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絕緣線對(duì)及使用該線對(duì)的導(dǎo)引電纜的制作方法

文檔序號(hào):6816178閱讀:212來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:絕緣線對(duì)及使用該線對(duì)的導(dǎo)引電纜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種絕緣線對(duì)以及一種使用該線對(duì)的導(dǎo)引電纜。
通常,為了實(shí)現(xiàn)在可移動(dòng)物體,如沿鐵軌或公路移動(dòng)的運(yùn)輸工具,與地面站之間的通信,要沿鐵軌或公路鋪設(shè)所謂導(dǎo)引或泄漏電纜,并且通過(guò)使由該導(dǎo)引電纜以適當(dāng)程度泄漏的電磁場(chǎng)與移動(dòng)體上所帶有的天線進(jìn)行耦合,就可以實(shí)現(xiàn)雙向通信,以便相互傳遞和接收信息。
至于另外的場(chǎng)合,可以使電磁場(chǎng)不連續(xù)而間斷地由導(dǎo)引電纜泄漏,并且電磁場(chǎng)泄漏位置與地面站之間的距離可精確地加以測(cè)量和測(cè)定。然后,基于移動(dòng)體對(duì)地面站所傳遞信號(hào)或由移動(dòng)體所傳遞并通過(guò)導(dǎo)引電纜由地面站所接收信號(hào)的相位差的反應(yīng),可以精確地檢測(cè)和捕捉移動(dòng)體與地面站的位置。
由于上述應(yīng)用,所以也將導(dǎo)引電纜稱作移動(dòng)體位置檢測(cè)導(dǎo)引電纜。
上述導(dǎo)引電纜具有如圖8所示構(gòu)成,使得兩根由導(dǎo)體1和絕緣層2組成的絕緣導(dǎo)線3,3′按一個(gè)方向扭絞,從而形成絕緣線對(duì)4,并且電磁場(chǎng)耦合部分(打開部分)5沿絕緣線對(duì)4的長(zhǎng)度以一定間隔形成,其中絕緣導(dǎo)線3,3′相互平行間隔。
由此形成的導(dǎo)引電纜7通常稱作扭絞線對(duì)型導(dǎo)引電纜。
如圖9(A)和9(B)所示,導(dǎo)引電纜7如此構(gòu)成,使得由設(shè)置在基板8上的絕緣線對(duì)4所形成的導(dǎo)引線對(duì)可用帶與插入元件綁在一起,用以保持導(dǎo)引線對(duì)的形狀,并且保護(hù)導(dǎo)引線對(duì)免受外力,綁帶導(dǎo)引線對(duì)進(jìn)一步可由外護(hù)層繞包,其外護(hù)層是由非金屬和非磁性(以便使電磁場(chǎng)有效泄漏)合成樹脂如聚烯烴或氯乙烯制成。
在電磁場(chǎng)耦合部分5的相對(duì)側(cè)上的導(dǎo)引電纜7的部分是電磁場(chǎng)非耦合部分6,其中絕緣導(dǎo)線3,3′是扭絞的,并且其中由于絕緣導(dǎo)線3,3′的扭絞效應(yīng)使電磁場(chǎng)非耦合部分6與電磁場(chǎng)耦合部分5相比具有極小量的電磁場(chǎng)泄漏特性。
因此,如

圖10所示,當(dāng)移動(dòng)體的天線9沿導(dǎo)引電纜7移動(dòng)時(shí),天線的耦合輸出會(huì)在天線9靠近電磁場(chǎng)耦合部分5時(shí)變大,同時(shí)會(huì)在天線5靠近電磁場(chǎng)非耦合部分6時(shí)變小。
