專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
本說明書公開的發(fā)明涉及具有結(jié)晶性的薄膜半導(dǎo)體。還涉及薄膜半導(dǎo)體的制造方法。還涉及利用該薄膜半導(dǎo)體的半導(dǎo)體裝置。還涉及該半導(dǎo)體裝置的制造方法。
已知在玻璃基板、石英基板上形成具有結(jié)晶性的硅膜并用該硅膜制造薄膜晶體管(以下稱之為TFT)的技術(shù)。
將該薄膜晶體管稱之為高溫多晶硅TFT、低溫多晶硅TFT。
高溫多晶硅TFT是利用800℃、900℃以上的比較高的溫度的加熱處理作為結(jié)晶性硅膜的制造方法的技術(shù)。該技術(shù)可以說是利用單晶硅晶片的IC的制造工藝的派生技術(shù)。
當(dāng)然，作為制造高溫多晶硅TFT的基板，要利用能耐受上述加熱溫度的石英基板。
另一方面，低溫多晶硅TFT利用廉價的玻璃基板(當(dāng)然其耐熱性相對于石英基板是較差的)作為基板。
在構(gòu)成低溫多晶硅TFT的結(jié)晶性硅膜的制造方面，利用玻璃基板能耐受的600℃以下的加熱或相對于玻璃基板來說幾乎沒有熱損傷的激光退火技術(shù)。
高溫多晶硅TFT具有能在基板上集成特性一致的TFT的特征。
另一方面，低溫多晶硅TFT具有能利用廉價且容易大面積化的玻璃基板作為基板的特征。
還有，在目前的技術(shù)中，高溫多晶硅TFT也好，低溫多晶硅TFT也好，其特性沒有大的差別。
即，在兩者中都可得到遷移率約為50～100(cm2/Vs)，S值約為200～400(mV/dec)(VD＝1V)的特性。
該特性與利用單晶硅晶片的MOS型晶體管的特性比較大為遜色。一般來說，利用單晶硅晶片的MOS型晶體管的S值約為60～70(mV/dec)。
在目前情況下，為了在同一基板上將有源矩陣型液晶顯示裝置的有源矩陣電路和周邊驅(qū)動電路進(jìn)行集成而利用TFT。即，在同一基板上用TFT來制成有源矩陣電路和周邊驅(qū)動電路。
在這種構(gòu)成中，要求周邊電路的源驅(qū)動器進(jìn)行十幾MHz以上的工作。但目前的用高溫單晶硅TFT和低溫多晶硅TFT構(gòu)成的電路的工作速度的界限只達(dá)到幾MHz。
因而，目前的解決辦法是將工作進(jìn)行分割(稱之為分割驅(qū)動)來構(gòu)成液晶顯示。但是，該方法存在由于分割的定時的微妙的偏移等原因而在畫面上出現(xiàn)條狀花紋等問題。
此外，正在考慮除了周邊驅(qū)動電路以外，再將振蕩電路、D/A轉(zhuǎn)換器、A/D轉(zhuǎn)換器、還有進(jìn)行各種圖象處理的數(shù)字電路集成于同一基板上。
但是，上述振蕩電路、D/A轉(zhuǎn)換器、A/D轉(zhuǎn)換器、還有進(jìn)行各種圖象處理的數(shù)字電路需要在比周邊驅(qū)動電路更高的頻率下工作。
因而，用由目前的技術(shù)得到的高溫多晶硅TFT、低溫多晶硅TFT來構(gòu)成這些電路是困難的。
還有，能進(jìn)行100MHz以上的工作的由利用單晶硅晶片的MOS晶體管構(gòu)成的集成電路已達(dá)到實用化。
在本說明書中公開的發(fā)明的一個目的是得到能構(gòu)成上述那種高速工作(一般來說是幾十MHz以上的工作速度)所要求的電路的薄膜晶體管。
此外，本發(fā)明的另一個目的是提供能得到與利用單晶硅晶片制造的MOS晶體管比美的那種特性的薄膜晶體管。另一個目的是提供該薄膜晶體管的制造方法。再一個目的是用具有那種良好特性的薄膜晶體管提供具有必要的功能的半導(dǎo)體裝置。
在本說明書中公開的發(fā)明之一的特征在于這是一種利用了將在具有絕緣表面的基板上形成的結(jié)晶性硅膜作為有源層的薄膜晶體管的半導(dǎo)體裝置；該結(jié)晶性硅膜在預(yù)定的方向上具有帶有連續(xù)性的結(jié)晶結(jié)構(gòu)，并在上述預(yù)定的方向上具有延伸的結(jié)晶粒界；在上述薄膜晶體管中，將聯(lián)結(jié)源區(qū)和漏區(qū)的方向與上述預(yù)定方向形成為具有一個預(yù)定角度。
具有上述那種結(jié)晶狀態(tài)的結(jié)晶性硅膜的例子在圖6和圖7中示出。在圖7中示出的是將圖6的一部分進(jìn)一步放大了的圖。圖6和圖7中所示是用透射電子顯微鏡(TEM)觀察厚度為250埃的結(jié)晶性硅膜的表面的照片。
為了得到圖6和圖7示出的那種硅膜，通過采用實施例1中示出的那種制造工序來實現(xiàn)。
在圖6和圖7中，示出從圖的左下朝向右上具有連續(xù)性的結(jié)晶結(jié)構(gòu)延伸的狀態(tài)。此外也示出在該結(jié)晶結(jié)構(gòu)的連續(xù)性延伸的方向上大體平行地形成多個結(jié)晶粒界的狀態(tài)。
從圖7示出的結(jié)晶結(jié)構(gòu)可清楚看出，該結(jié)晶性硅膜是用多個具有在特定的方向上延伸的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的結(jié)晶體的集合來構(gòu)成的。該結(jié)晶體的寬度約為500?！?000埃，或從約等于結(jié)晶性硅膜的膜厚～2000埃。
即，在相對于結(jié)晶結(jié)構(gòu)的連續(xù)性存在的方向成直角或大體直角的方向上，存在多個以一定間隔分開的清晰的結(jié)晶粒界，該方向成為結(jié)晶結(jié)構(gòu)不連續(xù)的方向。即，在該方向上結(jié)晶結(jié)構(gòu)的連續(xù)性受到損害。
