專利名稱：具有埋入觸頭的多層薄膜太陽能電池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體上涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，并且特別涉及對薄膜器件的改進(jìn)。
背景技術(shù)：
作為早期專利NO.US4726850和4748130的主題，埋入觸頭太陽能電池被光電池制造商們廣泛用于實(shí)現(xiàn)厚襯底(大于120微米)器件。
本發(fā)明與一種新型光電池結(jié)構(gòu)以及其實(shí)現(xiàn)有關(guān)，其中采用多層n型和P型交替的水平硅層，大大提高了對劣質(zhì)材料吸收光子后產(chǎn)生的載流子的收集率。這樣的結(jié)構(gòu)使用傳統(tǒng)的方法是不可行的，傳統(tǒng)方法中體材料襯底是由直接切成單個(gè)晶片或襯底的晶體構(gòu)成。然而，用于層形成的新型薄膜技術(shù)，諸如化學(xué)氣相沉積、溶液生長、液相外延、等離子沉積及重結(jié)晶或非晶態(tài)材料等離子沉積及隨后結(jié)晶等等，使得包括n和P型材料相互交替的多個(gè)水平層的結(jié)構(gòu)成為可行。另外，在本發(fā)明者最近的名為“Buried Contact Interconnected Thin Film and Bulk PhotovoltaicCells”(PCT/AU92/00658)的發(fā)明之前，這樣的結(jié)構(gòu)并不被認(rèn)為適合進(jìn)行光壓器件制造。因?yàn)榕c給定極性的需要并行連接的所有層接觸很困難。在PCT/AU92/00658所描述發(fā)明中，埋入觸頭太陽能電池方法通過使用相應(yīng)的摻雜類型在溝道壁上深度擴(kuò)散，提供穿過所有水平摻雜硅層整個(gè)厚度的溝道，使具適當(dāng)極性的每個(gè)相應(yīng)層保持接觸，如圖1所示。這些溝道可以為任何尺寸，只要它們足夠深可以與所有活性硅層接觸，并且足夠窄可以防止由于有用表面區(qū)域減少引起的過分損耗，在這些有用表面區(qū)域落在接觸區(qū)的光不能進(jìn)入硅材料。
發(fā)明概述本發(fā)明的要點(diǎn)是一種太陽能電池，它具有至少三層極性交替的材料，在每對交替層之間形成p-n結(jié)，至少三層的最大摻雜濃度高于1017原子/cm3，并且至少三層的厚度基本上不大于在相應(yīng)層中對于給定摻雜濃度材料的少子擴(kuò)散長度。
一般來說，摻雜層厚度是少子擴(kuò)散長度的0.05～5倍，并且優(yōu)選為相應(yīng)摻雜材料少子擴(kuò)散長度的0.2～2倍。如果一個(gè)擴(kuò)散長度和/或厚度空間不均勻的器件，其各層的任何部位落在上述范圍內(nèi)，則該器件屬于本發(fā)明范圍。滿足這些條件的一個(gè)可論證方法是載流子平均收集率是否較高。
電池可以由摻雜的單晶硅或多晶硅，非晶態(tài)硅和它的合金，鎘碲化物、鎘硫化物，銅銦二硒，CuInxGa1-xSySe1-Y形式的合金或其他半導(dǎo)體材料制成。在包含一堆硅層的電池中，也可能包括一層或多層相對薄的硅/鍺合金層。諸如氧化硅、氮化物或氮氧化合物的隔離材料層，也可能間隔地夾入其中。
本發(fā)明的實(shí)施方案可能還包括在極性交替層對之間的本征材料或輕摻雜材料層，這樣形成的結(jié)是P-本征-n結(jié)。
在基于硅材料的實(shí)施方案中，一般來說大多數(shù)層的最大摻雜濃度是1017原子/cm3或更高，摻雜層的厚度為50～50μm，視材料質(zhì)量而定。在硅材料中，摻雜濃度優(yōu)選為在每層的至少50％體積上大于1017原子/cm3，并且更優(yōu)選為在每層的幾乎整個(gè)體積上界于1017～1018原子/cm3之間。
