專利名稱：在使用單臺(tái)設(shè)備的密閉環(huán)境中用作集成電路的探測(cè)、測(cè)試、老化、修復(fù)和編程的方法及設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及測(cè)試設(shè)備而更詳細(xì)地涉及集成電路的探測(cè)、測(cè)試、老化、修復(fù)、編程和分類的設(shè)備。
在通常的半導(dǎo)體裝備技術(shù)中，需要分立的各臺(tái)設(shè)備來(lái)進(jìn)行測(cè)試、老化、修復(fù)、編程集成電路(IC)和使集成電路分類。為了封裝，使用稱為探測(cè)器的鎢探針卡、晶片定位裝置，和向探針卡輸送測(cè)試信號(hào)并確定一些輸出信號(hào)的有效性的自動(dòng)測(cè)試(ATE)測(cè)試或篩選成晶片狀的集成電路。探針卡是提供與IC上的接觸點(diǎn)瞬時(shí)接觸以便測(cè)試IC的一種機(jī)械方式的連接器。探針卡只可以接觸單個(gè)管芯，但是如果存儲(chǔ)器IC組成管芯，那么探針卡一般可以接觸八個(gè)或更多的管芯。管芯一般由一個(gè)IC組成，它可以包含復(fù)雜的IC。通常的探針卡不具備一次接觸在晶片上所有的管芯的能力。
IC在使用或者出售前一般是經(jīng)老化和速度分級(jí)。電路器件的老化要求長(zhǎng)時(shí)間測(cè)試處于惡劣溫度環(huán)境和帶電狀態(tài)下的器件。在IC被接入電子組件例如多芯片組件(MCM)或其他IC的印刷電路板(PCB)以后，為了減少發(fā)生故障的可能性，而使IC老化。一般是在IC封裝以后進(jìn)行IC的老化。但處理封裝前管芯的所謂無(wú)封裝管芯老化的老化定位器開始更為有用了。不管IC是成封裝形式還是成管芯形式，用分立的一臺(tái)設(shè)備來(lái)老化IC。在IC被老化后用自動(dòng)測(cè)試設(shè)備使IC速度分級(jí)或分類。分類是根據(jù)IC的性能特點(diǎn)使IC分類的工序。
當(dāng)IC還是大晶片形式而又有破壞IC的功能性的缺陷時(shí)，可以通過(guò)去除部分沉積層(例如多晶硅層或金屬鋁層)修復(fù)IC。一般用激光切割機(jī)來(lái)進(jìn)行電路修復(fù)。如果IC為存儲(chǔ)器電路陣列，那么還需要其他的機(jī)器通過(guò)熔合和熔斷在存儲(chǔ)器電路陣列范圍內(nèi)的電路，編程存儲(chǔ)器電路陣列。在IC修復(fù)后，IC必須重新測(cè)試。
提供能夠進(jìn)行以前用分立的各臺(tái)設(shè)備所作的上述所有的功能的單臺(tái)設(shè)備有助于減少基本設(shè)備費(fèi)和IC老化、測(cè)試、修復(fù)和/或編碼需要的步驟數(shù)目，因此是本發(fā)明的目的。
通過(guò)獨(dú)立權(quán)利要求1和23的探測(cè)電路的系統(tǒng)和通過(guò)獨(dú)立權(quán)利要求19的制作電路的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)這個(gè)目的。
根據(jù)權(quán)利要求和描述以及附圖，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)、情況和細(xì)節(jié)是顯而易見的。一般來(lái)說(shuō)，權(quán)利要求書被理解用來(lái)作為確定本發(fā)明范圍的基本的、非限制的手段。
本發(fā)明提供能夠執(zhí)行包括減少在接觸點(diǎn)上氧化層的厚度以及集成電路的探測(cè)、測(cè)試、老化、修復(fù)、編程、標(biāo)記和分類等多功能的單一的氣體密閉系統(tǒng)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的系統(tǒng)一般包括；(a)氣體密閉工作室，內(nèi)有(1)一個(gè)或許多個(gè)組件(艙)，每個(gè)組件(module)有固定定位器、晶片、探測(cè)裝置、其他的處理裝置例如管芯上墨水線或修復(fù)的裝置、電子線路板和溫度控制器，(2)輸送非氧化性氣體例如氮?dú)夂蜌錃饷荛]室的氣體源，(3)移動(dòng)晶片和探測(cè)或其他處理的裝置的近距離操縱機(jī)械手，和(b)與工作室連接用于控制近距離操縱機(jī)械手、溫度控制器、固定定位器、探測(cè)和其他處理裝置并與其通信的計(jì)算機(jī)。
固定定位器吸住具有集成電路的晶片并使晶片對(duì)準(zhǔn)探測(cè)裝置或其他的處理裝置。集成電路有許多導(dǎo)電接觸部分，一般稱之為接觸I/O或焊接點(diǎn)，接觸I/O或焊接點(diǎn)能與探測(cè)裝置的探針連接。在氧化物還原過(guò)程期間通過(guò)溫度控制器來(lái)加熱晶片，當(dāng)工作室內(nèi)存在氫氣并加熱晶片時(shí)，晶片上的氧化物與氫化合生成水汽。因而減小氧化層的厚度。在晶片的老化期間也可以用溫度控制器來(lái)加熱或冷卻晶片。
探測(cè)裝置可以有許多探針或是單探針。探測(cè)裝置可以是具有有源開關(guān)邏輯電路的全晶片探測(cè)裝置，以提供與晶片上各個(gè)集成電路的可控的接觸，可選擇地產(chǎn)生測(cè)試管芯所要求的一些或所有的測(cè)試信號(hào)。
計(jì)算機(jī)能夠建立具有有關(guān)晶片形成的每個(gè)電路和在晶片上點(diǎn)定位的各種狀態(tài)信息的計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)庫(kù)。數(shù)據(jù)庫(kù)能夠及時(shí)提供電路制造工程或工藝工程的性能分布統(tǒng)計(jì)資料和物理分布統(tǒng)計(jì)資料，以致對(duì)制造工藝能進(jìn)行調(diào)整。通過(guò)使用數(shù)據(jù)庫(kù)，可以修正那些緩慢變?yōu)槊撾x技術(shù)規(guī)格而影響產(chǎn)品質(zhì)量的工藝步驟。因此，對(duì)制造工藝過(guò)程進(jìn)行近實(shí)時(shí)調(diào)整的能力，通過(guò)減少不符合技術(shù)要求的產(chǎn)品的數(shù)量，將能達(dá)到節(jié)省。
