專利名稱：晶體管及其制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及電子器件，尤其涉及的雙極晶體管。
雙極晶體管廣泛用于數(shù)字及模擬電路中，其應用包括計算機處理器、存儲器、電源等。雙極晶體管的作用包括放大，開關，產(chǎn)生偏置等。雖然雙極晶體管比金屬氧化物半導體器件(MOS)的體積大，功耗多，但其速度很快，因此，雙極晶體管通常在快速存儲器，快速邏輯陣列及其它用于數(shù)據(jù)及電話通訊的高速產(chǎn)品中。
雙極晶體管設計的主要目的包括高頻范圍(允許高速)，高電流及功率增益(可取得低功耗)，以及低晶體管噪聲，另一目的則為與類似晶體管的良好特性匹配，尤其是在同樣集電極電流時基極和發(fā)射極電壓差的良好VBE匹配特性，VBE匹配對依賴有類似電特性的類似晶體管的單片電路尤為重要。
為取得高頻范圍，就要設法增加發(fā)射區(qū)與基區(qū)之比并減少集電極阻抗。因為晶體管電流增益為一的頻率fT及功率增益為一的頻率fmax與發(fā)射區(qū)和基區(qū)之比成正比，而與集電極阻抗成反比(參見W Burger等人，BCTM Procedings，BCTM 1990，第78-81頁)進而，減小集電極阻抗可減小晶體管噪聲并增加電流及功率增益，減小發(fā)射極阻抗可減少噪聲并增加電流和功率增益，再者，減小發(fā)射極阻抗改善了VBE匹配，尤其是在大晶體管電流情況下，如此增加發(fā)射極與基極的區(qū)域比及減小集電極和發(fā)射極阻抗是在雙極晶體管設計中的重要目的。


圖1展示了先有技術晶體管110的平面視圖，發(fā)射極120延展越過基極130，發(fā)射極寬度WE被選擇較小以減少基極阻抗，因為基極阻抗導致噪聲并降低頻率范圍(參見美國專利申請“晶體管及其制造方法”，由A.Iranmanesh等人在1992年9月25日提交)，基極接觸區(qū)140在發(fā)射極的兩側接觸基極以減小基極阻抗，集電極(未示出)在基極下面并與集電極接觸區(qū)150-1，150-2產(chǎn)生電接觸。
集電極接觸孔160-1到160-8，基極接觸開孔170-1和170-2，以及發(fā)射極接觸開孔180-1和180-2形成在一個絕緣層上，該絕緣層疊加在晶體管上以使集電極，基極和發(fā)射極與位于該絕緣層上的導電層相接觸。
晶體管110中發(fā)射極與基極的面積比等于發(fā)射極寬度與基極寬度之比(WE/WB)增加WE或減少WB均可增加該比值。但是，增加WE將導致基極阻抗增加。另一方面，基極區(qū)寬度WB不能小于設計原理設定的最小值，因此，需要在保持同樣發(fā)射極區(qū)寬度在同樣設計要求下設計一種具有較大發(fā)射極和基極面積之比的晶體管。
發(fā)射極接觸開孔180-i(i＝1，2)橫向偏離基極和發(fā)射極而非位于發(fā)射極120之上，其目的在于使發(fā)射極120比接觸開孔更窄。由于發(fā)射極較窄，基極阻抗減小。但是，由于在基極中心處的發(fā)射極部分遠離發(fā)發(fā)射極接觸開孔，從而導致發(fā)射極阻抗增加，因此，理想的是減小發(fā)射極阻抗并同時使其窄于接觸開孔，減小集電極阻抗也是所需求的。
本發(fā)明的優(yōu)點在于該晶體管具有高的發(fā)射極/基極面積比，低發(fā)射極阻抗，低集電極阻抗并同時具有小的發(fā)射極寬度，這些優(yōu)點是通過沿基極頂部表面的外邊緣設置發(fā)射極而予實現(xiàn)的。由于發(fā)射極與基極邊界一樣長，所以盡管其寬度很窄，仍可提高發(fā)射極與基極面積之比。