在使用硅材料的優(yōu)選實(shí)施方案中，每層的厚度在0.2～15微米之間。
在硅電池中，頂層優(yōu)選的層內(nèi)最大摻雜濃度是1018原子/cm3或更高。
另一方面，本發(fā)明的要點(diǎn)是形成薄膜太陽能電池的方法，它包括步驟a)在襯底上形成多個(gè)交替摻雜的半導(dǎo)體材料薄層，在層間形成多個(gè)整流結(jié)。每層的最大摻雜濃度大于1017原子/cm3，并且每層的厚度基本上不大于相應(yīng)摻雜材料的少子擴(kuò)散長度。
b)接著在這些層中形成至少兩組溝道，使一些或全部的摻雜層露出來。
c)在至少一個(gè)溝道中形成一個(gè)P型表面區(qū)域，這個(gè)區(qū)域覆蓋這個(gè)或這些溝道的整個(gè)表面。
d)在至少一個(gè)其它的溝道中形成一個(gè)n型表面區(qū)域，這個(gè)區(qū)域覆蓋這個(gè)或這些溝道的整個(gè)表面。
e)在每個(gè)溝道中形成一個(gè)金屬觸頭，觸頭分別和P型及n型表面區(qū)域接觸。
襯底材料優(yōu)選為單晶、多晶或非晶態(tài)硅、石墨、鋼或其他金屬、陶瓷或玻璃之一，并且活性層由一個(gè)或幾個(gè)方法形成，所說方法包括化學(xué)氣相沉積、溶液生長、液相外延以及非晶態(tài)薄膜等離子沉積后結(jié)晶。
在進(jìn)一步實(shí)施方案中，方法包括在每對P和n型層之間形成本征或輕摻雜層并且/或者在該堆內(nèi)形成隔離層的步驟。


本發(fā)明的實(shí)施方案將參照附圖加以說明。在圖中圖1示意了本發(fā)明太陽能電池的基本結(jié)構(gòu)，這個(gè)結(jié)構(gòu)有多個(gè)n和p型交替摻雜的單晶或多晶硅層，使用埋入觸頭和埋入層接觸。
圖2示意了和圖1相同的太陽能電池結(jié)構(gòu)，但是它的尺寸是為使用劣質(zhì)硅材料的實(shí)施方案給出的。
圖3示意了本發(fā)明的進(jìn)一步實(shí)施方案，它具有和圖1、圖2類似的結(jié)構(gòu)，但在交替的P型和n型層之間夾有本征層。
圖4示意了本發(fā)明的進(jìn)一步實(shí)施方案，它具有和圖1、圖2類似的結(jié)構(gòu)，但在半導(dǎo)體層之間夾有隔離層。
圖5示意了本發(fā)明的進(jìn)一步實(shí)施方案，它具有和圖1、圖2類似的結(jié)構(gòu)，但它的金屬觸頭沒有與所有層接觸。
實(shí)施方案詳述參見圖1，本發(fā)明的實(shí)施方案有這樣的結(jié)構(gòu)，它包含多個(gè)交替的P型半導(dǎo)體層10、11和n型半導(dǎo)體層12、13、14，層與層之間形成整流結(jié)15、16、17、18。這些交替半導(dǎo)體層10-14在襯底19上形成并被該襯底支承，襯底19可以從單晶、多晶或非晶態(tài)硅、石墨、鋼或其他金屬、陶瓷玻璃或任何其它在其上可以成功形成半導(dǎo)體薄膜的材料中選擇。觸頭31、32分別由n型層12、13、14與P型層10、11形成。首先形成垂直的溝道，使所有活性半導(dǎo)體層露出來，然后對于那些和n型區(qū)域相接觸的觸頭，形成垂直的n型摻雜層33，該摻雜層33和所有n型層12、13、14相連，并且和所有P型層10、11建立了一個(gè)結(jié)。類似地，對連接P型層10、11的觸頭來說，在溝道中形成P型摻雜層34，該垂直P型層34和暴露的n型層12、13、14之間形成一個(gè)結(jié)。然后在n型和P型層33、34所限定的溝道中形成金屬觸頭31、32。
盡管圖1的實(shí)施方案是一個(gè)五層電池，但是應(yīng)該指出的是為了得到本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)，需要最少3個(gè)摻雜層(即p-n-p或n-p-n)。盡管圖1實(shí)施方案所示的溝道充滿了金屬，但是應(yīng)該指出的是，部分填充的溝道也可能產(chǎn)生良好的效果。
