專利名稱：半導(dǎo)體晶片、半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到半導(dǎo)體晶片、半導(dǎo)體器件及半導(dǎo)體器件的制造方法，確切地說是涉及到帶有從半導(dǎo)體器件焊點(diǎn)伸延到切割線的互連的半導(dǎo)體晶片、用這種半導(dǎo)體晶片制作的半導(dǎo)體器件以及制造這種半導(dǎo)體器件的方法。


圖16頂視圖示出了一個常規(guī)半導(dǎo)體晶片。采用加于半導(dǎo)體集成電路1a中引線焊點(diǎn)2上的晶片測試探針4來進(jìn)行晶片的測試。圖17是圖16所示半導(dǎo)體晶片1的剖面圖。參照圖18，在完成晶片測試之后，沿切割線6將晶片切割，使半導(dǎo)體集成電路1a分割成芯片。圖19和20分別對應(yīng)于圖17和圖18，示出了使用絕緣膜9來保護(hù)半導(dǎo)體集成電路1a上的有源區(qū)。在將半導(dǎo)體集成電路1a分割成芯片之后，制作了連接于半導(dǎo)體集成電路1a的引線焊點(diǎn)2的引線(未示出)。
當(dāng)晶片測試探針4同引線焊點(diǎn)2相接觸時，使引線焊點(diǎn)2出現(xiàn)損傷5。為了減小半導(dǎo)體集成電路1a的尺寸并提高半導(dǎo)體集成電路1a中有源區(qū)的比率，最近已使引線焊點(diǎn)2越來越小型化。因此，由于半導(dǎo)體集成電路1a的小型化，引線就有可能連接到引線焊點(diǎn)2的損傷5處，這就會引起引線焊點(diǎn)2和引線之間的不良連接。
圖21示出了用來防止劣質(zhì)連接的常規(guī)半導(dǎo)體晶片1的剖面。晶片的測試采用只加到切割線6中的晶片測試焊點(diǎn)3上的晶片測試探針4來進(jìn)行。參照圖22，在完成晶片測試之后，沿切割線6來切割晶片，從而將半導(dǎo)體集成電路1a分割成芯片。圖23和24分別對應(yīng)于圖21和22，示出了使用絕緣膜9來保護(hù)半導(dǎo)體集成電路1a上的有源區(qū)。
但是，如圖22所示，晶片測試焊點(diǎn)殘留部分3a的表面和切割區(qū)被暴露出來。這就引起諸如水、鉀、鎂之類對鋁(Al)有腐蝕作用的物質(zhì)從晶片測試焊點(diǎn)殘留部分3a侵入引線焊點(diǎn)2而引起引線焊點(diǎn)2的鋁腐蝕的問題。
根據(jù)本發(fā)明的第一種情況，半導(dǎo)體晶片包含用來制作帶有第一焊點(diǎn)的半導(dǎo)體集成電路的半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)；圍繞著半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)形成的用來將半導(dǎo)體集成電路切割成芯片的切割區(qū)；存在于切割區(qū)的第二焊點(diǎn)；以及將第一焊點(diǎn)和第二焊點(diǎn)電連接的并在半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)上有一彎曲的互連。
根據(jù)本發(fā)明的第二種情況，第二焊點(diǎn)的面積最好大于第一焊點(diǎn)的面積。
根據(jù)本發(fā)明的第三種情況，第二焊點(diǎn)最好制作在半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)周圍，不要留有與其中可形成有存在于半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)周圍的切割區(qū)中至少一個第二焊點(diǎn)相同面積的空白區(qū)。
根據(jù)本發(fā)明的第四種情況，半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)最好包括多個含有第一和第二半導(dǎo)體制作區(qū)的半導(dǎo)體集成電路，互連包括多個含有第一和第二互連的互連，第一互連電連接第二焊點(diǎn)和第一半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)上的第一焊點(diǎn)并在第一半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)上有一彎曲，而第二互連電連接第二焊點(diǎn)和第二半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)上的第一焊點(diǎn)并在第二半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)上有一彎曲。