在該結(jié)晶結(jié)構(gòu)的連續(xù)性延伸的方向上大體上保持晶格結(jié)構(gòu)的連續(xù)性，與其他方向比較，在載流子移動時的散射和陷阱等非常少。即，對于載流子來說，可看作是上述結(jié)晶結(jié)構(gòu)連續(xù)的方向成為不受到或難以受到來自結(jié)晶粒界的散射的實質(zhì)上的單晶狀態(tài)。
上述發(fā)明的構(gòu)成規(guī)定了該結(jié)晶結(jié)構(gòu)的連續(xù)方向與聯(lián)結(jié)薄膜晶體管的源區(qū)和漏區(qū)的方向的關(guān)系。如要達(dá)到高速工作的目標(biāo)，則使上述的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的連續(xù)方向與聯(lián)結(jié)源區(qū)和漏區(qū)的方向一致或大體一致是較為理想的。通過這樣做，在MOS型的薄膜晶體管的工作中，可做成載流子最容易移動的結(jié)構(gòu)。
此外，通過將上述兩個方向的夾角設(shè)定為預(yù)定的角度，可控制所得到的薄膜晶體管的特性。例如，在同一基板上制造多個薄膜晶體管群時，通過形成多個使上述兩個角度的夾角不同的晶體管群，可使該晶體管群的特性不同。
此外，在具有N字型、コ字型、再有M字型等形狀的有源層彎曲的那種薄膜晶體管的情況下，可如下述那樣來做。即，在聯(lián)結(jié)源區(qū)和漏區(qū)的線不是直線而是曲線的那種薄膜晶體管情況下，可如下述那樣來做。此時，將上述的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的連續(xù)性的方向設(shè)定為與溝道區(qū)中的載流子的移動方向(對于作為整體來觀察時的載流子的移動方向)一致。
在該情況下也可預(yù)期在載流子的移動方向與結(jié)晶結(jié)構(gòu)的連續(xù)性的方向的夾角做成0度時能得到最高速的工作。
本發(fā)明的另一種構(gòu)成的特征在于這是一種利用了將在具有絕緣表面的基板上形成的結(jié)晶性硅膜作為有源層的薄膜晶體管的半導(dǎo)體裝置；該結(jié)晶性硅膜在結(jié)晶粒界的延伸方向上具有各向異性；在上述薄膜晶體管中，將聯(lián)結(jié)源區(qū)和漏區(qū)的方向與上述延伸方向形成為具有一個預(yù)定角度。
本發(fā)明的另一種構(gòu)成的特征在于這是一種利用了將在具有絕緣表面的基板上形成的結(jié)晶性硅膜作為有源層的薄膜晶體管的半導(dǎo)體裝置；該結(jié)晶性硅膜在結(jié)晶粒界的延伸方向上具有各向異性；在上述薄膜晶體管中，將溝道區(qū)中載流子的移動方向與上述延伸方向形成為具有一個預(yù)定角度。
在本說明書中公開的發(fā)明的結(jié)晶性硅膜中，有必要對非晶硅膜導(dǎo)入以鎳為代表的有助于硅的結(jié)晶化的金屬元素，再進(jìn)行加熱處理，和在含有鹵素的氣氛中的加熱處理。
作為上述金屬元素，在重復(fù)性和效果等方面來看，鎳是極為理想的。一般來說，作為這種金屬元素，可利用從Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Au等選出的一種或多種金屬。
在利用鎳元素時，在硅膜中最終殘留的鎳的濃度約為1×1014原子/cm3～5×1018原子/cm3。如縮短熱氧化膜的吸雜條件，該濃度的上限可降低到約5×1017原子/cm3?？衫肧IMS(2次離子分析法)來進(jìn)行該濃度的監(jiān)測。
一般來說，上述鎳濃度的下限為1×1016原子/cm3。這是因為在考慮與成本的兼顧時，要排除附著于基板、裝置上的鎳元素的影響通常是困難的。
因而，在按照一般的制造工序的情況下，殘留的鎳元素的濃度為1×1016原子/cm3～5×1017原子/cm3。
此外，在熱氧化膜的制造工序中，由于該金屬元素在熱氧化膜中移動的原因，在所得到的結(jié)晶性硅膜的厚度方向上的鎳元素的濃度分布中產(chǎn)生梯度或分布。
一般來說，可觀察到，結(jié)晶性硅膜中的該金屬元素的濃度在朝向形成熱氧化膜的界面時該金屬元素的濃度有變高的趨勢。此外，也觀察到，在某些條件下，在朝向基板或基底時，即，朝向背面一側(cè)的界面時，該金屬元素的濃度有變高的趨勢。
此外，在熱氧化膜的形成時氣氛中含有鹵族元素的情況下，該鹵族元素也顯示出與上述金屬元素同樣的濃度分布。即，顯示出在朝向結(jié)晶性硅膜的表面和/或背面時含有濃度變高的濃度分布。本說明書中公開的發(fā)明的結(jié)晶性硅膜的膜厚做成100?！?50埃較為理想，做成150?！?50埃更為理想。通過做成這樣的膜厚，就能以更清晰的形狀，并以良好的重復(fù)性得到圖6、圖7所示出的那種在一個方向上結(jié)晶性連續(xù)的獨特的結(jié)晶結(jié)構(gòu)。
該最終的結(jié)晶性硅膜的膜厚，要考慮因熱氧化膜的形成而引起的膜厚的減少來決定。
本發(fā)明的另一種構(gòu)成的特征是具有在具有絕緣表面的基板上形成非晶硅膜的工序；在上述非晶硅膜上局部地有選擇地導(dǎo)入有助于硅的結(jié)晶化的金屬元素的工序；進(jìn)行加熱處理，在與基板平行的方向上從有選擇地導(dǎo)入了金屬元素的區(qū)域朝向其他區(qū)域進(jìn)行結(jié)晶生長的工序；通過在含有鹵族元素的氧化性氣氛中用電熱爐進(jìn)行800℃～1100℃下的30分鐘以上的加熱處理來形成熱氧化膜的工序；除去上述熱氧化膜的工序；以及使聯(lián)結(jié)源區(qū)與漏區(qū)的方向與進(jìn)行上述結(jié)晶生長的方向一致或大體一致的工序。