本發(fā)明提供單一的半導(dǎo)體測(cè)試和電路構(gòu)形設(shè)備能進(jìn)行下列的任一個(gè)或所有的步驟(a)通過(guò)把第一種非氧化性氣體例如氮?dú)廨斔偷焦ぷ魇摇⒓訜峤佑|焊接點(diǎn)并把第二種非氧化性氣體例如氫氣輸送到工作室以使氧化物能與氫化合生成水汽來(lái)減小在晶片上的集成電路接觸焊接點(diǎn)上氧化層的厚度，(b)用探測(cè)裝置探測(cè)接觸焊接點(diǎn)，(c)測(cè)試集成電路的功能性，(d)在預(yù)定的時(shí)間周期內(nèi)在預(yù)定的溫度范圍內(nèi)在預(yù)定的溫度變化速率和帶電的狀態(tài)下老化集成電路，(e)形成測(cè)試向量式數(shù)據(jù)并分析從集成電路采集的數(shù)據(jù)，(f)修復(fù)集成電路，(g)通過(guò)熔合或熔斷在集成電路內(nèi)特定的電路，編程集成電路，(h)在晶片上劃標(biāo)記或打印，(i)根據(jù)集成電路的性能特點(diǎn)使集成電路分類，和(j)用于直接反饋到生產(chǎn)工藝的數(shù)據(jù)庫(kù)集。
根據(jù)結(jié)合附圖進(jìn)行的下面詳細(xì)的描述，本發(fā)明的進(jìn)一步的特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將顯而易見，在附圖中

圖1是根據(jù)本發(fā)明的多功能半導(dǎo)體測(cè)試和電路構(gòu)形系統(tǒng)。
圖2是圖1所示的組件中的一個(gè)組件。
圖3是具有許多集成電路的晶片。
圖4是根據(jù)本發(fā)明說(shuō)明減小集成電路接觸焊接點(diǎn)上氧化物薄層的厚度的步驟和測(cè)試、老化集成電路以及使集成電路構(gòu)形、分類的步驟。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖1所示的計(jì)算機(jī)的詳細(xì)方塊圖。
本發(fā)明提供在使用單臺(tái)設(shè)備的密閉環(huán)境中進(jìn)行集成電路的測(cè)試、老化、修復(fù)、編程和分類的方法和設(shè)備。在下面的詳細(xì)描述中，陳述許多具體的細(xì)節(jié)，例如詳細(xì)的硬件配置和對(duì)本發(fā)明達(dá)到充分理解的工藝流程。然而，本領(lǐng)域一般技術(shù)人員可以沒(méi)有這樣的具體細(xì)節(jié)而實(shí)施本發(fā)明。在其他情況下，不描述眾所周知的結(jié)構(gòu)和方法以免不必要地使本發(fā)明模糊不清。
現(xiàn)在參閱圖1，表示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體測(cè)試和電路構(gòu)形系統(tǒng)5，系統(tǒng)5是一種成串設(shè)備。系統(tǒng)5包括工作室10和計(jì)算機(jī)30。工作室10包括許多處理晶片用的組件14a-14e、用于移動(dòng)晶片和探測(cè)裝置的近距離操縱機(jī)械手(handler)12和保存許多晶片用的晶片盒22。
不言而喻，雖然具體的細(xì)節(jié)陳述了半導(dǎo)體晶片工藝，但是本發(fā)明可以用于處理其他的襯底。本發(fā)明能夠處理的其他的襯底、電路襯底種類或襯底組件是可以用各種材料例如AlN、SiC、石英、玻璃或鉆石制成的多芯片組件和平板顯示襯底。
圖1所示的工作室10包括許多組件。雖然圖1中表示5個(gè)組件，但是工作室10可以包括更多的組件或者較少的組件。由于通常一個(gè)晶片盒保存25片晶片，所以可以使工作室包含同時(shí)處理25片晶片的25個(gè)組件。應(yīng)該指出，每個(gè)組件可以執(zhí)行同樣的功能(或一些功能)。例如，所有的組件可以在同一時(shí)間按相同的順序進(jìn)行IC的功能測(cè)試、老化和修復(fù)。另一方面，組件可以執(zhí)行不同的功能、例如，在組件14a執(zhí)行功能測(cè)試的同時(shí)組件14b可以進(jìn)行IC的編程。此外，組件也可以獨(dú)立地并按任一指令執(zhí)行每個(gè)功能，例如在沒(méi)有老化處理的情況下執(zhí)行測(cè)試功能或者在其他工藝步驟的前后執(zhí)行測(cè)試功能。
工作室10可以是一種閉式系統(tǒng)或者是一種開式系統(tǒng)。在工作室10是閉式系統(tǒng)時(shí)，工作室10是氣體密閉系統(tǒng)，不允許氣體分子越過(guò)工作室邊界24。工作室10里面的壓力可以大于大氣壓力或是等于大氣壓力或小于大氣壓力。在實(shí)施例中，工作室10包含氣體源20，其中氣體源20能使非氧化性氣體例如氮?dú)夂蜌錃廨斎氲焦ぷ魇?0。將如下文所描述的那樣，具有非氧化性氣氛是有利于在探測(cè)裝置和集成電路的接觸焊接點(diǎn)之間形成良好的接觸。
在另一個(gè)實(shí)施例中會(huì)看到在工作室10中的每個(gè)組件是處于單獨(dú)的不透氣的封閉的環(huán)境中。在這樣的情況下，每個(gè)組件可以具有關(guān)上而隔絕組件的溫度和氣氛的裝料蓋并且每個(gè)組件能裝有單獨(dú)的氣體源。例如一個(gè)組件可以充有氮?dú)夂蜏p小金屬氧化層厚度的氫氣，同時(shí)另一個(gè)組件可以只含有執(zhí)行另一個(gè)功能例如IC上功能測(cè)試的氮?dú)狻?br> 圖1中的近距離操縱機(jī)械手12可以是一種在晶片盒22和固定定位器之間或在固定定位器之間移動(dòng)晶片15以及在變換晶片種類時(shí)更換探測(cè)裝置的自動(dòng)裝置。近距離操縱機(jī)械手12具有同時(shí)移動(dòng)許多片晶片的能力。應(yīng)該指出可以用人工代替使用近距離操縱機(jī)構(gòu)手12來(lái)裝載晶片。
圖2表示組件14a′。組件14a′與圖1中的組件14a是一樣的，除此以外組件14a′裝有氣體源51。由于組件14a-14e是一樣的，所以對(duì)組件14a-14e不用個(gè)別描述。圖2中的組件14a′包括具有用于探測(cè)接觸在晶片40上和與電子線路板18a連接的IC布線50上焊接點(diǎn)的探針的探測(cè)裝置42。固定定位器16a有許多用于使晶片往下抽吸到固定定位器上的真空孔和用于控制襯底40溫度的熱控制裝置48。組件14a′還包括用于使非氧化性氣體輸入到組件14a′的氣體源50。