本發(fā)明的第五種情況涉及到一種半導(dǎo)體器件，其制作方法是沿切割區(qū)對帶有從用來制作半導(dǎo)體集成電路的半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)延伸到形成于半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)周圍的切割區(qū)的互連的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行切割，它包含覆蓋互連的切割部分的絕緣膜。
本發(fā)明的第六種情況涉及到一種半導(dǎo)體器件，其制作方法是沿切割區(qū)對帶有從用來制作半導(dǎo)體集成電路的半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)延伸到形成于半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)周圍的切割區(qū)的互連的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行切割，其中半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)上的互連有一彎曲。
根據(jù)本發(fā)明的第七種情況，制造半導(dǎo)體器件的方法包含下列步驟制備帶有從用來制作半導(dǎo)體集成電路的半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)延伸到形成于半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)周圍的切割區(qū)的互連的半導(dǎo)體晶片；借助于在半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)和切割區(qū)之間邊界處形成溝槽的方法，切割互連；制作覆蓋溝槽中互連切割部位的絕緣膜；以及沿切割區(qū)進(jìn)行切割以便將半導(dǎo)體集成電路分割成芯片。
根據(jù)本發(fā)明的第八種情況，在制作絕緣膜的步驟中，絕緣膜最好制作在半導(dǎo)體集成電路引線焊點(diǎn)之外的半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)中以及切割區(qū)中。
根據(jù)本發(fā)明的第一種情況，當(dāng)半導(dǎo)體集成電路分割成芯片時，彎曲防止了水之類從互連的侵入，從而防止了第一焊點(diǎn)的腐蝕，改善了半導(dǎo)體器件產(chǎn)品的可靠性和壽命。
根據(jù)本發(fā)明的第二種情況，大面積的第二焊點(diǎn)增加了晶片測試中探針與第二焊點(diǎn)接觸時的可允許位置偏離，從而使測片工藝易于進(jìn)行。
本發(fā)明的第三種情況可使半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)周圍的切割區(qū)得到有效利用。
本發(fā)明的第四種情況可使切割區(qū)小型化，導(dǎo)致半導(dǎo)體器件成品率的提高。
根據(jù)本發(fā)明的第五種情況，防止了水之類從互連部位侵入，從而防止了半導(dǎo)體集成電路中焊點(diǎn)的腐蝕，改善了半導(dǎo)體器件產(chǎn)品的可靠性和壽命。
根據(jù)本發(fā)明的第六種情況，彎曲防止了水之類從互連的滲透，從而防止了芯片中焊點(diǎn)的腐蝕，從而改善了半導(dǎo)體器件產(chǎn)品的可靠性和壽命。
本發(fā)明的第七種情況提供了一種半導(dǎo)體器件，它防止了水之類從互連侵入，從而防止了芯片中焊點(diǎn)的腐蝕。
根據(jù)本發(fā)明的第八種情況，同時在溝槽中和除半導(dǎo)體集成電路焊點(diǎn)上之外的半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)上以及切割區(qū)上制作了絕緣膜，這就緩和了對制作絕緣膜的掩模的設(shè)計(jì)和使用中的精度要求。
本發(fā)明已被用來解決上述問題，其目標(biāo)是獲得可防止半導(dǎo)體集成電路中焊點(diǎn)腐蝕的半導(dǎo)體晶片和半導(dǎo)體器件以及制造半導(dǎo)體器件的方法。
結(jié)合附圖，從本發(fā)明的下列詳細(xì)描述中，本發(fā)明的這些和其它的目的、特點(diǎn)、情況和優(yōu)點(diǎn)將變得更為明顯。