在一些實施例中，發(fā)射極包括一部分導電層，該導電層延展超了基極頂部表面邊界，超過邊界部分的導電層加寬了發(fā)射極電流通路而沒有加寬發(fā)射極，結果，在同樣寬的發(fā)射極情況下取得了低的發(fā)射極阻抗。
在一些實施例中，集電極接觸區(qū)基本上圍繞發(fā)射極以提供低集電極阻抗。
在一些實施例中，通過提供位于基極中間的集電極接觸區(qū)以及另一個在基極外向的集電極接觸區(qū)以獲得低集電極阻抗。
其地特性及優(yōu)點將在以下敘述、本發(fā)明與權利要求所限定。
圖1是先有技術雙極晶體管的平面視圖;
圖2和3分別為根據(jù)本發(fā)明的雙極晶體管的平面視圖及剖面圖;
圖4是根據(jù)本發(fā)明的雙極晶體管的平面視圖;
圖5和圖6分別為根據(jù)本發(fā)明的雙極晶體管的平面視圖及剖面圖。
圖2為用于高頻應用的晶體管210的平面視圖。圖3展示了晶體管210的剖面圖，晶體管210是一NPN管，但PNP管亦可由本發(fā)明實現(xiàn)。
如圖2所示，晶體管210的發(fā)射極120沿基極130頂部表面的外邊界130B延展基極頂部表面為一平面圖，基極130包括一個單電硅襯底230的基本圓柱形的P型摻雜區(qū)220(圖3)，以及重疊并接觸區(qū)域220的高熔點硅化物(即鈦硅化物)部分。在某些實施例中，邊界130B在平面圖中為一多邊形而非一圓形，例如是一個20邊形，在其它實施例中，邊界130B為一橢圓或其它形狀。
發(fā)射極120與整個邊界130B重疊并與沿邊界的部分基極頂部表面重疊，發(fā)射極120包括與基極130重疊的相鄰導電層250的部分，導電層250的內外邊界部分在圖2中分別為250B-1和250-2。導電層250包括多晶硅層260(圖3)的n+部分以及與n+多晶硅部分重疊的高熔點硅化物240的部分，發(fā)射極120還包括襯底230的n+區(qū)370，該襯底位于導電層250的多晶部分的下面并與基極重疊。在發(fā)射極120多晶硅側壁上的氧化硅隔離層將發(fā)射極與基極130的金屬硅化物部分隔離開來。
發(fā)射極120的內部邊界250B-1在平面上看為一圓或橢圓，或一個20邊形或其它多邊形，或其它形狀，在某些實施例中，發(fā)射極寬度WE約為0.8μm，以減小基極阻抗。
相鄰的導體層250的外邊界呈圓形，除孔在發(fā)射極接觸開孔180-1和180-2處，在該處，導體層250形成突出部分250-1和250-2以與接觸開孔相適配，除了突出部分外，導體層250約為1.6μm寬，從而使集電極接觸區(qū)150-1，150-2與發(fā)射極120很相適，結果，小的晶體管尺寸被實現(xiàn)了，集電極阻抗也減小了，其原因如下所述。
在某些實施例中，外邊界250B-2除了在發(fā)射極接觸開孔處的以外，為橢圓或多邊形。其它形狀亦可采用。
接觸開孔180-1，180-2在導體層250處結束但在發(fā)射極120處未終止以便使發(fā)射極可以比接觸開孔更窄，在一個實施例中，發(fā)射極寬度WE為0.8μm，而每個接觸開孔180-i(i＝1，2)在平面視圖的圖形為1.0×1.0μm。