晶片40包括許多如圖3所示的集成電路(IC)64a-68l。每個(gè)IC包括許多導(dǎo)電接觸部分例如接觸焊接點(diǎn)66(在圖3中沒(méi)有表示出所有的接觸焊接點(diǎn))。導(dǎo)電接觸部分不限于接觸焊接點(diǎn)，可以包括曝露在晶片上的各種類型的金屬部分。通過(guò)用鋁制成導(dǎo)電接觸部分。但是，可以用各種其他種類的金屬組成導(dǎo)電接觸部分。在晶片40上的IC可以有不同的規(guī)模而接觸焊接點(diǎn)也可以大小不一。在圖2中的晶片40可以代表如圖3所示的整片晶片或者部分晶片。在最佳實(shí)施例中，晶片40是完整的晶片。晶片40可以是硅晶片、GaAs晶片或者任一種其他的半導(dǎo)體晶片。應(yīng)該注意，晶片40只可以包括簡(jiǎn)單的電路，其中電路可以是無(wú)源電路、有源電路或金屬引線。
繼續(xù)參閱圖2，探測(cè)裝置42可以裝有單探針、少量探針(5-40)或大量探針(約100,000到500,000以上)。在最佳實(shí)施例中，探測(cè)裝置42是全晶片探測(cè)裝置。美國(guó)專利編號(hào)5,103,557和5,323,035發(fā)布該發(fā)明人公開能夠制作全晶片探測(cè)裝置的內(nèi)容，全晶片探測(cè)裝置具有同時(shí)接觸晶片上所有的接觸焊接點(diǎn)的能力。象這樣的探測(cè)裝置中，可以要求探測(cè)接觸針的數(shù)量能夠達(dá)到100,000針。如美國(guó)專利編號(hào)5,103,557所說(shuō)明的那樣，全晶片探測(cè)裝置也能夠包括使晶片中的每個(gè)管芯能被逐一地測(cè)試和/或如果管芯出故障則能被隔離的電路。以上所述如圖2中電路50所示。并且，美國(guó)專利編號(hào)5,354,695公開了通過(guò)使用薄膜電路制作靈活的探測(cè)裝置的制作工藝。IC電路50還提供使到達(dá)和離開探測(cè)裝置的電子信號(hào)連接線的數(shù)量減少到接近與每個(gè)管芯有關(guān)的信號(hào)數(shù)量相同的數(shù)量而連接線的數(shù)量不等于在晶片上的管芯數(shù)量乘每個(gè)管芯信號(hào)數(shù)量的方法。當(dāng)IC電路50裝有有源電路開關(guān)邏輯時(shí)，IC電路提供與晶片上的每個(gè)管芯可控接觸的方法。
使探測(cè)裝置42的IC電路50與連接于圖1中的計(jì)算機(jī)30的電子電路板18a連接。電子電路板18a被用來(lái)作探測(cè)裝置42和計(jì)算機(jī)30之間共用的機(jī)械和通電的接口，以使探測(cè)裝置42能夠接收來(lái)自計(jì)算機(jī)30的控制信號(hào)和把數(shù)據(jù)信號(hào)輸送到計(jì)算機(jī)30。在另一實(shí)施例中，圖1中的工作室10能夠裝有用于所有探測(cè)裝置的一塊電子線路板取代如圖2中所示的每臺(tái)探測(cè)裝置有一塊電子線路板。
探測(cè)裝置42具有專門用于被測(cè)晶片的探針和IC電路50。在變換晶片的種類時(shí)，通過(guò)圖1中的近距離機(jī)械手12能夠用另一種探測(cè)裝置來(lái)替換探測(cè)裝置。雖然探測(cè)裝置42能裝有有源器件開關(guān)電路例如在電子線路板上的晶體管，但是探測(cè)裝置42也可能只裝有無(wú)源電路元件例如電阻器、電感器和電容器。在后面的實(shí)施例中，在探測(cè)裝置的制作復(fù)雜性方面會(huì)有減小，但是從探測(cè)裝置到支撐控制電路的I/0互連線的數(shù)量上會(huì)有增加。在探測(cè)裝置的前一個(gè)實(shí)施例情況中，由于與由電路分布和信號(hào)帶寬的抑制引起的信號(hào)強(qiáng)度下降沒(méi)有關(guān)連，所以能夠以較高的速度進(jìn)行測(cè)試。有源器件天關(guān)電路并入探測(cè)裝置能夠形成靈活而可編程序的探測(cè)裝置。
繼續(xù)參閱圖2，固定定位器16a用于保持住晶片40和使晶片40對(duì)準(zhǔn)探測(cè)裝置48。用圖1中的計(jì)算機(jī)30控制固定定位器16a。在把晶片40放在固定定位器16a上時(shí)，計(jì)算機(jī)30把控制信號(hào)輸入到真空源46，用真空往下吸住靠在固定定位器16a的晶片40，并在晶片40上完成集成電路的測(cè)試、修復(fù)或編程時(shí)可以關(guān)斷真空源以使晶片40能夠與固定定位器16a松開。
計(jì)算機(jī)30也控制溫度控制器48。為了老化晶片40或者從晶片40的接觸焊接點(diǎn)去除氧化層，計(jì)算機(jī)30把控制信號(hào)輸送到溫度控制器48，控制晶片40的溫度。計(jì)算機(jī)30控制和監(jiān)測(cè)晶片40的溫度以致在預(yù)定的時(shí)間周期內(nèi)使晶片40的溫度改變到預(yù)定溫度。計(jì)算機(jī)30通過(guò)使用溫度控制器48也能夠控制晶片40的溫度變化速率。在圖2中，為了控制晶片40的溫度，把溫度控制器48埋在固定定位器16a內(nèi)。然而，用輻射熱或者某種類型的離子束能夠使晶片40加熱。能夠用聚焦離子束加熱晶片40的最需要的一部分或者在晶片40上最需要的特定的接觸焊接點(diǎn)。由于在襯底上所有電路的運(yùn)行可能有超過(guò)要求的老化溫度的附加的熱能產(chǎn)生或者為了希望模擬低溫環(huán)境，也能夠用溫度控制器48來(lái)降低晶片40的溫度?？紤]到溫度低于25℃在襯底上可能產(chǎn)生水汽冷凝，最好能使用上述的氣體密閉系統(tǒng)以便排除大部分水分。用來(lái)控制襯底溫度的通常方法和裝置在技術(shù)上是眾所周知的，因而不作進(jìn)一步描述。
計(jì)算機(jī)30還控制固定定位器16a的移動(dòng)以使固定定位器16a對(duì)準(zhǔn)探測(cè)裝置42。在美國(guó)專利編號(hào)5,103,557和5,345,695中分別公開了有關(guān)晶片40與探測(cè)裝置42對(duì)準(zhǔn)的詳細(xì)說(shuō)明，描述了光和電子傳感器。應(yīng)該指出，為了使探測(cè)裝置42對(duì)準(zhǔn)晶片40可以移動(dòng)探測(cè)裝置42，取代移動(dòng)固定定位器16a。雖然，在最佳實(shí)施例中計(jì)算機(jī)30控制打開和關(guān)斷真空源46、固定定位器16a的移動(dòng)和溫度控制器48的溫度，但是，能夠用人工執(zhí)行象這樣的一些功能。
