專利名稱：用于電子部件的導(dǎo)件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于電子部件的導(dǎo)件，例如，用于將各種電子部件如半導(dǎo)體器件與外部電路連接的導(dǎo)線及其制造方法。更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及一種廉價(jià)的用于電子部件的導(dǎo)件及其制造方法，所述導(dǎo)件具有良好的耐熱性和耐氧化性以及耐腐蝕性，并由此具有優(yōu)異的焊接性。
二極管、晶體管和IC等各種半導(dǎo)體器件、以及包含這些半導(dǎo)體器件的電容器、電阻器等各種電子部件具有將器件或部件與例如印刷電路板的終端連接的導(dǎo)接部分。電子部件的導(dǎo)接部分和印刷電路板的終端部分通過(guò)導(dǎo)件如典型的為導(dǎo)線而相互電連接。通常用焊接進(jìn)行連接。
以往，作為此類導(dǎo)線，往往使用Cu單一金屬、Cu-Fe類或Cu-Sn類的Cu合金制成的線材，或者用Au、Ag、Sn、Ni或Sn-Pb合金鍍層的包銅鋼線。
用于制造導(dǎo)線的材料根據(jù)導(dǎo)線連接的電子部件而適當(dāng)選擇。
例如，對(duì)主要要求連接后保持機(jī)械強(qiáng)度的電子部件，使用Cu合金制成的導(dǎo)線或包銅鋼線。另一方面，對(duì)主要要求確保導(dǎo)電性的電子部件，使用銅線。
對(duì)在制造過(guò)程中進(jìn)行浸蝕處理電子部件，選擇對(duì)在浸蝕工序中使用的浸蝕劑具有耐腐蝕性的材料。當(dāng)電子部件需進(jìn)行熔接、焊接、固化模塑或熟化等熱處理時(shí)，使用具有耐熱性和耐氧化性的材料。
例如，對(duì)Si接頭進(jìn)行使用強(qiáng)酸或強(qiáng)堿的浸蝕處理并將導(dǎo)線接在Si接頭上時(shí)，在高達(dá)350-400℃的溫度將導(dǎo)線焊接在Si接頭上。而且，當(dāng)使用硅氧烷樹(shù)脂固化模塑所得器件時(shí)，在200-250℃的溫度于空氣中進(jìn)行熱固化。這時(shí)，導(dǎo)線必須具有耐熱性、耐氧化性和耐腐蝕性。
作為暴露在上述環(huán)境中的Si接頭的導(dǎo)線，目前已知有Ag鍍層的導(dǎo)線，該導(dǎo)線包含由含Ag的無(wú)氧銅制成的芯材、包覆該芯材表面的Ni或Ni合金的底層以及作為表層而形成在底層上的Ag鍍層。
在該Ag鍍層的導(dǎo)線中，形成表層的Ag兼?zhèn)淠蜔嵝?、耐氧化性和耐腐蝕性，但Ag本身昂貴且易發(fā)生原子移動(dòng)。此外，當(dāng)在高溫下將導(dǎo)線在空氣中加熱時(shí)，氧透過(guò)表層(Ag)而擴(kuò)散，并將底層氧化，其結(jié)果，焊接性下降。
為解決Ag鍍層導(dǎo)線的上述問(wèn)題，已有人設(shè)計(jì)了一種用Pd或Pd合金表層代替Ag表層的導(dǎo)線(參見(jiàn)日本專利公開(kāi)公報(bào)1985年第217693號(hào))。
Pd或Pd合金表層具有優(yōu)異的耐熱性、耐氧化性和耐腐蝕性，并具有不會(huì)發(fā)生Ag那樣的原子移動(dòng)的長(zhǎng)處。
然而，該現(xiàn)有的導(dǎo)線由于其表層材料是Pd或Pd合金而仍然昂貴。為降低成本，可將表層制成盡可能的薄。若表層太薄，則與Ag表面鍍層一樣，在熱處理時(shí)焊接性下降。
因此，為提高其焊接性，必須增加由Pd或Pd合金制成的表層的厚度，但這會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)線成本的上升。
本發(fā)明者為解決上述表層在焊接時(shí)焊接性下降的問(wèn)題，進(jìn)行了深入研究，結(jié)果得到下述發(fā)現(xiàn)。
