專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法，以便改進(jìn)發(fā)光效率，使之不僅可適用于高亮度光源，如戶(hù)外顯示，汽車(chē)尾燈、方向指示器等；而且還可適用于低功耗光源，如背光光源、儀表照明光源以及電池供電的便攜式電器等。
背景技術(shù)：
常規(guī)發(fā)射可見(jiàn)光的半導(dǎo)體發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)已公開(kāi)在如日本臨時(shí)專(zhuān)利公開(kāi)號(hào)NO.平4-212476，其中采用一個(gè)如圖所示的鋁鎵銦磷基的半導(dǎo)體材料作為其發(fā)光層。即在圖4中，在一n型砷化鎵半導(dǎo)體基片11上外延生長(zhǎng)出一層n型鋁鎵銦磷基半導(dǎo)體材料的n型包復(fù)層12，一層無(wú)摻雜鋁鎵銦磷基半導(dǎo)體材料的激活層13，一層P型鋁鎵銦磷基半導(dǎo)體材料的P型包復(fù)層14，以及一層鋁鎵砷基半導(dǎo)體材料的窗層(電流擴(kuò)散層)。再通過(guò)砷化鎵接觸層16制作一上電極(P側(cè)電極)17和在半導(dǎo)體基片的背部制作一下電極(N側(cè)電極)18、并分別形成金鈹鎳合金和金鍺鎳合金，或相類(lèi)似的合金。
這種發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)是一種雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)，它將激活層13夾在兩個(gè)包復(fù)層12，14之間，以將載流子限在其中。而二層鋁鎵銦磷基材料的包復(fù)層12，14和一層激活層13所構(gòu)成的發(fā)光層成型部19是用它們的結(jié)晶混合比來(lái)加以選定的，以便提高其發(fā)光效率。
同時(shí)，包復(fù)層12，14的載流子濃度是(5×1017到2×1018)/立方厘米，就如日本臨時(shí)專(zhuān)利公開(kāi)NO平4-212479所述。這是因?yàn)榭紤]到如果載流子濃度太低則限制載流子的作用就要下降。
常規(guī)的如圖4所示的半導(dǎo)體發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)使發(fā)光器件的效率很低，亮度也不能達(dá)到給定的數(shù)值，用什么方法才能改進(jìn)呢？為此，本發(fā)明即對(duì)半導(dǎo)體發(fā)光器件的發(fā)光效率的改進(jìn)作用了大量反復(fù)的研究，其結(jié)果發(fā)現(xiàn)，發(fā)光效率低和難于提高亮度的關(guān)鍵問(wèn)題是P型包復(fù)層中的鋅和鎂等的P型雜質(zhì)向激活層中擴(kuò)散從而導(dǎo)致激活層和P型包復(fù)層之間交界面上的結(jié)晶性能受到破壞，或者當(dāng)外延生長(zhǎng)P型包復(fù)層或窗層時(shí)導(dǎo)致激活層中結(jié)晶性能受到破壞。
本發(fā)明就是為了解決這個(gè)問(wèn)題以改進(jìn)半導(dǎo)體發(fā)光器件的發(fā)光效率，所以本發(fā)明的一個(gè)目的就是提供一種半導(dǎo)體發(fā)光器件能抑制P型雜質(zhì)使之以最小程度擴(kuò)散到激活層中以提高其發(fā)光效率。
本發(fā)明的另一目的就是提供一種具有如上高亮度的半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法。