通常用以制造導(dǎo)引電纜7絕緣線對(duì)4的裝置如下。繞有絕緣導(dǎo)線3,3′的線軸安裝在旋轉(zhuǎn)饋送裝置上,由各線軸引出的絕緣導(dǎo)線3,3′通過(guò)導(dǎo)線導(dǎo)管導(dǎo)引到扭絞模具上同時(shí)轉(zhuǎn)動(dòng)旋轉(zhuǎn)饋送裝置和各線軸。絕緣線對(duì)4通過(guò)被保持在牽引裝置的帶之間而由扭絞模具中拉出,同時(shí)停止轉(zhuǎn)動(dòng)。以這種方式,就可以形成按一個(gè)方向扭絞的絕緣線對(duì)4,并且可以通過(guò)收線裝置的軸收起。
由收線裝置的軸所收起的絕緣線對(duì)4可以由該軸上拉出適當(dāng)長(zhǎng)度,并且將絕緣導(dǎo)線3,3′沿絕緣線對(duì)4的長(zhǎng)度以一定間隔不扭絞,并且將其平行設(shè)置。通過(guò)平行加寬絕緣導(dǎo)線3,3′非扭絞部分相互之間的距離,就可以獲得電磁場(chǎng)耦合部分5。
然而,由于要將兩根絕緣導(dǎo)線3,3′加以扭絞以便制造絕緣線對(duì)4,所以使用絕緣線對(duì)4的常用扭絞線對(duì)型導(dǎo)引電纜7需要大的制造設(shè)備。還有,為了改善直接影響天線耦合輸出的絕緣導(dǎo)線3,3′扭絞間隔的精度,制造設(shè)備需要極高的精度控制。因此,存在設(shè)備大和運(yùn)轉(zhuǎn)費(fèi)用高的問題。
盡管使用了大規(guī)模的機(jī)械設(shè)備,仍然使通過(guò)沿絕緣線對(duì)4的長(zhǎng)度以一定間隔不扭絞絕緣導(dǎo)線3,3′,將不扭絞部分平行設(shè)置,并且加大不扭絞部分相互之間平行的距離而得到的電磁場(chǎng)耦合部分5的操作成為很困難的操作,其仍需要大量的時(shí)間和人力。要在電磁場(chǎng)耦合部分5上精確地放置相互平行的絕緣導(dǎo)線3,3′也是困難的,絕緣導(dǎo)線3,3′會(huì)不均勻地扭絞并安置在電磁場(chǎng)耦合部分5和電磁場(chǎng)非耦合部分6之間的交界部分上。結(jié)果,將無(wú)法獲得高精確及穩(wěn)定的電磁耦合。
特別是,由于扭絞絕緣線對(duì)4具有圓形截面并很可能會(huì)繞其軸轉(zhuǎn)動(dòng),很可能會(huì)使扭絞間隔在受到外力的情況下由于絕緣線對(duì)4繞其軸轉(zhuǎn)動(dòng)而發(fā)生變化,同時(shí)絕緣導(dǎo)線4會(huì)被裝配成導(dǎo)引電纜。
再有,由于使用了具有圓形截面的絕緣導(dǎo)線3,3′,所以導(dǎo)引電纜7會(huì)具有較大厚度(高度)。因此,這種導(dǎo)引電纜7將不能放置在需要象地板表面、墻壁表面或窄電纜通道部分那么薄或細(xì)的位置上,并且只通過(guò)電磁屏蔽對(duì)應(yīng)于導(dǎo)引電纜7的電磁非耦合部分6的部分來(lái)完全消除電磁場(chǎng)的泄漏是不可能的。
本發(fā)明正是基于上述問題作出的,其目的就是提供一種絕緣線對(duì),其能夠用便宜的設(shè)備很容易地制造,并且用它可以獲得高精度及穩(wěn)定的電磁耦合,以及使用該絕緣線對(duì)的導(dǎo)引電纜。
一種絕緣線對(duì),其中絕緣線對(duì)成層狀,并且包括至少一薄膜狀絕緣體,其具有可固定到其表面或其內(nèi)側(cè)上的具有特定形狀的一根或多根線狀導(dǎo)體。使用一個(gè)或多個(gè)絕緣線對(duì)的導(dǎo)引電纜,其中該電纜可以整體地或單一地制成,并且其最好是由外護(hù)層繞包。