基極130及位于基極下面的n-集電極382由氧化區(qū)386所圍繞，從而使基極和集電極與集成電路的其他部分。N+掩埋層30位于集電極382和環(huán)繞氧化區(qū)386下面并提供了從集電極到n+沉接區(qū)394-1和394-2的低阻抗通路，掩埋層和沉接區(qū)具有比集電極更低的電阻。沉接區(qū)394-i(i＝1，2)延伸到襯底230的頂部表面，從而使集電極382可以電接觸頂部表面，沉接區(qū)394-i基本圍繞發(fā)射極，基極和集電極，除非沉接區(qū)被斷開以提供突出部分250-1和250-2的空間，氧化區(qū)386圍繞沉接區(qū)并通過晶體管延伸到基極/集電極區(qū)以及沉接區(qū)的外面。
在平面視圖中，沉接區(qū)394-1的頂部表面的內邊界394-1B-1及外邊界394-1B-2為圓形，或橢圓形，或多邊形或其它形狀。沉接區(qū)394-2的頂部表面的內邊界394-2B-1和外邊界394-2B-2亦為圓形，或橢圓形，多邊形或其他形狀。
集電極接觸區(qū)150-1，150-2是在來自多晶硅層260的n+部分以及重疊金屬硅化物240的多個沉接區(qū)394-1和394-2上形成的，在基極中間的基極接觸區(qū)140是從多晶硅260的n+部分以及重疊金屬硅化物240形成的。絕緣體396在一個實施例中是二氧化硅，該絕緣體覆蓋基極，發(fā)射極和集電極?；鶚O接觸開孔170，集電極接觸開孔160-1至160-4，以及發(fā)射極接觸開孔180-1，180-2形成在絕緣體396中以接觸基極接觸區(qū)140，集電極接觸區(qū)150-1，150-2以及相鄰的導電層250，金屬接觸397，398-1至398-4，以及408-1，408-2分別形成在多個接觸開孔中。
如上所述，使發(fā)射極沿基極頂部表面邊界分布增加了發(fā)射極長度，從而增加了發(fā)射極區(qū)而無需增加發(fā)射極寬度WE，最后增加的發(fā)射極區(qū)AE與基極區(qū)AB之比示于下列例子中?？紤]這樣一個實施例，其中基極邊界130B及發(fā)射極內邊界250B-1在平面均為圓或多邊形(與圓類似的多邊形)，例如一個20邊形，這一實施例由下列尺寸所制做(這些尺寸為設計條例所允許的最小尺寸)基極接觸開孔170的直徑為1.0μm，基極接觸區(qū)140的半徑為0.4μm，它大于基極接觸開孔170的半徑，基極接觸區(qū)140與發(fā)射極120的距離為1.0μm，且發(fā)射極寬度WE為0.8μm，發(fā)射極的外半徑R2因此為1.0/2+0.4+1.0+0.8＝2.7μm，而其內半徑R1，則為1.0/2+0.4+1.0＝1.9μm。發(fā)射極面積AE＝π(R22-R21)＝11.56μm2。基極面積AB＝πR22＝22.9μm2，其比值為AE/AB＝0.5。
與之相比，采用同樣發(fā)射極寬度及同樣設計條例和最小尺寸，先有技術晶體管110(圖1)的AE/AB比值僅為0.21，即，假設圖1中的發(fā)射極寬度WE＝0.8μm，而在發(fā)射極任一側的基極部分為1.5μm以使基極接觸區(qū)140可以接觸發(fā)射極的兩邊，則總的基極寬度為0.8+1.5×2＝3.8μm。該AE/AB比＝WE/WB＝0.21其為2.4倍小于晶體管210的比值0.5，在AE/AB比中的240%增加導致fT和fmax參數(shù)的極大提高，從而極大改善了晶體管的頻率范圍。
晶體管210有較低的發(fā)射極阻抗，因為其接觸了部分導電層250該導電層橫向地延展超過基極邊界130B并加寬了發(fā)射極電流通路。由于導電層250部分位于基極邊界之外從而并不形成發(fā)射極部分，發(fā)射極電流通路因此可被增寬而無需增加發(fā)射極寬度，從而導致基極電阻增加。