本發(fā)明的公開(kāi)本發(fā)明人進(jìn)行了如上所述的大量反復(fù)的研究在如上所述的外延生長(zhǎng)半導(dǎo)體層時(shí)防止P型雜質(zhì)擴(kuò)散到激活層中去，其結(jié)果表明，可以依賴(lài)控制注入到P型包復(fù)層中P型雜質(zhì)的量使其中載流子在P型包復(fù)層中的濃度最終達(dá)到1×1016到5×1016/立方厘米來(lái)抑制由擴(kuò)散而引起的結(jié)晶破壞，從而提供一高亮度的半導(dǎo)體發(fā)光器件。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件包括一具有第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體基片；一成型包復(fù)在半導(dǎo)體基片上且在n型包復(fù)層和P-型包復(fù)層間夾有一激活層的發(fā)光層成型部；一在發(fā)光層成型部上的具有第二導(dǎo)電型的窗層；分別與窗層和半導(dǎo)體基片成電連接的電極；以及其中P型包復(fù)層中的載流子濃度是1×1016到5×1016/立方厘米。在此種結(jié)構(gòu)中，P型雜質(zhì)的絕對(duì)量較少，以致即使在此后當(dāng)生長(zhǎng)半導(dǎo)體層的過(guò)程中P型雜質(zhì)擴(kuò)散到激活層一側(cè)中去，擴(kuò)散量也是很小的，并且不致引起結(jié)晶的破壞和降低光發(fā)射的特性。
如果在P型包復(fù)層的與激活層相反的另一面上再制作一層P型第二包復(fù)層的話(huà)，而該層由與P型包復(fù)層相同的材料作為半導(dǎo)體層的基礎(chǔ)，并且其載流子濃度達(dá)到5×1017到2×1018/立方厘米的話(huà)，那么即有可能阻止在具有較低載流子濃度的P-型包復(fù)層和與P-型包復(fù)層相鄰的具有較高載流子濃度的半導(dǎo)體層之間所易于發(fā)生的異質(zhì)壁壘效應(yīng)而出現(xiàn)的電壓降。此處所說(shuō)的相同材料作為半導(dǎo)體的基礎(chǔ)是指具有相同的幾個(gè)元素所組成的化合物半導(dǎo)體但其中所含的元素的組分比例則有所不同。
如果發(fā)光層成型部是由鋁鎵銦磷基的化合物半導(dǎo)體的疊加層所形成，并且再在鋁鎵銦磷基化合物半導(dǎo)體的P型第二包復(fù)層上疊加上-P型鋁鎵砷基化合物半導(dǎo)體的窗層，則所構(gòu)成的半導(dǎo)體發(fā)光器件可適用于發(fā)射高亮度度的紅光，而且如果窗層的載流子濃度為1×1018到3×1019/立方厘米，可防止因異質(zhì)壁壘效應(yīng)所產(chǎn)生的電壓降，所以電流就可以充分?jǐn)U散；由此而使半導(dǎo)體發(fā)光器件獲得很高的亮度。
此處的鋁鎵銦磷基化合物半導(dǎo)體即是指一種化學(xué)式為(AlxGa1-x)0.51In0.49P的物質(zhì)，其中x是一個(gè)0到1的變量。同時(shí)，鋁鎵砷基物質(zhì)即是指一種化學(xué)式為AlYGa1-yAs的物質(zhì)，其中y是一個(gè)0.6到0.8的變量。
根據(jù)本發(fā)明的一種制造半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法包括的步驟為(a)在半導(dǎo)體基片上，依次疊加制作一層光發(fā)射層成型部，它具有一n型包復(fù)層；一無(wú)摻雜的激活層和一P型包復(fù)層而其P型包復(fù)層的載流子最終濃度為1×1016到5×1016/立方厘米；(b)在光發(fā)射層成型部上生長(zhǎng)出一P型窗層；和(c)分別制成與窗層和半導(dǎo)體基片電連接的電極。
如果半導(dǎo)體層是由金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積法(MOCVD)制得，則即可采用控制導(dǎo)入摻雜氣的氣流量的方法來(lái)控制載流子的濃度，這樣控制濃度是很容易的。
如果光發(fā)射層成型部是由疊加鋁鎵銦磷基化合物半導(dǎo)體來(lái)實(shí)現(xiàn)，且窗層是由疊加鋁鎵砷基化合物半導(dǎo)體來(lái)制作時(shí)，則所得的半導(dǎo)體發(fā)光器件就適用于發(fā)射高亮度的紅光。
如果一步驟中再包括制作-P型第二包復(fù)層，該層是用與光發(fā)射層成型部相同的基礎(chǔ)材料作為半導(dǎo)體層，且位于光發(fā)射層成型部和窗層之間，而且摻雜到其中載流子濃度達(dá)到5×1017到2×1018/立方厘米，則可阻止由于異質(zhì)壁壘效應(yīng)而產(chǎn)生的電壓降。
圖面說(shuō)明

