃/分，分步覆蓋為90％，均比用常規(guī)方法淀積的氧化膜的提高了許多，用常規(guī)方法淀積的氧化膜的淀積速度為3000至8000埃/分，分步覆蓋低于60％。
其次，氮化膜(Si3N4)的淀積壓力范圍為0.1至9乇，溫度范圍為150至750℃。乙硅烷以10至500sccm的速度流入反應(yīng)室，氨(NH3)以15至2000sccm的速度流入反應(yīng)室。此時，比較理想的壓力范圍為0.1至5.5乇。根據(jù)本發(fā)明的方法，氧化膜的淀積速度為50至9000埃/分，分步覆蓋超過95％，兩者均比常規(guī)方法用多晶硅和NH3生成氮化膜的高。
氧氮化膜(SiOXNY)的淀積壓力為0.1至9乇。反應(yīng)室內(nèi)的溫度范圍為150至750℃，乙硅烷和氨(NH3)均流入反應(yīng)室。
硼磷硅玻璃膜在下述條件下淀積。
反應(yīng)室內(nèi)的溫度范圍和壓力范圍分別為250至800℃和0.1至9乇。乙硅烷以70至1000sccm的速度流入反應(yīng)室，四甲基原亞磷酯(TMOP)或磷化氫(PH3)以150至3000sccm、四甲基原硼酯(TMOB)或乙硼烷(B2H6)以15至300sccm、O2以15至500sccm的速度流入反應(yīng)室，從而形成硼磷硅玻璃膜。根據(jù)本發(fā)明的方法用上述條件獲得的硼磷硅玻璃膜的淀積速度為50至9000埃/分，比用原硅酸四乙酯，O2或O3，磷化氫或四甲基原亞磷酯，以及乙硼烷或四甲基原硼酯以常規(guī)方法獲得的硼磷硅玻璃膜的淀積速度提高了許多，常規(guī)方法的淀積速度為3000至5000埃/分。根據(jù)本發(fā)明的方法，硼磷硅玻璃膜的分步覆蓋超過90％，而用常規(guī)方法獲得的硼磷硅玻璃膜的分步覆蓋約為75％。
磷硅玻璃膜的淀積壓力范圍為0.1至9乇。反應(yīng)室內(nèi)的溫度范圍為150至700℃，四甲基原亞磷酯或磷化氫，以及O2分別以50至1000sccm和15至500sccm的速度流入反應(yīng)室。此時，根據(jù)本發(fā)明的方法，磷硅玻璃膜的淀積速度為50至9000埃/分，分步覆蓋超過90％。
最后，描述使用常壓化學(xué)氣相淀積設(shè)備生成薄膜的條件。
氧化膜(SiO2)是在大氣壓力，200至650℃條件下淀積成形的，乙硅烷和O2流入反應(yīng)室。這時，使用本發(fā)明的方法生成氧化膜的淀積速度范圍為500至5000埃/分，分步覆蓋超過80％，比使用常規(guī)方法生成氧化膜的60％分步覆蓋提高了許多。
硼磷硅玻璃膜在大氣壓力，200至650℃條件下淀積，乙硅烷、四甲基原亞磷酯或磷化氫、四甲基原硼酯或乙硼烷、以及O2，分別流入反應(yīng)室。這時，按照本發(fā)明的方法，硼磷硅玻璃膜的淀積速度范圍為500至5000埃/分之間，分步覆蓋超過90％，均比使用常規(guī)方法生成硼磷硅玻璃膜的高。
磷硅玻璃膜在大氣壓力，200至650℃條件下淀積，乙硅烷、四甲基原亞磷酯或磷化氫、以及O2流入反應(yīng)室。這時，按照本發(fā)明的方法磷硅玻璃膜的分步覆蓋超過90％，比使用常規(guī)方法的提高許多。
從表3和表4中所列數(shù)據(jù)可以看出，按照本發(fā)明的方法用乙硅烷進行化學(xué)氣相淀積成膜，薄膜的淀積速度和分步覆蓋都得到了改進，這是因為乙硅烷的化合結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性低于硅烷(SiH4)的，在低溫下易于散布，從而具有快速氣體散布率，因此薄膜淀積速度快。
如上所述，按照本發(fā)明的方法，采用乙硅烷進行化學(xué)氣相淀積來生成半導(dǎo)體器件用的薄膜，可以改進薄膜的淀積速度和分步覆蓋，從而提高半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)率和可靠性。
雖然這里介紹的本發(fā)明的實施例目的在于說明本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不超出本發(fā)明權(quán)利要求中所列范圍和精神的情況下，可以作各種改進、補充和更換。
權(quán)利要求
1，一種加工方法，即將半導(dǎo)體基片放進一個化學(xué)氣相淀積設(shè)備的反應(yīng)室內(nèi)，反應(yīng)室保持在預(yù)定的壓力和溫度，從而在半導(dǎo)體基片上生成薄膜，一種采用乙硅烷作為主要材料氣體的為半導(dǎo)體器件成膜的方法。
2，根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，薄膜是指氧化膜、氮化膜、氧氮化膜、硼磷硅玻璃(BPSG)膜、磷硅玻璃(PSG)膜以及硅化鎢膜中的一種。
3，根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，一種生成氧化膜的方法是采用乙硅烷和氧化氮(N2O)，適用化學(xué)氣相淀積(CVD)設(shè)備。
4，根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述的化學(xué)氣相淀積設(shè)備是低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)設(shè)備，反應(yīng)室內(nèi)的溫度范圍為500至800℃，壓力范圍為0.1至9乇。
5，根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述的化學(xué)氣相淀積設(shè)備是等離子體增強氣相淀積(PCVD)設(shè)備，反應(yīng)室內(nèi)的溫度范圍為150至750℃，壓力范圍為0.1至9乇。
6，根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，生成氧化膜的方法是采用乙硅烷和氧(O2)，適用化學(xué)氣相淀積(CVD)設(shè)備。
7，根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述的化學(xué)氣相淀積設(shè)備是低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)設(shè)備，反應(yīng)室內(nèi)的溫度范圍為300至700℃，壓力范圍為0.1至9乇。