通過采用上述那種工序，可得到本說明書中公開的結(jié)晶性硅膜，還可得到利用該結(jié)晶結(jié)構(gòu)的獨特性的MOS型薄膜晶體管。
作為金屬元素的導(dǎo)入方法，可舉出涂敷含有該金屬元素的溶液的方法，用CVD法的方法，用濺射法和蒸發(fā)法等的方法，利用含有該金屬的電極進(jìn)行等離子處理的方法。氣體吸附法的方法等。
作為導(dǎo)入鹵族元素的方法，可利用使氧化性氣氛中(例如氧氣氛)含有HCl、HF、HBr、Cl2、F2、Br2、CF4等的方法。
此外，在熱氧化膜形成時的氣氛中同時進(jìn)行氫氣的導(dǎo)入，利用濕法氧化的作用也是有效的。
用于熱氧化膜的形成的溫度是極為重要的。如要得到用下述的那種單個元件可進(jìn)行幾十MHz以上的工作、S值在100(mV/dec)以下的TFT的話，有必要使熱氧化膜的形成時的加熱溫度為800℃以上或900℃以上，前者較為理想，后者更為理想。
退火溫度比該溫度低的話，吸雜效果顯著降低。而且，下限由被吸雜的物質(zhì)的鹵化物的蒸氣壓與退火時氣氛的壓力決定。即，鹵化物的蒸氣壓比退火氣氛的壓力低時，吸雜效果變小。例如，在大氣壓(760mmHg)下進(jìn)行退火時，氯化鎳的蒸氣壓在541度下是38.9mmHg，與此相對，在994度下蒸氣壓是820.6mmHg，因此在高溫下吸雜效果顯著提高。
還有，把該加熱溫度的上限為定為本身即是石英基板的耐熱溫度的上限的約1100℃是適當(dāng)?shù)摹?br> 本發(fā)明的另一種構(gòu)成的特征是具有在具有絕緣表面的基板上形成非晶硅膜的工序；在上述非晶硅膜上局部地有選擇地導(dǎo)入有助于硅的結(jié)晶化的金屬元素的工序；進(jìn)行加熱處理，在與基板平行的方向上從有選擇地導(dǎo)入金屬元素的區(qū)域朝向其他區(qū)域進(jìn)行結(jié)晶生長的工序；通過在含有鹵族元素的氧化性氣氛中用電熱爐進(jìn)行800℃～1100℃下的30分鐘以上的加熱處理來形成熱氧化膜的工序；除去上述熱氧化膜的工序；以及使溝道區(qū)中的載流子的移動方向與進(jìn)行上述結(jié)晶生長的方向一致或大體一致的工序。
上述構(gòu)成著眼于溝道區(qū)的載流子的移動方向，規(guī)定了該方向與結(jié)晶生長方向(結(jié)晶結(jié)構(gòu)中具有連續(xù)性的方向或結(jié)晶粒界延伸的方向)之間的關(guān)系。
該構(gòu)成在聯(lián)結(jié)源區(qū)與漏區(qū)的線部分是彎曲的情況下是有效的。


圖1是示出薄膜晶體管的制造工序的圖。
圖2是示出薄膜晶體管的制造工序的圖。
圖3是示出薄膜晶體管的制造工序的圖。
圖4是示出薄膜晶體管的制造工序的圖。
圖5是示出薄膜晶體管的制造工序的圖。
圖6是拍攝硅薄膜的電子顯微鏡照片。
圖7是電子顯微鏡拍攝的硅薄膜的照片。
圖8是利用了TFT的各種半導(dǎo)體裝置的概要圖。
圖9是結(jié)晶生長的狀態(tài)的模式圖。
在通過對非晶硅膜進(jìn)行加熱使之結(jié)晶化從而得到結(jié)晶化硅膜的技術(shù)中，通過在使非晶硅膜的表面的一部分區(qū)域保持與鎳元素相接的狀態(tài)下進(jìn)行加熱處理，進(jìn)行從上述一部分區(qū)域向其他區(qū)域和向與基板平行的方向的結(jié)晶生長。
而且，在進(jìn)行上述結(jié)晶生長的硅膜表面上形成熱氧化膜。該熱氧化膜是通過在含有鹵族元素的氧化性氣氛中用電熱爐進(jìn)行800℃～1100℃下的30分鐘以上的加熱處理來形成的。
然后除去該熱氧化膜。在這樣得到的結(jié)晶性硅膜中，結(jié)晶粒界在圖6和圖7中示出的那種特定的方向上延伸，在該方向上具有結(jié)晶結(jié)構(gòu)連續(xù)的結(jié)構(gòu)。
而且通過制造使結(jié)晶生長連續(xù)的方向與工作時載流子的移動方向一致的TFT，可得到具有良好性能的TFT。
〖實施例1〗本實施例涉及對于非晶硅膜通過有選擇地導(dǎo)入有助于硅的結(jié)晶化的金屬元素，進(jìn)行稱之為橫向生長的、朝向與基板平行的方向的結(jié)晶生長。
圖1中示出本實施例的制造工序。首先，在石英基板201上形成厚度為3000埃的氧化硅膜作為基底膜202。還有，如石英基板的表面平滑性良好并且清洗得很干凈的話，該基底膜202不是特別必要。
還有，在目前情況下利用石英基板作為基板成為較理想的選擇，但如果是能耐受加熱處理溫度的基板，則不限定于石英。
其次，用減壓CVD法形成厚度為600埃的作為結(jié)晶性硅膜的起始膜的非晶硅膜203。將該非晶硅膜的厚度做成2000埃以下是較為理想的。
其次，形成圖中未示出的厚度為1500埃的氧化硅膜，通過對其刻蝕圖形形成用204示出的掩模。該掩模在用205示出的區(qū)域中形成開口。在形成該開口205的區(qū)域中露出非晶硅膜203。
開口205具有長邊在圖面的深度和眼前方向上的細(xì)長的長方形形狀。該開口205的寬度做成在20微米以上是適當(dāng)?shù)?。并且可以必要的長度來形成該長邊的長度。
然后涂敷含有以換算成重量為10ppm的鎳元素的醋酸鎳溶液。然后用圖中未示出的旋轉(zhuǎn)器進(jìn)行旋轉(zhuǎn)干燥以除去多余的溶液。
由此得到鎳元素在圖1(A)的點線206示出的狀態(tài)下存在的狀態(tài)。在該狀態(tài)下得到鎳元素在開口205的底部保持與非晶硅膜的一部分有選擇地相接的狀態(tài)。
其次在含有3％的氫的、盡可能不含有氧的氮氣氛中進(jìn)行640℃、4小時的加熱處理。于是就進(jìn)行用圖1(B)的207示出的朝向與基板201平行的方向的結(jié)晶生長。在圖9中示出從上面觀察該結(jié)晶生長的狀態(tài)的模式圖。