在功能電路測(cè)試期間，計(jì)算機(jī)30把控制信號(hào)通過(guò)電子線路板18a和IC電路50輸送到探針44。晶片40上的IC響應(yīng)控制信號(hào)產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)，而數(shù)據(jù)信號(hào)被回輸?shù)接?jì)算機(jī)30以便計(jì)算機(jī)30能夠分析數(shù)據(jù)信號(hào)并確定在晶片40上的每個(gè)IC的功能性。
在老化期間，計(jì)算機(jī)30發(fā)送在預(yù)定時(shí)間周期內(nèi)使晶片40加熱或冷卻到特定溫度的控制信號(hào)和探測(cè)裝置42的探針44的通電信號(hào)以使晶片40上的IC被迫處于一定的溫度和帶電的狀態(tài)時(shí)能夠測(cè)試晶片40上的IC。在晶片40上IC產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)，數(shù)據(jù)信號(hào)被輸送到計(jì)算機(jī)30以便分析和判定經(jīng)過(guò)老化測(cè)試的IC。
在功能測(cè)試和老化測(cè)試以后，計(jì)算機(jī)30分析從晶片40上的IC獲得的數(shù)據(jù)并且提供或是為了修復(fù)在晶片40上的IC和/或是為了通過(guò)熔合或熔斷在制成存儲(chǔ)器電路的IC內(nèi)的電路，編程IC的新的控制信號(hào)。例如，為了修復(fù)電路，計(jì)算機(jī)30能夠向探測(cè)裝置42提供控制信號(hào)以使在適當(dāng)位置上的探針之間能夠形成高電壓或者高電流以打通導(dǎo)電通路或一些導(dǎo)電通路。這種修復(fù)方法用在許多地方，包括，但不局限于，排除由于制造缺陷引起的短路、電路的廢棄或恢復(fù)、隔離部分電路和附加冗余或備用的分電路取代從主電路卸下的支電路。為了編程存儲(chǔ)器電路陣列，計(jì)算機(jī)30根據(jù)從晶片40上各個(gè)IC采集的數(shù)據(jù)發(fā)送控制信號(hào)。探測(cè)裝置42的IC電路使探針構(gòu)成能通過(guò)探針直接實(shí)現(xiàn)熔合或熔斷的編程。只讀存儲(chǔ)器電路陣列一般是可編程序只讀存儲(chǔ)器(PROM)或可編程序邏輯陣列(PLA)。
本發(fā)明使單一的半導(dǎo)體測(cè)試和電路構(gòu)形系統(tǒng)能進(jìn)行下列功能中的任一個(gè)或全部功能(a)減少氧化物薄膜的厚度；(b)在集成電路上進(jìn)行功能測(cè)試，(c)在IC上進(jìn)行老化測(cè)試，(d)修復(fù)電路，(e)編程熔合或熔斷，(f)使經(jīng)測(cè)試的IC分類，和(g)用于立即反饋到生產(chǎn)工藝的數(shù)據(jù)庫(kù)集。
第一，本發(fā)明能夠用來(lái)減少在IC的接觸點(diǎn)上氧化物薄膜的厚度。一般IC接觸焊接點(diǎn)是用鋁組成，接觸焊接點(diǎn)一曝露于氧立刻在接觸焊接點(diǎn)的表面上自然地形成25埃到40埃氧化物薄膜。為了在探針和接觸焊接點(diǎn)之間獲得低電阻接觸，如專利5,323,035所述，銳利的探針能夠隨意地刺透上述的氧化物薄膜。在操作中，在晶片被從片盒22移到組件14a中的固定定位器時(shí)，通入非氧化性氣體例如氮?dú)?，直到充滿工作室10和驅(qū)除工作室10中的氧氣。然后使晶片的溫度改變到適合組成接觸焊接點(diǎn)的金屬的特定溫度并使百分之幾體積的氫氣通到晶片表面上可以使在氧化物薄膜與氫氣化合時(shí)能夠使氧化物薄膜轉(zhuǎn)變成水汽。用這樣的工藝可以從接觸焊接點(diǎn)完全除盡氧化物薄膜或者至少會(huì)減小氧化物薄膜的厚度。由于在工作室10中保持氮?dú)夥?，在金屬接觸焊接點(diǎn)的表面上不再形成氧化物，因而在接觸焊接點(diǎn)和探針之間形成較好的接觸。氮?dú)馐莾?yōu)先選用的非氧化性氣體，但是可以用其他氣體例如可以在工作室10中使用氬氣。
第二，本發(fā)明能夠用于集成電路的功能測(cè)試。在接觸焊接點(diǎn)上的氧化物薄膜被除盡或減小厚度，或者接著是被刺透以后，探測(cè)裝置的探針與晶片上的接觸焊接點(diǎn)形成接觸。計(jì)算機(jī)30控制晶片上IC的功能測(cè)試。計(jì)算機(jī)30供給控制信號(hào)，接收從探針?lè)祷氐臄?shù)據(jù)信號(hào)和分析數(shù)據(jù)以判定在晶片上IC是有作用的。
第三，本發(fā)明也能夠進(jìn)行集成電路的老化。在老化期間，在預(yù)定的時(shí)間周期內(nèi)在預(yù)定的溫度范圍內(nèi)和帶電狀態(tài)時(shí)測(cè)試晶片上的集成電路以采集輸送到計(jì)算機(jī)30作分析的老化數(shù)據(jù)。
第四，在從IC獲得數(shù)據(jù)以后，計(jì)算機(jī)30能夠分析數(shù)據(jù)并根據(jù)IC的逐一測(cè)定的最大性能值使集成電路分類或速度分級(jí)。
第五，本發(fā)明也能夠用于修復(fù)電路。計(jì)算機(jī)30能夠把合適的控制信號(hào)輸給探測(cè)裝置的探針以便能夠把合適的電壓或電流施加在探針之間以在電學(xué)上隔離IC的出故障部分或者使用熔合和熔斷電路器件，電連接IC的備用線路部分。在適當(dāng)?shù)那闆r下，如果使探針定位在預(yù)期這種短路故障位置上，則可以斷開電路上的任意的短路。
第六，本發(fā)明提供用于可編程PROM、EEPROM或PLA電路的方法。進(jìn)行編程，一般是在非易失存儲(chǔ)器例如PROM或EEPROM內(nèi)預(yù)置或者存入二進(jìn)制數(shù)值。用測(cè)試/老化工藝形成的序列號(hào)或版本號(hào)和結(jié)構(gòu)或操作參數(shù)也可以編程在微處理機(jī)電路中的小非易失存儲(chǔ)器。也可以編程具有非易失存儲(chǔ)器的邏輯產(chǎn)品例如PLA或FPLA。本發(fā)明也能夠在編程電路后檢驗(yàn)和測(cè)試電路的性能。因而，如果在工作室10中的晶片含有存儲(chǔ)器電路，則計(jì)算機(jī)30把控制信號(hào)輸送到探針，以使探針能把合適的負(fù)載施加到存儲(chǔ)器電路內(nèi)的電路，在修復(fù)和/或編程電路后，能夠?qū)C重新作IC的功能性或老化測(cè)試。同樣，在功能性測(cè)試、老化或線路構(gòu)形以后可以進(jìn)行分類操作。