圖1所示的活性半導(dǎo)體層10-14是可以在襯底19上采用一些已知技術(shù)的任一種形成的薄膜，這些技術(shù)包括化學(xué)氣相沉積、溶液生長、液相外延以及等離子沉積和重結(jié)晶或非晶態(tài)材料等離子沉積隨后的結(jié)晶，并在每種情況中層形成過程中或之后注入摻雜物。
如上所述，本發(fā)明提供一種改進(jìn)的電池結(jié)構(gòu)，它包括多個(gè)P和/或n型層，并且對如圖1所示摻雜層堆中的各層選擇不同的摻雜水平和厚度。為了生產(chǎn)可工作的電池，本發(fā)明實(shí)施方案利用了PCT/AU92/00658描述的接觸結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的一個(gè)重要優(yōu)點(diǎn)是根據(jù)相應(yīng)硅材料質(zhì)量對各個(gè)層的厚度和摻雜水平進(jìn)行選擇，這樣，大部分載流子在離結(jié)足夠近處產(chǎn)生以便被收集。這個(gè)要求為下述條件所滿足，即在大部分器件區(qū)域上少子擴(kuò)散長度至少相當(dāng)并且優(yōu)選地大于各自層厚度。這可以在整個(gè)器件厚度上實(shí)現(xiàn)高收集率，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)高的內(nèi)部量子效率，并且分別對所有波長的光線來說也是如此。本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)高效器件，甚至用非常劣質(zhì)、低成本、其特點(diǎn)是擴(kuò)散長度短的硅材料制成的器件也是如此。上述策略保證，伴隨從中到高水平的光觸發(fā)，可以產(chǎn)生大電流?？紤]到電壓，對于擴(kuò)散長度短的硅材料可以通過提高摻雜濃度和/或減小材料體積來降低整個(gè)器件的暗飽和電流，以得到適當(dāng)?shù)母唛_路電壓。而傳統(tǒng)的器件結(jié)構(gòu)，在同樣取得高電池效率的同時(shí)是不可能做到這一點(diǎn)的。然而在本發(fā)明中，可以向水平層中注入更高濃度的摻雜物，而不會對器件產(chǎn)生電流的能力有負(fù)面影響。通常，對于傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)，隨著摻雜濃度的提高，材料的擴(kuò)散長度大大降低。然而，如果已經(jīng)使用了劣質(zhì)的半導(dǎo)體材料，實(shí)驗(yàn)表明隨著摻雜濃度的提高，擴(kuò)散長度幾乎不降低。相應(yīng)的好處在于暗飽和電流幾乎反比于摻雜濃度下降，這樣可以產(chǎn)生比通常這種劣質(zhì)材料預(yù)期能夠產(chǎn)生的電壓高得多的電壓。因此，如此結(jié)合，可以在劣質(zhì)材料上實(shí)現(xiàn)大電流和高電壓，假定水平層厚度尺寸是根據(jù)所使用硅材料擴(kuò)散長度選擇的。
為了說明本發(fā)明的有效性，使用市場上可買到的計(jì)算機(jī)模擬軟件包對圖1的器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行了模擬，各層尺寸如圖2所示。在這個(gè)例子中，每層摻雜濃度是1×1018原子每立方厘米，但背面摻雜要濃得多，這樣可以保證器件的電子性能對背面的表面復(fù)合速率不敏感。另外，在被模擬的例子中，頂層的n型層表面摻雜濃度為1×1020原子/cm3，相應(yīng)的方塊電阻為80Ω/口。附帶假設(shè)頂層的表面復(fù)合速率10,000cm/s以保證對在離頂層表面很近處被吸收的短波長光線有良好的器件響應(yīng)。所給例子的其他模擬參數(shù)包括由表面和金屬反射造成的5％損耗，這和傳統(tǒng)的埋入觸頭太陽能電池結(jié)果類似。