即，當(dāng)在焊接過(guò)程中加熱導(dǎo)線時(shí)，構(gòu)成導(dǎo)線基體表面部分的金屬成分如銅成分透過(guò)形成底層的金屬晶粒間界或透過(guò)晶粒間界內(nèi)的小孔而熱擴(kuò)散并污染表層，其結(jié)果，表層的焊接性下降。
根據(jù)上述發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明者得到下述技術(shù)思想即，若加大構(gòu)成上述底層的金屬粒積，可減少晶粒間界的數(shù)目，從而可抑制金屬成分從基體表面部分向表層的熱擴(kuò)散，由此可防止表層被污染和焊接性下降。
基于該技術(shù)思想，本發(fā)明得以完成。
本發(fā)明的一個(gè)目的在于，提供一種具有優(yōu)異的耐熱性、耐氧化性和耐腐蝕性且即使其表層的厚度減少，焊接性也不會(huì)下降的用于電子部件的導(dǎo)件。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種低成本制造用于電子部件的導(dǎo)件的方法，該導(dǎo)件具有優(yōu)異的耐熱性、耐氧化性和耐腐蝕性，還具有優(yōu)異的焊接性。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種用于電子部件的導(dǎo)件，它包括至少表面部分由Cu或Cu合金制成的基體；由選自Ni、Co、Ni合金和Co合金中的一種制成的、形成在基體表面上的底層；以及由選自Pd、Ru、Pd合金和Ru合金中的一種制成的、形成在底層表面上的表層，其中，所述底層由粒積在20mm以上的晶粒組成。本發(fā)明還提供一種制造用于電子部件的導(dǎo)件的方法，它包括下述工序?qū)χ辽俦砻娌糠钟蒀u或Cu合金制成的基體進(jìn)行熱處理，將Cu或Cu合金的粒積控制在20mm以上；用Ni、Co、Ni合金和Co合金中的一種對(duì)熱處理過(guò)的表面部分進(jìn)行鍍層，形成底層；以及用Pd、Ru、Pd合金和Ru合金中的一種對(duì)底層進(jìn)行鍍層，形成表層。


圖1是本發(fā)明一實(shí)施例中的導(dǎo)件A的剖面圖；圖2是本發(fā)明的另一實(shí)施例中的導(dǎo)件B的剖面圖；圖3是本發(fā)明的又一實(shí)施例中的導(dǎo)件C的剖面圖；圖4是本發(fā)明的再一實(shí)施例中的導(dǎo)件C′的剖面圖。
圖1是導(dǎo)件A的剖面圖，更具體地說(shuō)，是作為本發(fā)明一實(shí)施例的導(dǎo)線。
導(dǎo)件A包含基體1、包覆基體1的表面的底層2、和形成在底層2上的表層3。
基體1可完全由Cu或由Cu合金制成。另外，基體1可包含例如用Cu或Cu合金鍍層的鋼線，以使鋼線表面部分僅由Cu或Cu合金形成。
所用的Cu合金可以是例如Cu-Zn合金、Cu-Sn合金、Cu-Ag合金、或Cu-Ni合金。
底層2形成在基體1的表面上。該底層2起防止基體1的金屬元素在加熱進(jìn)行焊接過(guò)程中從基體熱擴(kuò)散至后述的表層并使其污染。
更具體地說(shuō)，底層2是由Ni、Cu、和Ni合金如Ni-Co合金、Ni-Fe合金、Ni-Sn合金、Ni-Zn合金、以及Cu合金如Cu-Zn合金、Cu-Ni合金、Cu-Sn合金、Cu-Ag合金組成的、粒積在20mm以上的層。
若粒積小于20mm，則底層2中的晶粒間界的數(shù)目增加且晶粒間界內(nèi)的小孔數(shù)目也增加。由此，不能有效地抑制金屬?gòu)幕w1擴(kuò)散至表層，其結(jié)果，表層被污染，其焊接性下降。底層2中的粒積最好為50-100mm。
通常，對(duì)基體1鍍層，形成底層2。此時(shí)形成在基體1上的鍍層的粒積可通過(guò)后述的對(duì)基體的退火處理和控制在基體表面部分重結(jié)晶的晶粒的大小來(lái)進(jìn)行調(diào)節(jié)。