第七，本發(fā)明提供用處理每一個(gè)電路的各種狀態(tài)信息建立計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)庫(kù)的方法。本發(fā)明能夠在后續(xù)工藝步驟中，例如在修復(fù)或編程步驟中，使用上述的數(shù)據(jù)庫(kù)。數(shù)據(jù)庫(kù)的一個(gè)重要方面是數(shù)據(jù)庫(kù)能夠?yàn)殡娐分圃旃こ袒蚬に嚬こ碳皶r(shí)提供性能分布統(tǒng)計(jì)資料和物理分布統(tǒng)計(jì)資料。不久，在完成封裝后一般是幾個(gè)星期以后，象這樣的資料才不完全有用。本發(fā)明能夠保持上述資料在時(shí)間上的有效性，是以對(duì)制造工藝能進(jìn)行調(diào)整，以致能夠校正緩慢偏離工藝規(guī)程而影響產(chǎn)品質(zhì)量的工藝步驟。通過(guò)減少不符合技術(shù)要求的產(chǎn)品的數(shù)量，對(duì)制造工藝近實(shí)時(shí)調(diào)整的權(quán)能將考慮保存。
圖4表示說(shuō)明本發(fā)明的典型工藝流程的流程圖。在步驟82時(shí)，把具有許多晶片的晶片盒放入工作室。在步驟48時(shí)，關(guān)閉工作室。在步驟86時(shí)，用圖1中的近距離操縱機(jī)械手12把晶片裝到各個(gè)組件。在步驟88時(shí)，使非氧化性氣體例如氮?dú)馔ㄈ牍ぷ魇?0，直到充滿工作室和驅(qū)除工作室中的氧氣和水汽。在步驟90時(shí)，晶片被加熱。在步驟92時(shí)，使百分之幾體積的氫氣通到晶片的表面上。在步驟94時(shí)，在氧化物與氫氣化合時(shí)在晶片中的接觸點(diǎn)上的氧化物薄膜被去除減小厚度。在步驟96時(shí)，阻止氫氣流入工作室10，但是氮?dú)饫^續(xù)被輸送到工作室10以在工作室10中保持氮?dú)鈿夥?。在步驟98時(shí)，為功能測(cè)試和/或帶電老化探測(cè)IC。在步驟100時(shí)，為了或是修復(fù)電路和/或如果電路是非易失存儲(chǔ)器電路，那么為了編程電路可以進(jìn)行電路構(gòu)形。在步驟102時(shí)，能夠?qū)系腎C重新作IC功能性測(cè)試。在步驟104時(shí)，圖1中的計(jì)算機(jī)30能夠分析從IC獲得的數(shù)據(jù)并根據(jù)IC的性能特點(diǎn)使IC分類。在步驟106時(shí)，晶片從固定定位器卸下并放入晶片盒。在步驟108時(shí)，打開工作室，從工作室取出晶片盒。
圖5表示根據(jù)本發(fā)明可以用作圖1中計(jì)算機(jī)30的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。計(jì)算機(jī)主機(jī)1000包括存儲(chǔ)器1008和中央處理機(jī)1002。一般在大部分通用計(jì)算機(jī)和差不多所有的專用計(jì)算機(jī)中找到存儲(chǔ)器1008和中央處理機(jī)1002。事實(shí)上，在計(jì)算機(jī)主機(jī)1000內(nèi)裝有的器件規(guī)定為典型的寬范疇的數(shù)據(jù)處理機(jī)和存儲(chǔ)器。在本發(fā)明中可以使用許多具有各種能力的商用計(jì)算機(jī)。不言而喻，雖然計(jì)算機(jī)30可以包括在本文描述的各種其他部件，但是計(jì)算機(jī)30可能只需要計(jì)算機(jī)主機(jī)1000控制工作室10中的元件。
為計(jì)算機(jī)主機(jī)1000和在工作室10內(nèi)的電子線路互通信息而配置系統(tǒng)總線1016，控制和傳遞數(shù)據(jù)。系統(tǒng)總線1016也可以用來(lái)使計(jì)算機(jī)主機(jī)1000與其他部件連接。例如和本發(fā)明的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)一起使用的顯示器1010，顯示器1010可以是液晶器件、陰極射線管或其他適合形成使用者可認(rèn)出的輪廓鮮明的圖象和/或字母數(shù)字字符的顯示器。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)還可以包括數(shù)字字母輸入器1012，數(shù)字字母輸入器1012包括用于對(duì)中央處理機(jī)互通信息和命令選擇的與總線1016連接的數(shù)字字母鍵和功能鍵，以及根據(jù)使用者的手動(dòng)作向中央處理機(jī)1002傳遞使用者輸入信息和命令選擇的與總線1016連接的光標(biāo)控制器1018。光標(biāo)控制器1018使使用者能夠不斷變化地發(fā)出在顯示器1010的顯示屏上二維移動(dòng)的可見符號(hào)(即光標(biāo))的信號(hào)。在技術(shù)上熟知的光標(biāo)控制器1018的器具包括跟蹤球、鼠標(biāo)器、光筆、操縱桿或在數(shù)字字母輸入器1012上的專用鍵，都能發(fā)出以一定的方向或轉(zhuǎn)移方式移動(dòng)的信號(hào)。
圖5的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)還包括用于來(lái)回與計(jì)算機(jī)系統(tǒng)互通信的與總線1016連接的接口器件1019?？梢允菇涌谄骷?019與話筒、揚(yáng)聲器、網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、其他存儲(chǔ)器、其他計(jì)算機(jī)等連接。還用來(lái)與本發(fā)明的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)接口的是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器1017，例如磁盤或光盤驅(qū)動(dòng)器，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器1017可以與總線1016互通連接，用來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)或指令。圖5的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)還可以包括用于輸出數(shù)據(jù)的打印機(jī)。