圖1是表示一種根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件的剖面結(jié)構(gòu)視圖。
圖2是一表示發(fā)光強(qiáng)度隨著P型包復(fù)層的載流子濃度的變化而改變的曲線(xiàn)圖。
圖3是一種進(jìn)一步改進(jìn)的本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件的剖面視圖。
圖4是常規(guī)的半導(dǎo)體發(fā)光器件的剖面結(jié)構(gòu)視圖。
本發(fā)明的最佳實(shí)施方案現(xiàn)對(duì)本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法參照附圖予以詳細(xì)說(shuō)明。
本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件具有如圖1所示的實(shí)例的剖面結(jié)構(gòu)。其中有一第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體基片1、例如為n型砷化鎵基片；一復(fù)蓋在半導(dǎo)體基片1上的光發(fā)射成型部10、該成型部10具有一夾在一層n型包復(fù)層3和一層P型包復(fù)層5之間的激活層4；一設(shè)置在光發(fā)射層成型部10上具有第二導(dǎo)電型的窗層6、例如為P型鋁鎵砷基化合物半導(dǎo)體；分別設(shè)置在窗層6和半導(dǎo)體基片1上用于電連接的P側(cè)電極8和n側(cè)電極9，其中的P型包復(fù)層的載流子濃度是1×1016到5×1016/立方厘米。
如上所述，本發(fā)明人已對(duì)改進(jìn)常規(guī)半導(dǎo)體發(fā)光器件的效率作了深入研究，其結(jié)果表明常規(guī)半導(dǎo)體發(fā)光器件的光發(fā)射效率之所以得不到改善的原因是在于在P型包復(fù)層中的高雜質(zhì)濃度，它使P型雜質(zhì)向激活層擴(kuò)散而導(dǎo)致在外延生長(zhǎng)包復(fù)層或窗層時(shí)使激活層的結(jié)晶受到損傷。在這種情況下，本發(fā)明人深入研究了減少P型雜質(zhì)從P型包復(fù)層向激活層擴(kuò)散的條件。其結(jié)果表明，如圖2所示，只要當(dāng)注入P型雜質(zhì)來(lái)制作P型包復(fù)層時(shí)，使P型包復(fù)層中的載流子濃度最終達(dá)到1×1016到5×1016/立方厘米，那末即可獲得較高的光發(fā)射效率。為了尋找P型包復(fù)層中載流子濃度的最佳范圍，采用了如圖1所示的半導(dǎo)體發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)。
在n型砷化鎵基片1上用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積法(MOCVD)順序生長(zhǎng)出；一層約0.1微米厚的砷化鎵作為緩沖層2并注入載流子濃度約為1×1018/立方厘米的硒；一層厚度約為0.5微米的(Al0.7Ga0.3)0.51In0.49P作為n型包復(fù)層3并注入載流子濃度約為1×101/立方厘米的硒；一層厚度約為5微米的未經(jīng)摻雜的(Al0.25Ga0.75)0.51In0.49P作為激活層4；一層厚度約為0.5微米的(Al0.7Ga0.3)0.51I0.49P作為P型包復(fù)層5，而其載流子濃度隨鋅的注入量的變化而改變；一層厚度約為5微米的Al0.7Ga0.3As作為窗層6，并注入其載流子濃度約為1×1018/立方厘米的鋅；以及一層砷化鎵的接觸層7，注入在其中的鋅的濃度約為2×1019/立方厘米。
再分別在基片的頂面和底面上外延生長(zhǎng)出一Au-Be-Ni合金的上電極8(P側(cè)電極)和一Au-Ge-Ni合金的下電極9(N側(cè)電極)。將基片切割成小方塊以便制成獨(dú)立器件。附帶說(shuō)明，接觸層7是為了在P側(cè)電極8和窗層6之間建立起一個(gè)歐姆接觸層而已。正因?yàn)楣獍l(fā)射表面是處在半導(dǎo)體復(fù)蓋層頂表面一側(cè)，所以P側(cè)電極8和接觸層7必將遮蔽或吸收光發(fā)射層成型部10發(fā)出的光，所以必須做得盡量的小，只要滿(mǎn)足電流供給即可。此外，因?yàn)闃?gòu)成光發(fā)射層成型部10的激活層4和兩層包復(fù)層3、5采用的材料有所不同，即其中的鋁結(jié)晶體的混合比不同，所以形成了雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)，從而加強(qiáng)了激活層中限制載流子的作用。
