專利名稱：銦鎵砷光電探測器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種在n型銦鎵砷吸收層上具有雙重勢壘增強層，以便獲得低暗電流的光電探測器，屬于微電子學光電子技術領域。
設計良好的金屬-半導體-金屬(MSM)平面結構的銦鎵砷光電探測器中，其關鍵技術之一就是設計一個有效的肖特基勢壘增強層。在已申請的CN92108310.6中，還有待進一步提高肖特基勢壘之有效高度。
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術中的不足之處而提供一種具有雙重勢壘的銦鎵砷光電探測器。
本發(fā)明的任務是通過下列措施來完成的一種由襯底、緩沖層、吸收層、雙重勢壘增強層和金屬電極組成的銦鎵砷光電探測器，雙重勢壘增強層就是在非摻雜磷化銦增強層上再生長一層薄P型非摻雜磷化銦增強層，對n型銦鎵砷具有雙重勢壘增強的功能。
附

圖1為銦鎵砷光電探測器的平面結構示意圖。
本發(fā)明以下將結合附圖對實施例進行詳述一種由半絕緣InP(磷化銦)單晶襯底1、非摻雜的InP緩沖層2、n型In0.53Ga0.47As本征光吸收層3、非摻雜磷化銦(InP)增強層4、薄P型非摻雜磷化銦(InP)增強層6、肖特基勢壘金屬(Al或Ti/Au)制成的交叉指狀電極5組成，如附圖1所示。為了提高肖特基勢壘高度，本發(fā)明在于在非摻雜磷化銦(InP)形成的勢壘增強層4的表面上，再引入一層薄P型非摻雜磷化銦(InP)增強層6，這樣非摻雜磷化銦(InP)增強層4、薄P型非摻雜磷化銦(InP)增強層6構成本發(fā)明的雙重勢壘增強層，這一薄P型非摻雜磷化銦(InP)增強層6的厚度t和摻雜濃度Np，應滿足△φ＝qNpt2/2εs，其中q為電子電荷，εs為InP的解電常數(shù)，△φ是相對InP的肖特基勢壘高度的增量，該式條件為Wp＞＞N，N為非摻雜磷化銦(InP)增加層4中的殘余n型雜質(zhì)濃度，通常InP的增強層總厚度以80～100nm為宜。這樣的結構可以獲得更低的暗電流，并能減小放大器的噪音，進而制造低噪音的單片放大器。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比可獲得比僅用InP勢壘增強層更為高的勢壘高度，仍然保持其晶格匹配，高速、低暗電流，工藝簡單的優(yōu)點，是一種更為理想的光纖通訊等領域中的重要電子器件。
權利要求
1.一種銦鎵砷光電探測器，它由襯底1、緩沖層2、吸收層3、非摻雜磷化銦(Inp)增強層4、金屬電極5組成，本發(fā)明的特征在于在非摻雜磷化銦(Inp)增強層4上再生長一層薄P型非摻雜磷化銦(Inp)增強層6。
全文摘要
銦鎵砷光電探測器，屬于微電子學光電子技術領域。本發(fā)明是由襯底、緩沖層、吸收層InP增強層、薄P型InP增強層、金屬電極組成。本發(fā)明可獲得比僅用InP勢壘增強層更為高的勢壘高度，仍然保持其晶格匹配，高速、低暗電流，工藝簡單的優(yōu)點，是一種廣泛應用于光纖通訊領域中的更為理想的光電探測器。
文檔編號H01L49/00GK1083991SQ9311236
公開日1994年3月16日 申請日期1993年3月13日 優(yōu)先權日1993年3月13日
發(fā)明者史常忻, 王慶康 申請人:上海交通大學