雖然功能測(cè)試是典型測(cè)試最佳環(huán)境的性能，但是也能夠?yàn)殡娐诽匦澡b定進(jìn)行參數(shù)測(cè)試?？刂票景l(fā)明的機(jī)械部分、測(cè)試的數(shù)據(jù)準(zhǔn)備、測(cè)試工藝和測(cè)試結(jié)果分析的軟件裝備裝在組件中的探測(cè)裝置所裝有的電路。
在參考各個(gè)附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明時(shí)，不言而喻，附圖只是為了用圖說(shuō)明而不應(yīng)該用作限制本發(fā)明的范圍。一般精通技術(shù)的人在沒(méi)有脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下對(duì)本發(fā)明可以作許多改變和變換。
權(quán)利要求
1.用于探測(cè)至少一個(gè)電路(64)的系統(tǒng)，包括，用于使至少第一氣體輸送到上述的系統(tǒng)的氣體源(51)；用于調(diào)整在至少具有導(dǎo)電接觸部分(66)和氧化物的上述的電路的區(qū)域上溫度的第一溫度控制器(48)，上述的氧化物是沉積在上述的導(dǎo)電接觸部分上，其中當(dāng)上述的系統(tǒng)內(nèi)有上述第一氣體時(shí)和當(dāng)加熱上述區(qū)域時(shí)，使上述的氧化物的厚度減小；和用于探測(cè)上述的電路(64)中的上述的導(dǎo)電接觸部分(66)的第一探測(cè)裝置(42)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中上述的電路(64)是在第一襯底(15，40)上的集成電路(64a、b、c、d、e、f、g、h、i、j、k、l)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的系統(tǒng)，其中上述的探測(cè)裝置(42)是接觸上述的電路(64)中的所有導(dǎo)電接觸部分(66)的全襯底探測(cè)裝置(42)。
4.根據(jù)前面各條權(quán)利要求中的一條權(quán)利要求的系統(tǒng)，其中第一探測(cè)裝置(42)包括(a)用于能控制與許多電路(64)接觸的電路(50)和(b)用于探測(cè)上述的電路(64)中的上述的導(dǎo)電接觸部分(66)的探針(44)。
5.根據(jù)前面各條權(quán)利要求中的一條權(quán)利要求的系統(tǒng)包括許多內(nèi)部組件(14a、b、c、d、e、)，其中至少上述的內(nèi)部組件中的一個(gè)第一內(nèi)部組件(14a)包括上述的第一探測(cè)裝置(42)和包括上述的第一溫度控制器(48)的第一固定定位器(16a)，上述的第一固定定位器(16a)用于吸住上述的第一封底和用來(lái)使上述的第一襯底(40)對(duì)準(zhǔn)上述的第一探測(cè)裝置(42)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5的系統(tǒng)進(jìn)一步包括計(jì)算機(jī)(30)，其中為了(a)向上述的導(dǎo)電接觸部分(66)輸送許多測(cè)試信號(hào)和(b)判定來(lái)自上述的電路(64)的所有輸出信號(hào)的有效性，使上述的計(jì)算機(jī)(30)和用于控制與許多電路(64)接觸的上述的電路(50)連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求4到6中的一條權(quán)利要求的系統(tǒng)，其中上述的系統(tǒng)進(jìn)一步包括用于與上述的第一探測(cè)裝置(42)中的上述的電路接口的第一電子線路板(18a)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的系統(tǒng)，其中上述的計(jì)算機(jī)(30)向上述的第一電子線路板(18a)和選擇地向上述的第一固定定位器(16a)和、或上述的第一溫度控制器(48)發(fā)送信號(hào)并接收來(lái)自上述的第一電子線路板(18a)和選擇地來(lái)自上述的第一固定定位器(16a)和、或上述的第一溫度控制器(48)的信號(hào)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的系統(tǒng)，其中為了功能電路測(cè)試或帶電老化，上述的第一探測(cè)裝置(42)中的探針處于與上述的電路(64)中的上述的導(dǎo)電接觸部分(66)接觸，其中為了上述的功能電路測(cè)試，上述的計(jì)算機(jī)(30)向上述的第一電子線路板(18a)發(fā)送第一電信號(hào)，上述的第一電子線路板(18a)向上述的第一探測(cè)裝置中的上述的電路(50)發(fā)送第二電信號(hào)以使第三電信號(hào)通過(guò)上述的第一探測(cè)裝置(42)中的上述的探針(44)施加于上述的電路(64)中的上述的導(dǎo)電接觸部分，和使根據(jù)上述的第三電信號(hào)產(chǎn)生的第四電信號(hào)輸送到上述的計(jì)算機(jī)(30)；和對(duì)于上述的帶電老化，在預(yù)定的時(shí)間周期內(nèi)在預(yù)定的溫度范圍內(nèi)和帶電的狀態(tài)下測(cè)試每個(gè)上述的電路(64)以產(chǎn)生老化數(shù)據(jù)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的系統(tǒng)，其中上述的計(jì)算機(jī)分析與上述的第四電信號(hào)或上述的老化數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)并產(chǎn)生電路修復(fù)或編程信號(hào)，其中上述的探測(cè)裝置(42)通過(guò)上述的第一探測(cè)裝置(42)中的上述的探針(44)實(shí)施使用上述的電路修復(fù)信號(hào)的電路修復(fù)或編程上述的電路(64)。
