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半導(dǎo)體器件的制造方法

文檔序號:6808780閱讀:134來源:國知局
專利名稱:半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明一般涉及一種采用多層金屬布線結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的制造方法,特別涉及高集成化和半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)率。
通常,通過在一絕緣層上淀積一第一金屬層;使用金屬布線掩??涛g第一金屬層形成第一金屬布線;淀積一鋪墊平整化絕緣膜以及在第一金屬層上淀積一第二金屬層來制造適用于半導(dǎo)體器件的雙平面金屬結(jié)構(gòu)。這些常規(guī)的工藝步驟的顯著缺陷是當(dāng)由于第一金屬布線間的深槽產(chǎn)生大長寬比時(shí)出現(xiàn)空隙,嚴(yán)重影響器件特性。此外,在第一金屬布線上所淀積的絕緣層不完全平整,很難進(jìn)行第二金屬層的刻圖步驟,因而降低了生產(chǎn)率。
所以,本發(fā)明的主要目的在于提供通過選擇生長氧化物,避開上述與已有技術(shù)相關(guān)的問題來制造采用多層金屬布線結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的方法。
本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種采用多層金屬布線且無空隙的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的制造方法。
本發(fā)明的再一個(gè)目的在于提供一種能顯著提高器件集成度的制造方法。
通過參照附圖詳細(xì)地說明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例會更加明了本發(fā)明的上述目的及其它優(yōu)點(diǎn)。


圖1~4是表示根據(jù)本發(fā)明形成半導(dǎo)體器件中的多層金屬布線結(jié)構(gòu)工藝步驟的剖面圖。
參照附圖會更了解本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的用途,例中描述的是雙層金屬布線,其中相同的標(biāo)號分別用于相同的和相應(yīng)的部件。
首先,圖1表示在下平整化氧化層1上所形成的第一金屬布線2,下平整化氧化層1是器件例如半導(dǎo)基底(未示出)上的晶體管上的一層絕緣層。如從該圖所見,以光刻膠膜圖形3作為掩??涛g下氧化層1上所淀積的第一金屬層制成第一金屬布線2。
圖2是在下氧化層的裸露表面上生長選擇氧化層4之后的剖面圖,其厚等于第一金屬布線2的高度。
圖3是在去掉光刻膠膜圖形3后獲得的選擇氧化層4與第一金屬布線2交替的平整化層之后剖面圖。
最后,圖4是在平整化層上全面淀積一絕緣層5,隨后在該絕緣層5上淀積第二金屬層6之后的剖面圖。
如前文所述,根據(jù)本發(fā)明,通過在有用于在下氧化層上形成第一金屬布線的光刻膠膜圖形的情況下,使選擇氧化層生長到第一金屬布線厚度所得到的平整化層上淀積一絕緣層,可防止空隙發(fā)生。此外,由于第一金屬布線的平整化層,使對第二金屬層的刻圖步驟可容易進(jìn)行,使生產(chǎn)率顯著提高。因而,本發(fā)明可有效地用于設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)小于0.4μm的超大規(guī)模集成器件。
前文已描述了一種用于制造采用雙平面金屬結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的技術(shù),但預(yù)計(jì)對本領(lǐng)域的技術(shù)人員可提示其它等同構(gòu)形、改型、及替代的實(shí)施方案。例如,在金屬層淀積之前通過生長此類選擇氧化層,可使用該技術(shù)形成三層金屬和更多的多平面金屬結(jié)構(gòu)。所以在本發(fā)明的精神內(nèi),雖然本文未明確地提及,也可創(chuàng)立替代的實(shí)施方案,本發(fā)明僅由所附權(quán)利要求的范疇和內(nèi)函限定。
權(quán)利要求
1.一種制造采用多層金屬布線結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的制造方法,該法包括以下各步驟在一半導(dǎo)體基片頂上的晶體管結(jié)構(gòu)上淀積一下氧化層;在該下氧化層上淀積第一金屬層,并在該第一金屬層上形成光刻膠膜圖形;用該光刻膠膜圖形作掩??涛g第一金屬層,形成第一金屬布線;在下氧化層的裸露區(qū)域上生長選擇的氧化層;去掉光刻膠膜圖形,并在所得結(jié)構(gòu)上淀積鋪墊絕緣層;以及在該絕緣層上淀積第二金屬層。
2.一種根據(jù)權(quán)利要求1的方法,使其中所說的選擇氧化層生長到與所說的第二金屬層高度相同的厚度。
全文摘要
通過在有用于在下氧化層上形成第一金屬布線層的光刻膠膜圖形的情況下,使選擇的氧化層生長到第一金屬布線厚度得到的平整化層上淀積一絕緣層,來制造無空隙的雙平面金屬結(jié)構(gòu)。此外,由于第一金屬布線的平整化層,使對在該絕緣層上所淀積的第二金屬層的刻圖步驟可容易進(jìn)行,使生產(chǎn)率顯著提高。因而本發(fā)明可有效地用于設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)小于0.4μm的超大規(guī)模集成器件。
文檔編號H01L23/532GK1122955SQ9510661
公開日1996年5月22日 申請日期1995年6月27日 優(yōu)先權(quán)日1994年6月30日
發(fā)明者崔圭 申請人:現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)株式會社
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