圖1頂視圖示出了本發(fā)明第一最佳實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法。
圖2剖面圖示出了本發(fā)明第一最佳實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法。
圖3剖面圖示出了本發(fā)明第一最佳實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法。
圖4頂視圖示出了本發(fā)明第一最佳實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法。
圖5剖面圖示出了本發(fā)明第一最佳實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法。
圖6頂視圖示出了本發(fā)明第一最佳實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法。
圖7剖面圖示出了本發(fā)明第一最佳實(shí)施例的半導(dǎo)體器件。
圖8頂視圖示出了本發(fā)明第二最佳實(shí)施例的半導(dǎo)體晶片。
圖9頂視圖示出了本發(fā)明第三最佳實(shí)施例的半導(dǎo)體晶片。
圖10頂視圖示出了本發(fā)明第四最佳實(shí)施例的半導(dǎo)體晶片。
圖11頂視圖示出了本發(fā)明第四最佳實(shí)施例的半導(dǎo)體晶片。
圖12頂視圖示出了本發(fā)明第四最佳實(shí)施例的半導(dǎo)體晶片。
圖13頂視圖示出了本發(fā)明第四最佳實(shí)施例的半導(dǎo)體晶片。
圖14頂視圖示出了本發(fā)明第四最佳實(shí)施例的半導(dǎo)體晶片。
圖15頂視圖示出了本發(fā)明第四最佳實(shí)施例的半導(dǎo)體晶片。
圖16頂視圖示出了常規(guī)半導(dǎo)體晶片。
圖17是圖16的剖面圖。
圖18剖面圖示出了常規(guī)半導(dǎo)體器件。
圖19是常規(guī)半導(dǎo)體晶片的剖面圖。
圖20是常規(guī)半導(dǎo)體器件的剖面圖。
圖21是常規(guī)半導(dǎo)體晶片的剖面圖。
圖22是常規(guī)半導(dǎo)體器件的剖面圖。
圖23是常規(guī)半導(dǎo)體晶片的剖面圖。
圖24是常規(guī)半導(dǎo)體器件的剖面圖。
第一最佳實(shí)施例圖1-7示出了根據(jù)本發(fā)明第一最佳實(shí)施例的半導(dǎo)體器件制造方法。首先參照圖1，制備了半導(dǎo)體晶片1。半導(dǎo)體集成電路1a制作在半導(dǎo)體晶片1上的集成電路制作區(qū)上。切割線6即切割區(qū)將半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)分割開來。引線焊點(diǎn)2制作在半導(dǎo)體集成電路1a上。引線焊點(diǎn)2延伸至切割線6上，切割線6上的引線焊點(diǎn)2用作測片焊點(diǎn)3，且引線焊點(diǎn)2和測片焊點(diǎn)3被電連接。這就是說，在切割線6上的引線焊點(diǎn)2用作測片焊點(diǎn)3，而引線焊點(diǎn)2中從半導(dǎo)體集成電路1a延伸到切割線6的部位用作電連接引線焊點(diǎn)2和測片焊點(diǎn)3的互連。圖2示出了圖1的剖面。
對此半導(dǎo)體晶片1進(jìn)行了晶片測試。在晶片測試中，測片探針4同測片焊點(diǎn)3接觸以進(jìn)行導(dǎo)電測試。測片探針4不與半導(dǎo)體集成電路1a上的引線焊點(diǎn)2相接觸。因此，對半導(dǎo)體集成電路1a上的引線焊點(diǎn)2不引起損傷。
然后照參照圖3，用激光8在半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)和切割線6即切割區(qū)之間的邊界中制作溝槽8a(預(yù)切工序)。溝槽8a從測片焊點(diǎn)3的表面延伸到其背面切開作為互連的測片焊點(diǎn)3。這一切割不從半導(dǎo)體集成電路1a的表面穿透到背面(即不切入芯片)。測片焊點(diǎn)3的一部分以測片焊點(diǎn)殘留部分3a的形式留在半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)上。圖4示出了圖3的上表面。
然后參照圖5，在溝槽8a中制作覆蓋測片焊點(diǎn)3的切割部位的絕緣膜9(絕緣膜制作工序)。絕緣膜9是制作在除引線焊點(diǎn)2之外的半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)上和切割區(qū)上的鈍化膜、聚酰亞胺膜之類。圖6示出了圖5的上表面。