11.根據(jù)權(quán)利要求6到10中的任何一條權(quán)利要求的系統(tǒng)，其中緊接完成制作后，上述的計(jì)算機(jī)根據(jù)對(duì)應(yīng)于上述的電路(64)的性能數(shù)據(jù)形成用于生產(chǎn)控制的數(shù)據(jù)庫(kù)。
12.根據(jù)權(quán)利要求4到11中的任何一條權(quán)利要求的系統(tǒng)，其中提供與許多電路(64)控制接觸的上述的電路(50)是有源開關(guān)電路(50)。
13.根據(jù)權(quán)利要求4到11中的任何一條權(quán)利要求的系統(tǒng)，其中提供與許多電路(64)控制接觸的上述電路(50)是(a)向上述的電路(64)中的上述的導(dǎo)電接觸部分(66)輸送許多測(cè)試信號(hào)和(b)判定上述的電路(64)的所有輸出信號(hào)的有效性的電路。
14.根據(jù)權(quán)利要求5到13中的任何一條權(quán)利要求的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括上述的內(nèi)部組件(14b、c、d、e、)中至少一個(gè)第二內(nèi)部組件，第二內(nèi)部組件包括接觸在第二襯底(40)上許多集成電路(64)中的所有導(dǎo)電接觸部分(66)的全襯底探測(cè)裝置(42)的第二探測(cè)裝置(42)，上述的第二探測(cè)裝置(42)具有(a)能夠提供與上述的襯底(40)中的每個(gè)集成電路(64)控制接觸的電路(50)和(b)探測(cè)在上述的第二襯底(40)上上述的集成電路(64)中的上述的導(dǎo)電接觸部分(66)的探針(44)和，第二固定定位器(16b)包括第二溫度控制器(48)、用于吸住上述的第二襯底(40)和使上述的第二襯底(40)對(duì)準(zhǔn)上述的第二探測(cè)裝置(42)的上述的第二固定定位器(66)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括用于移動(dòng)上述的第一和第二襯底(40)和用于移動(dòng)上述的第一和第二探測(cè)裝置(42)的近距離操縱機(jī)械手(12)。
16.根據(jù)權(quán)利要求14或15的系統(tǒng)，上述的內(nèi)部組件至少一個(gè)上述的第二內(nèi)部組件(14b)包括用于與上述的第二探測(cè)裝置(42)中的上述的電路(64)接口的第二電子線路板(18b、c、d、e)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的系統(tǒng)，其中上述的計(jì)算機(jī)(30)進(jìn)一步用于向上述的近距離操縱機(jī)械手(12)、上述的第二電子線路板(18b、18c)、上述的第二固定定位器和上述的第二溫度控制器發(fā)送信號(hào)并接收來(lái)自上述的近距離操縱機(jī)械手(12)、上述的第二電子線路板(18b、18c)、上述的第二固定定位器和上述的第二溫度控制器的信號(hào)。
18.根據(jù)前面權(quán)利要求中的任何一條權(quán)利要求的系統(tǒng)，其中上述的氣體源(20、51)提供第二非氧化性氣體，而上述的第一氣體是氫氣。
19.根據(jù)前面權(quán)利要求中的任何一條權(quán)利要求的系統(tǒng)，其中上述的系統(tǒng)是氣體密閉系統(tǒng)。
20.探測(cè)在工作室(10)內(nèi)電路(64)中的至少導(dǎo)電接觸部分(66)的方法，包括把減小厚度的非氧化性氣體輸入上述的工作室(10)；調(diào)整具有上述的導(dǎo)電接觸部分和氧化層的上述的電路(64)中的區(qū)域的溫度；減小上述的氧化層的厚度；在上述的氣體密閉工作室(10)中探測(cè)上述的電路(64)中的上述的導(dǎo)電接觸部分(66)。
21.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中上述的非氧化性、減小厚度的氣體是氫氣，和上述的電路(64)是集成電路。
22.根據(jù)權(quán)利要求20和21的方法進(jìn)一步包括修復(fù)上述的電路(64)；和在上述的工作室(10)中測(cè)試上述的電路(64)。
23.根據(jù)權(quán)利要求20到22的一條權(quán)利要求的方法進(jìn)一步包括在上述的工作室(10)內(nèi)測(cè)試上述的電路(64)；和通過(guò)改變?cè)谏鲜龅碾娐?64)內(nèi)的至少一個(gè)電路的熔化狀態(tài)，在上述的工作室(10)內(nèi)編程上述的電路(64)。
24.探測(cè)集成電路的系統(tǒng)包括具有固定定位器(16a)和襯底探測(cè)裝置(42)的至少一個(gè)組件，用于吸住具有集成電路(64)的襯底(40)的上述的固定定位器(16a)、具有許多導(dǎo)電接觸部分(66)的各個(gè)上述的集成電路(64)、與上述的探測(cè)裝置(42)中的探針(44)連接的上述的許多導(dǎo)電接觸部分(66)。
25.根據(jù)權(quán)利要求24的系統(tǒng)進(jìn)一步包括工作室(10)，工作室(10)包括上述的至少一個(gè)組件(14a、b、c、d、e)進(jìn)一步包括調(diào)整上述的襯底(40)溫度的溫度控制器和其中上述的襯底探測(cè)裝置(42)是全襯底探測(cè)裝置(42)。
26.根據(jù)權(quán)利要求24或25的系統(tǒng)，其中上述的至少一個(gè)組件進(jìn)一步包括用于使至少非氧化性氣體輸送到上述的組件(14a、b、c、d、e)的氣體源(20、51)。
27.根據(jù)權(quán)利要求24到26中的任何一條權(quán)利要求的系統(tǒng)，其中上述的至少一個(gè)組件(14a、b、c、d、e)進(jìn)一步包括用于移動(dòng)上述的襯底(40)的近距離操縱機(jī)械手(12)。