按照本發(fā)明,提供一種絕緣線對(duì),其中絕緣線對(duì)為層狀的,并且其由至少一薄膜形絕緣體組成,其具有一個(gè)或多個(gè)固定于其表面或其內(nèi)側(cè)或嵌于其中的特定形狀的線狀導(dǎo)體。
按照本發(fā)明的另一方面,提供一種層狀絕緣線對(duì),其特征在于,它包括許多相互疊置的薄膜形絕緣體,其每個(gè)絕緣體具有固定于其前面或其內(nèi)側(cè)上的特定形狀的線狀導(dǎo)體。
采用上述結(jié)構(gòu),不會(huì)象現(xiàn)有技術(shù)的絕緣線對(duì)那樣使絕緣導(dǎo)線扭絞,線狀導(dǎo)體在層狀絕緣線對(duì)中不需要扭絞,由此免除了對(duì)于大規(guī)模制造設(shè)備以及對(duì)于高精度控制制造設(shè)備的控制設(shè)備的需要。
還有,不同于現(xiàn)有技術(shù)的絕緣線對(duì)那樣,不需要為提供電磁場(chǎng)耦合部分而將絕緣導(dǎo)線部分不扭絞并將不扭絞部分相互平行間隔的困難操作。再有,由于線狀導(dǎo)體可以很容易地精確地通過(guò)如粘接到薄膜形絕緣體上而加以固定,所以可以將線狀導(dǎo)體極為精確地相互平行地放置在電磁場(chǎng)耦合部分上,并且電磁場(chǎng)耦合部分與電磁場(chǎng)非耦合部分之間的邊界部分可以很容易地均勻制成。由此,可以獲得高精度穩(wěn)定的電磁耦合。
再有,由于層狀絕緣線對(duì)既不繞其軸轉(zhuǎn)動(dòng),也不象現(xiàn)有技術(shù)的絕緣線對(duì)那樣需要扭絞,所以由扭絞節(jié)距的變化所引起的電磁耦合度的變化會(huì)較小。
上述層狀絕緣線對(duì)的設(shè)置使得許多薄膜狀絕緣體可以相互疊置,與層狀結(jié)構(gòu)一樣可以獲得相同的效果,其中可將線狀導(dǎo)體固定到一絕緣體的相對(duì)表面上。
按照本發(fā)明的再一方面,要提供一種層狀絕緣線對(duì),其包括薄膜狀絕緣體,其具有可固定到其前表面或其內(nèi)側(cè)上的特定形狀的線狀導(dǎo)體。
因此,層狀絕緣線對(duì)具有簡(jiǎn)單而精確尺寸的結(jié)構(gòu),其中形狀導(dǎo)體可固定到一絕緣體的相對(duì)側(cè)上。
最好是,每個(gè)導(dǎo)體包括許多分割或分離的導(dǎo)體,其最好是設(shè)置在矩形或圓形整個(gè)或外部截面上因此,其與單個(gè)大導(dǎo)體相比可以較細(xì)且容易彎曲。
進(jìn)一步最好是,導(dǎo)線對(duì)的間隙沿縱向以一定間隔變化。因此,可以在線狀導(dǎo)體上很容易地形成電磁場(chǎng)耦合部分和電磁場(chǎng)非耦合部分。
更好是,將電磁屏蔽層與層狀絕緣線對(duì)中的導(dǎo)體緊密相接地以一定間隔地設(shè)置。因此,當(dāng)將它們特別地安置在電磁場(chǎng)非耦合部分上時(shí),可防止其電磁場(chǎng)的泄漏,使電磁場(chǎng)耦合部分和天線之間電磁耦合度與電磁場(chǎng)非耦合部分和天線之間的電磁耦合度之間的差異變大。
按照再一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例,線狀導(dǎo)體可這樣設(shè)置,使得其第一部分沿具有長(zhǎng)周期的基本為四邊形的波路來(lái)安置,并且其第二部分沿與具有短周期的正弦波的正弦通路來(lái)安置。