使用本發(fā)明并結(jié)合以上給出的模擬參數(shù)而得出的性能預(yù)測表明，即使在相對差的光觸發(fā)和非常短的少子壽命(小于100ns)的情況下，超過16％的效率可以相對容易地實(shí)現(xiàn)。如果采用中等的光觸發(fā)，同時(shí)依然保持很差的單晶或多晶硅材料特性，這些預(yù)測效率迅速提高到20％。
n型和P型交疊的多層的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，它們?yōu)橛|頭點(diǎn)之間的電流傳導(dǎo)提供了多條并行路徑，從而減少了阻抗損耗。如果每層的寬度按照以前的規(guī)則選擇使其小于擴(kuò)散長度，通過在各層之間注入載流子，各層之間將自動共享電流。這個(gè)方法還沒有被以往的太陽能電池設(shè)計(jì)利用。結(jié)果是，可以對頂層表面摻雜分布和方塊電阻進(jìn)行優(yōu)化，使得電流收集和暗飽和電流最小化在某種程度上和所得到層中橫向阻抗損耗無關(guān)。
這個(gè)方法另一個(gè)長處是它對平行于電池頂層表面的晶界的容忍度。在通常的電池結(jié)構(gòu)中這些是災(zāi)難性的，因?yàn)槿魏萎a(chǎn)生在該晶界背離結(jié)的一側(cè)的載流子幾乎不會被收集。在本結(jié)構(gòu)中這種和結(jié)隔離的情況不會發(fā)生，除非在一層中有兩個(gè)這樣的晶界，即使在這種情況下，僅有的器件非活性部分應(yīng)是直接位于兩個(gè)晶界之間。
通常，界晶容忍度可以用標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)，諸如氫化作用、氧化作用、選擇性刻蝕等進(jìn)一步提高。
參照圖3，給出本發(fā)明的進(jìn)一步實(shí)施方案。在這個(gè)方案中，通過在摻雜極性相反的每層之間插入輕摻雜或本征區(qū)20、21、22、23，堆的摻雜層之間結(jié)的質(zhì)量得到了提高。這些間隔層20-23可以在某些過程中通過在層沉積過程中切斷摻雜源或?qū)煞N摻雜類型補(bǔ)償?shù)姆椒ㄐ纬伞＿@些層的期望厚度依賴于材料質(zhì)量，但是可以從由補(bǔ)償形成的很薄層到厚至1微米或更多之間變化。該結(jié)構(gòu)在相應(yīng)的P和n型層之間形成p-I-n結(jié)(p-本征-n結(jié))25、26、27、28。
如上所述，水平層可以由一些技術(shù)和方法形成，它們中的大多數(shù)可以在沉積的同時(shí)對層摻雜。在層沉積之后，可以用機(jī)械、化學(xué)或光學(xué)方法形成溝道，象激光刻劃、鉆石頭刻劃、切輪切割、光刻結(jié)合化學(xué)刻蝕的使用等，已經(jīng)證實(shí)可以用于此目的。在適當(dāng)?shù)臏系佬纬芍?，溝道壁要進(jìn)行適當(dāng)極性的摻雜，使接觸達(dá)到相應(yīng)的水平摻雜硅層。溝道壁的摻雜可以用擴(kuò)散、附加層沉積等實(shí)現(xiàn)。可以通過電解質(zhì)沉積、溶液生長、網(wǎng)板印制、焊接、沉浸等方法將金屬加入溝道。
這些層的支承襯底可以由許多不同的適用材料，象單晶、多晶或非晶態(tài)硅、石墨、鋼或其它金屬、陶瓷、玻璃等形成。
層材料可以從任何半導(dǎo)體或半導(dǎo)體化合物中選擇。例如，在一可能的實(shí)例中，可能將相當(dāng)薄的硅/鍺合金層納入一個(gè)硅層堆中，使得器件的紅外響應(yīng)得到擴(kuò)展而沒有導(dǎo)致明顯的電壓輸出損失。也可以使用其他材料，例如非晶硅和它的合金、鎘碲化物、鎘硫化物、銅銦二硒或CuInxGa1-xSySe1-Y形式的合金。同樣可以在該堆中交錯插入例如氧化硅、氮化物或氮氧化物之類的隔離層。這在生長過程中會有一些實(shí)際好處，可以對氧化沉積后生長的各層重新設(shè)定其生長條件，也可以根據(jù)由于折射率不匹配這些層的反射情況給出最佳光學(xué)設(shè)計(jì)范圍。