28.根據(jù)權(quán)利要求26或27的系統(tǒng)，其中為了減小在上述的襯底(40)中的上述的許多導(dǎo)電接觸部分(66)上的氧化層厚度，上述的溫度控制器(48)調(diào)整上述的襯底(40)的溫度，和上述的氣體源(20、51)在上述的氧化層上方提供氫氣。
29.根據(jù)權(quán)利要求24到28中的任何一條權(quán)利要求的系統(tǒng)，其中上述的組件(14a、b、c、d、e)包括與計(jì)算機(jī)(30)連接的電子線路板(18a)，上述的襯底探測(cè)裝置(42)包括與上述的電子線路板(18a)連接的電路(50)和上述的電路(50)提供與上述的襯底(40)上的各個(gè)上述的集成電路(64)的控制接觸。
30.根據(jù)權(quán)利要求24到29中的任何一條權(quán)利要求的系統(tǒng)，其中在上述的工作室(10)內(nèi)功能測(cè)試、老化和構(gòu)形上述的襯底(40)中的上述的集成電路(64)。
31.根據(jù)權(quán)利要求24到30中的任何一條權(quán)利要求的系統(tǒng)，其中上述的組件(14a、b、c、d、e)是氣體密閉的。
32.根據(jù)權(quán)利要求27到31中的任何一條權(quán)利要求的系統(tǒng)進(jìn)一步包括為了控制上述的近距離操縱機(jī)械手(12)、上述的溫度控制器(48)、上述的固定定位器(18)和上述的探測(cè)裝置(42)并與上述的近距離操縱機(jī)構(gòu)手(12)、上述的溫度控制器(48)、上述的固定定位器(18)和上述的探測(cè)裝置(42)通信而與上述的工作室(10)連接的計(jì)算機(jī)(30)，上述的計(jì)算機(jī)(30)包括處理機(jī)(1002)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(1008)，其中當(dāng)上述的襯底(40)在工作室(10)內(nèi)時(shí)實(shí)施下文列舉的功能中的至少一個(gè)功能(a)減小在上述的襯底(40)中的上述的許多導(dǎo)電接觸部分(66)上的氧化層的厚度；(b)測(cè)試上述的襯底(40)中的上述的集成電路(64)的功能性；(c)老化上述的襯底(40)；(d)修復(fù)上述的襯底(40)中的上述的集成電路(64)；(e)編程上述的襯底(40)中的上述的集成電路(64)；(f)在上述的襯底(40)上加標(biāo)記符號(hào)；和(g)為數(shù)據(jù)庫(kù)采集對(duì)應(yīng)于上述的集成電路(64)的性能數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)以提供生產(chǎn)工藝過(guò)程控制反饋。
33.根據(jù)權(quán)利要求24到32中的任何一條權(quán)利要求的系統(tǒng)，其中上述的襯底(40)是完整的半導(dǎo)體薄片(40)，上述的許多導(dǎo)電接觸部分(66)組成在上述的襯底(40)上的所有導(dǎo)電接觸部分(66)和上述的探測(cè)裝置(42)的上述的探針(44)同時(shí)接觸所有上述的許多導(dǎo)電接觸部分(66)。
34.根據(jù)權(quán)利要求33的系統(tǒng)進(jìn)一步包括為了控制上述的近距離操縱機(jī)械手(12)、上述的溫度控制器(48)、上述的固定定位器(16)和上述的探測(cè)裝置(42)并與上述的近距離操縱機(jī)械手(12)、上述的溫度控制器(48)、上述的固定定位器(16)和上述的探測(cè)裝置(42)通信而與上述的工作室(10)連接的計(jì)算機(jī)(30)，上述的計(jì)算機(jī)(30)包括處理機(jī)(1002)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(1008)。其中當(dāng)上述的襯底(40)在工作室(10)內(nèi)時(shí)實(shí)施如下列舉的功能中的至少一個(gè)功能(a)減小在上述的襯底(40)中的上述的許多導(dǎo)電接觸部分(66)上的氧化層的厚度；(b)同時(shí)測(cè)試上述的襯底(40)中的大體上所有上述的集成電路(64)的功能性；(c)同時(shí)老化上述的襯底(40)中的大體上所有上述的集成電路(64)；(d)同時(shí)修復(fù)上述的襯底中的大體上所有上述的集成電路(64)；(e)同時(shí)編程上述的襯底中的大體上所有上述的集成電路(64)；(f)在上述的襯底(40)上加標(biāo)記符號(hào)；和(g)數(shù)據(jù)庫(kù)的對(duì)應(yīng)于上述的集成電路(50)的性能數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)集，以提供生產(chǎn)工藝反饋。
35.根據(jù)權(quán)利要求24到34中的任何一條權(quán)利要求的系統(tǒng)進(jìn)一步包括具有第二固定定位器(16b)、第二溫度控制器(48)和第二全襯底探測(cè)裝置(42)的至少第二組件(14b、c、d、e)用于吸住具有集成電路的第二襯底(40)的上述的固定定位器(16b)、用于調(diào)整上述的第二襯底(40)的溫度的上述的第二溫度控制器(48)、用于探測(cè)上述的襯底(40)中的上述的集成電路的上述的第二探測(cè)裝置(42)，其中上述的組件(14a)和上述的至少第二組件(14b、c、d、e)同時(shí)實(shí)施同樣的功能。
全文摘要
進(jìn)行包括減小接觸焊接點(diǎn)(66)上氧化層厚度和集成電路的探測(cè)、測(cè)試、老化、修復(fù)、編程以及分類的多功能的單一的氣體密閉系統(tǒng)(5)。在氧化物還原過(guò)程期間或晶片的老化期間溫度控制器(48)加熱晶片(40)。在氧化物還原過(guò)程期間使氫氣輸入工作室(10),并加熱晶片(40),以使接觸點(diǎn)上的氧化物與氫氣化合生成水汽,因而減小氧化層的厚度。計(jì)算機(jī)(30)分析測(cè)試和/或老化數(shù)據(jù)并提供修復(fù)或編程集成電路(64a－64l)的控制信號(hào)。
文檔編號(hào)H01L23/498GK1191019SQ96195460
公開日1998年8月19日 申請(qǐng)日期1996年5月31日 優(yōu)先權(quán)日1995年6月7日
發(fā)明者格倫·利迪 申請(qǐng)人:格倫·利迪