最好是,線狀導(dǎo)體具有基本的圓形或矩形截面。
按照本發(fā)明,進(jìn)一步提供一種使用按照本發(fā)明的一根或多根層狀絕緣線對(duì)所形成的導(dǎo)引電纜,其可整體地或成單元地形成,或其形成單一體并且最好由外護(hù)套繞包。因此,其與使用現(xiàn)有技術(shù)絕緣線對(duì)的導(dǎo)引電纜相比可以較細(xì)。因此,可以將這種導(dǎo)引電纜鋪設(shè)在地板表面或類似位置上,其中厚度要求減小。
按照優(yōu)選實(shí)施例,線狀導(dǎo)體的第一部分對(duì)應(yīng)于電磁場(chǎng)耦合部分,并且其中其第二部分對(duì)應(yīng)于電磁場(chǎng)非耦合部分。
最好是,電磁屏蔽層以間隔地最好是與導(dǎo)引電纜中的外護(hù)層緊密相接地設(shè)置。因此,即使它們不與導(dǎo)線緊密相接地設(shè)置,也可以將對(duì)應(yīng)于電磁不耦合部分的導(dǎo)線部分進(jìn)行電磁屏蔽,用以完全防止電磁場(chǎng)的泄漏。因此,可以使電磁場(chǎng)耦合部分和天線之間的電磁耦合度與電磁場(chǎng)非耦合部分和天線之間的電磁耦合度之間的差異較大。換句話說(shuō),可以將對(duì)應(yīng)于電磁非耦合部分的線狀導(dǎo)體部分進(jìn)行電磁屏蔽,用以完全防止電磁場(chǎng)的泄漏。
本發(fā)明的這些和其它的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將通過(guò)閱讀下列詳細(xì)的描述以及附圖而會(huì)更加清楚,其中圖1(A)-1(C)表示按照本發(fā)明第一實(shí)施例的層狀絕緣導(dǎo)線對(duì),其中圖1(A)是正視圖,圖1(B)是沿1(A)的A-A所截的截面圖,和圖1(C)是沿1(A)的B-B所截的截面圖;圖2(A)和2(B)表示按照本發(fā)明的第二實(shí)施例的層狀絕緣導(dǎo)線對(duì)的兩根導(dǎo)體,其中2(A)是一根導(dǎo)體的正視圖,和圖2(B)是另一根導(dǎo)體的正視圖;圖3(A)-3(C)表示按照本發(fā)明第二實(shí)施例的層狀絕緣導(dǎo)線對(duì),其中圖3(A)正視圖,圖3(B)是沿圖3(A)的C-C所截的截面圖,和圖3(C)是沿圖3(A)的D-D所截的截面圖;圖4是按照本發(fā)明第三實(shí)施例的層狀絕緣導(dǎo)線對(duì)的正視圖;圖5(A)-5(C)表示按照本發(fā)明第三實(shí)施例的層狀絕緣導(dǎo)線對(duì),其中圖5(A)是截面圖,圖5(B)是沿圖5(A)的E-E所截的截面圖,和圖5(C)是沿圖5(A)的F-F所截的截面圖;圖6(A)和6(B)是截面圖,其表示導(dǎo)引電纜的第一實(shí)施例;圖7(A)是截面圖,其表示導(dǎo)引電纜的第二實(shí)施例,和圖7(B)是截面圖,其表示導(dǎo)引電纜的第三實(shí)施例;圖8是現(xiàn)有技術(shù)的絕緣導(dǎo)線對(duì)的正視圖;圖9(A)和9(B)是表示現(xiàn)有技術(shù)的絕緣導(dǎo)線對(duì)的正視圖和截面圖;圖10是曲線圖,其表示沿導(dǎo)引電纜縱向的天線耦合輸出。
下面參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的各實(shí)施例。