另外一個考慮到降低晶體管210發(fā)射極阻抗的因素是整個發(fā)射極與接觸開孔180-i極為相近，尤其是如圖2所示，發(fā)射極120的整個一半頂部離接觸開孔180-1為LE/4的距離，這是LE是沿發(fā)射極中間測量的發(fā)射極長度，類似地，發(fā)射極底部的一半與接觸開孔180-2的距離約為LE/4。因此，發(fā)射極的任一點與發(fā)射極接觸開孔的距離約為LE/4。
與之對照，在圖1中，發(fā)射極120的中間是在發(fā)射極接觸開孔約LE/2處，約為LE/4這一較小距離是因為發(fā)射極120從每一發(fā)射極接觸開孔180-i沿兩個方向(順時鐘和逆時鐘)延伸。與之相反，先有技術圖1的發(fā)射極120只沿一個方向從每個接觸開孔180-i延展，因為圖1的每個接觸開孔180-i位于發(fā)射極的終端。因此，在給定發(fā)射極長度LE及其寬度WE(因此，在一給定發(fā)射極區(qū)AE＝LE×WE)，在襯底上的發(fā)射極部分的串行阻抗大約小于先有技術晶體管110的2倍。
在圖4的實施例中，發(fā)射極阻抗減少更多，其方式是沿邊界130B分布附加的發(fā)射極接觸開孔，由于整個發(fā)射極120靠近邊界130B，整個發(fā)射極與發(fā)射極接觸開孔180-i相近，從而導致低發(fā)射極阻抗。
除了發(fā)射極接觸開孔180-i突出部分250-i，集電極接觸區(qū)150-i以及沉接區(qū)394的數(shù)目之外，圖4的實施例與圖2，3的類似。
低發(fā)射極阻抗可導致高電流增益，高功率增益，低晶體管噪聲以及良好的VBE匹配特性。
圖2-4的晶體管210由于有通過掩埋層和沉接區(qū)的寬集電極電流通路，從而有低集電極阻抗，參照圖1，集電極電流通過發(fā)射極120和集電極接觸區(qū)150-1，150-2之間，借由掩埋層(未示于圖1)及沉接區(qū)(未示于圖1)。沉接區(qū)在集電極接觸區(qū)下面，集電極電流通路通過掩埋層和沉接區(qū)，其寬度約與發(fā)射極長度相等。
相反，在圖2的晶體管210中，集電極電流通路的寬度至少在部分掩埋層390和沉接區(qū)394-i中大于LE。在發(fā)射極附近，掩埋層中的集電極電流通路的寬度約與LE相等，但是，由于集電極電流通路橫向由發(fā)射極移動離開到沉接區(qū)，集電極電流通路的寬度增加為沉接區(qū)內邊界394-1B-1，394-1B-2的長度，該通過沉接區(qū)的電流通路寬度也大于或等于該內邊界的長度。由于內邊界實際上圍繞發(fā)射極，在某些實施例中的內邊界的長度大于發(fā)射極長度LE晶體管210中集電極阻抗因此很小。
由于類似原因，圖4的晶體管210也有較低的集電極阻抗，圖2-4的晶體管的低集電極阻抗可以導致高晶體管頻率范圍，大電流增益，高功率增益，以及低晶體管噪聲。
在突出部分250-i之間創(chuàng)作窄導電層250可進一步減小集電極阻抗，因為這樣可以使沉接區(qū)394-i更接近發(fā)射極120。
圖5和圖6展示了高性能晶體管510的平面視圖及橫截面圖，圖6只展示了橫截面的左半部，右半部與左半部相同，晶體管510與圖2，3的晶體管210類似，但其有另一集電極接觸區(qū)150-3位于基極中間，附加的沉接區(qū)394-3(圖6)掩埋層390連到集電極接觸區(qū)150-3處的襯底表面，一個附加集電極接觸開孔160-5終止于接觸區(qū)150-3處，附加的集電極接觸區(qū)和附加的沉接區(qū)進一步減小了集電極阻抗。