該結(jié)晶生長是從已導(dǎo)入鎳元素的開口205的區(qū)域向周圍進(jìn)行的。將朝向與該基板平行的方向的生長稱為橫向生長或lateral生長。
用該結(jié)晶生長得到的橫向生長的結(jié)晶性硅膜的表面，與以往的低溫多晶硅、高溫多晶硅比較，可得到平滑性非常好的表面。這是因為結(jié)晶粒界的延伸方向大體一致的緣故。
一般稱之為多晶硅或polysilicon的硅膜，其表面的凹凸有±100埃以上。但是在本實施例中示出的橫向生長的情況下，觀察到其表面的凹凸在±30埃以下。該凹凸使得與柵絕緣膜之間的界面特性變壞，故盡可能減小該凹凸是較為理想的。
在上述的用于結(jié)晶化的加熱處理條件中，可進(jìn)行100微米以上的橫向生長。故得到具有以這種方式橫向生長的區(qū)域的硅膜208。
可在450℃～1100℃(上限由基板的耐熱性來限定)下進(jìn)行用于這種結(jié)晶生長的加熱處理。如要確保某種程度的橫向生長距離，則加熱處理的溫度在600℃以上是較為理想的。但是，由將溫度提高到該溫度以上引起的結(jié)晶生長距離或結(jié)晶性的提高并不是那么大。
然后除去用于有選擇地導(dǎo)入鎳元素的氧化硅膜構(gòu)成的掩模204。這樣就得到圖1(C)示出的狀態(tài)。
在該狀態(tài)中，鎳元素在膜中分布不均勻。特別是在形成了開口205的區(qū)域和用207示出的結(jié)晶生長的前端部分，鎳元素以較高的濃度存在。因而，在有源層的形成中，避開那些區(qū)域是重要的。即，在有源層中不存在上述鎳元素超常的區(qū)域是重要的。
在得到圖1(C)的狀態(tài)后，可進(jìn)行激光的照射。即，提高激光的照射，可進(jìn)一步有助于結(jié)晶化。該激光的照射使膜中存在的鎳元素的結(jié)塊分散開，具有在其后容易除去鎳元素的效果。還有，在該階段中即使進(jìn)行激光的照射，也不會再進(jìn)行橫向生長。
作為激光，可利用具有紫外區(qū)域的波長的受激準(zhǔn)分子激光。例如，可利用KrF受激準(zhǔn)分子激光(波長248nm)、XeCl受激準(zhǔn)分子激光(波長308nm)。
其次在還有3％(體積)的氧氣氛中用電熱爐進(jìn)行950℃的加熱處理30分鐘以上，形成200埃厚度的熱氧化膜209。隨著熱氧化膜的形成，硅膜208的膜厚減少約100埃。即，硅膜的膜厚為500埃。
在該工序中，隨著熱氧化膜的形成，膜中的具有不穩(wěn)定的結(jié)合狀態(tài)的硅元素在熱氧化膜的形成中被利用。這樣，膜中的缺陷減少，可得到更好的結(jié)晶性。
而且同時通過熱氧化膜的形成和氯的作用從膜中進(jìn)行鎳元素的吸雜。
當(dāng)然，在熱氧化膜中，以較高的濃度引入鎳元素。而相對來說硅膜208中的鎳元素減少。
在熱氧化膜209形成了之后，將該熱氧化膜209除去。通過這樣做來得到使鎳元素的含有濃度減少的結(jié)晶性硅膜208。這樣得到的結(jié)晶性硅膜具有如圖6或圖7所示的在一個方向上結(jié)晶結(jié)構(gòu)延伸(該方向與結(jié)晶生長方向一致)的結(jié)構(gòu)。即，多個細(xì)長的圓柱形結(jié)晶體通過多個在一個方向上延伸的結(jié)晶粒界具有平行排列的結(jié)構(gòu)。
其次進(jìn)行圖形刻蝕，形成在橫向生長區(qū)域構(gòu)成的圖形210。該島狀的區(qū)域210以后將成為TFT的有源層。
在這里，進(jìn)行圖形的位置選擇，使得聯(lián)結(jié)源區(qū)和漏區(qū)的方向與結(jié)晶生長的方向一致。通過這樣做，可使載流子的移動方向與結(jié)晶晶格連續(xù)地延伸方向一致，結(jié)果可得到具有良好特性的TFT。
然后，在形成以210構(gòu)成的圖形后，形成厚度為300埃的熱氧化膜211。所形成的熱氧化膜的膜厚的總計比最終的結(jié)晶性硅膜的膜厚要厚。該熱氧化膜通過在含有3％的HCl的氧氣氛中用電熱爐進(jìn)行950℃、30分鐘以上的加熱處理來得到。
通過形成熱氧化膜211，圖形(成為有源層的圖形)210的膜厚為350埃。
在該工序中也可得到與形成熱氧化膜209時同樣的效果。再者，該熱氧化膜209成為TFT的柵氧化膜的一部分。
其后，用等離子CVD法形成與熱氧化膜一起構(gòu)成柵絕緣膜的、厚度為1000埃的氧化硅膜304。(圖2(A))其次，用濺射法形成厚度為4000埃的用于形成柵電極的鋁膜。使該鋁膜中含有0.2％(重量)的鈧。
使該鋁膜中含有鈧是為了在以后的工序中抑制突起(hillock)、金屬源等的產(chǎn)生。所謂突起、金屬源等是因加熱時的鋁的異常生長而引起的針狀或剌狀的突出部分。
形成了鋁膜后，形成圖中未示出的致密的陽極氧化膜。該陽極氧化膜是以含有3％的酒石酸的乙二醇溶液為電解溶液，以鋁膜為陽極，以鉑為陰極來進(jìn)行的。在該工序中，在鋁膜上形成厚度為100埃的、具有致密膜質(zhì)的陰極氧化膜。
該圖中未示出的陽極氧化膜具有提高與以后形成的光致抗蝕劑掩模的貼緊性的作用。
該陽極氧化膜的膜厚可通過陽極氧化時的外加電壓來控制。
其次形成抗蝕劑掩模306。然后利用該抗蝕劑掩模對鋁膜進(jìn)行圖形刻蝕使之形成用305示出的圖形。這樣就得到圖2(B)示出的狀態(tài)。
進(jìn)行再一次的陽極氧化。在這里，以3％的草酸水溶液為電解溶液來使用。在該電解溶液中，通過進(jìn)行以鋁的圖形305為陽極的陽極氧化，形成用308示出的多孔狀的陽極氧化膜。
在該工序中，由于在上部存在貼緊性高的抗蝕劑掩模306，故在鋁圖形的側(cè)面有選擇地形成陽極氧化膜308。