圖1(A)-1(C)是表示按照本發(fā)明的第一實(shí)施例的層狀絕緣導(dǎo)線對(duì)10A。
如圖1(A)所示,由實(shí)線和虛線b所示的線狀導(dǎo)體11,11′均為具有如圖1(B)和1(C)所示矩形截面的葉片。這些線狀導(dǎo)體11,11′可以采用特定的正弦方式分別固定地安置在絕緣體13的前面13a和后面13b上,如以薄膜的形式。
特別是,參照表示第二實(shí)施例的圖2(A),對(duì)應(yīng)于電磁場(chǎng)耦合部分15的線狀導(dǎo)體11的部分11a最好是沿具有長(zhǎng)周期的基本為不規(guī)則四邊形波路固定地安置在絕緣體13的前面13a上,由此,對(duì)應(yīng)于電磁場(chǎng)耦合部分14的線狀導(dǎo)體11的部分11b最好沿類似于具有短周期的正弦波形的正弦通路固定安置在前面13a上。
同樣地,參照?qǐng)D2(B),將對(duì)應(yīng)于電磁場(chǎng)耦合部分15的線狀導(dǎo)體11′的部分11a′沿具有長(zhǎng)周期的四邊形波路固定地安置在絕緣體13的后表面13b上,由此,使對(duì)應(yīng)于電磁場(chǎng)非耦合部分14的線狀導(dǎo)體11′的部分11b′沿類以于具有短周期的正弦波的波路固定地安置在后面13b上。
線狀導(dǎo)體11,11′的的各部分11a,11b,11a′,11b′則安置在絕緣體13的前后表面13a,13b上,使得其相位相對(duì)于中心線c相互對(duì)稱地倒相。
通過(guò)將線狀導(dǎo)體11,11′插入模具中而嵌在絕緣體13的前后表面13a,13b中。然而,它們還可以通過(guò)粘接而粘在前后表面13a,13b上。
線狀導(dǎo)體11,11′的平面部分11a,11b,11a′,11b′可以固定到絕緣體13的前后表面13a,13b上,并且其完全不會(huì)象使用絕緣線3,3′的現(xiàn)有技術(shù)的絕緣線對(duì)4那樣扭絞。
在按照本發(fā)明第一實(shí)施例的層狀絕緣對(duì)10A中,當(dāng)以垂直于薄膜形絕緣體13的平面的方向來(lái)看時(shí),與使用絕緣線對(duì)4的現(xiàn)有技術(shù)導(dǎo)引電纜一樣,導(dǎo)體平行間隔的電磁場(chǎng)耦合部分15會(huì)沿絕緣導(dǎo)線對(duì)10A的長(zhǎng)度以一定間隔提供,并且電磁場(chǎng)非耦合部分14則設(shè)置在相鄰的電磁場(chǎng)耦合部分15之間。
線狀導(dǎo)體11,11′的部分11b,11b′不象現(xiàn)有技術(shù)的絕緣線對(duì)4的電磁非耦合部分6中的絕緣導(dǎo)線3,3′那樣,其在電磁場(chǎng)非耦合部分14中是不扭絞的。然而,沿類似于具有短周期的正弦波的正弦通路所設(shè)置的部分11b,11b′相互靠近地疊置。因此,電磁場(chǎng)會(huì)在垂直于疊置部分11b,11b′厚度方向的方向上具有少量的泄漏。類以于現(xiàn)有技術(shù)的電磁非耦合部分6,電磁非耦合部分14具有極少量的電磁場(chǎng)泄漏特性。
圖2和3表示按照第二實(shí)施例的層狀絕緣線對(duì)10B。
在圖3(A)中用實(shí)線a和虛線b表示的線狀導(dǎo)體11,11′為具有矩形截面的葉片,如圖3(B)和3(C)所示。這些線狀導(dǎo)體11,11′采用特定的正弦方式分別以薄膜的形式固定地設(shè)置在絕緣體13的和絕緣體13′的前面13a和后面13b上。