形成表層3，使其覆蓋底層2。該表層3系用Pd、Ru、Pd合金如Pd-Ni合金、Pd-P合金、以及Ru合金如Ru-Ni合金對(duì)底層2鍍層來(lái)加以形成。
構(gòu)成表層3的金屬不會(huì)原子移動(dòng)并具有優(yōu)異的耐熱性、耐氧化性和耐腐蝕性，因此，具有這樣的表層的導(dǎo)接不會(huì)發(fā)生原子移動(dòng)并具有優(yōu)異的耐熱性、耐氧化性和耐腐蝕性。
表層3的構(gòu)成金屬非常昂貴，因此，表層厚度應(yīng)盡可能地薄以降低導(dǎo)接成本。根據(jù)本發(fā)明，由于上述底層2的功能，若表層3的厚度減至約0.02mm，焊接性不會(huì)下降。
導(dǎo)接A可按下述方法制造。
首先，制備基體1，然后用本領(lǐng)域已知的方法對(duì)其鍍層，在基體1的表面上形成底層2。
此時(shí)，為使底層2中的粒積大于或等于20mm，進(jìn)行下述處理。
將基體1在非氧化氣氛中退火。具體地說(shuō)，將基體1在爐內(nèi)于非氧化氣體環(huán)境中按預(yù)定的時(shí)間加熱。此時(shí)，當(dāng)變化加熱溫度而使熱處理時(shí)間固定時(shí)，基體1的表面部分中的晶粒的粒積隨著處理溫度的上升而增大，其結(jié)果，堆積在基體表面部分的這些上述晶粒上的底層的粒積也增大。
例如，若在400℃將基體1退火，則鍍?cè)诨w上的底層的粒積約為20mm，而若在600℃將基體1退火，則底層的粒積約為80mm。
因此，通過(guò)控制基體的退火溫度，可調(diào)節(jié)底層2的結(jié)晶粒積。
對(duì)底層2的厚度無(wú)特殊限制。然而，若底層2太薄，則抑制金屬成分從基體1熱擴(kuò)散的效果消失，而若底層太厚，則由于鍍層應(yīng)力增加而易于從基體1剝離。因此，底層2的厚度最好約為0.1-2.0mm。
用該方法鍍上底層2，并形成表層3，由此得到本發(fā)明的導(dǎo)件A。
若表層3太薄，則小孔數(shù)目增加且底層2的暴露面積也增加，由此產(chǎn)生焊接性下降的問(wèn)題。另一方面，若表層3太厚，則制造成本增加。因此，表層3的厚度最好控制在約0.01-0.4mm。
圖2是為本發(fā)明另一實(shí)施例的導(dǎo)件B的剖面圖。
該導(dǎo)件B具有與導(dǎo)件A相同的層結(jié)構(gòu)，所不同之處在于，后述的中間層4形成在表層3和底層2之間。
中間層4是由Ni-P合金、Ni-B合金、Co-P合金、Co-B合金、Ni-Co-P合金或Ni-Co-B合金制成的鍍層，與底層2的構(gòu)成材料相比，更具有耐氧化性。
因此，在該導(dǎo)件B中，由于中間層的功能，底層2的氧化被抑制，從而可抑制導(dǎo)件的焊接性下降。對(duì)中間層4的厚度無(wú)特殊限制。若中間層4太薄，則上述有利效果減小，而若中間層太厚，則導(dǎo)件的特性如可彎曲性等下降。因此，為確保導(dǎo)件的加工性以及抑制對(duì)底層2的氧化的效果，中間層4的厚度最好為0.01-0.5mm。
圖3是為本發(fā)明的又一實(shí)施例的導(dǎo)件C的剖面圖。
該導(dǎo)件C具有與導(dǎo)件A相同的層結(jié)構(gòu)，所不同之處在于，后述的輔助層5形成在表層3上。
輔助層5是由Au、Ag、Rh、Pt、Os或Ir制成的鍍層。這些材料均具有非常優(yōu)異的耐氧化性。因此，即使輔助層5極薄，它也能提供抑制表層3氧化的效果，從而可抑制導(dǎo)件焊接性的下降。然而，若輔助層5的厚度太薄，則上述有利效果減小，而若輔助層太厚，則制造成本上升。因此，為確保焊接性以及從經(jīng)濟(jì)性的角度出發(fā)，輔助層5的厚度最好為0.001-0.1mm。
圖4是為本發(fā)明的再一實(shí)施例的導(dǎo)件C’的剖面圖。