可使該陽極氧化膜的膜厚生長到幾微米。在這里，將該膜厚做成6000埃。再有，該生長距離可通過陽極氧化時間來控制。
然后除去抗蝕劑掩模306。其次進(jìn)行再一次的致密的陽極氧化膜的形成。即，再次進(jìn)行上述的以含有3％的酒石酸的乙二醇溶液為電解溶液的陽極氧化。
在該工序中，由于電解溶液進(jìn)入多孔狀的陽極氧化膜308中，故形成用309示出的具有致密的膜質(zhì)的陽極氧化膜。
將該致密的陽極氧化膜309的膜厚做成1000埃。通過外加電壓進(jìn)行該膜厚的控制。
在這里，對露出的氧化硅膜304進(jìn)行刻蝕。而且同時刻蝕熱氧化膜300。該刻蝕利用干法刻蝕。然后，用混合了醋酸、硝酸和磷酸的混合酸除去多孔狀的陽極氧化膜308。這樣就得到圖2(B)示出的狀態(tài)。
在得到圖2(D)的狀態(tài)后，進(jìn)行雜質(zhì)離子的注入。在這里，為了制造N溝型的薄膜晶體管，用等離子摻雜法進(jìn)行P(磷)離子的注入。
在該工序中，形成重?fù)诫s的311和315的區(qū)域及輕摻雜的312和314的區(qū)域。這是因為殘存的氧化硅膜310起到半透過的掩模的作用，注入的離子的一部分在該處受到遮蔽。
然后通過進(jìn)行激光(或使用燈的強光)的照射，進(jìn)行雜質(zhì)離子注入?yún)^(qū)域的活性化。這樣就以自對準(zhǔn)方式形成源區(qū)311、溝道形成區(qū)313、漏區(qū)315、低濃度雜質(zhì)區(qū)312和314。
在這里，用314示出的是稱為LDD(輕摻雜漏)區(qū)的區(qū)域。(圖2(D))還有，在形成2000埃以上的那樣厚的致密的陽極氧化膜309的膜厚時，可用該膜厚在溝道形成區(qū)313的外側(cè)形成補償(offset)柵區(qū)。
在本實施例中也形成補償(offset)柵區(qū)，但由于其尺寸較小，故其存在引起的影響較小，而且由于圖面變得復(fù)雜，故在圖中未示出。
還有，在形成2000埃以上的那樣厚的致密的陽極氧化膜309的膜厚時，由于需要200V以上的外加電壓，故涉及重復(fù)性和安全性等，有必要加以注意。
其次，形成氧化硅膜、或氮化硅膜、或其疊層膜作為層間絕緣膜316。也可使用在氧化硅膜或氮化硅膜上用樹脂材料構(gòu)成的層作為層間絕緣膜。
然后進(jìn)行接觸孔的形成，進(jìn)行源電極317和漏電極318的形成。這樣就完成了圖3(E)示出的薄膜晶體管。
本實施例中示出的TFT可得到在以往不能得到的極為良好的特性。
例如，在NTFT(N溝型的TFT)中，可得到遷移率為200～300(cm2/Vs)，S值為75～90(mV/dec)(VD＝1V)這樣的高性能。在PTFT(P溝型的TFT)中，可得到遷移率為120～180(cm2/Vs)，S值為75～100(mV/dec)(VD＝1V)這樣的高性能。
特別是S值，與以往的高溫多晶硅TFT和低溫多晶硅TFT的值比較，是1/2以下的令人驚異的良好的值。
〖實施例2〗本實施例涉及在實施例1中示出的構(gòu)成中對柵絕緣膜的形成方法加以改進(jìn)的例子。
圖3中示出本實施例的制造工序。首先按照圖1(A)和(B)中示出的工序得到具有橫向生長區(qū)域的結(jié)晶性硅膜208。還有，在這里將起始膜的非晶硅膜做成500埃。
在得到結(jié)晶性硅膜后，通過在含有3％的HCl的氧氣氛中用電熱爐進(jìn)行950℃、30分鐘以上的加熱處理，形成厚度為200埃的熱氧化膜209。(圖3(A))其次除去熱氧化膜209。然后，通過進(jìn)行圖形刻蝕，形成以后將成為薄膜晶體管的有源層的圖形210。(圖3(B))其次通過等離子CVD法，形成厚度為1000埃的柵絕緣膜304。(圖3(C))其次通過在含有3％的HCl的氧氣氛中用電熱爐進(jìn)行950℃、30分鐘以上的加熱處理，形成厚度為300埃的熱氧化膜211。(圖3(D))此時，熱氧化膜在CVD氧化膜304的內(nèi)側(cè)生長，在圖3(D)所示的狀態(tài)下進(jìn)行成膜。
所形成的熱氧化膜的膜厚的總計比最終的結(jié)晶性硅膜的膜厚要厚。
在采用本實施例示出的制造工序時，柵絕緣膜用熱氧化膜211和CVD氧化膜304的疊層膜來構(gòu)成。
在采用本實施例示出的制造工序時，可使柵絕緣膜與有源層的界面處的界面態(tài)密度變低。
〖實施例3〗本實施例示出有源矩陣型的液晶顯示裝置的有源矩陣電路部分的制造工序。
圖4中示出本實施例的制造工序的概略。首先，按照圖1和圖2示出的工序得到圖2(D)示出的狀態(tài)。(圖4(A)示出的狀態(tài))其次用等離子CVD法形成厚度為2000埃的氮化硅膜401作為第一層間絕緣膜。再用旋轉(zhuǎn)涂敷法形成聚酰亞胺膜402。這樣，得到圖4(B)中示出的狀態(tài)。再有，除了聚酰亞胺以外可利用聚酰胺、聚酰亞胺酰胺(polyimideamide)作為樹脂材料。
其次形成到達(dá)源區(qū)311和漏區(qū)315的接觸孔，形成源電極403和漏電極403。這些電極用鈦膜和鋁膜和鈦膜的疊層膜來形成。還有，源電極403作為從源線延伸的電極來形成。(圖4(C))漏電極403的一部分作為用于形成輔助電容的電極來形成。
在形成源和漏電極后，形成聚酰亞胺膜404作為第二層間絕緣膜。這樣得到圖4(C)示出的狀態(tài)。
其次在樹脂層間絕緣膜404中形成開口，在形成用鈦膜和鋁膜的疊層膜構(gòu)成的黑色矩陣(BM)405。該黑色矩陣405除了原來的作為遮光膜的功能外，起到作為用于形成輔助電容的電極的功能。
形成黑色矩陣405后，形成聚酰亞胺樹脂膜406作為第三層間絕緣膜。然后，形成通向漏電極403的接觸孔，形成用ITO構(gòu)成的象素電極407。