采用這種半導(dǎo)體發(fā)光器件結(jié)構(gòu)型式，只要不論何時(shí)在上述的生長(zhǎng)條件下，在P型包復(fù)層中注入雜質(zhì)的濃度與別的半導(dǎo)體層不同并作各種變化，就能使得P型包復(fù)層5中的載流子濃度也作各種變化，從而可以制得多種不同的半導(dǎo)體器件。由此而制得的器件經(jīng)測(cè)試后所得的光發(fā)射強(qiáng)度見(jiàn)圖2所示。載流子濃度是在一個(gè)單層上用C-V測(cè)量方法獲得的。(該方法可按載流子濃度與層電容損失量的相關(guān)性來(lái)測(cè)出載流子濃度)。其中載流子的濃度是與每時(shí)每刻的雜質(zhì)供給劑量(即氣流率)有關(guān)。
圖2中，橫軸表示P型包復(fù)層5中的載流子濃度NA(cm)，縱軸表示用上述結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管(LED)中按任意單位(a.u)的光發(fā)射強(qiáng)度。從圖2中可以得知，當(dāng)P型包復(fù)層中載流子濃度達(dá)到如常規(guī)方案那樣高于約1×1017到1×1018/立方厘米時(shí)光發(fā)射強(qiáng)度即很快下降。最高光發(fā)射強(qiáng)度是當(dāng)注入的P型雜質(zhì)濃度為1×1016到5×1016/立方厘米時(shí)為最高，而與常規(guī)的P型包復(fù)層中載流子濃度約為1×1017到1×1018相比其光發(fā)射強(qiáng)度提高到大約1.5倍。如果載流子濃度太低，則P型包復(fù)層中的電阻就高了，以致載流子難于得到控制，反而增加了質(zhì)量的不穩(wěn)定性。
為了制造這種半導(dǎo)體發(fā)光器件，將一塊n型砷化鎵基片1，例如，放入一MOCVD裝置中，導(dǎo)入的反應(yīng)氣體是三乙基鎵(此后略作TEG)或三甲基鎵(此后略作TMG)，砷化氫(此后作AsH3)。以及用作硒摻雜氣體的H2Se并與載體氣體H2一起導(dǎo)入。于n型砷化鎵緩沖層2，在溫度為600到750℃條件下外延生長(zhǎng)到厚度約為0.1微米，并用硒注入生長(zhǎng)使其濃度達(dá)到約1×1018/立方厘米。。然后，再導(dǎo)入磷化氫(此后作PH3)以置換AsH3，且加入三甲基銦(此后略作TMIn)用以外延生長(zhǎng)出以n型(Al0.7Ga0.3)0.51Ino0.49P為材料的n型包復(fù)層3，其載流子濃度約為5×1016到1×1018/立方厘米，而厚度達(dá)0.5微米。降低反應(yīng)氣體TMA而增加反應(yīng)氣體TEG或TMG以使制作不加注入的(Al0.25Ga0.75)0.51In0.49P作為激活層4，其厚度約達(dá)0.5微米。運(yùn)用制作n型包復(fù)層3相類(lèi)似的反應(yīng)氣體并導(dǎo)入二甲基鋅(此后略作DMZn)代替H2Se作為鋅的劑量氣體再外延生長(zhǎng)出一層以(AL0.7G0.3)0.51In0.49P為材料的P型包復(fù)層5，其載流子濃度約1×1016到5×1016/立方厘米，厚度為約0.5微米。
進(jìn)一步，導(dǎo)入DMZn作為劑量氣體并采用TMA，TEG或TMG和AsH3作為反應(yīng)氣體，外延生長(zhǎng)出一層以Al0.7Ga0.3As為材料的窗層6，其載流子濃度約為1×1018/立方厘米，而厚度約為5微米。再導(dǎo)入TEG或TMG，AsH3和DMZn，制作GaAs的接觸層7，其載流子濃度約為2×1019/立方厘米，而厚度約為0.05到0.2微米。此外，為了獲得所期望的載流子濃度值，要注意載流子的濃度將隨劑量氣體的氣流率的增加而增加，而載流子的濃度又將隨氣體的氣流率的減少而減少。