特別是,如圖2(A)所示,對(duì)應(yīng)于電磁場(chǎng)耦合部分15的線狀導(dǎo)體11的部分11a沿具有長(zhǎng)周期的不規(guī)則四邊形波路固定地安置在絕緣體13的前面13a上,由此使對(duì)應(yīng)于電磁場(chǎng)非耦合部分14的線狀導(dǎo)體11的部分11b沿類似于具有短周期的正弦波的正弦通路固定地安置在前面13a上。
同樣地,如圖2(B)所示,對(duì)應(yīng)于電磁場(chǎng)耦合部分15的線狀導(dǎo)體11′的部分11a′沿具有長(zhǎng)周期的四邊形波路固定地設(shè)置在絕緣體13′的后面13b上,由此使對(duì)應(yīng)于電磁場(chǎng)非耦合部分14的線狀導(dǎo)體11′的部分11b′沿類似于具有短周期的正弦波的正弦通路固定地設(shè)置在后面13b上,線狀導(dǎo)體11,11′的各部分11a,11b,11a′,11b′設(shè)置在絕緣體13的前面13a和絕緣體13′的后面13b上使得其相位相對(duì)于中心線c相互對(duì)稱地倒相。
各線狀導(dǎo)體11,11′可通過(guò)粘接或類似的方法固定或粘接到各絕緣體13,13′的前面和后面13a,13b上。
線狀導(dǎo)體11,11′可通過(guò)粘接或類以的方法固定或粘接到一絕緣體13的前面和后面13a和13b上。
絕緣體13,13′可通過(guò)粘接或類似的方法粘接絕緣體13的后面13b和絕緣體13′的前面13a而相互粘接起來(lái),以便形成單個(gè)絕緣體。
線狀導(dǎo)體11,11′的平面部分11a,11b,11a′和11b′可固定到絕緣體13的前面13a和后面13b上,并且其完全不會(huì)象使用絕緣導(dǎo)線3,3′的現(xiàn)有技術(shù)絕緣線對(duì)4那樣而是不扭絞的。
在按照第二實(shí)施例的層狀絕緣導(dǎo)線對(duì)10B中,當(dāng)以垂直于絕緣體13,13′的方向來(lái)看它時(shí),與使用絕緣線對(duì)4的現(xiàn)有技術(shù)的導(dǎo)引電纜一樣,電磁場(chǎng)耦合部分15,其中導(dǎo)體為平行間隔的,沿絕緣線對(duì)10B的長(zhǎng)度以一定間隔地配置,并且電磁非耦合部分14則設(shè)置在相鄰電磁耦合部分15之間。
線狀導(dǎo)體11,11′的部分11b,11b′不象現(xiàn)有技術(shù)絕緣線對(duì)4的電磁非耦合部分6中的絕緣導(dǎo)線3,3′那樣,其在電磁場(chǎng)非耦合部分14中是不扭絞的。然而,沿類似于具有短周期的正弦波的正弦通路所設(shè)置的部分11,11b′相互靠近地疊置。因此,類以于現(xiàn)有技術(shù)的電磁非耦合部分6一樣,電磁場(chǎng)非耦合部分14具有極小量的電磁場(chǎng)泄漏特性。
圖4和5表示按照第三實(shí)施例的層狀絕緣線對(duì)10C。
層狀絕緣線對(duì)10C基本是這樣構(gòu)成的,使得電磁場(chǎng)耦合部分15和天線9之間的電磁耦合程度與電磁場(chǎng)非耦合部分14和天線9之間的電磁耦合程度之間的差異變得較大,如,按照第一和第二實(shí)施例使用層狀絕緣線對(duì)10A,10B,可以使電磁場(chǎng)耦合部分15的耦合信號(hào)S與電磁場(chǎng)非耦合部分14的微小耦合信號(hào)(噪聲)N之間的差異較大。