這樣就能得到在起到輔助電容的功能的黑色矩陣405的圖形與象素電極407的圖形之間夾著聚酰亞胺樹脂膜406的結(jié)構(gòu)。
〖實施例4〗本實施例是在實施例1示出的構(gòu)成中對柵電極或由柵電極延伸的柵極布線的接觸孔的形成方法進(jìn)行改進(jìn)的例子。
在實施例1(參照圖2)或?qū)嵤├?示出的構(gòu)成中，成為用柵電極的側(cè)面和上面具有致密的膜質(zhì)的陽極氧化膜覆蓋的狀態(tài)。
這種結(jié)構(gòu)在形成以鋁為材料的電極時，對于抑制突起、抑制布線之間的短路具有很大的效果。
但是存在因其牢固的膜質(zhì)的緣故接觸孔的形成比較困難的問題。
本實施例涉及解決該問題的構(gòu)成。圖5示出本實施例的制造工序。
首先，如圖5(A)所示，得到由結(jié)晶性硅膜構(gòu)成的有源層圖形210。然后，得到熱氧化膜211與CVD氧化膜304疊層的狀態(tài)。
在這里，采用首先形成CVD氧化膜，其后形成熱氧化膜的工序。
得到圖5(A)示出的狀態(tài)后，形成鋁膜，再形成厚度為500埃的氮化硅膜。然后，用光致抗蝕劑掩模306進(jìn)行圖形刻蝕，得到形成了305中示出的鋁圖形和其上的氮化硅膜501的狀態(tài)。(圖5(B))在得到圖5(B)示出的狀態(tài)后，在配置了光致抗蝕劑掩模306的狀態(tài)下形成多孔狀的陽極氧化膜308，再形成具有致密的膜質(zhì)的陽極氧化膜309。
這些陽極氧化膜只在構(gòu)成柵電極的鋁圖形307的側(cè)面有選擇地形成。這是因為在鋁圖形的上面已存在氮化硅膜501的緣故。
陽極氧化膜的形成結(jié)束后，除去光致抗蝕劑掩模306。然后再除去露出的氧化硅膜304，再除去熱氧化膜211的一部分。
這樣就得到了圖5(C)示出的狀態(tài)。得到圖5(C)的狀態(tài)后，除去光致抗蝕劑掩模306，再除去多孔狀的陽極氧化膜308。
然后，再除去氮化硅膜501。這樣得到圖5(D)示出的狀態(tài)。在該狀態(tài)下用等離子摻雜法進(jìn)行賦予導(dǎo)電類型的雜質(zhì)的摻雜。
其結(jié)果是以自對準(zhǔn)的方式形成源區(qū)311、低濃度雜質(zhì)區(qū)312和314、溝道區(qū)313、漏區(qū)315。
雜質(zhì)的摻雜結(jié)束后，通過進(jìn)行激光的照射，進(jìn)行摻雜時產(chǎn)生的損傷的退火和所摻雜的雜質(zhì)的活性化。
這樣就得到圖5(D)所示的狀態(tài)。其次形成層間絕緣膜502。然后形成接觸孔，形成源電極317、柵引出電極503、漏電極318，得到圖5(E)示出的狀態(tài)。
在該工序中，通向柵電極307的接觸孔的形成由于在柵電極的上面不存在陽極氧化膜，故能比較容易地進(jìn)行。
還有，在圖中是以在相同的截面上形成源/漏電極和柵電極那種方式來記述的，但實際上柵引出電極在從柵電極307延伸部分處形成。
〖實施例5〗本實施例是在實施例1示出的構(gòu)成中利用玻璃基板作為基板的例子。
本實施例中利用變形點為667℃的康寧1737玻璃基板作為基板。而且將用于結(jié)晶化的加熱處理在600℃、4小時的條件下進(jìn)行。
將用于熱氧化膜的形成的加熱處理在含有3％的HCl的氧氣氛中使用電熱爐的640℃的條件下進(jìn)行。此時，所形成的熱氧化膜的膜厚在處理時間2小時的情況下為約30埃。此時，與加入實施例1中示出的那種950℃的加熱處理時相比，其效果很小。
〖實施例6〗本實施例是在實施例1示出的構(gòu)成中熱氧化膜形成時的氣氛中不含有HCl的情況下的例子。此時，與氣氛中含有HCl的情況相比，鎳的吸雜效果較小。
〖實施例7〗本實施例是在實施例1示出的構(gòu)成中在熱氧化膜的形成后進(jìn)行激光的照射時的例子。這樣做的話，可進(jìn)一步有助于結(jié)晶化。
〖實施例8〗本實施例是示出利用了TFT的半導(dǎo)體裝置的例子。圖8中示出各種半導(dǎo)體裝置的例子。
圖8(A)中示出的是稱之為攜帶式信息終端的裝置，在主機2001中具備的有源矩陣型的液晶顯示裝置2005中可將需要的信息從內(nèi)部的存儲裝置調(diào)出并進(jìn)行顯示，或可利用電話線顯示所訪問的信息。
作為顯示裝置的一種形態(tài)，也可考慮利用有源矩陣型的EL顯示裝置。在構(gòu)成顯示裝置的有源矩陣電路與同一基板上，各種信息處理電路、存儲電路做成集成化電路2006并利用TFT進(jìn)行集成化。
此外，在主機2001上設(shè)有攝像機部分2002，通過對操作開關(guān)2004進(jìn)行操作，可攝入所需要的圖象信息。用攝像機部分2002攝入的圖象從圖象接受部分2003攝入裝置內(nèi)。
圖8(B)示出的是稱之為頭載顯示器的顯示裝置。該裝置將主機2101裝于頭部，借助于兩個有源矩陣型液晶顯示2102，具有在眼前幾個厘米的部位處顯示圖象的功能。在該裝置中能以虛擬現(xiàn)實的方式見到圖象。
圖8(C)示出的是車輛導(dǎo)航系統(tǒng)。該裝置使用由天線2204接收的來自人造衛(wèi)星的信號，具有監(jiān)測位置的功能。而且在有源矩陣型的液晶顯示裝置上顯示監(jiān)測的位置。并且，顯示信息的選擇通過操作開關(guān)2203來進(jìn)行。
再者，可利用有源矩陣型的EL顯示裝置來代替液晶顯示裝置。
圖8(D)示出的是攜帶式電話的例子。該裝置的主機2301中設(shè)有天線2306，并設(shè)有聲音輸入部分2303和聲音輸入部分2302。
在打電話時，通過操作操作開關(guān)2305來進(jìn)行。并且，在顯示裝置上顯示各種圖象信息。作為攜帶型的顯示裝置，利用有源矩陣型的液晶顯示裝置或有源矩陣型的EL顯示裝置。