晶體管510的基極表面有一內邊界130-1和一外邊界130B-2。每個邊界130B-i為一圓，或橢圓，或多邊形或其它形狀。相鄰導電層250的內邊界250B-1和外邊界250B-2以及基極接觸區(qū)140的內邊界140B-1和外邊界140B-2也是圓形，橢圓形，多邊形或其它形狀，除了外邊界250B-2實出部分250-1，250-2處為長方形。
基極接觸開孔由170-1至170-4表示。
圖2至6的晶體管210和510是用下列文件敘述的一種處理制成的美國專利申請“晶體管及其制作方法”，1992年9月25日由AIranmanesh等人提交，美國專利申請07/502，943“BICMOS器件及制作方法”，1990年4月2日由V.Ilderem等人提交;美國專利申請07/503，498，“高性能半導體器件及其制造”，1990年4月2日由A.G.Solheim等人提交，以及由A.Iranmanesh等人發(fā)表的文章“有高級BICMOS的總系統(tǒng)方法”(見“固態(tài)技術”1992年7月版第37-40頁)例如，在一個實施例中，晶體管210和510如下制作。
構成襯底230的底部的P型襯底520被掩膜處理以限定掩埋層390n型進行摻雜以形成掩埋層。
N-型外延層530在襯底520上生長以提供襯底230的頂部氧化區(qū)386在外延層530中形成，n+掩埋層部分延展外延層中，其原因在于過擴散。
對沉接區(qū)394進行n型摻雜，然后沉積多晶硅層260并實行P型摻雜。P型摻雜過擴散到外延層530并將其區(qū)220轉換成P型導體。附加的P和n型摻雜物有選擇地引入多晶硅層以便多晶硅在相鄰的導體層250及集電極接觸區(qū)150處成為n+型摻雜，且多晶硅在基極接觸區(qū)140處成為P+型摻雜，多晶硅層260然后進行掩膜及蝕刻以限定相鄰的導電層250，基極接觸區(qū)140，以及集電極接觸區(qū)150。
多晶硅層260的摻雜物擴散進入外延層530以形成n+發(fā)射區(qū)370并增加基極接觸區(qū)140附近的基極區(qū)中的P型摻雜物濃度，多晶硅的蝕刻度控制以便大于發(fā)射極區(qū)370的深度，從而減小發(fā)射極一基極容抗。在一個實施例中，區(qū)域370的深度約為500A，而多晶硅被過蝕刻至大約1200A(從外延層表面)。
附加的P型摻雜物引入到非本征基極(即未由發(fā)射極覆蓋的基極部分)，二氧化硅隔離376圍繞發(fā)射極形成。金屬硅化物240，二氧化硅396，接觸開孔180-i，170和160-i金屬接觸397，398i及408-i，以及覆蓋金屬層然后以上述方式(例如美國專利申請07/503，498，Solheim等人提交)形成。
雖然本發(fā)明已由上述實施例所展示，其他實施例及改型也落入本發(fā)明的范疇。例如，相鄰導電層250的寬度可是均勻一致的。集電極接觸區(qū)和沉接區(qū)可以完全圍繞基極和集電極。只要把NPN晶體管的極性相應改為PNP，即可獲得PNP晶體管。進而，本發(fā)明本限于特定的材料。例如，多晶硅260和金屬硅化物240可由其他材料取代本發(fā)明包括非硅器件，例如鍺、鎵、砷化物器件，本發(fā)明不限于金屬的晶體結構，發(fā)射極長度和寬度尺寸以及發(fā)射極、基極或其它區(qū)域的其它尺寸。本發(fā)明的變型及其它實施例由下列權項限定。
權利要求