特別是,可以將由導(dǎo)電或磁性材料或這些材料的復(fù)合材料制成的電磁屏蔽層20這樣設(shè)置,使得其可環(huán)繞在層狀線對(duì)10C的電磁場(chǎng)非耦合部分14上,或與電磁場(chǎng)非耦合部分14的相對(duì)面密封相接。采用這種方式,可以進(jìn)一步防止電磁場(chǎng)由各電磁場(chǎng)非耦合部分14向外泄漏。
如果有必要,可將絕緣或加強(qiáng)層21設(shè)置或固定到各電磁屏蔽層20的外表面上。
雖然各電磁場(chǎng)耦合部分15由于其目的不帶有電磁屏蔽層20,但是在多個(gè)層狀絕緣導(dǎo)體層相互疊放的情況下,層20可以以一定方式提供,使得一層絕緣線對(duì)的電磁場(chǎng)耦合部分15與天線9的耦合不受到另一層絕緣線對(duì)的層20的干擾。在這種情況下,層20需要具有一定的尺寸和結(jié)構(gòu),使其不會(huì)引起上述干擾。
圖6(A)和6(B)是截面圖,其對(duì)應(yīng)于圖3(A)和3(B),其表示使用各層狀絕緣線對(duì)10A-10C所構(gòu)成的電纜的實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)注意的是,在兩個(gè)或多個(gè)層狀絕緣線對(duì)構(gòu)成單一體的情況下,可以采用類似的結(jié)構(gòu)。
保護(hù)層17可設(shè)置在層狀絕緣線對(duì)10A-10C的相對(duì)表面上,并且用外護(hù)層18繞在該組件上。
電磁屏蔽層20可以設(shè)置在外護(hù)層18上,以代替設(shè)置在電磁非耦合部分14上,并且就象在第三實(shí)施例中的一樣。
雖然在上述各實(shí)施例中線狀導(dǎo)體11,11′均為具有矩形或方形截面的片,但是它們還可以為具有單一圓形截面的導(dǎo)體,如圖7(A)所示。
如果線狀導(dǎo)體11,11′中的每個(gè)導(dǎo)體均為單一圓形截面的話,便可以很容易地將其以正弦方式精確地彎曲,并且可以很容易地將連接器端子與其相對(duì)的端部連接。
進(jìn)一步地如圖7(B)所示,線狀導(dǎo)體11,11′的每個(gè)導(dǎo)體可以由具有小圓形截面的多個(gè)導(dǎo)體組成。
如果線狀導(dǎo)體11,11′的每個(gè)均由具有小圓形截面的多個(gè)導(dǎo)體組成的話,那么其厚度可以通過(guò)消除不必要的空間而減小,并且作為層狀絕緣線對(duì)的線狀導(dǎo)體11,11′抗彎曲的剛性會(huì)變小,結(jié)果便可以將形狀導(dǎo)體11,11′以正弦方式很容易地精確地彎曲??箯澗€狀導(dǎo)體11,11′在使用過(guò)程中由振動(dòng)所引起的疲勞破裂也可以得到改善。
參考標(biāo)號(hào)一覽表10A-10C 層狀絕緣線對(duì)11,11′ 線狀導(dǎo)體13,13′ 絕緣體13a 前表面13b 后表面14電磁場(chǎng)非耦合部分15電磁場(chǎng)耦合部分18外護(hù)層20電磁屏蔽層
權(quán)利要求
1.一種絕緣線對(duì)(10A,10B,10C),其中絕緣線對(duì)成層狀,并且包括至少一薄膜狀絕緣體(13,21),其具有可固定到其表面(13a)或其內(nèi)例上的具有特定形狀的一根或多根線狀導(dǎo)體(11,11′)。