該導(dǎo)件C′具有與導(dǎo)件C相同的層結(jié)構(gòu)，所不同之處在于，輔助層5形成在緊鄰表層3的下方，即形成在底層2和表層3之間。
在該導(dǎo)件C’中，底層2的氧化被更有效地抑制，這樣，導(dǎo)件的焊接性改善。
輔助層5可形成在圖2所示導(dǎo)件B的表層3上或形成在表層3和中間層4之間。此時(shí)，與導(dǎo)件C和C′同樣，也可改善導(dǎo)件的焊接性。實(shí)施例1-9，比較例1&2按照下述步驟制造導(dǎo)件A。
制備直徑各為0.6mm的無(wú)氧銅線作為基體。將無(wú)氧銅線在管式爐內(nèi)于N2-H2混合氣體氣氛中在表1所示溫度熱處理(退火)30分鐘。
通過(guò)連續(xù)鍍層作業(yè)線的方式對(duì)退火過(guò)的無(wú)氧銅線進(jìn)行常規(guī)的預(yù)處理后，使銅線連續(xù)地通過(guò)預(yù)定的鍍槽，得到具有表1所示層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)線。這些導(dǎo)線具有與圖1所示導(dǎo)件A相同的層結(jié)構(gòu)。
接著，將所得導(dǎo)線切割成30mm長(zhǎng)的試樣，對(duì)試樣進(jìn)行集管加工并在大氣中于200℃加熱8小時(shí)。按下述方法評(píng)定它們的焊接性。
焊接性的評(píng)定用丙酮將各試樣充分清洗并在具有235℃的低共熔點(diǎn)的熔融焊劑浴中浸漬5秒鐘，用放大鏡(放大約15倍)測(cè)定附著在各試樣表面上的焊劑面積，并除以試樣的浸漬面積，得到附著面積的百分率。
附著面積的數(shù)值越大，表示試樣的焊接性也越高。
此外，按下述方法測(cè)定形成在無(wú)氧銅線上的底層中的晶粒粒積。
底層的粒積的測(cè)定用掃描式電子顯微鏡(放大率1000至100)觀察各底層，得到平均粒積。
使用下述電鍍?cè)〔聪率鰲l件電鍍各試樣。變化電鍍時(shí)間以得到各種厚度的鍍層。
(1)Ni電鍍鍍?cè)?40g/lNiSO4、45g/lNiCl2和30g/lH3BO3。
電鍍條件電流密度為5A/dm2，浴溫為50℃。
(2)Co電鍍鍍?cè)?00g/lCoSO4、20g/lNaCl和40g/lH3BO3。
電鍍條件電流密度為5A/dm2，浴溫為30℃。
(3)Ni-Co電鍍鍍?cè)?40g/lNiCO4、45g/lNiCl2、30g/lH3BO3和15g/lCoSO4。
(使用該鍍?cè)】尚纬蒒i-10％Co合金的電鍍層。)電鍍條件電流密度為5A/dm2，浴溫為55℃。
(4)Pd電鍍鍍?cè)?0g/lPd(NH3)2Cl2、90ml/l NH4OH和50g/l(NH4)2SO4。
電鍍條件電流密度為1A/dm2，浴溫為30℃。
(5)Ru電鍍鍍?cè)?0g/lRuNOCl3·5H2O和15g/lNH2SO3H。
電鍍條件電流密度為1A/dm2，浴溫為60℃。
(6)Pd-20％Ni合金電鍍鍍?cè)?0g/lPd(NH3)2Cl2、45g/lNiSO4、90ml/lNH4OH和50g/l(NH4)2SO4。
電鍍條件電流密度為1A/dm2，浴溫為30℃。
結(jié)果歸納在表1中。
表1
表1表明(1)實(shí)施例1-6和比較例1的比較結(jié)果清楚地顯示，雖然它們的表層各為0.02mm厚的Pd鍍層，但本發(fā)明的實(shí)施例1-6的導(dǎo)線具有更大的焊劑附著面積和改善的焊接性。
考慮到實(shí)施例1-6的底層具有比比較例1更大的粒積這一事實(shí)，結(jié)果顯示，增加底層的粒積對(duì)改善導(dǎo)線的焊接性是非常有效的。
(2)這也可以從焊劑附著面積(％)隨著底層的粒積的增加而增加(實(shí)施例1-5)這一事實(shí)而得到證明。