1.一種晶體管包括具有第一導電型的第一區(qū)，具有與第一導電型相反的導電型的第二區(qū)，該第二區(qū)與第一區(qū)接觸，該第二區(qū)具有一個有一外邊界的表面，以及具有第一導電型的第三區(qū)，該第三區(qū)與所述第二區(qū)的表面的全部外邊界相接觸。
2.根據(jù)權利要求1所述的晶體管，其中所述表面為圓形。
3.根據(jù)權利要求1所述晶體管，其中所述表面為多邊形。
4.根據(jù)權利要求3所述晶體管，其中所述多邊形有20個邊。
5.根據(jù)權利要求1所述晶體管，其中對所述外邊界的每點，該第三區(qū)接觸與所述外邊界的點相鄰的所述表面的內部。
6.根據(jù)權利要求1所述的晶體管，其中所述第一區(qū)形成在有一頂部表面的半導體襯底中;所述晶體管進而包括第四區(qū)，該第四區(qū)將所述第一區(qū)連到所述頂部表面從而使所述第一區(qū)與所述頂部表面電接觸;所述第二區(qū)覆蓋在所述第一區(qū)上;以及所述第三區(qū)覆蓋在所述第一和第二區(qū)上。
7.根據(jù)權利要求6所述的晶體管，其中所述第四區(qū)有一頂部表面，該頂部表面形成了部分所述頂部表面，且所述第四區(qū)的頂部表面橫向地位于所述第二區(qū)的表面的外邊界之外。
8.根據(jù)權利要求6的晶體管，其中所述第四區(qū)有一部分由所述第二區(qū)橫向地圍繞。
9.根據(jù)權利要求6的晶體管其中所述第四區(qū)把所述第一區(qū)陣列所述襯底的頂部表面的第一部分和所述襯底的頂部表面的第二部分以便所述襯底的頂部表面的第一部分由所述第二區(qū)的表面所橫向地圍繞以及所述襯底的頂部表面的第二部分橫向地處于所述第二區(qū)的所述表面的外邊界之外。
10.一種晶體管包括一個集電極區(qū);一個覆蓋并接觸所述集電極區(qū)的基區(qū)，所述基區(qū)的一個頂部表面有一外邊界并有一部分與部分沿所述整個外邊界延伸的所述外邊界相鄰;以及一個發(fā)射區(qū)，該發(fā)射區(qū)覆蓋并接觸所述基區(qū)表面的整個部分。
11.根據(jù)權利要求10的晶體管，其中所述外邊界是圓形。
12.根據(jù)權利要求10的晶體管，其中所述外邊界是多邊形。
13.根據(jù)權利要求10的晶體管，其中所述多邊形有20個邊。
14.根據(jù)權利要求10所述晶體管，其中所述集電區(qū)形成在有一頂部表面的半導體襯底上;以及所述半導體襯底包括一個從所述集電區(qū)延展至所述襯底的頂部表面的一個部分P的區(qū)域R，所述部分橫向地位于所述基區(qū)頂部表面的外邊界之外。
15.根據(jù)權利要求14所述晶體管，其中所述部分P基本橫向地圍繞所述發(fā)射極區(qū)。
16.根據(jù)權利要求14所述的晶體管，其中所述區(qū)域R的阻抗低于所述集電區(qū)。
17.根據(jù)權利要求14的晶體管，其中所述區(qū)域R包括一個第一部分;該部分在所述集電區(qū)工作并與其接觸，該部分橫向地延伸超出所述集電區(qū);以及一個第二部分，該部分將所述區(qū)域R的第一部分連到所述襯底的頂部表面。
18.根據(jù)權利要求10的晶體管，其中所述集電極形成在有一頂部表面的半導體襯底上，以及所述半導體襯底包括一個從所述集電區(qū)延展到所述襯底頂部表面一部分的區(qū)域，該頂部表面的一部分由所述基極的頂部表面橫向圍繞。
19.根據(jù)權利要求10的晶體管，其中所述集電區(qū)形成在具有一頂部表面的半導體襯底上，以及所述半導體襯底包括從所述集電區(qū)延展到所述襯底頂部表面的一個第一部分以及所述襯底頂部表面的一個第二部分的區(qū)域，從而所述第一部分橫向地位于所述基區(qū)表面外邊界之外且所述第二部分由所述基極區(qū)的頂部表面橫向地圍繞。