然后參照圖7，沿切割線6將大量半導(dǎo)體集成電路1a切成芯片(最終切割工序)。此半導(dǎo)體集成電路1a帶有覆蓋測片焊點(diǎn)3的絕緣膜9。
在本最佳實(shí)施例中，絕緣膜9完全覆蓋測片焊點(diǎn)殘留部分3a(它是芯片分割之后留在芯片中的引線焊點(diǎn)2的殘留部分)，從而防止了潮氣之類的侵入，從而防止了芯片中引線焊點(diǎn)2的腐蝕。這就提高了半導(dǎo)體器件產(chǎn)品的可靠性和壽命。
預(yù)切割工序、絕緣膜制作工序和最終切割工序可在制作圖23所示的半導(dǎo)體晶片1之后進(jìn)行。但此時，雖然在圖23所示的半導(dǎo)體晶片1中制作了用來保護(hù)半導(dǎo)體集成電路1a上有源區(qū)的絕緣膜9，在絕緣膜制作工序中再次使用了絕緣膜9。因此，比起常規(guī)器件來，以降低生產(chǎn)成品率為條件，為了確保測片焊點(diǎn)3而要求掩膜設(shè)計(jì)和應(yīng)用中有更高的精度。
同樣，在圖5所示的絕緣膜制作工序中，用絕緣膜9覆蓋引線焊點(diǎn)2表面以外的半導(dǎo)體集成電路1a以及切割線6。另一方面，在圖23中，除引線焊點(diǎn)2表面以外的半導(dǎo)體集成電路1a和部分切割線6被覆蓋，而測片焊點(diǎn)3被暴露出來以便測片。因此，與圖23相比，由于測片焊點(diǎn)3不暴露，圖5對應(yīng)用絕緣膜9的掩模設(shè)計(jì)和使用的精度要求較低。第二最佳實(shí)施例圖8示出了本發(fā)明第二最佳實(shí)施例的半導(dǎo)體晶片。在圖8中，1表示半導(dǎo)體晶片，1a表示制作在半導(dǎo)體晶片1的半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)上的半導(dǎo)體集成電路，2表示制作在半導(dǎo)體集成電路1a中的引線焊點(diǎn)，3表示測片焊點(diǎn)，4表示用于測片的測片探針，5表示測片焊點(diǎn)3上的損傷，6表示用來分割半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)的切割線即切割區(qū)，7表示用來連接引線焊點(diǎn)2和測片焊點(diǎn)3的延伸鋁互連。
半導(dǎo)體集成電路1a制作在半導(dǎo)體晶片1表面中的半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)上。切割線6分割半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)。大量的引線焊點(diǎn)2制作在半導(dǎo)體集成電路1a上。測片焊點(diǎn)3制作在切割線6上。延伸鋁互連7對引線焊點(diǎn)2和測片焊點(diǎn)3進(jìn)行電連接。延伸鋁互連7的形狀如圖8所示且有呈銳角的類直線彎曲，且彎曲至少制作在半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)上，在除引線焊點(diǎn)2以外的半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)上和切割區(qū)上制作由鈍化膜、聚酰亞胺膜之類組成的絕緣膜(未示出)。
對這種半導(dǎo)體晶片1進(jìn)行測片。在測片過程中，用與測片焊點(diǎn)3相接觸的測片探針4來進(jìn)行導(dǎo)電測試。測片探針4不接觸引線焊點(diǎn)2。因此在引線焊點(diǎn)2上不引起損傷。在測片之后，在半導(dǎo)體晶片1的表面上加絕緣膜9，使引線焊點(diǎn)2暴露出來?；蛘咴诎雽?dǎo)體晶片1上加絕緣膜9，使引線焊點(diǎn)2和測片焊點(diǎn)3在測片之前暴露出來。隨后沿切割線6切割半導(dǎo)體晶片1，使大量半導(dǎo)體集成電路1a分割成芯片。因此，水之類只從延伸鋁互連7的剖面滲透。但彎曲抑制了其向延伸鋁互連7的滲透，從而抑制了它向引線焊點(diǎn)2接近。
根據(jù)本最佳實(shí)施例，彎曲防止了水之類的侵入，從而防止了芯片中引線焊點(diǎn)2的腐蝕，這就提高了半導(dǎo)體器件產(chǎn)品的可靠性和壽命。
可以采用第一最佳實(shí)施例所述的預(yù)切割工序、絕緣膜制作工序和最終切割工序。此時，用絕緣膜9覆蓋延伸鋁互連7的剖面，進(jìn)一步改善了半導(dǎo)體器件產(chǎn)品的可靠性和壽命。