圖8(E)示出的是攜帶型的電視攝像機。該裝置具備將由圖象接收部分2406攝入的圖象存儲于主機2401內(nèi)放置的磁帶的功能。
在集成化電路2407中對圖象來進(jìn)行各種數(shù)字處理。該集成化電路2407可由將以往利用的IC芯片組合起來的電路來構(gòu)成，也可使用本說明書公開的那種TFT來構(gòu)成。并且可用上述電路和TFT的組合來構(gòu)成。
用圖象接收部分2406接收的圖象和內(nèi)部的磁帶中存儲的圖象，在有源矩陣型的液晶顯示裝置2402中進(jìn)行顯示。裝置的操作通過操作開關(guān)2404來進(jìn)行。另外，裝置的電力通過電池2405來供給。
圖8(F)示出的是投影型的顯示裝置。該裝置具有將由主機2501投影的圖象在屏幕上顯示的功能。
在主機2501上設(shè)有光源2502、將來自該光源的光進(jìn)行光調(diào)制而形成圖象的有源矩陣型的液晶顯示裝置2503、用于對圖象進(jìn)行投影的光學(xué)系統(tǒng)2504。
再有，作為液晶顯示裝置的形式，除了(B)中示出的裝置之外，可利用透射型或反射型的形式的任一種。
將利用本說明書中公開的發(fā)明而得到的PTFT和NTFT組合起來構(gòu)成9級環(huán)形振蕩器時，可進(jìn)行400MHz以上的振蕩。
一般來說，如考慮用環(huán)形振蕩器的振蕩頻率的10％進(jìn)行實際電路的設(shè)計的話，則用上述的TFT應(yīng)該可構(gòu)成在約40MHz頻率下工作的電路。
因此，通過利用本說明書中公開的發(fā)明，可得到能構(gòu)成要求高速工作(一般是幾十MHz以上的工作速度)的電路的薄膜晶體管。
特別是關(guān)于S值，可得到100(mV/dec)以下的、可與利用單晶硅晶片制造的MOS型晶體管比美的特性。
通過利用本說明書中公開的發(fā)明，可提供用TFT將要求各種高速工作的電路在同一基板上進(jìn)行集成化的構(gòu)成。并可提供其制造方法。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，該裝置的特征在于這是一種利用了將在具有絕緣表面的基板上形成的結(jié)晶性硅膜作為有源層的薄膜晶體管的半導(dǎo)體裝置；該結(jié)晶性硅膜在預(yù)定的方向上具有帶有連續(xù)性的結(jié)晶結(jié)構(gòu)，并在上述預(yù)定的方向上具有延伸的結(jié)晶粒界；在上述薄膜晶體管中，將聯(lián)結(jié)源區(qū)和漏區(qū)的方向與上述預(yù)定方向形成為具有一個預(yù)定角度。
2.一種半導(dǎo)體裝置，該裝置的特征在于這是一種利用了將在具有絕緣表面的基板上形成的結(jié)晶性硅膜作為有源層的薄膜晶體管的半導(dǎo)體裝置；該結(jié)晶性硅膜在預(yù)定的方向上具有帶有連續(xù)性的結(jié)晶結(jié)構(gòu)，并在上述預(yù)定的方向上具有延伸的結(jié)晶粒界；在上述薄膜晶體管中，將溝道區(qū)的載流子移動方向與上述預(yù)定方向形成為具有一個預(yù)定角度。
3.一種半導(dǎo)體裝置，該裝置的特征在于這是一種利用了將在具有絕緣表面的基板上形成的結(jié)晶性硅膜作為有源層的薄膜晶體管的半導(dǎo)體裝置；該結(jié)晶性硅膜在預(yù)定的方向上具有帶有晶格的連續(xù)性的結(jié)晶結(jié)構(gòu)，并在與上述預(yù)定的方向成直角或大體直角的方向上具有晶格的連續(xù)性受到損害的結(jié)晶結(jié)構(gòu)；在上述薄膜晶體管中，將聯(lián)結(jié)源區(qū)和漏區(qū)的方向與上述預(yù)定方向形成為具有一個預(yù)定角度。
4.一種半導(dǎo)體裝置，該裝置的特征在于這是一種利用了將在具有絕緣表面的基板上形成的結(jié)晶性硅膜作為有源層的薄膜晶體管的半導(dǎo)體裝置；該結(jié)晶性硅膜在預(yù)定的方向上具有帶有晶格的連續(xù)性的結(jié)晶結(jié)構(gòu)，并在與上述預(yù)定的方向成直角或大體直角的方向上具有晶格的連續(xù)性受到損害的結(jié)晶結(jié)構(gòu)；在上述薄膜晶體管中，將溝道區(qū)的載流子移動方向與上述預(yù)定方向形成為具有一個預(yù)定角度。
5.一種半導(dǎo)體裝置，該裝置的特征在于這是一種利用了將在具有絕緣表面的基板上形成的結(jié)晶性硅膜作為有源層的薄膜晶體管的半導(dǎo)體裝置；該結(jié)晶性硅膜在結(jié)晶粒界的延伸方向上具有各向異性；在上述薄膜晶體管中，將聯(lián)結(jié)源區(qū)和漏區(qū)的方向與上述延伸方向形成為具有一個預(yù)定角度。
6.一種半導(dǎo)體裝置，該裝置的特征在于這是一種利用了將在具有絕緣表面的基板上形成的結(jié)晶性硅膜作為有源層的薄膜晶體管的半導(dǎo)體裝置；該結(jié)晶性硅膜在結(jié)晶粒界的延伸方向上具有各向異性；在上述薄膜晶體管中，將溝道區(qū)中載流子的移動方向與上述延伸方向形成為具有一個預(yù)定角度。
7.按照權(quán)利要求1至權(quán)利要求6之一的半導(dǎo)體裝置，其特征在于上述預(yù)定角度是0度或大體0度。
8.按照權(quán)利要求1至權(quán)利要求6之一的半導(dǎo)體裝置，其特征在于在結(jié)晶性硅膜中添加有助于硅的結(jié)晶化的金屬元素。
9.按照權(quán)利要求8的半導(dǎo)體裝置，其特征在于利用鎳(Ni)作為有助于硅的結(jié)晶化的金屬元素。
