技術(shù)編號(hào)：6809589
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總體上涉及太陽能電池，并且特別涉及對(duì)薄膜器件的改進(jìn)。背景技術(shù)作為早期專利NO.US4726850和4748130的主題，埋入觸頭太陽能電池被光電池制造商們廣泛用于實(shí)現(xiàn)厚襯底(大于120微米)器件。本發(fā)明與一種新型光電池結(jié)構(gòu)以及其實(shí)現(xiàn)有關(guān)，其中采用多層n型和P型交替的水平硅層，大大提高了對(duì)劣質(zhì)材料吸收光子后產(chǎn)生的載流子的收集率。這樣的結(jié)構(gòu)使用傳統(tǒng)的方法是不可行的，傳統(tǒng)方法中體材料襯底是由直接切成單個(gè)晶片或襯底的晶體構(gòu)成。然而，用于層形成的新型薄膜技術(shù)，...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。