參照圖4示意了一個(gè)實(shí)施方案。在此方案中，隔離材料層31-34插入到一堆摻雜層35-40中，該堆包含多個(gè)子堆53、54、55，每個(gè)子堆包含三個(gè)摻雜層35、41、36等，被記為n-p-n層堆。連接方法和前面描述的方案相同，在堆中形成至少兩個(gè)溝道，并且在相應(yīng)槽中形成n型垂直表面層45、46、47，以及P型垂直表面層48、49、50，然后通過例如化學(xué)鍍方法加入金屬觸頭51、52。應(yīng)該指出其他的堆結(jié)構(gòu)也是可行的，例如在每個(gè)子堆中包含很多層而不是三層。
圖4所示結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)在于，即使在制造過程中電池的一層或幾層出現(xiàn)缺陷，在其它情況下這會使上疊層失效或其性能低于期望，在缺陷上放置一層隔離材料可以起到結(jié)構(gòu)“復(fù)位”的作用，這樣隔離材料層以上的各層將不受缺陷的影響。
參看圖5，其所示結(jié)構(gòu)和圖1、圖2結(jié)構(gòu)類似，但這里不是所有的層10、11、12、13、14都和觸頭31、32通過垂直摻雜層33、34接觸。圖5結(jié)構(gòu)的好處在于，由于插入p-n結(jié)，未被接觸層14和電池結(jié)構(gòu)的其他部分隔離。這在沉積到襯底上的各層最初為劣質(zhì)材料、但質(zhì)量隨著后續(xù)層被沉積而得到改善時(shí)，是一個(gè)很重要的特點(diǎn)。通過不與靠近襯底的一層或幾層接觸，如果這些層足夠厚，可認(rèn)為它們非活性并且不會把電池的性能降低至與進(jìn)行接觸時(shí)電池的性能一樣。
可以用來制造圖2電池結(jié)構(gòu)的方法可能有以下步驟1.準(zhǔn)備電池待沉積的襯底。
2.用化學(xué)氣相沉積(CVD)方法沉積一個(gè)n型硅層。
3.用CVD在前述層上沉積一層p型硅。
4.用CVD在前述層上沉積一層n型硅。
5.用CVD在前述層上沉積一層p型硅。
6.用CVD在前述層上沉積一層n型硅。
7.形成一個(gè)屏蔽/表面鈍化層。
8.用激光或機(jī)械刻劃形成一組溝道，之后清洗溝道。
9.通過擴(kuò)散或CVD在第一溝道壁上形成n型摻雜層。
10.在第一溝道壁表面形成一個(gè)屏蔽層。
11.形成第二組溝道，之后清洗溝道。
12.通過擴(kuò)散或CVD在第二個(gè)溝道壁上形成p型摻雜層。
13.化學(xué)刻蝕使溝道中的硅暴露。
14.化學(xué)鍍鎳來使溝道中硅被接觸。
15.燒結(jié)鎳16.在鎳上用化學(xué)鍍的方法鍍銅，形成銅導(dǎo)體。
17.在銅上面沉積銀覆蓋層。
萬一在步驟2-6中沉積的是非晶態(tài)硅，那么可能需要附加一個(gè)結(jié)晶步驟，它優(yōu)選地放在步驟7之后。
雖然附圖所針對的是平界面，在實(shí)際中為了改善電池的光觸發(fā)，它們可以是有結(jié)構(gòu)或者是有紋理的。
本領(lǐng)域技術(shù)人員意識到可以使用以上在材料選擇、制造技術(shù)以及結(jié)構(gòu)尺寸方面的變化方案而不違背本發(fā)明的精神。
權(quán)利要求
1.一種太陽能電池，具有至少三層極性交替材料，在每對交替的層間形成p-n結(jié)，至少三層的最大摻雜濃度在1017原子/cm3以上，并且至少三層的厚度考慮到相應(yīng)層材料摻雜濃度基本上不大于少子擴(kuò)散長度。
2.權(quán)利要求1中的太陽能電池，其中摻雜層的厚度是相應(yīng)摻雜材料少子擴(kuò)散長度的0.05～5倍。
3.權(quán)利要求1中的太陽能電池，其中摻雜層的厚度是相應(yīng)摻雜材料少子擴(kuò)散長度的0.2～2倍。