已作如上外延生長(zhǎng)的基片再在頂面和低面分別用真空蒸發(fā)等方法制作以Au(金)，Be(鈹)，Ni(鎳)等為材料的金屬膜，并經(jīng)退火而使其上制成一Au-Be-Ni合金的上電極(P側(cè)電極)8和一Au-Ge-Ni合金的下電極(n側(cè)電極9)，之后再切成小片以成獨(dú)立芯片。對(duì)于如上所述采用了鋁鎵銦磷基化合物半導(dǎo)體材料(AlxGa1-x)0.51In0.49P作為發(fā)光層成型部而言，如果該成型部中的激活層所用材料的X值約為0到0.4范圍內(nèi)，而包復(fù)層所用材料的X值約為0.6到1范圍內(nèi)，則所得的半導(dǎo)體發(fā)光器件的光發(fā)射特性有可能達(dá)到優(yōu)越的效果。
在上述實(shí)施例中，構(gòu)成半導(dǎo)體發(fā)光器件中的各個(gè)半導(dǎo)體層都用具體的半導(dǎo)體材料的特定的厚度及載流子濃度以實(shí)例方式加以說(shuō)明了。但是正如前面已經(jīng)敘述，因?yàn)榇嬖谝粋€(gè)最佳發(fā)光效率的最佳區(qū)域的傾向，這取決于P型包復(fù)層中的載流子的濃度。所以，在如圖1所示的由一層n型包復(fù)層3和一層P型包復(fù)層5夾持一層激活層4構(gòu)成一光發(fā)射成型層10這種結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體發(fā)光器件中，即使其中的材料仍然是在通常的半導(dǎo)體發(fā)光器件的范圍內(nèi)作變化，只要不是其中的P型層而是其他半導(dǎo)體層的載流子濃度和半導(dǎo)體層的厚度亦有多種變化的話(huà)，仍然可能獲得相類(lèi)似半導(dǎo)體發(fā)光器件。
圖3是本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光器件的進(jìn)一步改進(jìn)結(jié)構(gòu)的剖面圖，在圖3中與圖1相同的部分采用了相同的字母和標(biāo)號(hào)，此處省略其說(shuō)明。圖3實(shí)施例的特征在于在P型包復(fù)層5和窗層6之間再制作一厚度為0.5微米的P型第二包復(fù)層5a，它是用與P型包復(fù)層5相同的基材(即其元素的構(gòu)成相同，但其元素的結(jié)晶混合比不同)，外延生長(zhǎng)而得，而其注入雜質(zhì)，例如鋅的載流子濃度則高達(dá)約5×1017/立方厘米。正是因?yàn)樵摪雽?dǎo)體層與P型包復(fù)層5的基材相同而其載流子濃度卻如此之高，所以就可能防止由于異質(zhì)壁壘效應(yīng)而產(chǎn)生的電壓降，也就是說(shuō)，如果在一AlGaAs為材料，載流子高達(dá)約1×1018到3×1019/立方厘米的窗層6和一AlGaInP基化合物半導(dǎo)體為材料，載流子濃度為低到約3×1016/立方厘米的P型包復(fù)層5之間有一直接接觸，則才會(huì)因異質(zhì)壁壘效應(yīng)而產(chǎn)生電壓降。然而，加上一層與P型包復(fù)層5相同基材但其有較高載流子濃度的半導(dǎo)體層之后，就不會(huì)因異質(zhì)壁壘效應(yīng)發(fā)生電壓降。并進(jìn)一步阻止了P型雜質(zhì)向激活層4中的擴(kuò)散，從而提供出一種高性能的半導(dǎo)體發(fā)光器件，這種半導(dǎo)體夾層，即第二包復(fù)層5a，只要其載流子濃度約在5×1017到2×1018/立方厘米，其厚度約在0.1微米或更厚一些，即能阻止因異質(zhì)壁壘效應(yīng)而產(chǎn)生的電壓降。
工業(yè)應(yīng)用本發(fā)明的半導(dǎo)體光發(fā)射器件有很高的光發(fā)射效率和亮度而其激活層的結(jié)晶性能并未下降。而且，在晶體生長(zhǎng)的條件下，P型雜質(zhì)的擴(kuò)散也未改變，由此而提供的半導(dǎo)體發(fā)光器件的亮度是穩(wěn)定的?？梢圆捎米鳛樾枰吡炼裙庠刺幍墓獍l(fā)射元件，例如，戶(hù)外顯示，汽車(chē)尾燈，方向指示器等，也可用于需要低功耗處的光源，如背光光源，指示儀表盤(pán)的光源，以及用在電池供電的便攜式電器中。