20.根據(jù)權利要求10的晶體管，其中所述發(fā)射極區(qū)包括一個接觸導電層的部分，所述導電層橫向地延伸到所述基區(qū)頂部表面外邊界之外。
21.根據(jù)權利要求20的晶體管還包括一個位于所述基區(qū)和所述相鄰導電層上面的絕緣體，該絕緣體有一個或多個接觸開孔用于與發(fā)射極區(qū)相接觸，所述接觸開孔終止于在所述基區(qū)頂部表面外邊界外面的所述相鄰導電層之處。
22.一種晶體管包括一個形成在一半導體襯底中的集電區(qū)，該集電區(qū)與所述半導體襯底的一個表面的部分C1相接觸。一個基區(qū)，該基區(qū)與所述集電極區(qū)相接觸，所述基區(qū)圍繞所述表面部分C1;以及一個與所述基區(qū)接觸的發(fā)射極區(qū)。
23.根據(jù)權利要求22的晶體管，其中所述發(fā)射極區(qū)圍繞所述部分C1。
24.根據(jù)權利要求22的晶體管，其中所述集電區(qū)為一接觸區(qū)，它與所述襯底的表面的一部分C2相接觸，所述部分C2位于所述基區(qū)外邊界之外。
25.根據(jù)權利要求24的晶體管，其中所述發(fā)射極區(qū)圍繞所述部分C1。
26.一種晶體管，包括一個形成在一半導體襯底上的集電區(qū);一個接觸所述半導體襯底的一個表面的集電極接觸區(qū)，該集電極接觸區(qū)因此而與所述集電區(qū)電接觸;一個接觸所述集電區(qū)的基區(qū);一個接觸所述基區(qū)的一個表面的基極接觸區(qū);以及一個接觸所述基區(qū)的發(fā)射極區(qū);從而所述基極接觸區(qū)圍繞所述集電極接觸區(qū)。
27.根據(jù)權利要求26的晶體管，其中所述發(fā)射極區(qū)圍繞所述集電極接觸區(qū)。
28.根據(jù)權利要求26的晶體管，其中所述發(fā)射極區(qū)圍繞所述基極接觸區(qū)。
29.一種用于制作半導體器件的方法，包括以下步驟形成一個具有第一導電型的第一區(qū);在該第一區(qū)上形成與之接觸的一個第二區(qū)，該第二區(qū)有一與和第一導電型相反的第二導電型，該第二區(qū)有一頂部表面S，該表面S有一邊界;形成一個與第二區(qū)接觸并在其上的材料層;形成一個在該材料層上的一部分的掩膜，該部分有所述第一導電型并覆蓋于所述表面S的全部邊界;以及去除由掩膜暴露部分的材料層。
30.一種制作晶體管的方法，包括以下步驟在半導體襯底中形成，1)一個導電層，2)一個在該導電層上并與之接觸的集電區(qū);形成一個沉接區(qū)，該沉接區(qū)從所述襯底的一個表面向下延伸到所述導電層，該沉接區(qū)由所述集電區(qū)橫向地圍繞;摻雜所述集電區(qū)的一個頂部部分以將該頂部部分轉換成一個基區(qū);以及形成一個與該基區(qū)接觸并于其上的發(fā)射極區(qū)。
全文摘要
一種雙極晶體管，其發(fā)射極圍繞基極，該晶體管具有高比例的發(fā)射極區(qū)和基區(qū)面積之比以及低的集電極和發(fā)射極阻抗，進而，該晶體管的集電極接觸區(qū)由基極圍繞，結果，可以得到低的集電極阻抗。
文檔編號H01L29/73GK1092559SQ9410109
公開日1994年9月21日 申請日期1994年1月28日 優(yōu)先權日1993年1月29日
發(fā)明者阿利·A·伊朗曼奈施 申請人:國民半導體公司