(3)表1的結(jié)果還進(jìn)一步表明，為增加底層的粒積，最好應(yīng)在電鍍形成底層之前將無(wú)氧銅線退火。表1結(jié)果尤其顯示，最好應(yīng)在400℃以上的溫度將無(wú)氧銅線退火30分鐘。實(shí)施例10-13將已在600℃退火過(guò)的無(wú)氧銅線電鍍，形成表2所示的各底層，然后在各底層上形成表2所示的中間層，并形成表2所示的表層，得到具有圖2所示層結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的導(dǎo)線B。
按與實(shí)施例1-9相同的方法，測(cè)定導(dǎo)線底層的粒積和焊劑附著面積(％)。結(jié)果歸納在表2中。
使用下述鍍?cè)?，并按下述電鍍條件電鍍中間層。(1)Ni-3％B電鍍鍍?cè)?40g/lNiSO4、45g/lNiCl2、30g/lH3BO3和3g/l(CH3)3NBH3。電鍍條件電流密度為1-10A/dm2，浴溫為55℃。(2)Ni-20％P電鍍鍍?cè)?40g/lNiSO4、15g/lNiCl2、30g/lH3BO3和32g/lH3PO3。電鍍條件電流密度為5A/dm2，浴溫為30℃。(3)Ni-Co-3％B電鍍鍍?cè)?0g/lNiCl2·6H2O、45g/lCoCl2·6H2O、12g/lNH4Cl、160ml/lNH4OH、45ml/l(C2H5)4NCl和1ml/lNaBH2。電鍍條件在45℃浴溫化學(xué)鍍。(4)Ni-Co-5％P電鍍鍍?cè)?5g/lNiCl2·6H2O、10g/lCoSO4·7H2O、84g/l枸櫞酸鈉、42g/l(NH4)2SO4、14ml/lNH4OH和8ml/lH3PO2。電鍍條件在90℃浴溫化學(xué)鍍。
表2
對(duì)表1所示結(jié)果和表2所示結(jié)果進(jìn)行比較，可以清楚地看到，當(dāng)表層的厚度具有相同的厚度且底層用相同粒積形成時(shí)，這些各具有形成在底層和表層之間的中間層的導(dǎo)線顯示更大的焊劑附著面積。
這表明，形成中間層可有效地增強(qiáng)導(dǎo)線的焊劑附著性。實(shí)施例14-26在已在表3所示溫度退火過(guò)的無(wú)氧銅線上依次形成表3所示各底層、表層和輔助層，得到具有圖3所示層結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的導(dǎo)線C。按該方法得到的這些導(dǎo)線分別作為實(shí)施例14-19。
在實(shí)施例19中，在底層和表層之間形成表3所示的中間層。
同樣地，在底層和表層之間形成表3所示的輔助層，制造圖4所示的本發(fā)明的導(dǎo)線C’。將這些導(dǎo)線分別作為實(shí)施例20-26。在實(shí)施例26中，在底層和輔助層之間形成表3所示的中間層。
使用下述鍍?cè)?，并按下述電鍍條件電鍍輔助層。
(1)Au電鍍首先，用N.E.CHEMCAT公司生產(chǎn)的N-200鍍?cè)≡陔娏髅芏?A/dm2、浴溫25℃的電鍍條件下進(jìn)行Au觸擊電鍍，然后，用N.E.CHEMCAT公司生產(chǎn)的N-44鍍?cè)≡陔娏髅芏?A/dm2、浴溫65的電鍍條件下進(jìn)行Au電鍍。
(2)Ag電鍍首先，用5g/lAgCN、60g/lKCN和30g/lK2CO3的鍍?cè)≡陔娏髅芏?A/dm2、浴溫為30℃的電鍍條件下進(jìn)行Ag觸擊電鍍，然后，用50g/lAgCN、100g/lKCN和30g/lK2CO3的鍍?cè)≡陔娏髅芏?A/dm2、浴溫為30℃的電鍍條件下進(jìn)行Ag電鍍。
(3)Rh電鍍鍍?cè).E.CHEMCAT公司生產(chǎn)的RH#225。
電鍍條件電流密度為1A/dm2，浴溫為55℃。
(4)Pt電鍍鍍?cè)?0g/lPt(NH3)2(NO2)2、100g/lNH4NO3、10g/l亞硝酸銨和55ml/lNH4OH。
電鍍條件電流密度為1A/dm2，浴溫為90℃。