2.按照權(quán)利要求1的絕緣線對(duì),其包括疊置放置的許多薄膜狀絕緣體(13,21),每個(gè)絕緣體(13,21)具有可固定到其表面(13a)或其內(nèi)側(cè)上的具有特定形狀的線狀導(dǎo)體(11,11′)。
3.按照上述權(quán)利要求中的一個(gè)或多個(gè)絕緣線對(duì),其中每個(gè)導(dǎo)體(11,11′)包括許多分離導(dǎo)體,其最好是以矩形或圓形的整體截面來(lái)設(shè)置。
4.按照上述權(quán)利要求中的一個(gè)或多個(gè)絕緣線對(duì),其中導(dǎo)線(11,11′)對(duì)的間隙將沿縱向在一定間隔(14,15)下改變。
5.按照上述權(quán)利要求中的一個(gè)或多個(gè)絕緣線對(duì),其中電磁屏蔽層(20)是在一定間隔(14)下設(shè)置的,最好是與導(dǎo)體(11,11′)緊密相接。
6.按照上述權(quán)利要求中的一個(gè)或多個(gè)絕緣線對(duì),其中線狀導(dǎo)體(11,11′)這樣設(shè)置,使得其第一部分(11a,11a′)沿具有最好是長(zhǎng)周期的基本為四邊形的波路來(lái)設(shè)置,并且其第二部分(11b,11b′)沿類似于具有最好是短周期的正弦波的正弦通路設(shè)置。
7.按照上述權(quán)利要求中的一個(gè)或多個(gè)絕緣線對(duì),其中線狀導(dǎo)體(11,11′)具有基本為圓形或矩形的截面。
8.使用按照上述權(quán)利要求中的一個(gè)或多個(gè)絕緣線對(duì)的導(dǎo)引電纜,其中該電纜可以整體地或單一地制成,并且其最好是由外護(hù)層(18)繞包。
9.按照權(quán)利要求8和權(quán)利要求6的導(dǎo)引電纜,其中線狀導(dǎo)體(11,11′)的第一部分(11a, 11a′)對(duì)應(yīng)于電磁場(chǎng)耦合部分(15),其中其第二部分(11b,11b′)對(duì)應(yīng)于電磁場(chǎng)非耦合部分(14)。
10.按照權(quán)利要求8和9的導(dǎo)引電纜,其中電磁屏蔽層(20)以一定間隔(14)設(shè)置,其最好是與外護(hù)層(18)緊密相接。
全文摘要
一種層狀絕緣線對(duì),可以廉價(jià)和容易地制造,且可獲得高精度穩(wěn)定的電磁耦合,以及使用該層狀絕緣線對(duì)的導(dǎo)引電纜。層狀絕緣線對(duì)包括許多疊置放置的薄膜狀絕緣體,并且其每個(gè)絕緣體具有固定于其前表面或其內(nèi)側(cè)上的具有特定形狀的線狀導(dǎo)體。層狀絕緣線對(duì)包括薄膜狀絕緣體,其具有固定于其前表面或其內(nèi)側(cè)上的具有特定形狀的線狀導(dǎo)體。層狀絕緣線對(duì)包括電磁屏蔽層,其可以以一定間隔與導(dǎo)體緊密相接地設(shè)置。導(dǎo)引電纜包括一根或多根層狀絕緣線對(duì),其可以制成單一體,并可以由外護(hù)層繞包。
文檔編號(hào)H01B7/08GK1182272SQ9712282
公開日1998年5月20日 申請(qǐng)日期1997年10月31日 優(yōu)先權(quán)日1996年10月31日
發(fā)明者田村吉弘, 笹川柾男, 土崎良雄, 三田恭嗣 申請(qǐng)人:住友電裝株式會(huì)社
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