8，根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述的化學(xué)氣相淀積設(shè)備是常壓化學(xué)氣相淀積(APCVD)設(shè)備，反應(yīng)室內(nèi)的溫度范圍為200至650℃，壓力為大氣壓。
9，根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，生成氮化膜的方法采用乙硅烷和氨(NH3)，適用化學(xué)氣相淀積(CVD)設(shè)備。
10，根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述的化學(xué)氣相淀積設(shè)備是低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)設(shè)備，反應(yīng)室內(nèi)的溫度范圍為350至800℃，壓力范圍為0.1至9乇。
11，根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述的化學(xué)氣相淀積設(shè)備是等離子體化學(xué)氣相淀積(PCVD)設(shè)備，反應(yīng)室內(nèi)的溫度范圍為150至750℃，壓力范圍為0.1至9乇。
12，根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，生成氧氮化膜的方法采用乙硅烷、氨(NH3)以及氧化氮(N2O)，適用化學(xué)氣相淀積(CVD)設(shè)備。
13，根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述的化學(xué)氣相淀積設(shè)備是低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)設(shè)備。反應(yīng)室內(nèi)的溫度范圍為350至800℃，壓力范圍為0.1至9乇。
14，根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述的化學(xué)氣相淀積設(shè)備是等離子體化學(xué)氣相淀積(PCVD)設(shè)備，反應(yīng)室內(nèi)的溫度范圍為150至750℃，壓力范圍為0.1至9乇。
15，根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，生成硼磷硅玻璃膜的方法采用乙硅烷、磷化氫(PH3)、氧(O2)、以及四甲基原硼酯，或采用乙硅烷、四甲基原亞磷酯、O2、以及四甲基原硼酯，適用化學(xué)氣相淀積(CVD)設(shè)備。
16，根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述的化學(xué)氣相淀積設(shè)備是低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)設(shè)備，反應(yīng)室內(nèi)的溫度范圍為250至800℃，壓力范圍為0.1至9乇。
17，根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述的化學(xué)氣相淀積設(shè)備是等離子體化學(xué)氣相淀積(PCVD)設(shè)備，反應(yīng)室內(nèi)的溫度范圍為150至750℃，壓力范圍為0.1至9乇。
18，根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述的化學(xué)氣相淀積設(shè)備是常壓化學(xué)氣相淀積(APCVD)設(shè)備，反應(yīng)室內(nèi)的溫度范圍為200至650℃，壓力為大氣壓。
19，根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，生成磷硅玻璃膜的方法是采用乙硅烷、氧(O2)、以及磷化氫(PH3)，或采用乙硅烷、氧(O2)、以及四甲基原亞磷酯，適用化學(xué)氣相淀積(CVD)設(shè)備。
20，根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述的化學(xué)氣相淀積設(shè)備是低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)設(shè)備，反應(yīng)室內(nèi)的溫度范圍為200至700℃，壓力范圍為0.1至9乇。
21，根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，化學(xué)氣相淀積設(shè)備是等離子體化學(xué)氣相淀積(PCVD)設(shè)備，反應(yīng)室內(nèi)的溫度范圍為150至750℃，壓力范圍為0.1至9乇。
22，根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述的化學(xué)氣相淀積設(shè)備是常壓化學(xué)氣相淀積(APCVD)設(shè)備，反應(yīng)室內(nèi)的溫度范圍為200至650℃，壓力為大氣壓。
23，根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，生成硅化鎢膜的方法采用乙硅烷和氟化鎢(WF6)，適用化學(xué)氣相淀積(CVD)設(shè)備。
24，根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中，所述的化學(xué)氣相淀積設(shè)備是低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)設(shè)備，反應(yīng)室內(nèi)的溫度范圍為200至650℃，壓力范圍為0.1至9乇。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種為半導(dǎo)體器件成膜的方法,采用乙硅烷(Si
文檔編號H01L21/314GK1226079SQ9810052
公開日1999年8月18日 申請日期1998年2月12日 優(yōu)先權(quán)日1998年2月12日
發(fā)明者黃喆周 申請人:黃喆周