4.權(quán)利要求1、2、3中的太陽能電池，其中摻雜層的厚度范圍為50～50μm。
5.權(quán)利要求1、2、3或4中的太陽能電池，其中電池材料從多種材料中選擇一種或幾種，這些材料包括摻雜的單晶或多晶硅、非晶態(tài)硅及它的合金、鎘碲化物、鎘硫化物、銅銦二硒及形式為CuInxGa1-xSySe1-Y的合金。
6.以上任何一種權(quán)利要求中的太陽能電池，其中電池包括一堆硅層和相對薄的硅/鍺合金層。
7.以上任何權(quán)利要求中的太陽能電池，其中電池包括一堆硅層，其間間隔插有隔離材料層。
8.權(quán)利要求7中的太陽能電池，其中隔離層由氧化硅、氮化物或氮氧化合物構(gòu)成。
9.權(quán)利要求8中的太陽能電池，其中隔離層位于由3或多個(gè)摻雜層組成的組之間。
10.以上任何權(quán)利要求中的太陽能電池，其中本征材料層或輕摻雜材料層放在一對或多對極性交替層之間，這樣產(chǎn)生的結(jié)是p-本征-n結(jié)。
11.以上任何權(quán)利要求中的太陽能電池，其中太陽能電池材料是硅，大多數(shù)層中最大摻雜濃度是1017原子/cm3或更高，并且摻雜層的厚度量級為40μm或更少。
12.權(quán)利要求11中的太陽能電池，其中每層中至少50％體積上的摻雜濃度大于1017原子/cm3。
13.權(quán)利要求12中的太陽能電池，其中每層基本上所有部分摻雜濃度介于1017-1018原子/cm3。
14.以上任何權(quán)利要求中的太陽能電池，其中每層的厚度介于0.2和15微米之間。
15.以上任何一個(gè)權(quán)利要求的太陽能電池，其中頂層摻雜材料的摻雜濃度是1018原子/cm3或更高。
16.一種形成薄膜太陽能電池的方法，它包括步驟a)在襯底上形成多個(gè)交替摻雜的半導(dǎo)體材料薄層，在其間形成多個(gè)整流結(jié)。至少3層的最大摻雜濃度大于1017原子/cm3，并且每層的厚度基本上不大于相應(yīng)摻雜材料的少子擴(kuò)散長度。b)接著在所說多層中形成至少兩組溝道，使一些或所有的摻雜層露出來。c)在至少一個(gè)溝道中形成P型表面區(qū)域，它覆蓋這個(gè)或這些溝道的整個(gè)表面。d)在至少另一個(gè)溝道中形成n型表面區(qū)域，它覆蓋相應(yīng)一個(gè)或多個(gè)溝道的整個(gè)表面。e)在每個(gè)溝道中形成一個(gè)金屬觸頭，分別和所說P型及n型表面區(qū)域相接觸。
17.權(quán)利要求16中的方法，其中襯底從單晶、多晶或非晶態(tài)硅、石墨、鋼或其他金屬、陶瓷或玻璃中選擇其一。
18.權(quán)利要求16或17中的方法，其中活性層由下述方法，化學(xué)氣相沉積、溶液生長、液相外延、等離子沉積及重結(jié)晶、以及非晶態(tài)材料的等離子沉積和隨后的結(jié)晶中選擇一種或幾種加以形成。
19.權(quán)利要求16、17或18中的方法，進(jìn)一步包括在一對或多對p和n型層之間形成本征或輕摻雜層的步驟。
20.權(quán)利要求16、17、18或19中的方法，進(jìn)一步包括在該堆中形成一個(gè)或多個(gè)隔離層的步驟。
全文摘要
一個(gè)多層太陽能電池結(jié)構(gòu)包括一堆P型和n型交替的半導(dǎo)體層(10、11、12、13、14)。它們排列形成多個(gè)整流的光電壓結(jié)(15、16、17、18)。低成本電池可以用劣質(zhì)材料，通過在薄膜中采用高摻雜水平對之優(yōu)化而加以制造。通常摻雜水平高于10
文檔編號H01L31/0224GK1145139SQ95192371
公開日1997年3月12日 申請日期1995年3月31日 優(yōu)先權(quán)日1994年3月31日
發(fā)明者S·R·文漢姆, M·A·格林 申請人:太平太陽有限公司