延伸鋁互連7的彎曲可以是U形的、L形的、之字形的，也可以是它們的組合形的。第三最佳實(shí)施例圖9示出了本發(fā)明第三最佳實(shí)施例的半導(dǎo)體晶片。圖9中的參考號對應(yīng)于圖8中的參考號。如圖9所示，多個相鄰半導(dǎo)體集成電路1a上的引線焊點(diǎn)2和測片焊點(diǎn)3通過帶有彎曲的延伸鋁互連7而被電連接。至少在半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)上制作了延伸鋁互連7的彎曲。
除第三最佳實(shí)施例外，在本最佳實(shí)施例中，多個引線焊點(diǎn)2和同一個測片焊點(diǎn)3通過延伸鋁互連7而被電連接，使切割線6得以小型化，導(dǎo)致半導(dǎo)體器件的產(chǎn)率上升。第四最佳實(shí)施例圖10-15示出了第一最佳實(shí)施例的半導(dǎo)體晶片的變例。首先，圖10是圖1的一個變例，其中用延伸鋁互連7代替了使引線焊點(diǎn)2和測片焊點(diǎn)3實(shí)行電連接的互連。
其次，圖11是圖10的一個變例，其中測片焊點(diǎn)3的表面積大于引線焊點(diǎn)2的表面積。測片焊點(diǎn)3最好做大，盡可能多地使用切割線6的表面。測片焊點(diǎn)3的表面積的增大提高了測片探針4和測片焊點(diǎn)3之間的可允許位置偏離，使測片工序更易進(jìn)行。
圖12是圖11的一個變例，其中測片焊點(diǎn)3也排列在靠近半導(dǎo)體集成電路1a的角落的切割線6上。雖然在圖11中靠近半導(dǎo)體集成電路1a的角落的切割線6上存在至少可形成一個測片焊點(diǎn)3的空白區(qū)，但圖12中的測片焊點(diǎn)3也形成在靠近半導(dǎo)體集成電路1a的角落的切割線6上，致使在切割線6上不存在這種空白區(qū)，從而有效地利用了切割線6。例如，延伸鋁互連7為L形，以便在靠近切割線6的角落處也形成測片焊點(diǎn)3。
圖13是圖1的一個變例，其中在相鄰的多個半導(dǎo)體集成電路1a上的引線焊點(diǎn)2由一個引線焊點(diǎn)2組成，引線焊點(diǎn)2的中心用作測片焊點(diǎn)，這可使切割線6小型化，導(dǎo)致半導(dǎo)體器件產(chǎn)率的提高。
圖14是圖13的一個變例，其中用來對引線焊點(diǎn)2和測片焊點(diǎn)3進(jìn)行電連接的從半導(dǎo)體集成電路1a延伸到切割線6的連接，被延伸鋁互連所取代。
圖15示出了對圖14的一個變例，其中測片焊點(diǎn)3的表面積大于引線焊點(diǎn)2的表面積。
在圖10-15所示的半導(dǎo)體晶片1中，分隔成芯片的半導(dǎo)體集成電路1a用第一最佳實(shí)施例所解釋的預(yù)切割工序、絕緣膜制作工序和最終切割工序加以制作。分隔的半導(dǎo)體集成電路1a帶有覆蓋測片焊點(diǎn)3的切割部位的絕緣膜9。
由帶有彎曲的延伸鋁互連取代了延伸鋁互連7的那種半導(dǎo)體晶片1，可以用作圖10、11、12、14和15所示的半導(dǎo)體晶片1，至少在半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)中形成了彎曲。
雖然對本發(fā)明已進(jìn)行了詳細(xì)的描述，但上面的描述在所有情況下都是示例性的而不是限制性的。應(yīng)該理解，可以作出大量的其它修改和變更而不超越本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體晶片，它包含帶有第一焊點(diǎn)的用來制作半導(dǎo)體集成電路的半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)；制作在上述半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)周圍的用來將上述半導(dǎo)體集成電路切割成芯片的切割區(qū)；存在于上述切割區(qū)上的第二焊點(diǎn)；以及對上述第一焊點(diǎn)和第二焊點(diǎn)進(jìn)行電連接并在上述半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)上有彎曲的互連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體晶片，其中所述的第二焊點(diǎn)的面積大于上述第一焊點(diǎn)的面積。