(5)Os電鍍鍍?cè)?5g/lK2[Os(NO)(OH)(NO2)]4。
電鍍條件電流密度為2A/dm2，浴溫為70℃、pH為12-13。
(6)Ir電鍍鍍?cè)EJA生產(chǎn)的INDEX 100。
電鍍條件電流密度為0.15A/dm2，浴溫為85℃。
按與實(shí)施例1-9相同的方法測(cè)定按上述方法制得的各導(dǎo)線的底層的粒積和整個(gè)結(jié)構(gòu)的焊接性。結(jié)果歸納在表3中。
表3
將表3和表1的結(jié)果或表3和表2的結(jié)果進(jìn)行比較，可以清楚地看出，與不具有輔助層的導(dǎo)線相比，具有形成在表層外側(cè)或內(nèi)側(cè)的輔助層的導(dǎo)線具有更大的焊劑附著面積。這表明，輔助層的形成起增強(qiáng)導(dǎo)線的焊接性的作用。
如上所述，在本發(fā)明的用于電子部件的導(dǎo)件中，將底層的粒積加大至20mm以上，即，減小作為基體成分?jǐn)U散途徑的晶粒間界的數(shù)目，從而使導(dǎo)件的表面不易被污染，由此提供優(yōu)異的焊接性。具有這樣的大的粒積的底層可容易地通過(guò)在具有大的粒積的基體上電鍍底層而得到。因此，根據(jù)本發(fā)明的方法，即使使用貴金屬形成表層，也可減小表層的厚度。這樣，可以低成本制造具有優(yōu)異的焊接性的導(dǎo)件，因此，本發(fā)明具有顯著的工業(yè)價(jià)值。
權(quán)利要求
1.用于電子部件的導(dǎo)件，包含至少表面部分由Cu或Cu合金制成的基體；由選自Ni、Co、Ni合金和Co合金中的一種制成的、形成在上述基體表面上的底層；以及由選自Pd、Ru、Pd合金和Ru合金中的一種制成的、形成在底層表面上的表層，其中，所述底層由粒積在20mm以上的晶粒組成。
2.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)件，其特征在于，由選自Ni-P合金、Ni-B合金、Co-P合金、Co-B合金、Ni-Co-P合金和Ni-Co-B合金中的一種制成的中間層形成在上述底層和表層之間。
3.如權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)件，其特征在于，由選自Au、Ag、Rh、Pt、Os或Ir中的一種制成的、厚度為0.001-0.1mm的輔助層形成在上述表層上。
4.如權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)件，其特征在于，由選自Au、Ag、Rh、Pt、Os或Ir中的一種制成的輔助層形成在緊鄰上述表層的下方。
5.用于電子部件的導(dǎo)件的制造方法，它包括下述工序?qū)χ辽俦砻娌糠钟蒀u或Cu合金制成的基體進(jìn)行熱處理，使將Cu或Cu合金的粒積控制在20mm以上；用Ni、Co、Ni合金和Co合金中的一種對(duì)熱處理過(guò)的表面部分進(jìn)行鍍層，形成底層；以及用Pd、Ru、Pd合金和Ru合金中的一種對(duì)底層進(jìn)行鍍層，形成表層。
全文摘要
提供一種具有優(yōu)異的耐熱性、耐氧化性和耐腐蝕性且尤其具有優(yōu)異的焊接性的用于電子部件的導(dǎo)件以及通過(guò)電鍍低成本地制造該導(dǎo)件的方法。該導(dǎo)件包含至少表面部分由Cu或Cu合金制成的基體、按所述次序依次形成的Ni、Co、Ni合金和Co合金的底層以及Pd、Ru、Pd合金和Ru合金的表層。所述底層由粒積在20mm以上的晶粒組成。
文檔編號(hào)H01L21/60GK1170233SQ9711276
公開(kāi)日1998年1月14日 申請(qǐng)日期1997年6月13日 優(yōu)先權(quán)日1996年6月13日
發(fā)明者鈴木智, 谷木守正 申請(qǐng)人:古河電氣工業(yè)株式會(huì)社