10.按照權(quán)利要求9的半導(dǎo)體裝置，其特征在于以1×1014原子/cm3～5×1018原子/cm3的濃度含有鎳元素。
11.按照權(quán)利要求9的半導(dǎo)體裝置，其特征在于以1×1016原子/cm3～5×1017原子/cm3的濃度含有鎳元素。
12.按照權(quán)利要求8的半導(dǎo)體裝置，其特征在于利用從Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Au等中選出的一種或多種金屬作為有助于硅的結(jié)晶化的金屬元素。
13.按照權(quán)利要求8的半導(dǎo)體裝置，其特征在于有助于硅的結(jié)晶化的金屬元素具有朝向結(jié)晶性硅膜的表面和/或背面含有濃度變高的濃度分布。
14.按照權(quán)利要求8的半導(dǎo)體裝置，其特征在于結(jié)晶性硅膜中含有鹵素元素，該鹵素元素具有朝向結(jié)晶性硅膜的表面和/或背面含有濃度變高的濃度分布。
15.按照權(quán)利要求1至權(quán)利要求6的半導(dǎo)體裝置，其特征在于結(jié)晶性硅膜的膜厚是100?！?50埃。
16.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征是具有在具有絕緣表面的基板上形成非晶硅膜的工序；在上述非晶硅膜上局部地有選擇地導(dǎo)入有助于硅的結(jié)晶化的金屬元素的工序；進(jìn)行加熱處理，在與基板平行的方向上從有選擇地導(dǎo)入了金屬元素的區(qū)域朝向其他區(qū)域進(jìn)行結(jié)晶生長的工序；通過在含有鹵族元素的氧化性氣氛中進(jìn)行800℃～1100℃下的加熱處理來形成熱氧化膜的工序；除去上述熱氧化膜的工序；以及具有使聯(lián)結(jié)源區(qū)與漏區(qū)的方向與進(jìn)行上述結(jié)晶生長的方向一致或大體一致的工序。
17.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征是具有在具有絕緣表面的基板上形成非晶硅膜的工序；在上述非晶硅膜上局部地有選擇地導(dǎo)入有助于硅的結(jié)晶化的金屬元素的工序；進(jìn)行加熱處理，在與基板平行的方向上從有選擇地導(dǎo)入了金屬元素的區(qū)域朝向其他區(qū)域進(jìn)行結(jié)晶生長的工序；通過在含有鹵族元素的氧化性氣氛中進(jìn)行800℃～1100℃下的加熱處理來形成熱氧化膜的工序；除去上述熱氧化膜的工序；以及具有使溝道區(qū)中的載流子的移動方向與進(jìn)行上述結(jié)晶生長的方向一致或大體一致的工序。
18.按照權(quán)利要求16或權(quán)利要求17的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于利用鎳(Ni)作為有助于硅的結(jié)晶化的金屬元素。
19.按照權(quán)利要求16或權(quán)利要求17的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于利用從Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Au等中選出的一種或多種金屬作為有助于硅的結(jié)晶化的金屬元素。
20.按照權(quán)利要求1至權(quán)利要求6的半導(dǎo)體裝置，其特征在于在特定方向上結(jié)晶結(jié)構(gòu)延伸的上述結(jié)晶體的寬度是500-2000埃。
21.按照權(quán)利要求16至權(quán)利要求17的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在特定方向上結(jié)晶結(jié)構(gòu)延伸的上述結(jié)晶體的寬度是500-2000埃。
22.按照權(quán)利要求1至權(quán)利要求6的半導(dǎo)體裝置，其特征在于在特定方向上結(jié)晶結(jié)構(gòu)延伸的上述結(jié)晶體的寬度從約等于膜厚到2000埃。
23.按照權(quán)利要求16至權(quán)利要求17的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于在特定方向上結(jié)晶結(jié)構(gòu)延伸的上述結(jié)晶體的寬度從約等于膜厚到2000埃。
24.權(quán)利要求16至權(quán)利要求17中，上述熱氧化膜的膜厚的總計比最終的結(jié)晶性硅膜的膜厚要厚。
全文摘要
本發(fā)明的目的是要得到具有良好的特性的薄膜晶體管。使非晶硅膜203的特定的區(qū)域205保持有選擇地與鎳元素相接。然后通過加熱處理，進(jìn)行用207示出的那種朝向與基板平行的方向的結(jié)晶生長。再通過在含有鹵素元素的氧化性氣氛中的加熱處理，形成熱氧化膜209。此時，進(jìn)行結(jié)晶性的改善、鎳元素的吸雜。然后使上述結(jié)晶生長方向與源/漏區(qū)的聯(lián)結(jié)方向一致來制造薄膜晶體管。通過這樣做，可得到遷移率為200(cm
文檔編號H01L21/84GK1163490SQ9710228
公開日1997年10月29日 申請日期1997年1月20日 優(yōu)先權(quán)日1996年1月19日
發(fā)明者山崎舜平, 寺本聰, 小山潤, 尾形靖, 早川昌彥, 納光明, 大谷久, 濱谷敏次 申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所