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體晶片，其中所述的第二焊點(diǎn)制作在上述半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)的周圍，在上述半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)周圍的上述切割區(qū)中沒有至少可制作一個上述第二焊點(diǎn)的空白區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體晶片，其中所述的半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)由包含第一和第二半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)的多個上述半導(dǎo)體集成電路組成，且所述的互連包括多個包含第一和第二互連的上述互連，上述第一互連電連接上述第二焊點(diǎn)和上述第一半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)上的上述第一焊點(diǎn)并在上述第一半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)上有彎曲，且上述第二互連電連接上述第二焊點(diǎn)和上述第二半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)上的上述第一焊點(diǎn)并在上述第二半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)上有彎曲。
5.一種半導(dǎo)體器件，其是沿上述切割區(qū)切割帶有從用來制作半導(dǎo)體集成電路的半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)延伸到形成于上述半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)周圍的切割區(qū)的互連的半導(dǎo)體晶片而形成，它有覆蓋上述互連切割部位的絕緣膜。
6.一種半導(dǎo)體器件，其是沿上述切割區(qū)切割帶有從用來制作半導(dǎo)體集成電路的半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)延伸到形成于上述半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)周圍的切割區(qū)的互連的半導(dǎo)體晶片而形成，其中在上述半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)上的上述互連有彎曲。
7.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，它包含下列步驟制備半導(dǎo)體晶片，它帶有從用來制作半導(dǎo)體集成電路的半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)延伸到形成于上述半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)周圍的切割區(qū)的互連；借助于在上述半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)和上述切割區(qū)之間的邊界處形成溝槽的方法，切割上述互連；在上述溝槽中制作覆蓋上述互連的切割部位的絕緣膜；以及沿上述切割區(qū)切割上述半導(dǎo)體晶片以便將上述半導(dǎo)體集成電路分割成芯片。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中在制作上述絕緣膜的上述步驟中，上述絕緣膜制作在上述半導(dǎo)體集成電路的除引線焊點(diǎn)以外的上述半導(dǎo)體集成電路制作區(qū)中和上述切割區(qū)中。
全文摘要
可防止半導(dǎo)體集成電路中焊點(diǎn)腐蝕的半導(dǎo)體晶片、半導(dǎo)體器件和制造該半導(dǎo)體器件的方法。沿切割線將帶有半導(dǎo)體集成電路和從半導(dǎo)體集成電路上的引線焊點(diǎn)延伸到切割線的互連的半導(dǎo)體晶片切割成芯片。部分互連以測片焊點(diǎn)殘留部分的形式留在芯片上，并用絕緣膜覆蓋測片焊點(diǎn)殘留部分的表面。這就防止了水之類從測片焊點(diǎn)殘留部分侵入，從而防止了半導(dǎo)體集成電路中引線焊點(diǎn)的腐蝕，進(jìn)而提高了半導(dǎo)體器件產(chǎn)品的可靠性和壽命。
文檔編號H01L21/78GK1160290SQ9612140
公開日1997年9月24日 申請日期1996年11月11日 優(yōu)先權(quán)日1996年3月18日
發(fā)明者中村和子 申請人:三菱電機(jī)株式會社