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于包括一第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體芯片；一光發(fā)射層成型部是由一激活層被夾在一層n型包復(fù)層和一層P型包復(fù)層之間而復(fù)蓋在所說(shuō)的半導(dǎo)體基片上制成；一第二導(dǎo)電型的窗層，設(shè)置在所說(shuō)的光發(fā)射層成型部上；分別設(shè)置與所述窗層和所述半導(dǎo)體基片進(jìn)行電連接的電極；及其中所說(shuō)的P型包復(fù)層是制成載流子濃度為1×1016到5×1016/立方厘米。
2.一種如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于還包括P型第二包復(fù)層設(shè)置在所說(shuō)P型包復(fù)層的與所說(shuō)激活層相反的另一面上，采用與所說(shuō)P型包復(fù)層的基材相同的材料作為半導(dǎo)體層而制成，并具有載流子濃度為5×1017到2×1018/立方厘米。
3.一種如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于其中所說(shuō)光發(fā)射層成型部是由鋁鎵銦磷基化合物半導(dǎo)體作為疊層材料而制成，和用P型鋁鎵砷基化合物半導(dǎo)體的所說(shuō)的窗層是通過(guò)用鋁鎵銦磷基化合物半導(dǎo)體的所說(shuō)的P型第二包復(fù)層設(shè)置在所說(shuō)的P型包復(fù)層上。
4.一種如權(quán)利要求3所說(shuō)的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于其中所說(shuō)的窗層的載流子濃度為1×1018到3×1019/立方厘米。
5.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法，其特征在于包括的步驟為(a)在半導(dǎo)體基片上依次疊加制作出一光發(fā)射層成型部，該成型部具有一n型包復(fù)層，-不加摻雜的激活層和-P型包復(fù)層，并使所說(shuō)的P型包復(fù)層最終的載流子濃度是1×1016到5×1016/立方厘米；(b)在所說(shuō)光發(fā)射層成型部上生成一P型窗層；和(c)制成與所述窗層和所述半導(dǎo)體基片分別電連接的電極。
6.一種如權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于其中所說(shuō)半導(dǎo)體層都用一種金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積法(MOCVD)制成的，并使得其載流子濃度是用控制導(dǎo)入的劑量氣體的氣流率來(lái)控制的。
7.一種權(quán)利要求5所說(shuō)的制造方法，其特征在于其中所說(shuō)光發(fā)射層成型部是用疊加鋁鎵銦磷基化合物半導(dǎo)體制成的，和所說(shuō)的窗層是用疊加鋁鎵砷基化合物半導(dǎo)體制成的。
8.一種為權(quán)利要求5所說(shuō)的制造方法，其特征在于還包括一個(gè)制作第二P型包復(fù)層的步驟，該包復(fù)層采用與所說(shuō)光發(fā)射層成型部相同基材的半導(dǎo)體層，并設(shè)置在所說(shuō)光發(fā)射層成型部和所說(shuō)窗層之間，而注入雜質(zhì)使其濃度達(dá)5×1017到2×1018/立方厘米。
全文摘要
一種具有雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)的光發(fā)射層成型部包括一鋁鎵銦磷基化合物半導(dǎo)體的n型包覆層,一激活層和一P型包覆層依次外延制作在n型砷化鎵基片上,P型包覆層的載流子濃度達(dá)1×10
文檔編號(hào)H01L33/00GK1194728SQ97190576
公開(kāi)日1998年9月30日 申請(qǐng)日期1997年5月29日 優(yōu)先權(quán)日1996年5月30日
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